JP2010258353A - 観察欠陥選択処理方法、欠陥観察方法、観察欠陥選択処理装置、欠陥観察装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体検査に係わり、システマティック欠陥を効率的に検出することができる技術を提供する。
【解決手段】本システムでは、予めシミュレーション可能なホットスポット（ＨＳ）点と、外観検査の結果得られる欠陥点とを照合する処理（Ｓ７，Ｓ８）、及び、当該照合されなかった欠陥点に関しては、欠陥点における回路形状の類似性に基づき欠陥点をグループに分類する処理（Ｓ６，Ｓ９）等により、欠陥が頻度高く発生した回路形状に属する欠陥を特定することにより、システマティック欠陥を確実に検出等する。また、欠陥発生分布のウェハ上の偏在を捉える処理（Ｓ１１）により、ウェハのトポグラフィーに起因して生じたシステマティック欠陥の検出等も可能とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体の製造、検査の技術に関し、特に、半導体ウェハの外観検査で検出される欠陥（検出欠陥）から観察対象とする欠陥（観察欠陥）を選択（サンプリング）する観察欠陥選択処理方法等の技術に関する。更に、露光・マスク等を起因として生じるシステマティック欠陥（回路パターン形状や設計や装置特性等に依存して生じる欠陥）を重点的に観察するための技術に関する。

半導体ウェハの外観検査で検出される欠陥（検出欠陥）は、その詳細を観察するために、その検出欠陥の中から観察対象とする欠陥（観察欠陥）を選択（サンプリング）し、走査型電子顕微鏡等で観察している。

欠陥の種類のうちシステマティック欠陥に関する先行技術例として以下がある。

非特許文献１には、半導体ウェハの外観検査の結果得られるウェハ上の欠陥から、チップ単位で見たときに同一の場所に存在する“位置的繰り返し欠陥”のグループと、検出欠陥点近傍の回路形状を検索し、同一の回路形状上に存在する“回路形状的繰り返し欠陥”のグループとを抽出し、これら２つのグループが露光及びマスク起因のシステマティック欠陥の候補であるとみなして、これら２つのグループから観察欠陥をサンプリングする方法が開示されている。

R.Yen, et al. ,"Lithography Hot Spot Discovery at 70nm DRAM 300mm Fab : Process Window Qualification Using Design Based Binning", PE-O-044 , proc of International Symposium on Semiconductor Manufacturing 2008 渋谷久恵、高木裕治、中川泰夫、「点群分布パターン識別に基づく欠陥分類技術」、電学論Ｃ，１２７、４、ｐｐ．５２１−５２７（２００７−４）

レジスト塗布、現像後あるいはエッチング後に生じる、露光・マスク起因のシステマティック欠陥は、半導体回路パターンの微細化に伴って問題となってきている。これらの微細な欠陥を検出するためには、高感度な外観検査が必要となるが、その高感度検査の結果、システマティック欠陥の他にも、異物やヌイサンス欠陥、虚報など、多数の欠陥が検出される。

このため、露光状態を確認するために上記外観検査を行っても、上記多数の検出欠陥の中に、露光・マスク起因のシステマティック欠陥が埋もれてしまうという問題があった。言い換えれば、外観検査の結果得られる個々の検出欠陥（マップ中の欠陥点）が、システマティック欠陥なのか他の種類の欠陥なのか等（欠陥種類等）を判別、確認することが困難という問題がある。

システマティック欠陥に関して、前記非特許文献１に記載の方法（前記２つのグループを抽出し、システマティック欠陥の候補とみなし、観察欠陥をサンプリングする方法）がある。

（１）しかしながら、上記非特許文献１では、サンプリングされた欠陥点が、ホットスポット（Hot Spot：予めシミュレーション可能な、露光等起因のシステマティック欠陥の発生確率が高い場所）に該当しているかどうかを確認する方法に関しては開示されていない。このため、上記非特許文献１に記載の方法では、予めシミュレーション可能なホットスポットを網羅的には確認できないという問題がある。

（２）また、上記非特許文献１では、ウェハ上の欠陥の分布に応じてウェハ上のサンプリング位置を制御する方法に関しても開示されていない。このため、上記非特許文献１に記載の方法では、ウェハのトポグラフィーに起因して生ずる、システマティック欠陥のウェハ上の偏在を検出できないという問題もある。

上記問題を鑑み、本発明の主な目的、大きな目的としては、システマティック欠陥を網羅的、効率的に検出等することができる技術を提供することである。

（１）詳しくはそのうち、第１の目的として、欠陥の第１の原因（起因）である、局所的な回路パターン形状による欠陥を検出等できることである。（１−１）予めシミュレーション可能な（予期できた）ホットスポットに発生したシステマティック欠陥を確実に検出等できる技術を提供する。（１−２）また併せて、予めのシミュレーションでは予期できなかったホットスポット（対応するシステマティック欠陥）についても検出等できる技術を提供する。

（２）更に第２の目的（第１の目的に次いで重要）として、欠陥の第２の原因（起因）である、ウェハのトポグラフィー（特性）による欠陥（システマティック欠陥）を検出等できる技術を提供することである。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次の通りである。（１）本発明では、予めシミュレーション可能なホットスポットと、外観検査の結果得られる検出欠陥とを確実に照合する処理手段を備えることにより、ホットスポット（対応するシステマティック欠陥）を網羅的、効率的に検出する処理を行う。即ち、この処理では、予め予期できたホットスポットに対応するシステマティック欠陥（第１種の欠陥）を検出する処理と、予め予期できなかったホットスポットに対応するシステマティック欠陥（第２種の欠陥）を検出する処理とを含む。（２）また本発明では、ウェハ上の欠陥発生分布の偏在についても捕捉する処理手段を備えることにより、ウェハのトポグラフィーに起因して生じたシステマティック欠陥についても検出する処理を行う。

本形態の観察欠陥選択処理方法は、例えば、コンピュータの情報処理を用いて、半導体ウェハを対象とした外観検査を行う外観検査装置（欠陥検出手段）から出力（検出）される複数の検出欠陥（欠陥群）の情報をもとに、当該複数の検出欠陥の中から詳細な観察を行うための１つ以上の観察欠陥（観察対象の欠陥）を選択（サンプリング）する処理を行う観察欠陥選択処理方法である。

本方法は、前記外観検査装置からの複数の検出欠陥の位置（座標等）の情報を入力する処理ステップと、前記ウェハ（チップ、ショット等）に関し、回路基板（チップ等）上の回路形状データを入力する処理ステップと、前記ウェハに関し、リソシミュレータで計算されたホットスポット（適宜ＨＳと略す）の位置を、回路形状の類似性に基づきグループ（例えばＡ〜Ｄ）に分類する第１の処理を行い、当該分類された各グループのＨＳの位置の情報を入力する処理ステップとを有する。リソシミュレータ（露光・マスク等に関するシミュレータ）では、ホットスポット（システマティック欠陥の発生確率が高いと推定される場所）をシミュレーション計算してその情報を出力する。

