JP2010258304A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】回路基板を小型化する。
【解決手段】メモリカード70には、回路基板1と、回路基板1の第1主面に載置され、一辺が回路基板1の外側にはみ出され、ボンディングワイヤを介して回路基板1と電気的に接続されるメモリチップ2と、メモリチップ1の第1主面に載置され、ボンディングワイヤを介して回路基板1と電気的に接続されるコントローラチップ3と、メモリチップ2、コントローラチップ3、及びボンディングワイヤを気密封止する封止材10が設けられる。
【選択図】図1
【解決手段】メモリカード70には、回路基板1と、回路基板1の第1主面に載置され、一辺が回路基板1の外側にはみ出され、ボンディングワイヤを介して回路基板1と電気的に接続されるメモリチップ2と、メモリチップ1の第1主面に載置され、ボンディングワイヤを介して回路基板1と電気的に接続されるコントローラチップ3と、メモリチップ2、コントローラチップ3、及びボンディングワイヤを気密封止する封止材10が設けられる。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置に係り、特にメモリチップが搭載されるメモリカードに関する。
メモリが搭載されるプリント基板などの回路基板やSiP(System in Package)構造を有するメモリカードでは、通常、回路基板の内側にメモリチップが載置される。このとき、メモリチップは、必ず回路基板のサイズよりも小さいものが採用される(例えば、特許文献1参照。)。
特許文献1などに記載されるメモリカードでは、急速に小型化及び大容量化が進展している。例えば、microSD(Secure Digital)メモリカードのように小型化されたメモリカードでは、大容量化されたメモリチップが回路基板寸法よりも大きくなる。このため、回路基板の内側にメモリチップを載置しようとすると、メモリチップを搭載できないという問題点が発生する。また、大容量化されたメモリチップを用いた場合、このメモリチップに対応するために回路基板の面積が増大し、回路基板のコストが上昇するという問題点がある。
本発明は、回路基板を小型化することができる半導体装置を提供することにある。
本発明の一態様の半導体装置は、回路基板と、前記回路基板の第1主面に載置され、少なくとも1辺が前記回路基板の外側にはみ出され、チップ端子が前記回路基板の内部接続端子と電気的に接続される半導体チップと、前記半導体チップを気密封止する封止材とを具備することを特徴とする。
更に、本発明の他態様の半導体装置は、回路基板と、前記回路基板の第1主面に載置され、少なくとも1辺が前記回路基板の外側にはみ出され、チップ端子が前記回路基板の内部接続端子と電気的に接続され、積層形成される複数の半導体チップと、前記複数の半導体チップを気密封止する封止材とを具備することを特徴とする。
本発明によれば、回路基板を小型化することができる半導体装置を提供することができる。
以下本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
まず、本発明の実施例1に係る半導体装置について、図面を参照して説明する。図1は半導体装置としてのメモリカードを示す平面図、図2はメモリカードを示す裏面図、図3は図1のA−A線に沿う断面図、図4は図1のB−B線に沿う断面図である。本実施例では、回路基板に載置されるメモリチップの一辺を回路基板の外側にはみ出させている。
図1に示すように、メモリカード70には、回路基板1、メモリチップ2、コントローラチップ3、及び封止材10が設けられる。メモリカード70は、microSD(Secure Digital)メモリカードであり、例えば携帯電話、デジタルカメラ、ビデオカメラ、ゲーム機などに使用される。microSDメモリカードは、幅(W)が11mm、長さ(L)が15mm、厚さ(T)が1.0mmの形状を有し、端子数を8個有する。
封止材10は、直線状の短辺7A、図に対して上から見て回路基板1と同じ位置の直線状の短辺7B、きり欠け部4とくびれ部5を有する長辺8A、図に対して上から見て上部が回路基板1と同じ位置の直線状の長辺8B、及び四隅の角部6を有する。封止材10は、回路基板1の第1主面、回路基板1の側面の一部、メモリチップ2、及びコントローラチップ3を覆うように設けられる(詳細は後述する)。
