JP2010239003A - 反射防止構造体の製造方法および固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
反射防止構造体の製造方法および固体撮像装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010239003A JP2010239003A JP2009086671A JP2009086671A JP2010239003A JP 2010239003 A JP2010239003 A JP 2010239003A JP 2009086671 A JP2009086671 A JP 2009086671A JP 2009086671 A JP2009086671 A JP 2009086671A JP 2010239003 A JP2010239003 A JP 2010239003A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fine particles
- fine
- etching
- film
- workpiece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
【解決手段】微細粒子が分散された樹脂膜12を被加工体11表面に形成する第1工程と、樹脂膜12中の前記微細粒子をマスクにして樹脂膜12をエッチングするとともに、微細粒子も徐々にエッチングして、樹脂膜12に微細突起ダミーパターン14を形成する第2工程と、微細突起ダミーパターン14が形成された樹脂膜12とともに被加工体11表面をエッチバックして、樹脂膜12の表面に形成された微細突起ダミーパターン14の表面形状を被加工体11表面に転写して、被加工体11表面に微細突起パターン15を形成する第3工程を備えている。
【選択図】図1
Description
したがって、各界面における反射成分を可能な限りなく少なくすることが望まれる。
また、界面反射を低減することにより、反射光が保護ガラスなどの他部材により再度反射してきた光が入射することによりフレアやゴーストなどのノイズ光の低減にもなる。
また、様々な向きの入射光全てに対して反射防止機能を持たせることも困難である。
さらに、これらの反射防止膜の反射防止能力は、各膜の膜厚に敏感であり、安定した反射防止特性を維持するためには製造上の管理が困難であるなど多くの問題を抱えている。
この状態で、微細突起ダミーパターンの表面形状を被加工体表面に転写して、被加工体表面に微細突起パターンを形成することから、微細突起パターンも微細突起ダミーパターンと同様な形状に形成される。
この状態で、微細突起ダミーパターンの表面形状を平坦化絶縁膜表面に転写して、平坦化絶縁膜表面に微細突起パターンを形成することから、微細突起パターンも微細突起ダミーパターンと同様な形状に形成される。
[反射防止構造体の第1製造方法の一例]
本発明の第1実施の形態に係る反射防止構造体の第1製造方法の一例を、図1の製造工程断面図およびSEM画像によって説明する。
上記被加工体11としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等が挙げられる。このような膜の適用箇所として、例えば、固体撮像装置のカラーフィルター下に形成される無機パシベーション膜がある。
上記樹脂膜12の樹脂として、ノボラック系樹脂、スチレン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリシロキサン系樹脂、ポリイミド系樹脂が挙げられる。これらの樹脂は、単独でも、混合して用いられても良い。中でも安価で塗布性に優れるノボラック系樹脂が望ましい。
上記微細粒子(図示せず)には、酸化シリコン(SiO2)を用いる。もしくは、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化アンチモン(Sb2O3)、酸化錫(SnO2)、酸化チタン(TiO2)、酸化マンガン(MnO2)、酸化ジルコニウム(ZrO2)等の金属酸化物を用いる。これらは、単独でも、混合して用いられても良い。
または、無機物を含む染料色素である、下記(1)式に示すフタロシアニン系化合物を用いることもできる。このフタロシアニン系化合物は、中心金属に、銅(Cu)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、亜鉛(Zn)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)などから選択される金属を用いる。中でも、安価で溶解性が高く、塗布性に優れる銅フタロシアニンが望ましい。
これら溶剤は単独で用いても、混合して用いてもよい。
特には、上記溶媒として、安価で塗布性に優れる酢酸エチルが望ましい。
上記被加工体11には、プラズマCVD窒化シリコン(P−SiN)膜を用いた。この上に、微細粒子を分散させた樹脂膜12を形成した。この樹脂膜12は、例えば0.5μmの膜厚に形成した。その後、200℃で5min間の熱処理を行って上記樹脂膜12を硬化処理した。
上記銅フタロシアニン染料には、例えば、田岡化学社製のC.I.SB67:オレオゾールファストブルーRLを用いた。上記ポリ−ヒドロキシスチレンには、例えば、丸善石油化学(株)製のマルカリンカーMを用いた。このマルカリンカーMは、カタログ値の重量平均分子量が4100、分散度が1.98であり、それを固形分として15部用いた。上記硬化剤のヘキサメトキシメチロールメラミンには、例えば、三和ケミカル製のニカラックMW−390を用いた。これは、ヘキサメトキシメチロールメラミン純度98.3%(カタログ記載値)のものである。