そして本方法は、前記複数の検出欠陥を、前記分類されたグループのＨＳの近傍の欠陥（Ｋ１）と非近傍の欠陥（Ｋ２）とに弁別（照合、判定等）する処理ステップと、前記ＨＳの近傍の欠陥（Ｋ１）を、当該ＨＳの前記分類のグループ毎に、第１のグルーピング（Ｇ１）を行い、当該第１のグルーピング（Ｇ１）された欠陥から、当該分類のグループ毎に、観察欠陥を選択する処理ステップと、前記ＨＳの非近傍の欠陥（Ｋ２）の位置を、回路形状の類似性に基づきグループに分類する第２の処理を行い、当該分類された各グループの欠陥を、当該分類のグループ毎に、第２のグルーピング（Ｇ２）を行い、当該第２のグルーピング（Ｇ２）された欠陥から、当該分類のグループ毎に、観察欠陥を選択する処理ステップと、を有する。

また本形態は、前記第１及び第２のグルーピング（Ｇ１，Ｇ２）における各分類のグループ（例えばＡ〜Ｄ）毎に、ウェハ上での欠陥の分布領域を確定する処理ステップと、確定された領域から、観察欠陥を選択する処理ステップと、を有する。

また本形態は、前記第１及び第２のグルーピングにおける各分類のグループ毎に、ウェハにおけるチップもしくはショット上での欠陥の分布領域を確定する処理ステップと、確定された領域から、観察欠陥を選択する処理ステップと、を有する。

また本形態は、前記検出欠陥及び前記ＨＳを、ウェハにおけるチップ座標もしくはショット座標で表し、前記検出欠陥の座標を前記ホットスポットの座標と比較することにより、前記検出欠陥を、前記分類されたグループの前記ホットスポットの近傍の欠陥と非近傍の欠陥とに弁別する処理ステップを有する。

また本形態の欠陥観察方法では、上記観察欠陥選択処理方法の処理ステップに加えて更に、前記選択された観察欠陥の情報をもとに、当該観察欠陥の詳細な観察を行うための画像を取得する処理ステップを有する。

上記のような構成により、予めシミュレーションで得られたＨＳと、外観検査の結果得られる欠陥点とを照合することにより、ＨＳで発生したシステマティック欠陥を確実に検出等することができ、また、欠陥発生分布のウェハ上の偏在も捉えることで、ウェハのトポグラフィーに起因して生じたシステマティック欠陥の検出等も可能となる。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。本発明によれば、システマティック欠陥を網羅的、効率的に検出等することができる。（１）詳しくはそのうち、欠陥の第１の原因である、局所的な回路パターン形状による欠陥を検出等できる。（１−１）予めシミュレーション可能なホットスポットに発生したシステマティック欠陥を確実に検出等できる。（１−２）また併せて、予めのシミュレーションでは予期できなかったホットスポット（対応するシステマティック欠陥）についても検出等できる。（２）更に、欠陥の第２の原因である、ウェハのトポグラフィー（特性）による欠陥（システマティック欠陥）を検出等できる。

本発明の実施の形態１のシステム構成を示す図である。 実施の形態１における処理フロー（第１の処理フロー）を示す図である。 第１の処理フローのうち、ウェハ座標系における欠陥点のチップ座標系への重畳処理（Ｓ３）を説明するための図である。 第１の処理フローのうち、ＨＳを回路形状の類似性に基づきグルーピングする第１の分類の処理（Ｓ６）を説明するための図である。 第１の処理フローのうち、ＨＳ近傍欠陥点とＨＳ非近傍欠陥点への弁別処理（Ｓ７）を説明するための図である。 第１の処理フローのうち、ＨＳ非近傍欠陥点を回路形状の類似性に基づきグルーピングする第２の分類の処理（Ｓ９）を説明するための図である。 第１の処理フローのうち、ウェハ上の欠陥点の分布領域を確定する処理（Ｓ１１）を説明するための図である。 実施の形態１における変形例の処理フロー（第２の処理フロー）を示す図である。 実施の形態１における変形例の処理フロー（第３の処理フロー）を示す図である。 本発明の実施の形態２のシステム構成を示す図である。 実施の形態２における、撮像動作シーケンスの概略フローを示す図である。 実施の形態２における、処理結果情報の表示例を示す図である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部には原則として同一符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
図１〜図９を用いて、本発明の実施の形態１のシステムについて説明する。本実施の形態１の観察欠陥選択処理装置及び方法は、図１の情報処理ユニット１０及びそれを含んで成るシステム（半導体検査システム）１００、及び当該装置により実行される方法である。

＜装置構成（１）＞
図１において、本システムの装置構成等を示している。本システム１００の主な装置は情報処理ユニット１０であり、情報処理ユニット１０は、外観検査装置１０１、リソシミュレータ１０２、回路形状データサーバ１０３、及びレビュー装置１０４と接続されている。情報処理ユニット１０は、ＣＰＵ１１、メモリ１２、情報記憶手段（ＨＤＤ等）１３、バス１４、欠陥座標入力Ｉ/Ｆ１５、ＨＳ座標入力Ｉ/Ｆ１６、回路形状入力Ｉ/Ｆ１７、データ出力Ｉ／Ｆ１８等を備える。

情報処理ユニット１０は、本観察欠陥選択処理方法等の情報処理を、例えばプログラム２１の実行や専用回路等により行う。例えば情報記憶手段１３には、本プログラム２１や関連する各種データ２２が格納されている。

外観検査装置１０１は、検査対象の半導体ウェハの外観検査装置であり、外観検査装置１０１での外観検査により検出された欠陥の座標等の情報（欠陥座標データ：Ｄ１）が、欠陥座標入力Ｉ/Ｆ１５（Ｉ/Ｆ：インタフェース）を介して情報処理ユニット１０に取り込まれる。

リソシミュレータ１２は、露光装置の光源、レンズ、マスク等をモデル化し、ウェハ上へのマスクの転写パターン等をシミュレーション（プログラム等による計算処理）するものである。リソシミュレータ１２により、プロセス尤度が小さく欠陥を発生させやすい場所を、Hot Spot（ＨＳ）として算出し、その位置座標等の情報（ＨＳ座標データ：Ｄ２）が、ＨＳ座標入力Ｉ/Ｆ１６を介して情報処理ユニット１０に取り込まれる。

回路形状データサーバ１０３は、マスクパターンをウェハに転写して得られる理想的なパターン形状に関する情報（設計上のウェハやチップ等の回路（パターン）形状情報）を含むデータ（回路形状データ：Ｄ３）を保持するものであり、当該情報データ（Ｄ３）が、回路形状入力Ｉ／Ｆ１７を介して情報処理ユニット１０に取り込まれる。

上記情報処理ユニット１０に取り込まれた、欠陥座標（Ｄ１）、ＨＳ座標（Ｄ２）、回路形状（Ｄ３）等の情報データは、メモリ１２あるいは情報記憶手段１３に格納される。そして、適宜、ＣＰＵ１１により読み出されて図２以降に示す処理（選択処理等）を施された後、その処理結果（即ち選択された観察対象欠陥の座標等）の情報データは、再度、メモリ１２あるいは情報記憶手段１３に格納される。そして、最終的な処理結果の情報データ（観察欠陥座標データ：Ｄ４）は、データ出力Ｉ／Ｆ１８を介してレビュー装置１０４に転送される。