回路基板1は、封止材10の短辺7Aよりも距離L3だけ内側に設けられ、封止材10の長辺8Aよりも距離L2だけ内側に設けられ、封止材10の長辺8Bの中央部及び下部よりも内側に設けられ、図に対して上から見て封止材10の短辺7Bと同じ位置に設けられ、図に対して上から見て封止材10の上部の長辺8Bと同じ位置に設けられる。
メモリチップ2は、一辺(図中左側)が回路基板1の外側にせり出し距離L1だけせり出すように回路基板1上に設けられる。コントローラチップ3は、メモリチップ2の第1主面の右下部に載置される。コントローラチップ3は、メモリチップ2の読み出し・書き込み動作を制御する。
ここで、回路基板1には、例えばガラスエポキシ基板であるFR−4.5が使用される。回路基板1のチップが載置される第1主面(表面)には図示しない第1の配線網が設けられ、第1主面(表面)と相対向する第2主面(裏面)には図示しない第2の配線網が設けられ、回路基板1の内部には、第1の配線網と第2の配線網を電気的に接続するビアが設けられる。メモリチップ2は、例えばNAND型フラッシュメモリが使用される。封止材10には、例えば石英フィラー(SiO2)を含有する熱硬化性エポキシ樹脂が使用される。
回路基板1の短辺7Bと長辺8Bの上部が、図に対して上から見て回路基板1と同じ位置なのは、複数のチップが載置され、チップが樹脂封止された多連(m列xn連)の回路基板を個変化するために設けられるつりピンが切断されるからである。切断部がこの位置に相当する。この場合、つりピンの設置場所は、2ケ所設けられる。なお、ここではメモリカードの生産性を向上させるためにつりピンを設けているが、つりピンを設けなくともよい。その場合、回路基板を1個づつ、チップ載置や樹脂封止などの作業が行われる。
図2に示すように、回路基板1のチップが載置される第1主面(表面)と相対向する第2主面(裏面)には、外部と電気的に接続するための外部接続端子9が設けられる。外部接続端子9は、例えば幅が8mmであり、microSDメモリカードでは図中上部に8個設けられる。
図3に示すように、メモリカード70は、回路基板1の第2主面(裏面)に絶縁材11が設けられる。回路基板1の第1主面(表面)には接着フィルムDAF1を介してメモリチップ2が載置される。接着フィルムDAF1は、メモリチップ2を回路基板1に固定する。メモリチップ2の第1主面(表面)には接着フィルムDAF2を介してコントローラチップ3が載置される。接着フィルムDAF2は、コントローラチップ3をメモリチップ2及び回路基板1に固定する。
回路基板1の第1主面(表面)の内部接続端子12aとコントローラチップ3の第1主面(表面)のチップ端子13aは、ボンディングワイヤ14aを介して電気的に接続される。ボンディングワイヤ14aは、例えば金(Au)ワイヤが使用され、低ループ形状を有する。メモリチップ2の左端部は、回路基板1よりもせり出し距離L1だけ外側にせり出している。
メモリチップ2、コントローラチップ3、回路基板1の第1主面(表面)、回路基板1の側面、及びボンディングワイヤ14aは、封止材10により気密封止される。メモリチップ2の左端部は、封止材10よりも水平方向の距離L4(例えば50μm)だけ内側に設けられる。
ここで、接着フィルムDAF1及びDAF2には、例えば厚さ25μmを有し、ポリイミド樹脂やポリエチレン樹脂などの樹脂フィルムが使用される。メモリチップ2及びコントローラチップ3は、例えば100μmの厚さを有する。回路基板1は、例えば260μmの厚さを有する。
図4に示すように、メモリカード70は、回路基板1の第2主面(裏面)の左端部に外部接続端子9が設けられる。回路基板1の第2主面(裏面)の左部には、外部接続端子9と接するように絶縁材11が設けられる。回路基板1の第1主面(表面)には接着フィルムDAF1を介してメモリチップ2が載置される。接着フィルムDAF1は、メモリチップ2を回路基板1に固定する。
回路基板1の第1主面(表面)の内部接続端子12bとコントローラチップ3の第1主面(表面)のチップ端子13bは、ボンディングワイヤ14bを介して電気的に接続される。ボンディングワイヤ14bは、例えば金(Au)ワイヤが使用され、低ループ形状を有する。メモリチップ2、回路基板1の第1主面(表面)、及びボンディングワイヤ14bは、封止材10により気密封止される。
