JP2010278120A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2010278120A5
JP2010278120A5 JP2009127576A JP2009127576A JP2010278120A5 JP 2010278120 A5 JP2010278120 A5 JP 2010278120A5 JP 2009127576 A JP2009127576 A JP 2009127576A JP 2009127576 A JP2009127576 A JP 2009127576A JP 2010278120 A5 JP2010278120 A5 JP 2010278120A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon carbide
carbide layer
semiconductor device
manufacturing
ratio
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009127576A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP5436046B2 (ja
JP2010278120A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2009127576A priority Critical patent/JP5436046B2/ja
Priority claimed from JP2009127576A external-priority patent/JP5436046B2/ja
Publication of JP2010278120A publication Critical patent/JP2010278120A/ja
Publication of JP2010278120A5 publication Critical patent/JP2010278120A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5436046B2 publication Critical patent/JP5436046B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2009127576A 2009-05-27 2009-05-27 炭化珪素半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JP5436046B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009127576A JP5436046B2 (ja) 2009-05-27 2009-05-27 炭化珪素半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009127576A JP5436046B2 (ja) 2009-05-27 2009-05-27 炭化珪素半導体装置の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010278120A JP2010278120A (ja) 2010-12-09
JP2010278120A5 true JP2010278120A5 (zh) 2011-12-22
JP5436046B2 JP5436046B2 (ja) 2014-03-05

Family

ID=43424838

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009127576A Expired - Fee Related JP5436046B2 (ja) 2009-05-27 2009-05-27 炭化珪素半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5436046B2 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2021025085A1 (zh) * 2019-08-06 2021-02-11
CN114430781B (zh) * 2019-08-06 2024-04-30 学校法人关西学院 SiC籽晶、SiC晶锭、SiC晶片及它们的制造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11162850A (ja) * 1997-08-27 1999-06-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 炭化珪素基板およびその製造方法、並びに炭化珪素基板を用いた半導体素子
JP2007269627A (ja) * 2002-03-19 2007-10-18 Central Res Inst Of Electric Power Ind 基板から継続するマイクロパイプを低減させるSiC結晶の製造方法およびSiC結晶、SiC単結晶膜、SiC半導体素子、SiC単結晶基板および電子デバイス、ならびにSiCバルク結晶の製造方法
JP4100070B2 (ja) * 2002-07-05 2008-06-11 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法
JP4732025B2 (ja) * 2004-08-19 2011-07-27 東北電力株式会社 炭化珪素薄膜の製造方法
JP4954654B2 (ja) * 2006-09-21 2012-06-20 新日本製鐵株式会社 エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法
JP2008112834A (ja) * 2006-10-30 2008-05-15 Sumitomo Electric Ind Ltd 炭化ケイ素半導体装置の製造方法
JP4853364B2 (ja) * 2007-04-11 2012-01-11 トヨタ自動車株式会社 SiC単結晶エピタキシャル薄膜の成長方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9070635B2 (en) Removing method
JP2011142310A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2014212312A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2009111375A5 (zh)
JP2011176095A5 (zh)
JP2016046530A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2012216796A5 (zh)
JP2009111373A5 (zh)
JP2014231457A5 (zh)
JP2013138187A5 (zh)
JP6361747B2 (ja) 炭化ケイ素半導体装置の製造方法及び炭化ケイ素半導体装置
JP2009135472A5 (zh)
JP2015160750A (ja) 炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法
JP2010045204A (ja) 半導体基板、半導体装置およびその製造方法
JP2010206058A5 (zh)
JP5882579B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2010278120A5 (zh)
JP4700652B2 (ja) 層構造の製造方法
JP2012129312A5 (zh)
US20160056034A1 (en) Method for manufacturing a wafer
JP2016171307A (ja) 基板接合方法
JP2010153488A (ja) Soiウエハの製造方法およびsoiウエハ
TWI546891B (zh) 半導體裝置及其形成方法
JP2013110161A5 (zh)
CN106298494B (zh) 一种多晶硅刻蚀方法