レビュー装置１０４は、出力装置（ディスプレイ等）を備え、情報処理ユニット１０から読み込んだ情報データ（Ｄ４）による、観察対象欠陥の座標位置に、半導体ウェハを位置出しし、該当部位を観察するために適した倍率の画像を取得する処理等を行う。

実施の形態１では、情報処理ユニット１０は、例えば、外観検査装置１０１からの欠陥座標（Ｄ１）、リソシミュレータ１０２からのＨＳ座標（Ｄ２）、及び回路形状データサーバ１０３からの回路パターン形状（Ｄ３）を入力とし、欠陥観察点（観察対象欠陥）の座標（Ｄ４）をレビュー装置１０４に出力する機能を備えたサーバと捉えることができる。

＜処理フロー（第１の処理フロー）＞
図２において、本実施の形態による全体の処理フロー（第１の処理フロー）を示している（Ｓは処理ステップを表す）。

＜処理フロー（外観検査）＞
まず、外観検査装置１１により、対象のウェハの外観検査を行う（Ｓ１）。それにより検出された欠陥座標（Ｄ１）を、情報処理ユニット１０に読み込む（Ｓ２）。続いて、当該欠陥座標（Ｄ１）を、チップ単位に重ね合わせ（重畳）する処理を行う（Ｓ３）。Ｓ３では、対象のウェハにおける複数の全チップについて、欠陥の座標を重ね合わせする。

図３を用いて、Ｓ３のウェハ欠陥座標のチップ単位（全チップ）での重畳処理について説明する。図３では、対象のウェハ３０上に、チップ（３６等）が例えば８個作られていることを模式的に表している。３４は、ウェハ３０（ウェハ単位）上の位置（座標等）を一意に決定するためのウェハ座標系である。これに対し、３５は、チップ３６（チップ単位）上の位置（座標等）を一意に決定するためのチップ座標系を表している。チップ座標系３５は、各チップに割り当てられている（例えばチップ３６のみ図示している）。ここで、ウェハ座標系３４を（Ｘ，Ｙ）とし、チップ座標系３５を（ｘ，ｙ）とする。

ウェハ座標系３４における各チップのチップ座標原点を、（ｘｍｎ０，ｙｍｎ０）とする。ただし、ｍ，ｎは、行と列で表されるウェハ上のチップの位置である。これにより、ウェハ座標系３４とチップ座標系３５は、Ｘ＝ｘ＋ｘｍｎ０，Ｙ＝ｙ＋ｙｍｎ０で関係付けられる。

よって、欠陥点（欠陥座標）がウェハ座標系３４（Ｘ，Ｙ）で表現されている場合は、各チップのチップ座標原点（ｘｍｎ０，ｙｍｎ０）をマイナスすることにより、チップ座標系３５（ｘ，ｙ）での表現を得ることができる。即ち、チップ上の欠陥座標は、ウェハ上の欠陥座標を用いて、（ｘ，ｙ）＝（Ｘ−ｘｍｎ０，Ｙ−ｙｍｎ０）である。このような処理を、対象ウェハの各チップの欠陥点に対し行うことにより、Ｓ３のウェハ欠陥座標のチップ単位（全チップ）での重畳が実現できる。

図３では、ウェハ３０上の２つのチップ、例えばチップ３１とチップ３２とにおけるチップ座標原点を重ね合わせることにより、ウェハ欠陥座標を重ね合わせた結果を、隣に、チップ３７（チップ単位の重畳後の欠陥座標）として示している。なお個別の欠陥座標（欠陥点）をバツ印（×）で表している。図３では２つのチップの重畳結果しか示していないが、これをウェハの全チップのチップ座標原点を重ね合わせることにより、Ｓ３の処理結果を得ることができる。当該処理結果は、一旦、情報記憶手段１３等に格納される。

上記チップ単位での重畳を説明したが、他の単位での重畳としてもよい。例えば、露光の単位である１ショットで複数チップを一括露光する場合は、上記Ｓ３のチップ重畳（チップ単位での重畳処理）に代替して、ショット重畳（ショット単位での重畳処理）としてもよい。この場合、チップ座標系３５を、ショット座標系に替えて考えればよい。

＜処理フロー（ＨＳ検出）＞
一方、図２で、前記外観検査装置１０１から出力される欠陥座標（Ｄ１）のチップ重畳（Ｓ３）と並行して、リソシミュレータ１０２によるリソグラフィ（露光、マスク等）のシミュレーション（リソシミュレーション）により、リソグラフィ起因の欠陥が生じやすいＨＳ位置を算出する（Ｓ４）。そして、そのＨＳ座標（Ｄ２）を、情報処理ユニット１０に読み込む（Ｓ５）。

続いて、Ｓ６では、上記読み込んだＨＳ座標点を、そのＨＳ座標点（当該点付近）における回路形状（Ｄ３）（その類似性）に基づいてグループに分類する処理（第１の処理）を行う。この際に用いる回路形状に関するデータ（Ｄ３）は、前述のように回路形状データサーバ１０３から情報処理ユニット１０に読み込まれる。

＜処理フロー（第１の分類の処理）＞
図４において、Ｓ６の処理について説明する。図４（ａ）で、１つのチップ４０の例を示す。｛４１ａ，４２ａ，４３ａ，４４ａ｝のバツ印（×）は、チップ４０の中で、シミュレーション（Ｓ４）によりＨＳであると算出（推定）された点（ＨＳ座標点）である。

また、図４（ｂ）で、｛４１ｂ，４２ｂ，４３ｂ，４４ｂ｝は、（ａ）の点｛４１ａ，４２ａ，４３ａ，４４ａ｝における回路パターンである。例示するように、４１ｂと４３ｂ、４２ｂと４４ｂが、それぞれ同一（十分に類似性が高い）回路パターンである。本処理（Ｓ６）では、この回路形状の類似性に基づき、当該複数のＨＳ座標点を、｛４１ａ，４３ａ｝と、｛４２ａ，４４ａ｝との２つのグループ（回路形状の類似性によるＨＳ座標点の分類）に分ける。

また、図４（ｃ）で、上記グループ分けした結果を、グループ（分類）Ａ，Ｂとして、グループＡの点｛４１ａ，４３ａ｝を丸印（○）で、｛４１ｃ，４３ｃ｝として示している。また、グループＢの点｛４２ａ，４４ａ｝を、四角印（□）で、｛４２ｃ，４４ｃ｝として示している。本例では２種類のグループ（分類）Ａ，Ｂであるが、複数（ｎ）のグループ（分類）があり得る。