次に、以下のドライエッチング条件で上記樹脂膜12をエッチングして、高さが120nm、幅および奥行きが50nmの形状を有する微細突起ダミーパターン14を形成した。
このドライエッチングには、マグネトロン反応性イオンエッチング装置を用いた。エッチング条件は、バイアスピークパワー(Bias Peak Power)を−150Wに設定した。エッチングガスには、酸素(O2)と塩素(Cl2)を用いた。上記酸素(O)の流量を70cm3/s、上記塩素(Cl2)の流量を40cm3/sに設定し、エッチング時間を20sとした。
このようにして、被加工体11表面の全面に形成された微細突起パターン15からなる反射防止構造体10が形成される。
このドライエッチングには、マグネトロン反応性イオンエッチング装置を用いた。そして、エッチング条件は、バイアスピークパワー(Bias Peak Power)を−150Wに設定した。そしてエッチングガスに酸素(O2)と塩素(Cl2)を用いた。上記酸素(O)の流量を70cm3/s、上記塩素(Cl2)の流量を40cm3/sに設定し、エッチング時間を40sとした。
このように、エッチングマスクとなる微細粒子がエッチングの進行とともに細ってくることから、この微細突起ダミーパターン14は、円錐形の突起構造(モスアイ構造)に形成される。
この状態で、微細突起ダミーパターン14の表面形状を被加工体11表面に転写して、被加工体11表面に微細突起パターン15を形成することから、微細突起パターン15も微細突起パターン15と同様な形状に形成される。
よって、低コストで信頼性の高い反射防止構造体を簡単な方法で作製することができる。
また、上記微細粒子のサイズ、材質、エッチングガスの種類、エッチング雰囲気圧力、エッチングガスの供給流量、エッチング温度、エッチング方式などを変えることで最適な反射防止構造体を作製することができる。
さらに、樹脂膜12中に熱硬化剤を含むことから、樹脂膜12を塗布法によって形成した場合、熱処理(ベーキング)によって硬化しやすくなる。
[反射防止構造体の第2製造方法の第1例]
次に、本発明の第2実施の形態に係る反射防止構造体の第2製造方法の第1例を、図2および図3の製造工程断面図によって説明する。
例えば、上記微細粒子13が分散された溶媒(図示せず)を上記被加工体11表面に膜状に形成して、上記被加工体11表面に上記微細粒子13を配列させる。
具体的には、塗布法によって、上記微細粒子13が分散された上記溶媒(図示せず)を上記被加工体11表面に膜状に塗布した後、上記溶媒を蒸発させて、上記被加工体11表面に上記微細粒子13のみを配列させる。
上記シリカ粒子の粒径は、厳密に制御する必要は無い。反射防止したい光の波長から、概ね300nmより小さく、かつ安定的に加工できるサイズ、すなわち10nm程度以上であれば問題ない。また、スピンコーターに限らずノズル噴射型塗布装置にて塗布しても構わない。
その後、ベークなどによる乾燥により上記溶媒を蒸発させて、単粒子層(シリカ粒子が1層配列した状態)16を得ることができる。
上記エッチング工程により、上記被加工体11の表面に、横方向に約100nm、高さ方向に約300nmの紡錘形状の微細突起パターン15を形成することができる。
このようにして、被加工体11表面の全面に形成された微細突起パターン15の集合体からなる反射防止構造体10が形成される。
上記酸化物としては、酸化シリコン(シリカ)、酸化アルミニウム(アルミナ)、酸化ジルコニウム(ジルコニア)、酸化チタン(チタニア)、酸化セリウム(セリア)、酸化亜鉛、酸化スズ等が挙げられる。
窒化物としては、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素等が挙げられる。
炭化物としては、炭化シリコン、炭化ホウ素、ダイヤモンド、グラファイト、フラーレン類等が挙げられる。
ホウ化物としては、ホウ化ジルコニウム(ZrB2)、ホウ化クロム(CrB2)等が挙げられる。
金属粒子としては、金、銀、白金、パラジウム、銅、ニッケル、コバルト、鉄等が挙げられる。
しかしながら、より好適には汚染の原因となる金属元素を含まない材料からなる微細粒子が望ましい。したがって、シリコン、シリカ、ダイヤモンド、シリコン窒化物、炭化シリコン(SiC)が好適である。
上記微細粒子13の粒度分布に関して、特別な制限は無いが、単粒子層の形成の容易さの観点からは、シャープな粒度分布のもの、とりわけ単分散のものが、粒度分布が大きなものよりも好ましい。
これら被加工体11に適したエッチング条件に適合するように微細粒子13の材質を選択し、エッチング選択比が上記したような反射防止構造の形成に適するようにエッチング条件を調整すればよい。
この結果、微細粒子13をエッチングマスクにしながら被加工体11表面をエッチングすることができる。そして、微細粒子13は被加工体11よりも遅いエッチング速度でエッチングされるから、微細突起パターン15は、頂部から底部に向かうに従って、高さ方向の同等な厚さに分割した場合、体積が線形に近い状態で増加する形状に微細突起パターン15が形成される。
したがって、球形もしくは略球形の微細粒子を用いることで、高価なリソグラフィー手段を用いることなく、反射防止構造に必要な微細な二次元パターンを形成することが可能となる。
図4では、前記図3(4)に示した微細突起パターン15の形状変化と体積変化すなわち屈折率変化を示した。体積変化すなわち屈折率変化が0から1に直線的に変化することが望ましい。