上述したように、本実施例の半導体装置では、回路基板1、メモリチップ2、コントローラチップ3、及び封止材10が設けられる。回路基板1の第2主面(裏面)には外部接続端子9が設けられる。メモリチップ2は、一辺が回路基板1の外側にはみ出され、接着フィルムDAF1を介して回路基板1の第1主面(表面)に載置される。メモリチップ2は、ボンディングワイヤを介して回路基板1と電気的に接続される。コントローラチップ3は、接着フィルムDAF2を介してメモリチップ2の第1主面(表面)に載置される。コントローラチップ3は、ボンディングワイヤを介して回路基板1と電気的に接続される。メモリチップ2、コントローラチップ3、及びボンディングワイヤは、封止材10により気密封止される。
このため、メモリチップ2が大容量化され、チップ寸法が回路基板寸法よりも大きくなった場合でも、メモリチップ2をメモリカード70に搭載することができる。また、大容量化されたメモリチップ2に対応するために回路基板1の面積を大きくする必要がないので回路基板1のコストを削減することができる。
なお、本実施例では、コントローラチップ3をメモリチップ2上に載置しているが、回路基板1上に載置してもよい。また、microSD(Secure Digital)メモリカードであるメモリカード70は、封止材10で封止しているだけであるが、ケースを用いて外側を保護してもよい。
次に、本発明の実施例2に係る半導体装置について、図面を参照して説明する。図5は半導体装置としてのメモリカードを示す平面図、図6は図5のC−C線に沿う断面図である。本実施例では、回路基板に載置され、積層される複数のメモリチップの一辺を回路基板の外側にはみ出させている。
図5に示すように、メモリカード71には、回路基板1a、メモリチップ2a、メモリチップ2b、メモリチップ2c、コントローラチップ3a、及び封止材10aが設けられる。メモリカード71は、microSD(Secure Digital)メモリカードであり、例えば携帯電話、デジタルカメラ、ビデオカメラ、ゲーム機などに使用される。
封止材10aは、回路基板1の第1主面、回路基板1の側面の一部、メモリチップ2a、メモリチップ2b、メモリチップ2c、及びコントローラチップ3aを覆うように設けられる(詳細は後述する)。
回路基板1aは、封止材10aの短辺7Aよりも内側に設けられ、封止材10aの長辺8Aよりも内側に設けられ、封止材10aの長辺8Bの中央部及び下部よりも内側に設けられ、図に対して上から見て封止材10aの短辺7Bと同じ位置に設けられ、図に対して上から見て封止材10aの上部の長辺8Bと同じ位置に設けられる。
メモリチップ2cは、一辺(図中左側)が回路基板1の外側にせり出すように回路基板1a上に設けられる。メモリチップ2bは、メモリチップ2c上に設けられ、一辺(図中左側)が回路基板1aの外側にせり出すように回路基板1a上に設けられる。メモリチップ2aは、メモリチップ2b上に設けられ、一辺(図中左側)が回路基板1aの外側にせり出すように回路基板1a上に設けられる。コントローラチップ3aは、回路基板1a上に設けられる。コントローラチップ3aは、メモリチップ2a、メモリチップ2b、及びメモリチップ2cの読み出し・書き込み動作を制御する。
図6に示すように、メモリカード71は、回路基板1aの第2主面(裏面)に絶縁材11が設けられる。回路基板1aの第1主面(表面)には接着フィルムDAF11を介してメモリチップ2cが載置される。接着フィルムDAF11は、メモリチップ2cを回路基板1aに固定する。メモリチップ2bは、メモリチップ2cの第1主面(表面)に接着フィルムDAF12を介して載置される。接着フィルムDAF12は、メモリチップ2bをメモリチップ2c及び回路基板1aに固定する。メモリチップ2aは、メモリチップ2bの第1主面(表面)に接着フィルムDAF13を介して載置される。接着フィルムDAF13は、メモリチップ2aをメモリチップ2b、メモリチップ2c及び回路基板1aに固定する。