上記で用いる回路パターン形状の類似性（同一性）に関する情報は、リソシミュレータ１０２から得ることができる場合は、それを利用する。一般にリソシミュレータ１０２内でも回路形状の情報を保持してシミュレーション計算に使用しているので、この場合、当該情報を得ることができる。リソシミュレータ１０２から得られない場合は、情報処理ユニット１０は、前記回路形状データサーバ１０３からのデータ（Ｄ３）を用いて、上記回路パターンの類似性に関する情報を取り出す、もしくは作成する等して、それにより、上記類似性によるグループ分け（Ｓ６）を行う。

上記Ｓ６の類似性の判定に関する処理では、例えば、当該回路形状（例えばＨＳ座標点４１ａ付近の回路形状）を、（ｂ）の例えば４１ｂの回路パターンに示すような線画（２値（ビットマップ）等の画像情報）に変換する。そして、ＨＳ座標点毎に対応付けられるそれらの画像に関して、２枚の画像の画像差分をとる計算を行い、その差分値が予め定めた閾値以下になる場合、当該２枚の画像（対応する２つのＨＳ座標点）を、回路形状に関して同一（類似性が十分に高い）と判定する。各ＨＳ点に関して同様に判定することでグループ分けする。当該処理結果は、一旦、情報記憶手段１３等に格納される。

＜処理フロー（比較照合）＞
続いて、図２のＳ７では、情報処理ユニット１０は、上記Ｓ３とＳ６の処理結果の情報データを用いて、重畳（比較照合のための重ね合わせ）の処理を行う。Ｓ７では、Ｓ３でのウェハ欠陥座標のチップ重畳の結果（チップ単位の大きさの領域の欠陥座標のデータ）に対し、Ｓ６でのチップのＨＳ座標点の回路形状（類似性）に基づくグループ分け（分類）したＨＳ座標（チップ単位の大きさの領域の各グループの欠陥座標のデータ）を、重畳する処理を行う。

そして、Ｓ８では、Ｓ７の結果を用いて、チップ重畳された欠陥座標（Ｓ３結果）が、グループ分けされたＨＳ座標点（Ｓ６結果）の近傍であるか否かを判定する。Ｓ８でＨＳの近傍であると判定（Ｙ）された欠陥点（ＨＳ近傍欠陥点：Ｋ１）については、第１のグルーピング（Ｇ１）として、Ｓ１０の処理へ送られる。Ｓ８でＨＳの非近傍であると判定（Ｎ）された欠陥点（ＨＳ非近傍欠陥点：Ｋ２）については、第２のグルーピング（Ｇ２）として、Ｓ４のシミュレーションで予期（検出）されなかった位置（座標）でもＨＳが生じていないかを確認するために、Ｓ９の処理へ送られる。Ｓ７，Ｓ８の処理では、２種類のデータ（検出欠陥とＨＳ）を比較照合し、欠陥点を弁別する処理を行っている。

図５において、上記Ｓ７，Ｓ８の処理の様子を示している。図５（ａ）は、Ｓ７における、チップ重畳された欠陥座標（Ｓ３結果）に、グループ分けされたＨＳ座標点（Ｓ６結果）を重畳した結果である。例として、チップ重畳された欠陥座標（Ｓ３結果）は、図３のチップ３７と同じ内容である。また、グループ分けされたＨＳ座標（Ｓ６結果）は、図４（ｃ）の内容と同じである。

また、図５（ｂ）には、Ｓ８の判定における、図５（ａ）の座標点（群）に関する、各グループのＨＳ点（グループＡ（○）やグループＢ（□））の近傍にある欠陥点（Ｋ１のグループ（Ｇ１））を示し、図５（ｃ）には、それらのＨＳ点から離れた場所（非近傍）にある欠陥点（Ｋ２のグループ（Ｇ２））を示す。

＜処理フロー（第２の分類の処理）＞
図２のＳ９では、情報処理ユニット１０は、Ｓ８結果のＨＳ非近傍欠陥点Ｋ２の座標における回路形状（その類似性）に基づいてグループ分けする処理（第２の分類の処理）を行う。これにより、Ｓ９では、Ｓ４のシミュレーションで予期（検出）されなかった位置（座標）で生じているＨＳ（欠陥点）についても、露光等起因のシステマティック欠陥の候補として、確認、検出する。このＳ９の際に用いる回路形状に関するデータ（Ｄ３）は、前述のように回路形状データサーバ１３から情報処理ユニット１０に読み込まれる。

図６において、Ｓ９の処理について説明する。図６（ａ）の情報で、欠陥点を示す｛６１ａ，６２ａ，６３ａ，６４ａ，６５ａ｝は、ＨＳの非近傍と判定された欠陥点（Ｋ２）であり、図５（ｃ）で示した内容と同一である。また、図６（ｂ）に示す回路パターン（画像）である｛６１ｂ，６２ｂ，６３ｂ，６４ｂ，６５ｂ｝は、図６（ａ）の各点｛６１ａ，６２ａ，６３ａ，６４ａ，６５ａ｝における回路形状（その類似性）を表している。例示するように、６１ｂと６３ｂ、６４ｂと６５ｂが、それぞれ、類似した回路パターンである。これに基づき、ＨＳ点（Ｋ２）を、｛６１ａ，６３ａ｝と、｛６４ａ，６５ａ｝との２つのグループ（分類）に分ける。また、６２ｂ（６２ａ）については、他に同様の回路パターン形状を持たないので、Ｓ９で検出する候補からは外す。Ｓ９でのグループ分け（回路パターンの類似性の判定、評価）については、例えば前述のＳ６と同様に、線画の差分の閾値比較判定などにより実現できる。

図６（ｃ）に、上記グループ分けした結果を、グループ（分類）Ｃ，Ｄとして、グループＣの点｛６１ａ，６３ａ｝を菱形印（◇）で｛６１ｃ，６３ｃ｝として示し、グループＤの点｛６４ａ，６５ａ｝を三角印（△）で｛６４ｃ，６５ｃ｝として示す。候補から外す点６２ａについては、バツ印（×）で６２ｃとして示す。

＜処理フロー（マップ展開）＞
次に、図２のＳ１０において、情報処理ユニット１０は、上記Ｓ８，Ｓ９の結果、即ちグルーピングされたＨＳ近傍欠陥点Ｋ１（Ｇ１）、及びグルーピングされたＨＳ非近傍欠陥点Ｋ２（Ｇ１）について、それらの欠陥点（群）の各分類のグループ（Ａ〜Ｄ等）毎に、ウェハマップ（ウェハ上の欠陥座標分布）へ展開する処理を行う。Ｓ１０で、グルーピングされたＨＳ近傍欠陥点Ｋ１（Ｇ１）とは、前記図５（ａ）に示したグループＡ，Ｂに各々属する欠陥点（群）である。また、グルーピングされたＨＳ非近傍点Ｋ２（Ｇ２）とは、前記図６（ｃ）に示したグループＣ，Ｄに各々属する欠陥点（群）である。

図７において、７１は、上記Ｓ１０の各グループ（Ｇ１（Ａ，Ｂ），Ｇ２（Ｃ，Ｄ））の欠陥点（群）をウェハマップ（座標）に展開する処理である。７２には、その結果における、前述例のグループＧ１（Ａ，Ｂ）及びグループＧ２（Ｃ，Ｄ）の欠陥点（群）を、ウェハマップに展開した模式的な構成を示している。