なお、図4は、縦軸に屈折率変化、体積変化、形状変化を示し、横軸に微細突起パターンの高さを示す。また図面では、微細粒子13の半径で正規化しているので、微細突起パターン15のアスペクトには依存しない。また、屈折率の変化の度合いが0から1となっているのであって、実際の反射防止構造においては、窒化シリコン膜の屈折率からその上層の物質の屈折率への変化となる。
次に、本発明の第2実施の形態に係る反射防止構造体の第2製造方法の第2例を、図5および図6の製造工程断面図によって説明する。
例えば、上記微細粒子13が分散された溶媒(図示せず)を上記被加工体11表面に膜状に形成して、上記被加工体11表面に上記微細粒子13を配列させる。
具体的には、塗布法によって、上記微細粒子13が分散された上記溶媒(図示せず)を上記被加工体11表面に膜状に塗布した後、上記溶媒を蒸発させて、上記被加工体11表面に上記微細粒子13のみを配列させる。
上記シリカ粒子の粒径は、厳密に制御する必要は無い。反射防止したい光の波長から、概ね300nmより小さく、かつ安定的に加工できるサイズ、すなわち10nm程度以上であれば問題ない。また、スピンコーターに限らずノズル噴射型塗布装置にて塗布しても構わない。その後、ベークなどによる乾燥により上記溶媒を蒸発させて、単粒子層(シリカ粒子が1層配列した状態)16を得ることができる。
このようにして、被加工体11表面の全面に形成された微細突起パターン15の集合体からなる反射防止構造体10が形成される。
この反射防止構造体10は、図7(1)の鳥瞰SEM画像および図7(2)の断面SEM画像に示すように形成されている。
図8に示すように、屈折率変化はほぼ直線的に0から1に変化しているので、上記のようにエッチング選択比を可変とすることで好適な反射防止構造が形成することができる。すなわち、上記微細突起パターン15は、前記図15に示したような理想的な形状とほぼ同形状に形成される。
なお、図8は、縦軸に屈折率変化、体積変化、形状変化を示し、横軸に微細突起パターンの高さを示す。また図面では、微細粒子13の半径で正規化しているので、微細突起パターン15のアスペクトには依存しない。また、屈折率の変化の度合いが0から1となっているのであって、実際の反射防止構造においては、窒化シリコン膜の屈折率からその上層の物質の屈折率への変化となる。
したがって、当初のエッチング選択比を2(単位面積あたり、微細粒子13(シリカ粒子)が1エッチングされる間に窒化シリコン膜が2エッチングされる)となるようにエッチング条件を設定する。そして、上述のように最終的にエッチング選択比が5となるようにチャンバー圧力を上げることによっても、同様に好適な反射防止構造が形成できる。
しかも、上記異方性エッチングでは、エッチング中に被加工体11と微細粒子13のエッチング選択比の関係を可変として、被加工体11のエッチング速度を微細粒子13のエッチング速度に対してより速くしている。これによって、微細突起パターン15の高さ方向の体積変化が、前記図7によって説明したように、線形に近い状態となる。
したがって、反射防止構造体10における微細突起パターン15の高さ方向に向かって、屈折率が線形に変化する。すなわち、微細突起パターン15の基部から頂部に向かって、屈折率が線形に減少するようになっている。
上記説明した第2製造方法の第2例のように、エッチングの進行とともにエッチング選択比が増加するようにエッチング条件を定める方法を、前記第1製造方法の微細突起ダミーパターン14を形成するエッチングに適用することもできる。この場合、微細突起ダミーパターン14を紡錘形状に形成することが可能になる。
次に、本発明の第2実施の形態に係る反射防止構造体の第2製造方法の第3例を、前記図5および前記図6の製造工程断面図によって説明する。
上記被加工体11である透明樹脂膜は、固体撮像装置、発光素子、表示素子において平坦化膜やマイクロレンズなどに用いられる。
上記被加工体11表面に上記微細粒子13からなる単粒子層16を形成する。その形成方法は、前記第2製造方法の第2例の図5(1)によって説明したのと同様である。
上記エッチング条件は、エッチングガスサルファーヘキサフルオライド(SF6)と酸素(O2)を用いる。SF6の初期流量を50cm3/min、O2の初期流量を10cm3/minに設定する。エッチング雰囲気(エッチングチャンバー)の圧力を4.0Pa、ソースパワーを500W,バイアスパワーを100W、基板温度を50℃に設定する。
したがって、反射防止構造体10における微細突起パターン15の高さ方向に向かって、屈折率が線形に変化している。すなわち、微細突起パターン15の基部から頂部に向かって、屈折率が線形に減少している。
[固体撮像装置の第1製造方法の一例]
本発明の第3実施の形態に係る固体撮像装置の第1製造方法の一例を、図9〜図10の製造工程断面図によって説明する。
さらに、上記光電変換部22上、上記遮光膜27上等を被覆するように、上記半導体基板21上には、層間絶縁膜41が形成されている。この層間絶縁膜41は、例えば酸化シリコン系の絶縁膜で形成され、例えばホウ素リンシリケートガラス(BPSG)膜で形成されている。もちろん、他の酸化シリコン系の絶縁膜で形成されていてもよい。
さらに、パッシベーション膜となる平坦化絶縁膜42が形成されている。例えば、上記平坦化絶縁膜42をプラズマCVD窒化シリコン(P−SiN)膜で形成される。そしてこの平坦化絶縁膜42の表面は、例えば化学的機械研磨法によって平坦化されている。
ここでは、上記平坦化絶縁膜42が前記反射防止構造体の製造方法で説明した被加工体11に相当する。
この樹脂膜12は、例えば0.5μmの膜厚に形成する。その後、200℃で5min間の熱処理を行って上記樹脂膜12を硬化処理する。