回路基板1aの第1主面(表面)の内部接続端子121aとメモリチップ2aの第1主面(表面)のチップ端子131aは、ボンディングワイヤ141aを介して電気的に接続される。回路基板1aの第1主面(表面)の内部接続端子121bとメモリチップ2bの第1主面(表面)のチップ端子131bは、ボンディングワイヤ141bを介して電気的に接続される。回路基板1aの第1主面(表面)の内部接続端子121cとメモリチップ2cの第1主面(表面)のチップ端子131cは、ボンディングワイヤ141cを介して電気的に接続される。ボンディングワイヤ141a乃至141cは、例えば金(Au)ワイヤが使用され、低ループ形状を有する。メモリチップ2cの左端部は、回路基板1aよりもせり出し距離L11だけ外側にせり出している。メモリチップ2bの左端部は、回路基板1aよりもせり出し距離(L11+L12)だけ外側にせり出している。メモリチップ2aの左端部は、回路基板1aよりもせり出し距離(L11+L12+L13)だけ外側にせり出している。
メモリチップ2a、メモリチップ2b、メモリチップ2c、回路基板1aの第1主面(表面)、回路基板1の側面、及びボンディングワイヤ141a乃至141cは、封止材10aにより気密封止される。メモリチップ2aの左端部は、封止材10aよりも水平方向の距離L14(例えば50μm)だけ内側に設けられる。
上述したように、本実施例の半導体装置では、回路基板a、メモリチップ2a、メモリチップ2b、メモリチップ2c、コントローラチップ3a、及び封止材10aが設けられる。メモリチップ2cは、一辺が回路基板1aの外側にはみ出され、接着フィルムDAF11を介して回路基板1aの第1主面(表面)に載置される。メモリチップ2bは、一辺が回路基板1aの外側にはみ出され、接着フィルムDAF12を介してメモリチップ2cの第1主面(表面)に載置される。メモリチップ2aは、一辺が回路基板1aの外側にはみ出され、接着フィルムDAF13を介してメモリチップ2bの第1主面(表面)に載置される。コントローラチップ3aは、回路基板1aの第1主面(表面)に載置される。メモリチップ2a、メモリチップ2b、メモリチップ2c、及びコントローラチップ3aは、ボンディングワイヤを介してそれぞれ回路基板1aと電気的に接続される。メモリチップ2a、メモリチップ2b、メモリチップ2c、コントローラチップ3a、及びボンディングワイヤは、封止材10aにより気密封止される。
このため、メモリチップ2a、メモリチップ2b、及びメモリチップ2cが大容量化され、チップ寸法が回路基板寸法よりも大きくなった場合でも、メモリチップ2a、メモリチップ2b、及びメモリチップ2cをメモリカード71に搭載することができる。また、大容量化されたメモリチップ2a、メモリチップ2b、及びメモリチップ2cに対応するために回路基板1aの面積を大きくする必要がないので回路基板1aのコストを削減することができる。
なお、本実施例では、回路基板1a上にメモリチップを3個積層形成しているが、2個積層或いは4個以上積層形成してもよい。また、積層形成されたメモリチップ上にコントローラチップ3aを載置してもよい。
次に、本発明の実施例3に係る半導体装置について、図面を参照して説明する。図7は半導体装置としてのメモリカードを示す平面図である。本実施例では、回路基板に載置されるメモリチップの二辺を回路基板の外側にはみ出させている。
図7に示すように、メモリカード72には、回路基板1b、メモリチップ2bb、コントローラチップ3b、及び封止材10bが設けられる。メモリカード72は、microSD(Secure Digital)メモリカードであり、例えば携帯電話、デジタルカメラ、ビデオカメラ、ゲーム機などに使用される。
封止材10bは、直線状の短辺7A、図に対して上から見て回路基板1と同じ位置の直線状の短辺7B、きり欠け部4とくびれ部5を有する長辺8A、図に対して上から見て上部が回路基板1と同じ位置の直線状の長辺8B、及び四隅の角部6を有する。封止材10bは、回路基板1bの第1主面、回路基板1bの側面の一部、メモリチップ2bb、及びコントローラチップ3bを覆うように設けられる。
回路基板1bは、封止材10bの短辺7Aよりも内側に設けられ、封止材10bの長辺8Aよりも内側に設けられ、封止材10bの長辺8Bの中央部及び下部よりも内側に設けられ、図に対して上から見て封止材10bの短辺7Bと同じ位置に設けられ、図に対して上から見て封止材10bの上部の長辺8Bと同じ位置に設けられる。
メモリチップ2bbは、左側の一辺が回路基板1bの外側にせり出すように回路基板1b上に設けられ(せり出し距離L21)、上側の一辺が回路基板1bの外側にせり出すように回路基板1b上に設けられる(せり出し距離L22)。コントローラチップ3bは、メモリチップ2bb上に設けられる。コントローラチップ3bは、メモリチップ2bbの右下部に設けられる。コントローラチップ3bは、メモリチップ2bbの読み出し・書き込み動作を制御する。