このマップ展開では、各欠陥点が予めどのチップに属しているかがデータにより分かっているので、前述の各欠陥点のチップ座標（３５）にウェハ座標（３４）で表されたチップ座標原点をプラスすることで、各欠陥点のウェハ座標を得ることができる。また、前述のように、チップ重畳（チップ単位）の代わりにショット重畳（ショット単位）を適用した場合については、同じく、各欠陥点が予めどのショットに属しているかがデータにより分かっているので、各欠陥点のショット座標にウェハ座標で表されたショット座標原点をプラスすることで、各欠陥点のウェハ座標を得ることができる。

＜処理フロー（欠陥分布領域）＞
図２のＳ１１では、情報処理ユニット１０は、Ｓ１０の結果（７２に示すようなウェハマップの欠陥点（群））から、各グループ（Ａ〜Ｄ）について、ウェハ領域（ウェハ単位）における欠陥点の分布の領域（その偏在のパターン）を判定（確定）する処理を行う。図７の７３はその処理であり、７４は、その結果（確定された各グループ（Ａ〜Ｄ）の欠陥分布領域）である。この例のように、グループＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ毎に、ウェハにおける欠陥の存在している領域が異なること（偏在）が分かる。これは、ウェハの表面のトポグラフィ（特性）の影響により、ＨＳが実際に欠陥となる領域が影響を受けるためである。

７４に示す例において、各グループにおけるウェハ領域（円形）における欠陥分布領域の形（偏在のパターン）は以下である。グループＡは、円周付近の密度が大きいパターンである。グループＢ，Ｄは、全体にわたって分布しているパターンである。グループＣは、中心付近の密度が大きいパターンである。

Ｓ１１（７３）における欠陥分布領域の判定の方法としては、密度が大きい箇所を分布領域として確定する方法などがある。例えば、非特許文献２などが適用できる。

＜処理フロー（サンプリング）＞
そして、図２のＳ１２では、情報処理ユニット１０は、Ｓ１１の結果（７４に示すような欠陥分布領域）を対象として、グループ（Ａ〜Ｄ）毎に、欠陥（観察対象欠陥）をサンプリングする処理を行う。図７の７５はその処理である。

Ｓ１２（７５）における、確定された領域からの欠陥のサンプリングの方法としては、空間的にランダムにサンプリングする方法、あるいは、欠陥情報が記憶されている順番に対してランダムにサンプリングする方法などがある。

次に、Ｓ１３では、情報処理ユニット１０は、Ｓ１２でサンプリングされた欠陥点（観察対象欠陥）の情報データを、その欠陥点がサンプリングされた分布領域（７４等）を示す情報データ（欠陥分布領域情報）と共に、処理結果情報（観察欠陥座標データ：Ｄ４）として、レビュー装置１０４に転送する。レビュー装置１０４では、その情報データ（Ｄ４）を用いて、出力装置１０５への情報の出力（画面表示等）及び観察等の処理が可能である。

＜変形例（第２の処理フロー）＞
実施の形態１における変形例として第２の処理フローを説明する。図８に示す第２の処理フローでは、Ｓ８１，Ｓ８２に示す処理が特徴であり、グルーピングされたＨＳ近傍欠陥点（Ｋ１）及びＨＳ非近傍欠陥点（Ｋ２）毎に、直接にサンプリングするものである。図８のＳ１〜Ｓ９は図２と同一の処理内容である。本第２の処理フローの場合、前記Ｓ１１のような処理（欠陥分布領域判定）は行わず（即ち図７の７４のような領域（パターン）は適用せず）にサンプリングする方法であり、サンプリングの対象の欠陥集合が異なる。

Ｓ８１では、グルーピングされたＨＳ近傍点（Ｋ１のグループＧ１、各分類のグループ）及びＨＳ非近傍点（Ｋ２のグループＧ２、各分類のグループ）毎に、欠陥点をサンプリングする。この際のサンプリングの方法は、前述同様に、空間的にランダムにサンプリングする方法、あるいは、欠陥情報が記憶されている順番に対してランダムにサンプリングする方法などがある。また、予めサンプリングするチップあるいはショットあるいは領域を定めて、その領域内にある欠陥点からサンプリングする方法も考えられる。Ｓ８２では、Ｓ８１でサンプリングされた欠陥点の座標などの処理結果情報をレビュー装置１０４に転送する。

＜変形例（第３の処理フロー）＞
実施の形態１における変形例として第３の処理フローを説明する。図９に示す第３の処理フローでは、Ｓ９１，Ｓ９２に示す処理が特徴であり、グルーピングされたＨＳ近傍点（Ｋ１）及びＨＳ非近傍点（Ｋ２）毎に、チップ重畳あるいはショット重畳等した状態のまま、欠陥点の分布状態を解析（分布領域を判定）し、サンプリングの対象の領域を確定するものである。図９のＳ１〜Ｓ９は図２と同一の処理内容である。本第３の処理フローでは、前記Ｓ１１の処理内容が異なり、ウェハを対象ではなく、チップ重畳単位等を対象としている。

チップ単位で欠陥分布解析を行うのは、チップ回路レイアウトの粗密あるいは下層の影響等により表面の凹凸が生じ、これがＨＳでの欠陥発生に影響を及ばすことを考慮してのことである。また、ショット単位で欠陥分布解析を行うのは、前記理由の他に露光装置における像面湾曲などの収差に起因してＨＳで欠陥が発生する可能性を考慮してのことである。

Ｓ９１では、グルーピングされたＨＳ近傍欠陥点（Ｋ１のグループＧ１、各分類のグループ）及びＨＳ非近傍欠陥点（Ｋ２のグループＧ２、各分類のグループ）毎に、欠陥点の分布状態を、チップ単位あるいはショット単位で判定（確定）し、欠陥のサンプリング領域を確定する。続いて、Ｓ９２では、確定したサンプリング領域内で欠陥点をサンプリングする。この際のサンプリングの方法は、前述同様に、空間的にランダムにサンプリングする方法、あるいは、欠陥情報が記憶されている順番に対してランダムにサンプリングする方法などがある。Ｓ９３では、サンプリングされた欠陥点の座標等の処理結果情報を、レビュー装置１０４に転送する。

（実施の形態２）
次に、図１０〜図１２を用いて、本発明の実施の形態２のシステムを説明する。本実施の形態２の欠陥観察装置及び方法は、前述の観察欠陥選択処理装置及び方法に加えて、選択された欠陥（観察欠陥）を観察する手段及び処理ステップを有し、図１０のレビュー装置１４０及びそれを含んで成るシステム（半導体検査システム）２００、及び当該装置により実行される方法である。