上記微細突起ダミーパターン14は、例えば、高さが120nm、幅および奥行きが50nmのほぼ円錐形の突起構造(モスアイ構造)に形成される。
このドライエッチングには、マグネトロン反応性イオンエッチング装置を用いた。エッチング条件は、バイアスピークパワー(Bias Peak Power)を−150Wに設定し、エッチングガスに酸素(O2)と塩素(Cl2)を用いた。上記酸素(O)の流量を70cm3/s、上記塩素(Cl2)の流量を40cm3/sに設定し、エッチング時間を20sとした。
その結果、上記樹脂膜12(前記図9(2)参照)の表面に形成された上記微細突起ダミーパターン14の表面形状が上記平坦化絶縁膜42表面に転写されて、上記平坦化絶縁膜42表面に微細突起パターン15が形成される。この微細突起パターン15はほぼ円錐形の突起構造(モスアイ構造)に形成される。
このドライエッチングには、マグネトロン反応性イオンエッチング装置を用いた。エッチング条件は、バイアスピークパワー(Bias Peak Power)を−150Wに設定し、エッチングガスに酸素(O2)と塩素(Cl2)を用いた。上記酸素(O)の流量を70cm3/s、上記塩素(Cl2)の流量を40cm3/sに設定し、エッチング時間を40sとした。
このようにして、平坦化絶縁膜42表面の全面に形成された微細突起パターン15の集合体からなる反射防止構造体10が形成される。上記微細突起パターン15の集合体は、前記図1(5)の鳥瞰SEM画像、図1(6)の断面SEM画像に示したように形成されている。
このように、平坦化膜43を介してカラーフィルター層44を形成することで、カラーフィルター層44を形成する際のパターニングの際のダメージが微細突起パターン15に加えられないので、微細突起パターン15の形状が保持される。
この結果、樹脂膜12の表面に微細突起ダミーパターン14が形成される。
このように、エッチングマスクとなる微細粒子がエッチングの進行とともに細ってくることから、この微細突起ダミーパターン14はほぼ円錐形の突起構造(モスアイ構造)に形成される。
この状態で、微細突起ダミーパターン14の表面形状を平坦化絶縁膜42表面に転写して、平坦化絶縁膜42表面に微細突起パターン15を形成することから、微細突起パターン15も微細突起ダミーパターン14と同様な形状に形成される。
このように、平坦化絶縁膜42表面に反射防止構造体10を安定的に容易に形成できるという利点がある。
また、入射光が反射することなく光電変換部22で電気信号に変換されるので、感度が高められる。さらに、界面反射を低減することにより、反射光が保護ガラスなどの他部材により再度反射してきた光が入射することによるフレアやゴーストなどのノイズ光を低減できる。
よって、高品質な画像が得られる固体撮像装置を製造することができるという利点がある。
[固体撮像装置の第2製造方法の第1例]
次に、本発明の第4実施の形態に係る固体撮像装置の第2製造方法の第1例を、図11〜図12の製造工程断面図によって説明する。
さらに、上記光電変換部22上、上記遮光膜27上等を被覆するように、上記半導体基板21上には、層間絶縁膜41が形成されている。この層間絶縁膜41は、例えば酸化シリコン系の絶縁膜で形成され、例えばホウ素リンシリケートガラス(BPSG)膜で形成されている。もちろん、他の酸化シリコン系の絶縁膜で形成されていてもよい。
さらに、パッシベーション膜となる平坦化絶縁膜42が形成されている。例えば、上記平坦化絶縁膜42をプラズマCVD窒化シリコン(P−SiN)膜で形成される。そしてこの平坦化絶縁膜42の表面は、例えば化学的機械研磨法によって平坦化されている。
ここでは、上記平坦化絶縁膜42が前記反射防止構造体の製造方法で説明した被加工体11に相当する。
具体的には、塗布法によって、上記微細粒子13が分散された上記溶媒(図示せず)を上記平坦化絶縁膜42表面に膜状に塗布した後、上記溶媒を蒸発させて、上記平坦化絶縁膜42表面に上記微細粒子13のみを配列させる。
上記異方性ドライエッチングでは、エッチング中に平坦化絶縁膜42と微細粒子13のエッチング選択比の関係を可変として、平坦化絶縁膜42のエッチング速度を微細粒子13のエッチング速度に対してより速くしていく。これによって、微細突起パターン15の高さ方向の体積変化が線形に近い状態となる。
上記条件でのエッチングで、微細粒子13(シリカ粒子)が厚さにして1/2になるまでエッチングする。
このようにして、平坦化絶縁膜42表面の全面に形成された微細突起パターン15の集合体からなる反射防止構造体10が形成される。
このように、平坦化膜43を介してカラーフィルター層44を形成することで、カラーフィルター層44を形成する際のパターニングの際のダメージが微細突起パターン15に加えられないので、微細突起パターン15の最良な形状が保持される。
このように、平坦化絶縁膜42表面に好適な反射防止構造体10を安定的に容易に形成できるという利点がある。
また、入射光が反射することなく光電変換部22で電気信号に変換されるので、感度が高められる。さらに、界面反射を低減することにより、反射光が保護ガラスなどの他部材により再度反射してきた光が入射することによるフレアやゴーストなどのノイズ光を低減できる。
よって、高品質な画像が得られる固体撮像装置を製造することができるという利点がある。
次に、本発明の固体撮像装置の製造方法を用いて形成された固体撮像装置を適用した撮像装置の構成の一例を、図13のブロック図によって説明する。この撮像装置は、本発明の固体撮像装置を用いたものである。
Claims (14)
- 微細粒子が分散された樹脂膜を被加工体表面に形成する第1工程と、