上述したように、本実施例の半導体装置では、回路基板1b、メモリチップ2bb、コントローラチップ3b、及び封止材10bが設けられる。メモリチップ2bbは、二辺が回路基板1bの外側にはみ出され、回路基板1bの第1主面(表面)に載置される。メモリチップ2bbは、回路基板1bと電気的に接続される。
コントローラチップ3bは、メモリチップ2bbの第1主面(表面)に載置される。コントローラチップ3bは、回路基板1bと電気的に接続される。メモリチップ2bb及びコントローラチップ3bは、封止材10bにより気密封止される。
このため、メモリチップ2bbが大容量化され、チップ寸法が回路基板寸法よりも大きくなった場合でも、メモリチップ2bbをメモリカード72に搭載することができる。また、大容量化されたメモリチップ2bbに対応するために回路基板1bの面積を大きくする必要がないので回路基板1bのコストを削減することができる。
次に、本発明の実施例4に係る半導体装置について、図面を参照して説明する。図8は半導体装置としてのメモリカードを示す平面図、図9は図8のD−D線に沿う断面図である。本実施例では、回路基板に載置されるメモリチップの三辺を回路基板の外側にはみ出させている。
図8に示すように、メモリカード73には、回路基板1c、メモリチップ2cc、コントローラチップ3c、及びケース21が設けられる。メモリカード73は、SD(Secure Digital)メモリカード(normal SD)であり、例えば携帯電話、デジタルカメラ、ビデオカメラ、ゲーム機などに使用される。SDメモリカード(normal SD)は、幅(W)が24mm、長さ(L)が32mm、厚さ(T)が2.1mmの形状を有し、端子数を9個有する。
ケース21は、直線状の短辺7A、直線状の短辺7B、きり欠け部4とくびれ部5を有する長辺8A、くびれ部5を有する直線状の長辺8B、及び三隅の角部6を有する。ケース21は、回路基板1cの第1主面、回路基板1cの側面、メモリチップ2cc、及びコントローラチップ3cを覆うように設けられる(詳細は後述する)。
回路基板1cは、ケース21の短辺7Aよりも内側に設けられ、ケース21の長辺8Aよりも内側に設けられ、ケース21の長辺8Bよりも内側に設けられ、ケース21の短辺7Bよりも内側に設けられる。
メモリチップ2ccは、左側の一辺が回路基板1cの外側にせり出し距離L31だけせり出すように回路基板1c上に設けられ、右側の一辺が回路基板1cの外側にせり出し距離L32だけせり出すように回路基板1c上に設けられ、下側の一辺が回路基板1cの外側にせり出し距離L33だけせり出すように回路基板1c上に設けられる。
コントローラチップ3cは、メモリチップ2cc上に設けられる。コントローラチップ3cは、メモリチップ2ccの読み出し・書き込み動作を制御する。
図9に示すように、メモリカード73は、回路基板1cの第2主面(裏面)の左部に外部接続端子9が設けられる。回路基板1cの第1主面(表面)には接着フィルムDAF21を介してメモリチップ2ccが載置される。接着フィルムDAF21は、メモリチップ2ccを回路基板1cに固定する。メモリチップ2ccの第1主面(表面)には接着フィルムDAF22を介してコントローラチップ3cが載置される。接着フィルムDAF22は、コントローラチップ3cをメモリチップ2cc及び回路基板1cに固定する。
回路基板1cの第1主面(表面)の内部接続端子122aとコントローラチップ3cの第1主面(表面)のチップ端子132aは、ボンディングワイヤ142aを介して電気的に接続される。回路基板1cの第1主面(表面)の内部接続端子122bとメモリチップ2ccの第1主面(表面)のチップ端子132bは、ボンディングワイヤ142bを介して電気的に接続される。ボンディングワイヤ142a及び142bは、例えば金(Au)ワイヤが使用され、低ループ形状を有する。
メモリチップ2cc、コントローラチップ3c、回路基板1cの第1主面(表面)、回路基板1cの側面、ボンディングワイヤ142a、及びボンディングワイヤ142bは、封止材10cにより気密封止される。ケース21は、メモリチップ2cc、コントローラチップ3c、回路基板1cの第1主面(表面)、回路基板1cの側面、ボンディングワイヤ142a、ボンディングワイヤ142b、封止材10c、及び外部接続端子9を除く回路基板1cの第2主面(裏面)を覆っている。