＜装置構成（２）＞
図１０は、本システム（半導体検査システム）２００の装置構成を示している。本システム２００は、主な装置はレビュー装置１４０であり、レビュー装置１４０に対し、ＬＡＮ１１１を通じて、外観検査装置１０１、リソシミュレータ１０２、回路形状データサーバ１０３、及び歩留まり管理システム１１０等が接続されている。実施の形態２は、実施の形態１で説明した情報処理ユニット１０の機能をその内部に包含するレビュー装置１４０と捉えることができる。

外観検査装置１０１、リソシミュレータ１０２、及び回路形状データサーバ１０３等の前述（図１）と同様の装置から出力される情報（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３）は、直接、レビュー装置１４０に入力されるか、または、一度歩留まり管理システム１１０を経由してからレビュー装置１４０に入力される。

レビュー装置１４０は、データ入出力Ｉ/Ｆ１４６を介して外部と通信を行う。レビュー装置１４０の内部には、バス１４４を介して、ＣＰＵ１４１、メモリ１４２、情報記憶手段（ＨＤＤ等）１４３、出力装置１４５、データ入出力Ｉ/Ｆ１４６、電子光学系制御ユニット１０１１、ステージ制御ユニット１０１３等が接続されている。電子光学系１０１２は、電子光学系制御ユニット１０１１を介してＣＰＵ１４１の命令により作動する。また、ステージ１０１４は、ステージ制御ユニット１０１３を介してＣＰＵ１４１の命令により作動する。レビュー装置１４０は、電子光学系制御ユニット１０１１〜ステージ１０１４等を用いて撮像を行う。

歩留まり管理システム１１０は、欠陥検出データ（Ｄ１）を蓄積し、そのデータから予測される歩留まりを人間が推定し、その推定を行うための各種の統計的データ情報を提示・管理する処理等を行う。

外部の各装置（１０１，１０２，１０３）からの情報（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３）を入力としてＣＰＵ１４１で処理する内容は、実施の形態１で示した内容（第１の処理フロー等）と基本的に同様である（対応するプログラム２３やデータ２４を用いる）。そのＣＰＵ１４１による処理結果である、サンプリングされた欠陥座標等の情報（Ｄ４）は、メモリ１４２あるいは情報記憶手段１４３等に記録される。レビュー装置１４０は、記録された欠陥座標を用いて、ステージ１０１４を位置出しし、欠陥の画像を撮像していく。

＜動作シーケンス＞
図１１において、この撮像（観察欠陥画像の取得等）の動作シーケンスの概略のフローを示す。まず対象のウェハをレビュー装置１４０に搬入する（Ｓ１１１）。続いて、レビュー装置１４０では、欠陥座標を読み込み、装置内部の記憶手段（図１０の１４２あるいは１４３等）に記憶し（Ｓ１１２）、同じく、ＨＳ座標を読み込み、同様に記憶し（Ｓ１１３）、最後に回路形状データを読み込み、同様に記憶する（Ｓ１１４）。Ｓ１１２〜Ｓ１１４のデータの読み込む順番はこの通りでなくともよい。以上のデータを読み込んだ後に、実施の形態１で説明した欠陥（観察対象欠陥）のサンプリング処理を実行し（Ｓ１１５）、装置内部の記憶手段に、処理結果であるサンプリングされた欠陥の座標情報等を記憶する（Ｓ１１６）。

次に、レビュー装置１４０では、記憶された欠陥の順番で欠陥座標を読み出し、ステージ制御ユニット１０１３を通じてステージ１０１４を制御し、観察欠陥点を電子光学系制御ユニット１０１１を通じて電子光学系１０１２の視野に位置決めする（Ｓ１１７）。位置決め後、欠陥の電子線画像を取得し（Ｓ１１８）、観察すべき欠陥がまだあれば、Ｓ１１７に戻り、無ければウェハを搬出する（Ｓ１２０）。

最後に、（１）上記サンプリングした欠陥点の情報、（２）欠陥分布領域の情報、（３）取得（撮像）した画像（欠陥画像）等の情報データを、歩留まり管理システム１１０へ送信して（Ｓ１２１）、終了する。

＜表示例＞
図１２において、実施の形態２の装置での表示画面における処理情報の表示例を示している。本例では、レビュー装置１４０の出力装置１４５等の表示画面において、上述した（１）サンプリングした欠陥点の情報（例えばチップ（あるいはショット等）内の座標等の位置情報）と、（２）欠陥分布領域の情報と、（３）取得（撮像）した画像（欠陥画像等）の情報と、（４）回路形状情報（回路形状データＤ３）とを表示する。この情報表示は、レビュー装置１４０に限らず、歩留まり管理システム１１０等で行ってもよい。

１２０は、出力装置１４５等における表示画面を示す。１２１は、（４）回路形状情報として、欠陥点における回路形状データＤ３から検索された理想（設計上）の回路形状の画像（線画）である。１２２は、（３）取得画像情報として、１２１の画像に対しての、欠陥画像（欠陥の箇所（例えば短絡）を含んだ回路形状の画像）である。１２３は、（２）欠陥分布領域情報として、１２３の欠陥画像に表示された欠陥と同一グループに属する欠陥（群）のウェハ上での分布状態（偏在のパターン）を示す。１２４は、（１）サンプリング欠陥点位置情報として、チップ（あるいはショット等）内における同一グループの欠陥の発生座標等（丸印）を示す。なお、同一グループとは、前述したように、欠陥位置において同一（類似）の回路形状を持つ欠陥点の集合である。また、１２４は、チップ重畳（あるいはショット重畳等）した結果である。

＜実施の形態の効果等＞
以上説明したように、各実施の形態によれば、予めシミュレーションで得られたＨＳ（Ｓ４〜Ｓ６）と、外観検査の結果得られる欠陥点（Ｓ１〜Ｓ３）とを照合（Ｓ７，Ｓ８）することにより、ＨＳで発生したシステマティック欠陥（外観検査結果の多数の検出欠陥の中に埋もれてしまうシステマティック欠陥）を確実に検出することができる。また、欠陥発生分布のウェハ上の偏在も捉えることで（Ｓ１１等）、ウェハのトポグラフィーに起因して生じたシステマティック欠陥を検出できる。

また、実施の形態１の構成では、特に、図２，図８，図９で示した処理フローに共通の処理ステップであるＳ９（第２の分類の処理）により、リソシュミレータ１０２（Ｓ４）で予め計算して求めることができなかったＨＳを、システマティック欠陥の候補として抽出することが可能となる。

また、Ｓ９の処理で一度抽出したＨＳに関する情報データは、次回以降における同一（近似）の回路パターンを持つウェハを処理する時には既知のＨＳとして扱うことにより、Ｓ９の処理のコストが軽減される。即ち、Ｓ９でグル−プ毎に類似形状として抽出された回路形状パターンをテンプレートとして、当該ウェハの回路形状データ（Ｄ３）から同一の回路形状パターンを持つ位置（座標）を全て探索し、その位置（座標）の集合を一つのＨＳのグループとする。このグルーピングされたＨＳを、Ｓ４〜Ｓ６で得るＨＳ（リソシミュレータ１０２から読み込んだＨＳ座標点を、該当座標点における回路形状の類似性に基づいてグルーピングされたＨＳ）と同等に扱うことにより、次回以降の処理におけるＳ９の計算負荷を軽減できる。

