JP2010253650A - シリコンデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】物理量を検出する素子またはシリコンを変形させる素子をシリコンの一方の面に形成し、シリコンの他方の面の一部および一方の面を保護膜で覆い、シリコンをエッチングするシリコンデバイスの製造方法において、保護膜に金属膜を用いてシリコンの他方の面の一部および一方の面を覆う第1工程(S120)と、金属膜を侵食しないエッチング液を用いてシリコンをエッチングする第2工程(S130)と、素子に接続される電極を金属膜から形成する第3工程(S140)とを有することを特徴とするもの。
【選択図】図1
Description
(1)シリコン11のエッチング(図5の工程S60)中に第2保護膜18が剥がれるという問題のほかに、エッチング後に電極16を侵食することなく第2保護膜18を除去する作業(図5の工程S70)が困難であるという問題がある。また、シリコン11のエッチング前後に、第2保護膜18を成膜し除去する工程(図5の工程S50、S70)は、コストが高く、多くの工数がかかるという問題がある。
(2)保護冶具21で覆う場合(図5の工程S50)、シリコン11の割れの問題、およびシリコン11と保護冶具21との密着が不完全であれば電極16または配線の侵食を完全に防止できないという問題がある。また、保護冶具21の取り付けおよび取り外しは作業性が悪いほか、保護冶具21は高価でありコストが高くなるという問題がある。
物理量を検出する素子またはシリコンを変形させる素子を前記シリコンの一方の面に形成し、前記シリコンの他方の面の一部および前記一方の面を保護膜で覆い、前記シリコンをエッチングするシリコンデバイスの製造方法において、
前記保護膜に金属膜を用いて前記シリコンの他方の面の一部および前記一方の面を覆う第1工程と、
前記金属膜を侵食しないエッチング液を用いて前記シリコンをエッチングする第2工程と、
前記素子に接続される電極を前記金属膜から形成する第3工程と
を有することを特徴とする。
請求項2の発明は、請求項1に記載の発明において、
前記金属膜は、アルミ膜またはアルミ合金膜であることを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項1または2に記載の発明において、
前記第2工程または前記第3工程の後に、前記シリコンをシンタリングする第4工程を有することを特徴とする。
(1)金属膜を侵食しないエッチング液を用いてエッチングするので、エッチング中の金属膜の剥離を防止できる。また、電極を金属膜から形成するため、電極の形成と金属膜の不要な部分の除去作業を同時にできるとともに、第2保護膜の成膜は必要無いので、製造工程の工数低減、作業性の改善およびコスト低減をすることができる。
(2)第1、2保護膜として金属膜を用い、金属膜を侵食しないエッチング液を用いてシリコンをエッチングすることによって、金属膜に覆われたシリコンの部分をエッチング液による侵食から保護できる。このため、保護冶具を用いなくてよいので、シリコンの割れを防止し、侵食を完全に防止でき、保護冶具の取り付けおよび取り外しの作業が無くなり作業性が改善され、コスト低減をすることができる。
(1)アルミ膜110、111を侵食しないエッチング液を用いてエッチングするので、エッチング中のアルミ膜110、111の剥離を防止できる。また、電極130をアルミ膜111から形成するため、電極130の形成とアルミ膜111の不要な部分の除去作業を同時にできるとともに、第2保護膜18(図6参照)の成膜は必要無いので、製造工程の工数低減、作業性の改善およびコスト低減をすることができる。
(1)多層膜220を用いることによって、多層膜220にピンホールなどの欠陥が生じることを防止できる。また、多層膜220の膜厚は、緻密な膜形成が困難で厚い膜厚を必要とする第2保護膜18(図6参照)より薄くできるので、図4(a)の状態において、多層膜220に覆われているシリコン11および素子14に生じる応力を低減できる。
12 エッチング保護面
13 エッチング面
14 素子
15 絶縁層
110、111 金属膜
130、230 電極
100、200 シリコンデバイス
220 多層膜
220a Al膜
220b Cr膜
220c Au膜
Claims (3)
- 物理量を検出する素子またはシリコンを変形させる素子を前記シリコンの一方の面に形成し、前記シリコンの他方の面の一部および前記一方の面を保護膜で覆い、前記シリコンをエッチングするシリコンデバイスの製造方法において、
前記保護膜に金属膜を用いて前記シリコンの他方の面の一部および前記一方の面を覆う第1工程と、
前記金属膜を侵食しないエッチング液を用いて前記シリコンをエッチングする第2工程と、
前記素子に接続される電極を前記金属膜から形成する第3工程と
を有することを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。 - 前記金属膜は、アルミ膜またはアルミ合金膜であることを特徴とする請求項1に記載のシリコンデバイスの製造方法。
- 前記第2工程または前記第3工程の後に、前記シリコンをシンタリングする第4工程を有することを特徴とする請求項1または2に記載のシリコンデバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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---|---|---|---|---|
JP2014021065A (ja) * | 2012-07-23 | 2014-02-03 | Denso Corp | 物理量センサ |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6397253U (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-23 | ||
JPH04262529A (ja) * | 1991-02-15 | 1992-09-17 | Terumo Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH11103076A (ja) * | 1997-07-30 | 1999-04-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体加速度センサの製造方法 |
JP2002005765A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
JP2004119674A (ja) * | 2002-09-26 | 2004-04-15 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | シリコン異方性エッチング液及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2007214456A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | シリコン微細加工に用いるシリコン異方性エッチング剤組成物、シリコンエッチング方法及びそのエッチングを施されたシリコン基板を有する電子機器 |
JP2008155333A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Japan Science & Technology Agency | 金属ガラスを用いたマイクロマシン及びそれを用いたセンサ並びにその製造方法 |
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2009
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6397253U (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-23 | ||
JPH04262529A (ja) * | 1991-02-15 | 1992-09-17 | Terumo Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH11103076A (ja) * | 1997-07-30 | 1999-04-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体加速度センサの製造方法 |
JP2002005765A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
JP2004119674A (ja) * | 2002-09-26 | 2004-04-15 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | シリコン異方性エッチング液及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2007214456A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | シリコン微細加工に用いるシリコン異方性エッチング剤組成物、シリコンエッチング方法及びそのエッチングを施されたシリコン基板を有する電子機器 |
JP2008155333A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Japan Science & Technology Agency | 金属ガラスを用いたマイクロマシン及びそれを用いたセンサ並びにその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014021065A (ja) * | 2012-07-23 | 2014-02-03 | Denso Corp | 物理量センサ |
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