上述したように、本実施例の半導体装置では、回路基板1c、メモリチップ2cc、コントローラチップ3c、封止材10c、及びケース21が設けられる。回路基板1cの第2主面(裏面)には外部接続端子9が設けられる。メモリチップ2ccは、三辺が回路基板1cの外側にはみ出され、接着フィルムDAF21を介して回路基板1の第1主面(表面)に載置される。メモリチップ2ccは、ボンディングワイヤを介して回路基板1cと電気的に接続される。コントローラチップ3cは、接着フィルムDAF22を介してメモリチップ2ccの第1主面(表面)に載置される。コントローラチップ3cは、ボンディングワイヤを介して回路基板1cと電気的に接続される。メモリチップ2cc、コントローラチップ3c、及びボンディングワイヤは、封止材10cにより気密封止される。封止材10c、回路基板1cの第1主面(表面)、メモリチップ2cc、コントローラチップ3c、及びボンディングワイヤは、ケース21により覆われる。
このため、メモリチップ2ccが大容量化され、チップ寸法が回路基板寸法よりも大きくなった場合でも、メモリチップ2ccをメモリカード73に搭載することができる。また、大容量化されたメモリチップ2ccに対応するために回路基板1cの面積を大きくする必要がないので回路基板1cのコストを削減することができる。
次に、本発明の実施例5に係る半導体装置について、図面を参照して説明する。図10は半導体装置としてのメモリカードを示す平面図、図11は図10のE−E線に沿う断面図である。本実施例では、回路基板に載置されるメモリチップの四辺を回路基板の外側にはみ出させている。
以下、実施例1と同一構成部分には、同一符号を付してその部分の説明を省略し、異なる部分のみ説明する。
図10に示すように、メモリカード80には、回路基板1d、メモリチップ2d、及びケース21aが設けられる。メモリカード80は、例えば携帯電話、デジタルカメラ、ビデオカメラ、ゲーム機などに使用される。
ケース21aは、直線状の短辺7A、直線状の短辺7B、きり欠け部4を有する長辺8A、直線状の長辺8B、及び三隅の角部6を有する。ケース21aは、回路基板1dの第1主面、回路基板1dの側面、メモリチップ2d、及び後述する回路基板1dの第2主面に設けられるコントローラチップ3dを覆うように設けられる(詳細は後述する)。
回路基板1dは、ケース21aの短辺7A、短辺7B、長辺8A、及び長辺8Bよりも内側に設けられる。
メモリチップ2ccは、左側の一辺が回路基板1dの外側にせり出し距離L44だけせり出すように回路基板1d上に設けられ、右側の一辺が回路基板1dの外側にせり出し距離L41だけせり出すように回路基板1d上に設けられ、下側の一辺が回路基板1dの外側にせり出し距離L42だけせり出すように回路基板1d上に設けられ、上側の一辺が回路基板1dの外側にせり出し距離L43だけせり出すように回路基板1d上に設けられる。ただし、左右のつりピン部分は、回路基板1dが外側にせり出している。
図11に示すように、メモリカード80は、回路基板1dの第2主面(裏面)の左部に外部接続端子9が設けられる。回路基板1dの第2主面(裏面)の中央部にコントローラチップ3dが設けられる。回路基板1dの第2主面(裏面)の内部接続端子123cとコントローラチップ3dのチップ端子133cがバンプ31cを介して電気的に接続される。回路基板1dの第2主面(裏面)の内部接続端子123dとコントローラチップ3dのチップ端子133dがバンプ31dを介して電気的に接続される。コントローラチップ3dは、封止材10eで気密封止される。
回路基板1dの第1主面(表面)にはメモリチップ2dが載置される。回路基板1dの第1主面(表面)の内部接続端子123aとメモリチップ2dのチップ端子133aがバンプ31aを介して電気的に接続される。回路基板1dの第1主面(表面)の内部接続端子123bとメモリチップ2dのチップ端子133bがバンプ31bを介して電気的に接続される。回路基板1dの第1主面(表面)、回路基板1dの側面、及びメモリチップ2dは、封止材10dにより気密封止される。
メモリチップ2d、コントローラチップ3d、封止材10d、封止材10e、回路基板1dの第2主面(裏面)の外部接続端子9が設けられていない領域、及び回路基板1dの第1主面(表面)を覆うように、ケース21aが設けられる。
