JP2010258363A5 - - Google Patents
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- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 17
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 claims 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims 1
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009109445A JP5343687B2 (ja) | 2009-04-28 | 2009-04-28 | 窒化物半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009109445A JP5343687B2 (ja) | 2009-04-28 | 2009-04-28 | 窒化物半導体レーザ素子 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010258363A JP2010258363A (ja) | 2010-11-11 |
JP2010258363A5 true JP2010258363A5 (enrdf_load_stackoverflow) | 2012-06-07 |
JP5343687B2 JP5343687B2 (ja) | 2013-11-13 |
Family
ID=43318904
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009109445A Active JP5343687B2 (ja) | 2009-04-28 | 2009-04-28 | 窒化物半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5343687B2 (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5510212B2 (ja) * | 2010-09-08 | 2014-06-04 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP5707929B2 (ja) * | 2010-12-21 | 2015-04-30 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
JP5872790B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2016-03-01 | ウシオオプトセミコンダクター株式会社 | 半導体レーザ装置 |
WO2022158557A1 (ja) * | 2021-01-22 | 2022-07-28 | 京セラ株式会社 | 発光素子、半導体レーザ素子並びにその製造方法および製造装置 |
JP7554125B2 (ja) * | 2021-01-28 | 2024-09-19 | 日本特殊陶業株式会社 | 波長変換部材及びそれを備える光源装置 |
CN119999032A (zh) | 2022-09-27 | 2025-05-13 | 新唐科技日本株式会社 | 氮化物系半导体发光元件 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002185081A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
JP4785276B2 (ja) * | 2001-06-11 | 2011-10-05 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体光機能素子の製造方法 |
JP2007103403A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
JP4952184B2 (ja) * | 2005-11-01 | 2012-06-13 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP4940987B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2012-05-30 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP4985374B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2012-07-25 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
JP2008300802A (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
-
2009
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