上記処理を行う場合、例えば、Ｓ９でグループ分けしたＨＳのデータをメモリ１２等に保存しておき、そして、そのＨＳのデータを、次回以降の同様の回路パターンを持つウェハの処理フローの際、Ｓ６（第１の分類の処理）で再利用する。この場合、該当欠陥点については、Ｓ８の分岐で、ＨＳ近傍欠陥点Ｋ１（Ｇ１）側の処理に分岐することになるので、Ｓ９のような処理は省略され、従って、処理全体の効率化が実現できる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。

本発明は、半導体製造・検査システム等に利用可能である。

１０…情報処理ユニット、１１…ＣＰＵ、１２…メモリ、１３…情報記憶手段（ＨＤＤ等）、１４…バス、１５…欠陥座標入力Ｉ/Ｆ、１６…Hot Spot座標入力Ｉ/Ｆ、１７…回路形状入力Ｉ/Ｆ、１８…データ出力Ｉ/Ｆ、２１…プログラム、２２…データ、２３…プログラム、２４…データ、３０…ウェハ、３１，３２，３６，３７…チップ、３４…ウェハ座標（系）、３５…チップ座標（系）、４０…チップ、７１，７３，７５…処理、７２…ウェハマップ、７４…欠陥分布領域、１００，２００…半導体検査システム、１０１…外観検査装置、１０２…リソシミュレータ、１０３…回路形状データサーバ、１０４…レビュー装置、１０５…出力装置、１１０…歩留まり管理システム、１１１…ＬＡＮ、１２０…表示画面、１２１…回路形状情報、１２２…取得画像情報、１２３…欠陥分布領域情報、１２４…サンプリング欠陥点位置情報、１４０…レビュー装置、１４１…ＣＰＵ、１４２…メモリ、１４３…情報記憶手段、１４４…バス、１４５…出力装置、１４６…データ入出力Ｉ/Ｆ、１０１１…電子光学系制御ユニット、１０１２…電子光学系、１０１３…ステージ制御ユニット、１０１４…ステージ、１２０１…表示画面。

Claims (18)