ここで、バンプ31a乃至31dには、はんだバンプを用いているが代わりに金(Au)バンプを用いてもよい。ここでは、バンプ31c及び31dを用いてコントローラチップ3dと回路基板1dを電気的に接続しているが、代わりにボンディングワイヤを用いて接続してもよい。
上述したように、本実施例の半導体装置では、回路基板1d、メモリチップ2d、コントローラチップ3d、封止材10d、封止材10e、及びケース21aが設けられる。回路基板1dの第2主面(裏面)には外部接続端子9が設けられる。メモリチップ2dは、四辺が回路基板1dの外側にはみ出され、回路基板1dの第1主面(表面)に載置される。メモリチップ2dは、バンプを介して回路基板1dと電気的に接続される。回路基板1dの第1主面(表面)、回路基板1dの側面、及びメモリチップ2dは、封止材10dにより気密封止される。
封止材10d、封止材10e、回路基板1dの第1主面(表面)、メモリチップ2d、及びコントローラチップ3dは、ケース21aにより覆われる。
このため、メモリチップ2dが大容量化され、チップ寸法が回路基板寸法よりも大きくなった場合でも、メモリチップ2dをメモリカード80に搭載することができる。また、大容量化されたメモリチップ2dに対応するために回路基板1dの面積を大きくする必要がないので回路基板1dのコストを削減することができる。
発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々、変更してもよい。
実施例では、SDカードに適用したが、SDカード以外の、例えばICカードなどの他のカード型記録媒体、USB(Universal Serial Bus)メモリなどにも適用することができる。
本発明は、以下の付記に記載されているような構成が考えられる。
(付記1) 第1主面と相対向する第2主面に外部接続端子が設けられる回路基板と、前記回路基板の第1主面に載置され、少なくとも1辺が前記回路基板の外側にはみ出され、第1のチップ端子が前記回路基板の第1の内部接続端子とボンディングワイヤを介して電気的に接続されるメモリチップと、前記回路基板の第1主面に載置され、第2のチップ端子が前記回路基板の第2の内部接続端子とボンディングワイヤを介して電気的に接続されるコントローラチップと、前記メモリチップ及び前記コントローラチップを気密封止する封止材とを具備する半導体装置。
(付記1) 第1主面と相対向する第2主面に外部接続端子が設けられる回路基板と、前記回路基板の第1主面に載置され、少なくとも1辺が前記回路基板の外側にはみ出され、第1のチップ端子が前記回路基板の第1の内部接続端子とボンディングワイヤを介して電気的に接続されるメモリチップと、前記回路基板の第1主面に載置され、第2のチップ端子が前記回路基板の第2の内部接続端子とボンディングワイヤを介して電気的に接続されるコントローラチップと、前記メモリチップ及び前記コントローラチップを気密封止する封止材とを具備する半導体装置。
(付記2) 第1主面と相対向する第2主面に外部接続端子が設けられる回路基板と、前記回路基板の第1主面に載置され、少なくとも1辺が前記回路基板の外側にはみ出され、第1のチップ端子が前記回路基板の第1の内部接続端子とボンディングワイヤを介して電気的に接続されるメモリチップと、前記回路基板の第1主面に載置され、第2のチップ端子が前記回路基板の第2の内部接続端子とボンディングワイヤを介して電気的に接続されるコントローラチップと、前記メモリチップ及び前記コントローラチップを気密封止する封止材と、前記封止材、前記回路基板の第1主面、前記回路基板の側面、及び前記外部接続端子が設けられる領域を除く前記回路基板の第2主面を覆うように設けられるケースとを具備する半導体装置。
(付記3) 前記封止材は、前記メモリチップ、前記コントローラチップ、前記回路基板の第1主面、少なくとも2側面の一部領域を除いた前記回路基板の側面を気密封止する付記1又は2に記載の半導体装置。
(付記4) 前記外部接続端子を除く前記回路基板の第2主面には、絶縁材が設けられる付記1乃至3のいずれかに記載の半導体装置。
(付記5) 前記回路基板は、ガラスエポキシ基板である付記1乃至4のいずれかに記載の半導体装置。
1、1a〜1d 回路基板
2、2a、2b、2c、2bb、2cc、2d メモリチップ
