JP2010258313A5 - - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 71
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 66
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000043 hydrogen iodide Inorganic materials 0.000 description 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009108571A JP5691138B2 (ja) | 2009-04-28 | 2009-04-28 | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009108571A JP5691138B2 (ja) | 2009-04-28 | 2009-04-28 | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010258313A JP2010258313A (ja) | 2010-11-11 |
| JP2010258313A5 true JP2010258313A5 (enExample) | 2012-05-31 |
| JP5691138B2 JP5691138B2 (ja) | 2015-04-01 |
Family
ID=43318864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009108571A Active JP5691138B2 (ja) | 2009-04-28 | 2009-04-28 | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5691138B2 (enExample) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013011617A1 (ja) * | 2011-07-15 | 2013-01-24 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2013074179A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
| JP6330148B2 (ja) | 2013-05-24 | 2018-05-30 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
| KR102145914B1 (ko) * | 2014-02-21 | 2020-08-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 |
| JP6767741B2 (ja) * | 2015-10-08 | 2020-10-14 | ローム株式会社 | 窒化物半導体装置およびその製造方法 |
| JP6859646B2 (ja) * | 2016-09-29 | 2021-04-14 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置、化合物半導体装置の製造方法、電源装置、及び増幅器 |
| KR102630424B1 (ko) * | 2017-06-15 | 2024-01-29 | 이피션트 파워 컨버젼 코퍼레이션 | GaN 스페이서 두께의 향상된 균일성을 위한 선택적 및 비선택적 에칭 층을 갖는 인핸스먼트-모드 GaN 트랜지스터 |
| JP7201571B2 (ja) * | 2018-12-12 | 2023-01-10 | クアーズテック株式会社 | 窒化物半導体基板および窒化物半導体装置 |
| JP6941903B1 (ja) * | 2021-02-15 | 2021-09-29 | 株式会社パウデック | ノーマリーオフ型分極超接合ＧａＮ系電界効果トランジスタおよび電気機器 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4041075B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2008-01-30 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| JP4832722B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2011-12-07 | 日本碍子株式会社 | 半導体積層構造およびトランジスタ素子 |
| US20070018199A1 (en) * | 2005-07-20 | 2007-01-25 | Cree, Inc. | Nitride-based transistors and fabrication methods with an etch stop layer |
| JP4751150B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2011-08-17 | 株式会社東芝 | 窒化物系半導体装置 |
| JP4705482B2 (ja) * | 2006-01-27 | 2011-06-22 | パナソニック株式会社 | トランジスタ |
-
2009
- 2009-04-28 JP JP2009108571A patent/JP5691138B2/ja active Active
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