前記樹脂膜中の前記微細粒子をマスクにして前記樹脂膜をエッチングするとともに、前記微細粒子も徐々にエッチングして、前記樹脂膜に微細突起ダミーパターンを形成する第2工程と、
前記微細突起ダミーパターンが形成された前記樹脂膜とともに前記被加工体表面をエッチバックして、前記樹脂膜の表面に形成された前記微細突起ダミーパターンの表面形状を前記被加工体表面に転写し、前記被加工体表面に微細突起パターンを形成する第3工程を備える
反射防止構造体の製造方法。 - 前記微細粒子が分散された前記樹脂膜は、塗布法によって形成される
請求項1記載の反射防止構造体の製造方法。 - 前記微細粒子は、金属酸化物、フタロシアニン系化合物からなり、
前記樹脂膜は、ノボラック系樹脂、スチレン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリシロキサン系樹脂、ポリイミド系樹脂から選択される
請求項1または請求項2に記載の反射防止構造体の製造方法。 - 前記樹脂膜中に熱硬化剤を含む
請求項1または請求項2に記載の反射防止構造体の製造方法。 - 被加工体表面に微細粒子を配列する第1工程と、
前記被加工体のエッチング速度を前記微細粒子のエッチング速度よりも速い異方性エッチング加工を行って、前記被加工体の表面に微細突起パターンを形成する第2工程を備える
反射防止構造体の製造方法。 - 前記微細粒子は球形である
請求項5記載の反射防止構造体の製造方法。 - 前記微細粒子が分散された溶媒を前記被加工体表面に膜状に形成して、前記被加工体表面に前記微細粒子を配列させる
請求項5または請求項6記載の反射防止構造体の製造方法。 - 塗布法によって前記微細粒子が分散された前記溶媒を前記被加工体表面に膜状に塗布した後、前記溶媒を蒸発させて、前記被加工体表面に前記微細粒子のみを配列させる
請求項7記載の反射防止構造体の製造方法。 - 前記第2工程のエッチング中に前記被加工体と前記微細粒子のエッチング選択比の関係を可変として、前記被加工体のエッチング速度を前記微細粒子のエッチング速度に対してより速くする
請求項5ないし請求項8のうちの1項に記載の反射防止構造体の製造方法。 - 前記微細粒子は、酸化物、窒化物、炭化物、硼化物、硫化物および金属から選択される無機粒子、または有機粒子からなる
請求項5ないし請求項9のうちの1項に記載の反射防止構造体の製造方法。 - 入射光を信号電荷に変換する光電変換部と、前記光電変換部から信号電荷を読み出して転送する電荷転送部が形成された半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、さらに平坦化絶縁膜を形成した後、
前記平坦化絶縁膜上に、微細粒子が分散された樹脂膜を形成する第1工程と、
前記樹脂膜中の前記微細粒子をマスクにして前記樹脂膜をエッチングするとともに、前記微細粒子も徐々にエッチングして、前記樹脂膜に微細突起ダミーパターンを形成する第2工程と、
前記微細突起パターンが形成された前記樹脂膜とともに前記平坦化絶縁膜表面をエッチバックして、前記樹脂膜の表面に形成された前記微細突起ダミーパターンの表面形状を前記平坦化絶縁膜表面に転写して、前記平坦化絶縁膜表面に微細突起パターンを形成する第3工程を備える
固体撮像装置の製造方法。 - 前記平坦化絶縁膜表面に微細突起パターンを形成した後、前記平坦化絶縁膜上に平坦化膜を介してカラーフィルター層を形成する工程を有する
請求項11記載の固体撮像装置の製造方法。 - 入射光を信号電荷に変換する光電変換部と、前記光電変換部から信号電荷を読み出して転送する電荷転送部が形成された半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、さらに平坦化絶縁膜を形成した後、
平坦化絶縁膜表面に微細粒子を配列する第1工程と、
前記平坦化絶縁膜のエッチング速度を前記微細粒子のエッチング速度よりも速い異方性エッチング加工を行って、前記平坦化絶縁膜の表面に微細突起パターンを形成する第2工程を備える
固体撮像装置の製造方法。 - 前記平坦化絶縁膜表面に微細突起パターンを形成した後、前記平坦化絶縁膜上に平坦化膜を介してカラーフィルター層を形成する工程を有する
請求項13記載の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009086671A JP5446387B2 (ja) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | 反射防止構造体の製造方法および固体撮像装置の製造方法 |
TW099107438D TWI425643B (zh) | 2009-03-31 | 2010-03-15 | 固態攝像裝置及其製造方法、攝像裝置和抗反射結構之製造方法 |
US12/728,448 US8685856B2 (en) | 2009-03-31 | 2010-03-22 | Solid-state imaging device, fabrication method thereof, imaging apparatus, and fabrication method of anti-reflection structure |
EP10157325A EP2237318A3 (en) | 2009-03-31 | 2010-03-23 | Solid-state imaging device, fabrication method thereof, imaging apparatus, and fabrication method of anti-reflection structure |