1. コンピュータの情報処理を用いて、半導体ウェハを対象とした外観検査装置から出力される複数の検出欠陥の情報をもとに、当該複数の検出欠陥の中から詳細な観察を行うための１つ以上の観察欠陥を選択する処理を行う観察欠陥選択処理方法であって、
   前記外観検査装置からの複数の検出欠陥の位置の情報を入力する処理ステップと、
   前記ウェハに関し、リソシミュレータで計算されたホットスポットの位置の情報を入力する処理ステップと、
   前記ウェハに関し、回路基板上の回路形状データを入力する処理ステップと、
   前記ホットスポットを、その位置の回路形状の類似性に基づきグループに分類する第１の処理を行い、当該分類された各グループのホットスポットの位置の情報を入力する処理ステップと、
   前記複数の検出欠陥を、前記分類されたグループのホットスポットの近傍の欠陥と非近傍の欠陥とに弁別する処理ステップと、
   前記ホットスポットの近傍の欠陥を、当該ホットスポットの前記分類のグループ毎に、第１のグルーピングを行い、当該第１のグルーピングされた欠陥から、当該分類のグループ毎に、観察欠陥を選択する処理ステップと、
   前記ホットスポットの非近傍の欠陥を、その位置の回路形状の類似性に基づきグループに分類する第２の処理を行い、当該分類された各グループの欠陥を、当該分類のグループ毎に、第２のグルーピングを行い、当該第２のグルーピングされた欠陥から、当該分類のグループ毎に、観察欠陥を選択する処理ステップと、を有することを特徴とする観察欠陥選択処理方法。
2. 請求項１記載の観察欠陥選択処理方法において、
   前記第１及び第２のグルーピングにおける各分類のグループ毎に、前記ウェハ上での欠陥の分布領域を確定する処理ステップと、
   前記確定された領域から、観察欠陥を選択する処理ステップと、を有することを特徴とする観察欠陥選択処理方法。
3. 請求項１記載の観察欠陥選択処理方法において、
   前記第１及び第２のグルーピングにおける各分類のグループ毎に、前記ウェハにおけるチップもしくはショット上での欠陥の分布領域を確定する処理ステップと、
   前記確定された領域から、観察欠陥を選択する処理ステップと、を有することを特徴とする観察欠陥選択処理方法。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の観察欠陥選択処理方法において、
   前記検出欠陥を、前記ウェハにおけるチップもしくはショット上の座標で表し、前記ホットスポットを、当該チップもしくはショット上の座標で表し、前記検出欠陥の座標を前記ホットスポットの座標と比較することにより、前記検出欠陥を、前記分類されたグループの前記ホットスポットの近傍の欠陥と非近傍の欠陥とに弁別する処理ステップ、を有することを特徴とする観察欠陥選択処理方法。
5. コンピュータの情報処理を用いて、半導体ウェハを対象とした外観検査装置から出力される複数の検出欠陥の情報をもとに、当該複数の検出欠陥の中から詳細な観察を行うための１つ以上の観察欠陥を選択して観察する処理を行う欠陥観察方法であって、
   前記外観検査装置からの複数の検出欠陥の位置の情報を入力する処理ステップと、
   前記ウェハに関し、リソシミュレータで計算されたホットスポットの位置の情報を入力する処理ステップと、
   前記ウェハに関し、回路基板上の回路形状データを入力する処理ステップと、
   前記ホットスポットを、その位置の回路形状の類似性に基づきグループに分類する第１の処理を行い、当該分類された各グループのホットスポットの位置の情報を入力する処理ステップと、
   前記複数の検出欠陥を、前記分類されたグループのホットスポットの近傍の欠陥と非近傍の欠陥とに弁別する処理ステップと、
   前記ホットスポットの近傍の欠陥を、当該ホットスポットの前記分類のグループ毎に、第１のグルーピングを行い、当該第１のグルーピングされた欠陥から、当該分類のグループ毎に、観察欠陥を選択する処理ステップと、
   前記ホットスポットの非近傍の欠陥を、その位置の回路形状の類似性に基づきグループに分類する第２の処理を行い、当該分類された各グループの欠陥を、当該分類のグループ毎に、第２のグルーピングを行い、当該第２のグルーピングされた欠陥から、当該分類のグループ毎に、観察欠陥を選択する処理ステップと、
   前記選択された観察欠陥の情報をもとに、当該観察欠陥の詳細な観察を行うための画像を取得する処理ステップと、を有することを特徴とする欠陥観察方法。
6. 請求項５記載の欠陥観察方法において、
   前記第１及び第２のグルーピングにおける各分類のグループ毎に、前記ウェハ上での欠陥の分布領域を確定する処理ステップと、
   前記確定された領域から、観察欠陥を選択する処理ステップと、を有することを特徴とする欠陥観察方法。
7. 請求項５記載の欠陥観察方法において、
   前記第１及び第２のグルーピングにおける各分類のグループ毎に、前記ウェハにおけるチップもしくはショット上での欠陥の分布領域を確定する処理ステップと、
   前記確定された領域から、観察欠陥を選択する処理ステップと、を有することを特徴とする欠陥観察方法。
8. 請求項５〜７のいずれか一項に記載の欠陥観察方法において、
   前記検出欠陥を、前記ウェハにおけるチップもしくはショット上の座標で表し、前記ホットスポットを、当該チップもしくはショット上の座標で表し、前記検出欠陥の座標を前記ホットスポットの座標と比較することにより、前記検出欠陥を、前記分類されたグループの前記ホットスポットの近傍の欠陥と非近傍の欠陥とに弁別する処理ステップ、を有することを特徴とする欠陥観察方法。
9. 請求項５記載の欠陥観察方法において、
   前記取得した観察欠陥の画像と、当該欠陥の位置における回路形状の情報と、当該欠陥が属する前記分類のグループにおけるウェハもしくはチップもしくはショットでの欠陥の分布領域を示す情報と、を画面に表示する処理ステップ、を有することを特徴とする欠陥観察方法。
10. コンピュータの情報処理を用いて、半導体ウェハを対象とした外観検査装置から出力される複数の検出欠陥の情報をもとに、当該複数の検出欠陥の中から詳細な観察を行うための１つ以上の観察欠陥を選択する処理を行う観察欠陥選択処理装置であって、
    前記外観検査装置からの複数の検出欠陥の位置の情報を入力する処理手段と、
    前記ウェハに関し、リソシミュレータで計算されたホットスポットの位置の情報を入力する処理手段と、
    前記ウェハに関し、回路基板上の回路形状データを入力する処理手段と、
    前記ホットスポットを、その位置の回路形状の類似性に基づきグループに分類する第１の処理を行い、当該分類された各グループのホットスポットの位置の情報を入力する処理手段と、
    前記複数の検出欠陥を、前記分類されたグループのホットスポットの近傍の欠陥と非近傍の欠陥とに弁別する処理手段と、
    前記ホットスポットの近傍の欠陥を、当該ホットスポットの前記分類のグループ毎に、第１のグルーピングを行い、当該第１のグルーピングされた欠陥から、当該分類のグループ毎に、観察欠陥を選択する処理手段と、
    前記ホットスポットの非近傍の欠陥を、その位置の回路形状の類似性に基づきグループに分類する第２の処理を行い、当該分類された各グループの欠陥を、当該分類のグループ毎に、第２のグルーピングを行い、当該第２のグルーピングされた欠陥から、当該分類のグループ毎に、観察欠陥を選択する処理手段と、を有することを特徴とする観察欠陥選択処理装置。
11. 請求項１０記載の観察欠陥選択処理装置において、
    前記第１及び第２のグルーピングにおける各分類のグループ毎に、前記ウェハ上での欠陥の分布領域を確定する処理手段と、
    前記確定された領域から、観察欠陥を選択する処理手段と、を有することを特徴とする観察欠陥選択処理装置。
12. 請求項１０記載の観察欠陥選択処理装置において、
    前記第１及び第２のグルーピングにおける各分類のグループ毎に、前記ウェハにおけるチップもしくはショット上での欠陥の分布領域を確定する処理手段と、
    前記確定された領域から、観察欠陥を選択する処理手段と、を有することを特徴とする観察欠陥選択処理装置。
13. 請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の観察欠陥選択処理装置において、
    前記検出欠陥を、前記ウェハにおけるチップもしくはショット上の座標で表し、前記ホットスポットを、当該チップもしくはショット上の座標で表し、前記検出欠陥の座標を前記ホットスポットの座標と比較することにより、前記検出欠陥を、前記分類されたグループの前記ホットスポットの近傍の欠陥と非近傍の欠陥とに弁別する処理手段、を有することを特徴とする観察欠陥選択処理装置。
14. コンピュータの情報処理を用いて、半導体ウェハを対象とした外観検査装置から出力される複数の検出欠陥の情報をもとに、当該複数の検出欠陥の中から詳細な観察を行うための１つ以上の観察欠陥を選択して観察する処理を行う欠陥観察装置であって、
    前記外観検査装置からの複数の検出欠陥の位置の情報を入力する処理手段と、
    前記ウェハに関し、リソシミュレータで計算されたホットスポットの位置の情報を入力する処理手段と、
    前記ウェハに関し、回路基板上の回路形状データを入力する処理手段と、
    前記ホットスポットを、その位置の回路形状の類似性に基づきグループに分類する第１の処理を行い、当該分類された各グループのホットスポットの位置の情報を入力する処理手段と、
    前記複数の検出欠陥を、前記分類されたグループのホットスポットの近傍の欠陥と非近傍の欠陥とに弁別する処理手段と、
    前記ホットスポットの近傍の欠陥を、当該ホットスポットの前記分類のグループ毎に、第１のグルーピングを行い、当該第１のグルーピングされた欠陥から、当該分類のグループ毎に、観察欠陥を選択する処理手段と、
    前記ホットスポットの非近傍の欠陥を、その位置の回路形状の類似性に基づきグループに分類する第２の処理を行い、当該分類された各グループの欠陥を、当該分類のグループ毎に、第２のグルーピングを行い、当該第２のグルーピングされた欠陥から、当該分類のグループ毎に、観察欠陥を選択する処理手段と、
    前記選択された観察欠陥の情報をもとに、当該観察欠陥の詳細な観察を行うための画像を取得する処理手段と、を有することを特徴とする欠陥観察装置。
15. 請求項１４記載の欠陥観察装置において、
    前記第１及び第２のグルーピングにおける各分類のグループ毎に、前記ウェハ上での欠陥の分布領域を確定する処理手段と、
    前記確定された領域から、観察欠陥を選択する処理手段と、を有することを特徴とする欠陥観察装置。
16. 請求項１４記載の欠陥観察装置において、
    前記第１及び第２のグルーピングにおける各分類のグループ毎に、前記ウェハにおけるチップもしくはショット上での欠陥の分布領域を確定する処理手段と、
    前記確定された領域から、観察欠陥を選択する処理手段と、を有することを特徴とする欠陥観察装置。
17. 請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の欠陥観察装置において、
    前記検出欠陥を、前記ウェハにおけるチップもしくはショット上の座標で表し、前記ホットスポットを、当該チップもしくはショット上の座標で表し、前記検出欠陥の座標を前記ホットスポットの座標と比較することにより、前記検出欠陥を、前記分類されたグループの前記ホットスポットの近傍の欠陥と非近傍の欠陥とに弁別する処理手段、を有することを特徴とする欠陥観察装置。
18. 請求項１４記載の欠陥観察装置において、
    前記取得した観察欠陥の画像と、当該欠陥の位置における回路形状の情報と、当該欠陥が属する前記分類のグループにおけるウェハもしくはチップもしくはショットでの欠陥の分布領域を示す情報と、を画面に表示する処理手段、を有することを特徴とする欠陥観察装置。

Images