3、3a、3b コントローラチップ
4 切り欠け部
5 くびれ部
6 角部
7A、7B 短辺
8A、8B 長辺
9 外部接続端子
10、10a〜10e 封止材
11 絶縁材
12a、12b、121a〜121c、122a、122b、123a〜123d 内部接続端子
13a、13b、131a〜131c、132a、132b、133a〜133d チップ端子
14a、14b、141a〜141c、142a、142b ボンディングワイヤ
21、21a ケース
31a〜31d バンプ
70〜73、80 メモリカード
DAF1、DAF2、DAF11〜DAF13、DAF21、DAF22 接着フィルム
2、2a、2b、2c、2bb、2cc、2d メモリチップ
3、3a、3b コントローラチップ
4 切り欠け部
5 くびれ部
6 角部
7A、7B 短辺
8A、8B 長辺
9 外部接続端子
10、10a〜10e 封止材
11 絶縁材
12a、12b、121a〜121c、122a、122b、123a〜123d 内部接続端子
13a、13b、131a〜131c、132a、132b、133a〜133d チップ端子
14a、14b、141a〜141c、142a、142b ボンディングワイヤ
21、21a ケース
31a〜31d バンプ
70〜73、80 メモリカード
DAF1、DAF2、DAF11〜DAF13、DAF21、DAF22 接着フィルム
Claims (5)
- 回路基板と、
前記回路基板の第1主面に載置され、少なくとも1辺が前記回路基板の外側にはみ出され、チップ端子が前記回路基板の内部接続端子と電気的に接続される半導体チップと、
前記半導体チップを気密封止する封止材と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 回路基板と、
前記回路基板の第1主面に載置され、少なくとも1辺が前記回路基板の外側にはみ出され、チップ端子が前記回路基板の内部接続端子と電気的に接続され、積層形成される複数の半導体チップと、
前記複数の半導体チップを気密封止する封止材と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 第1主面と相対向する第2主面に外部接続端子が設けられる回路基板と、
前記回路基板の第1主面に載置され、少なくとも1辺が前記回路基板の外側にはみ出され、第1のチップ端子が前記回路基板の第1の内部接続端子と電気的に接続されるメモリチップと、
前記メモリチップを気密封止する封止材と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1のチップ端子と前記回路基板の第1の内部接続端子の間は、ボンディングワイヤ或いはバンプを介して電気的に接続されることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記メモリチップの第1主面に載置され、第2のチップ端子が前記回路基板の第2の内部接続端子とボンディングワイヤ或いはバンプを介して電気的に接続され、前記封止材により気密封止されることを特徴とする請求項3又は4に記載の半導体装置。
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JP2009108353A JP2010258304A (ja) | 2009-04-27 | 2009-04-27 | 半導体装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2017022241A (ja) * | 2015-07-09 | 2017-01-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び電子機器 |
-
2009
- 2009-04-27 JP JP2009108353A patent/JP2010258304A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2017022241A (ja) * | 2015-07-09 | 2017-01-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び電子機器 |
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