CN2010101408039A CN101853868B (zh) | 2009-03-31 | 2010-03-24 | 固态成像装置及其制作方法、成像设备以及防反射结构的制作方法 |
CN2012103532947A CN103000646A (zh) | 2009-03-31 | 2010-03-24 | 固态成像装置及其制作方法、成像设备以及防反射结构的制作方法 |
KR1020100026060A KR20100109405A (ko) | 2009-03-31 | 2010-03-24 | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 촬상 장치, 반사 방지 구조체의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009086671A JP5446387B2 (ja) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | 反射防止構造体の製造方法および固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010239003A true JP2010239003A (ja) | 2010-10-21 |
JP5446387B2 JP5446387B2 (ja) | 2014-03-19 |
Family
ID=43093059
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009086671A Expired - Fee Related JP5446387B2 (ja) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | 反射防止構造体の製造方法および固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5446387B2 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012104753A (ja) * | 2010-11-12 | 2012-05-31 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
WO2013061990A1 (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-02 | 旭硝子株式会社 | 光学フィルタとその製造方法、並びに撮像装置 |
JP2014143053A (ja) * | 2013-01-23 | 2014-08-07 | Stanley Electric Co Ltd | 光源装置、および、フィラメント |
JP2014153425A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
JP2015207638A (ja) * | 2014-04-18 | 2015-11-19 | キヤノン株式会社 | 光電変換素子およびその製造方法 |
WO2017018507A1 (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-02 | 日機装株式会社 | 発光素子の製造方法 |
JP2017130642A (ja) * | 2016-01-20 | 2017-07-27 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited | イメージセンサー |
WO2017126329A1 (ja) * | 2016-01-21 | 2017-07-27 | ソニー株式会社 | 撮像素子および電子機器 |
WO2018180765A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 日本電気株式会社 | テクスチャ構造の製造方法 |
JP2019113838A (ja) * | 2017-12-21 | 2019-07-11 | 信越化学工業株式会社 | 反射防止膜、反射防止膜の製造方法、及び眼鏡型ディスプレイ |
WO2022186079A1 (ja) * | 2021-03-05 | 2022-09-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、カバーガラスの製造方法及び電子機器 |
JP2023037557A (ja) * | 2021-09-03 | 2023-03-15 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司 | 固体撮像素子 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030022076A1 (en) * | 1998-08-28 | 2003-01-30 | John Michiels | Semiconductive substrate processing methods and methods of processing a semiconductive substrate |
JP2004258380A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Toshiba Corp | 表示装置および表示装置用透明基板の製造方法 |
US20060275929A1 (en) * | 2005-03-17 | 2006-12-07 | Benzhong Wang | Method of fabricating periodic nano-structure arrays with different feature sizes |
JP2007242697A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Canon Inc | 撮像装置および撮像システム |
-
2009
- 2009-03-31 JP JP2009086671A patent/JP5446387B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030022076A1 (en) * | 1998-08-28 | 2003-01-30 | John Michiels | Semiconductive substrate processing methods and methods of processing a semiconductive substrate |
JP2004258380A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Toshiba Corp | 表示装置および表示装置用透明基板の製造方法 |
US20060275929A1 (en) * | 2005-03-17 | 2006-12-07 | Benzhong Wang | Method of fabricating periodic nano-structure arrays with different feature sizes |
JP2007242697A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Canon Inc | 撮像装置および撮像システム |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012104753A (ja) * | 2010-11-12 | 2012-05-31 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
WO2013061990A1 (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-02 | 旭硝子株式会社 | 光学フィルタとその製造方法、並びに撮像装置 |
JPWO2013061990A1 (ja) * | 2011-10-24 | 2015-04-02 | 旭硝子株式会社 | 光学フィルタとその製造方法、並びに撮像装置 |
JP2014143053A (ja) * | 2013-01-23 | 2014-08-07 | Stanley Electric Co Ltd | 光源装置、および、フィラメント |
JP2014153425A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
US9425433B2 (en) | 2013-02-05 | 2016-08-23 | Joled Inc. | Display device and electronic device having anti-reflection member provided between black matrix and substrate |
JP2015207638A (ja) * | 2014-04-18 | 2015-11-19 | キヤノン株式会社 | 光電変換素子およびその製造方法 |
JPWO2017018507A1 (ja) * | 2015-07-29 | 2017-11-16 | 日機装株式会社 | 発光素子の製造方法 |
WO2017018507A1 (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-02 | 日機装株式会社 | 発光素子の製造方法 |
KR20180018700A (ko) * | 2015-07-29 | 2018-02-21 | 니기소 가부시키가이샤 | 발광 소자의 제조 방법 |
US9837455B2 (en) | 2016-01-20 | 2017-12-05 | Visera Technologies Company Limited | Image sensor |
JP2017130642A (ja) * | 2016-01-20 | 2017-07-27 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited | イメージセンサー |
WO2017126329A1 (ja) * | 2016-01-21 | 2017-07-27 | ソニー株式会社 | 撮像素子および電子機器 |
US10727261B2 (en) | 2016-01-21 | 2020-07-28 | Sony Corporation | Image pickup device and electronic apparatus |
US11195963B2 (en) | 2017-03-31 | 2021-12-07 | Nec Corporation | Texture structure manufacturing method |
WO2018180765A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 日本電気株式会社 | テクスチャ構造の製造方法 |
JP2019113838A (ja) * | 2017-12-21 | 2019-07-11 | 信越化学工業株式会社 | 反射防止膜、反射防止膜の製造方法、及び眼鏡型ディスプレイ |
JP7182438B2 (ja) | 2017-12-21 | 2022-12-02 | 信越化学工業株式会社 | 反射防止膜、反射防止膜の製造方法、及び眼鏡型ディスプレイ |
WO2022186079A1 (ja) * | 2021-03-05 | 2022-09-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、カバーガラスの製造方法及び電子機器 |
JP2023037557A (ja) * | 2021-09-03 | 2023-03-15 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司 | 固体撮像素子 |
JP7357095B2 (ja) | 2021-09-03 | 2023-10-05 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司 | 固体撮像素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5446387B2 (ja) | 2014-03-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5446387B2 (ja) | 反射防止構造体の製造方法および固体撮像装置の製造方法 | |
TWI425643B (zh) | 固態攝像裝置及其製造方法、攝像裝置和抗反射結構之製造方法 | |
US10991736B2 (en) | Method of producing solid-state imaging device having color filters, solid-state imaging device having color filters, method of producing color filter device comprising color filters, and color filter device comprising color filters | |
EP3185297B1 (en) | Solid state imaging device | |
WO2006115142A1 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法ならびに光導波路形成装置 | |
TW200952165A (en) | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic device | |
EP1855320A1 (en) | Solid-state imaging device and method for manufacturing same | |
US10178286B2 (en) | Method for forming color filter array, method for manufacturing imaging apparatus, and imaging apparatus | |
TW200844497A (en) | Color filter and method of manufacturing the same, and solid-state image pickup element | |
US10998363B2 (en) | Solid-state imaging device and method of producing solid-state imaging device | |
TW201927546A (zh) | 抗反射疊層膜、抗反射疊層膜之形成方法及眼鏡型顯示器 | |
TWI749137B (zh) | 固態攝影元件及其製造方法 | |
JP7119557B2 (ja) | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 | |
JP2010134042A (ja) | カラーフィルタの製造方法及び固体撮像装置 | |
JP5153598B2 (ja) | カラーフィルタの製造方法 | |
JPWO2020145218A1 (ja) | 構造体、固体撮像素子および画像表示装置 | |
JP2002033466A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
WO2019111919A1 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
JP2024065315A (ja) | 光学素子、およびそれを有する光学系、撮像装置、光学機器 | |
JP2018107324A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110712 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120224 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130723 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130913 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131216 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |