WO2017018507A1 - 発光素子の製造方法 - Google Patents

発光素子の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2017018507A1
WO2017018507A1 PCT/JP2016/072326 JP2016072326W WO2017018507A1 WO 2017018507 A1 WO2017018507 A1 WO 2017018507A1 JP 2016072326 W JP2016072326 W JP 2016072326W WO 2017018507 A1 WO2017018507 A1 WO 2017018507A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
emitting element
light
layer
light emitting
main surface
Prior art date
Application number
PCT/JP2016/072326
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
浅野英樹
Original Assignee
日機装株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日機装株式会社 filed Critical 日機装株式会社
Priority to CN201680023860.4A priority Critical patent/CN108886075B/zh
Priority to JP2017530935A priority patent/JP6349036B2/ja
Priority to KR1020187000999A priority patent/KR20180018700A/ko
Publication of WO2017018507A1 publication Critical patent/WO2017018507A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a light emitting element, and more particularly to a method for manufacturing a light emitting element that emits ultraviolet light.
  • Such a light emitting element for deep ultraviolet light is formed by sequentially stacking an aluminum gallium nitride (AlGaN) -based n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer on a substrate such as a sapphire substrate, for example. .
  • AlGaN aluminum gallium nitride
  • Deep UV light emitted from the active layer is output to the outside through a second main surface (light extraction surface) opposite to the first main surface on which the semiconductor layer is laminated in the sapphire substrate.
  • the sapphire substrate is a material having a relatively high refractive index, the difference in refractive index at the interface serving as the light extraction surface is large. As a result, most of the deep ultraviolet light traveling from the active layer toward the light extraction surface is totally reflected inward, which causes a significant decrease in external extraction efficiency.
  • One method for increasing the light extraction efficiency of the sapphire substrate is to form a concavo-convex structure of about nanometers or submicrons on the light extraction surface.
  • a fine concavo-convex structure is formed by forming a resist pattern on a sapphire substrate using a lithography technique or a nanoimprint technique and performing an etching process (see, for example, Patent Document 1).
  • the present invention has been made in view of these problems, and one of the exemplary purposes thereof is to manufacture a light emitting element with improved light extraction efficiency by a simple and low cost method.
  • a method for manufacturing a light-emitting element includes a solution containing a first material and a second material different from the first material on a main surface serving as a light extraction surface of the light-emitting element. And a step of forming a mask layer by etching the mask layer and the main surface by dry etching from above the formed mask layer.
  • the etching rate on the main surface serving as the light extraction surface can be varied depending on the position by utilizing the difference in material characteristics between the first material and the second material included in the mask layer. Accordingly, the main surface can be etched at different depths depending on the position, and a light extraction surface having a concavo-convex structure can be formed by a simple and inexpensive method, and the light extraction efficiency of the light-emitting element can be improved.
  • a step of removing the mask layer remaining on the uneven structure may be further provided.
  • the first material may be a resin material
  • the second material may be an inorganic material.
  • the particles of the second material may be dispersed in the solution.
  • the light emitting element may be configured to output ultraviolet light to the outside through a concavo-convex structure.
  • the light emitting element may include a sapphire substrate.
  • the uneven structure may be formed on one main surface of the sapphire substrate.
  • a light emitting device with improved light extraction efficiency can be manufactured by a simple and low cost method.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a light emitting element 10 according to an embodiment.
  • the light emitting element 10 includes a substrate 12 and a semiconductor multilayer structure 14.
  • the semiconductor multilayer structure 14 includes a template layer 16, an n-type cladding layer 18, an active layer 20, a p-type cladding layer 22, a p-type contact layer 24, a p-side electrode 26, and an n-side electrode 28.
  • the light emitting device 10 is a semiconductor light emitting device configured to emit “deep ultraviolet light” having a center wavelength ⁇ of about 355 nm or less, and is a so-called LED (Light Emitting Diode) chip.
  • the active layer 20 is made of an aluminum gallium nitride (AlGaN) -based semiconductor material having a band gap of about 3.4 eV or more.
  • AlGaN aluminum gallium nitride
  • the substrate 12 has a first main surface 12a on which the template layer 16 is laminated.
  • Substrate 12 is a sapphire (Al 2 O 3) substrate, for example, is provided to the first main surface 12a is of the sapphire substrate (0001) plane.
  • the template layer 16 includes a layer formed of an AlN-based semiconductor material.
  • the template layer 16 includes an AlN (HT-AlN) layer grown at a high temperature.
  • the template layer 16 may include a layer formed of an AlGaN-based semiconductor material, for example, an undoped AlGaN (u-AlGaN) layer.
  • the substrate 12 and the template layer 16 function as an underlayer for forming a layer above the n-type cladding layer 18. These layers function as a light extraction substrate for extracting the deep ultraviolet light emitted from the active layer 20 to the outside, and transmit the deep ultraviolet light emitted from the active layer 20.
  • a light extraction surface 12 c is provided on the opposite side of the substrate 12 from the first main surface 12 a. The light extraction surface 12c is provided with a concavo-convex structure 30 for increasing the light extraction efficiency.
  • the concavo-convex structure 30 is formed such that the concavo-convex is repeated with a period smaller than the wavelength of the light output from the light emitting element 10.
  • the concavo-convex structure 30 is not concavo-convex shape having a specific periodicity, but has a concavo-convex shape in which the height of the concavo-convex and the period in the surface direction are random in the plane of the light extraction surface 12c.
  • the refractive index gradually changes at the interface of the light extraction surface 12c when viewed from the light transmitted through the light extraction surface 12c.
  • the concavo-convex structure 30 is formed such that the period in the surface direction of the concavo-convex is about 0.01 to 0.5 times the wavelength ⁇ , and preferably about 0.01 to 0.1 times. Is done.
  • the period of the concavo-convex structure 30 is formed to be about 3 nm to 140 nm, and preferably about 3 nm to 28 nm.
  • the n-type cladding layer 18 is formed of an n-type AlGaN-based semiconductor material, for example, an AlGaN layer doped with silicon (Si) as an n-type impurity.
  • the composition ratio of the n-type cladding layer 18 is selected so as to transmit deep ultraviolet light emitted from the active layer 20.
  • the n-type cladding layer 18 is formed so that the molar fraction of AlN is higher than that of the active layer 20.
  • the active layer 20 is formed on a partial region of the n-type cladding layer 18.
  • the active layer 20 is made of an AlGaN-based semiconductor material and constitutes a double heterojunction structure sandwiched between the n-type cladding layer 18 and the p-type cladding layer 22.
  • the active layer 20 may constitute a single-layer or multilayer quantum well structure.
  • Such a quantum well structure is formed, for example, by laminating a barrier layer formed of an n-type or undoped AlGaN semiconductor material and a well layer formed of an undoped AlGaN semiconductor material.
  • the p-type cladding layer 22 is formed on the active layer 20.
  • the p-type cladding layer 22 is a layer formed of a p-type AlGaN-based semiconductor material, for example, an Mg-doped AlGaN layer.
  • the composition ratio of the p-type cladding layer 22 is selected so that the molar fraction of AlN is higher than that of the active layer 20.
  • the p-type contact layer 24 is formed on the p-type cladding layer 22.
  • the p-type contact layer 24 is formed of a p-type AlGaN-based semiconductor material, and the composition ratio is selected so that the Al content is lower than that of the p-type cladding layer 22.
  • the p-type contact layer 24 may be formed of a p-type GaN-based semiconductor material that does not substantially contain AlN.
  • the p-side electrode 26 is provided on the p-type contact layer 24.
  • the p-side electrode 26 is formed of a material capable of realizing ohmic contact with the p-type contact layer 24, and is formed of, for example, a laminated structure of titanium (Ti) / platinum (Pt) / gold (Au).
  • the n-side electrode 28 is provided in the exposed region 38 where the active layer 20 on the n-type cladding layer 18 is not provided.
  • the n-side electrode 28 is formed of a stacked structure of gold germanium (AuGe) / Ni / Au.
  • the semiconductor multilayer structure 14 is formed on the first main surface 12 a of the substrate 12.
  • the template layer 16, the n-type cladding layer 18, the active layer 20, the p-type cladding layer 22, and the p-type contact layer 24 are sequentially stacked on the first main surface 12 a of the substrate 12.
  • These layers can be formed using a known epitaxial growth method such as a metal organic chemical vapor deposition (MOVPE) method or a molecular beam epitaxy (MBE) method.
  • MOVPE metal organic chemical vapor deposition
  • MBE molecular beam epitaxy
  • the active layer 20, the p-type cladding layer 22 and the p-type contact layer 24 are partially removed to form an exposed region 38 where the n-type cladding layer 18 is exposed.
  • the exposed region 38 can be formed, for example, by masking a part of the p-type contact layer 24 and etching each layer through the mask.
  • the exposed region 38 can be formed by, for example, dry etching using plasma.
  • a Ti / Pt / Au p-side electrode 26 is formed on the p-type contact layer 24, and an AuGe / Ni / Au n-side electrode 28 is formed on the exposed region 38 on the n-type cladding layer 18.
  • Each metal layer constituting the p-side electrode 26 and the n-side electrode 28 can be formed by a known method such as the MBE method.
  • the semiconductor multilayer structure 14 shown in FIG. 2 is completed. At this point, the concave-convex structure is not formed on the second main surface 12b opposite to the first main surface 12a of the substrate 12.
  • a mask layer 32 is formed on the second major surface 12 b of the substrate 12.
  • the mask layer 32 includes a base portion 34 and particles 36 dispersed in the base portion 34.
  • the base 34 is made of a resin material that is a first material, and is made of, for example, a polymer resin such as a novolak, phenol, epoxy, polyethylene, polypropylene, polystyrene, acrylic, or polyamide.
  • the particles 36 are made of an inorganic material that is the second material, and are made of, for example, a metal oxide or a metal.
  • the particles 36 include, for example, silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN x ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), zirconium oxide (ZrO), molybdenum oxide (M O O x ), hafnium oxide (HfO 2 ), Metal oxides such as tantalum oxide (TaO x ) and titanium oxide (TiO 2 ), silicon (Si), titanium (Ti), nickel (Ni), zinc (Zn), silver (Ag), gold (Au), Metals such as tungsten (W), molybdenum (Mo), niobium (Nb) may be included.
  • the base 34 and the particles 36 are selected such that the particles 36 are less susceptible to etching than the base 34, for example, the particles 36 are harder than the base 34.
  • the particle size of the particles 36 is selected according to the periodicity in the surface direction of the concavo-convex structure 30 to be formed, and a particle size having a size according to the concavo-convex cycle to be created is selected. For example, in order to realize the concavo-convex structure 30 having a period of about 10 nm, for example, particles 36 having a particle diameter of about 10 nm to 100 nm may be used.
  • the mask layer 32 is formed by mixing a polymer that becomes the base 34 in an organic solvent, applying a solution in which the particles 36 are dispersed on the second main surface 12b, and drying or heating the applied solution.
  • the mask layer 32 can be formed to a thickness of about submicron by applying a low viscosity solution by spin coating.
  • the mask layer 32 and the second main surface 12b are dry-etched by irradiating an etching gas 40 from above the mask layer 32.
  • the etching process is performed until almost all of the mask layer 32 is removed and at least a part of the second main surface 12b is etched.
  • the base portion 34 and the particles 36 constituting the mask layer 32 have different material properties, the base portion 34 and the particles 36 are etched at different rates by the etching gas 40.
  • the particles 36 made of an inorganic material are less likely to be etched than the base portion 34 made of a resin, and the etching rate is slow.
  • the concavo-convex structure 30 is formed by utilizing such a difference in etching rate between the base 34 and the particles 36.
  • the particles 36 included in the mask layer 32 exist in the base 34 in a state of being randomly overlapped. For example, at the positions indicated by A and D, many particles 36 overlap in the etching direction, while at the positions indicated by B and C, the number of particles 36 is small. Further, there may be a place where the particle 36 does not exist on a straight line extending in the etching direction, such as the position indicated by E. At positions where the distance for etching the particles 36 is long, such as A and D, it takes a relatively long time to reach the second main surface 12b through the mask layer 32 by etching.
  • the time taken to reach the second major surface 12b is relatively short. Therefore, when the etching process is performed uniformly for the same time for each position, the depth of etching of the second main surface 12b varies depending on the position.
  • FIG. 5 is a diagram schematically showing the concavo-convex structure 30 formed after the etching process.
  • the height of the substrate 12 is relatively high at positions A and D that are difficult to be etched, whereas the height of the substrate 12 is relatively high at positions B, C, and E that are easily etched. Lower.
  • the light extraction surface 12c having the concavo-convex structure 30 can be formed by etching the second main surface 12b of the substrate 12 using such variation in etching depth.
  • etching step a physical etching method using a rare gas such as argon (Ar) as the etching gas 40 may be used, or a reaction using a reactive gas containing fluorine (F), chlorine (Cl), or the like.
  • An ion etching method may be used.
  • the variation amount of the etching rate according to the position can be controlled, and the height and the period of the concavo-convex structure 30 can be adjusted.
  • the mask layer 32 remaining on the second main surface 12b may be removed.
  • the mask layer 32 can be removed or washed by a wet process using an organic solvent or the like that can dissolve the resin that becomes the base 34.
  • This cleaning process is desirably performed by a method that does not affect the shape of the concavo-convex structure 30 formed on the substrate 12.
  • substrate 12 of 1 sheet after forming the light extraction surface 12c which has the uneven structure 30, the board
  • the light extraction surface 12c having the concavo-convex structure 30 can be formed using the mask layer 32 formed by applying a solution containing the base 34 and the particles 36.
  • the concavo-convex structure 30 can be formed easily and inexpensively as compared with the case of using a lithography technique, a nanoimprint technique, or the like.
  • the concavo-convex structure 30 can be formed. Therefore, according to the present embodiment, the light extraction efficiency of the light emitting element 10 can be increased while suppressing the manufacturing cost of the light emitting element 10.
  • a semiconductor multilayer structure composed of an AlGaN-based semiconductor material is formed on a sapphire substrate by the above-described method.
  • a solution in which novolac resin was mixed with an organic solvent and SiO 2 particles having a particle diameter of about 50 nm were dispersed was prepared.
  • This solution was prepared so as to have a viscosity of 1.5 mPa ⁇ s.
  • This solution was applied onto the second main surface of the sapphire substrate by spin coating. After coating, the substrate was heated using a hot plate to volatilize the solvent, and a mask layer having a thickness of about 0.2 ⁇ m was formed.
  • the entire surface of the sapphire substrate was dry-etched from above the mask layer by an ion milling apparatus using argon gas.
  • the etching conditions were an irradiation amount and an irradiation time capable of etching the sapphire substrate by about 0.2 ⁇ m.
  • a concavo-convex structure having a specific periodicity having a height of about 0.1 ⁇ m could be formed on the sapphire substrate. It was confirmed that the intensity of the output light was improved by about 30% by providing the concavo-convex structure according to this method as compared with the light emitting element not forming the concavo-convex structure.
  • the concavo-convex structure is formed by performing the mask formation step and the etching step once.
  • a desired concavo-convex structure may be formed by performing the mask formation step and the etching step a plurality of times. Specifically, a mask layer may be formed again on the main surface after the first etching step and the etching process may be performed.
  • particles having a relatively large particle size for example, a particle size of 0.5 ⁇ m to 2 ⁇ m
  • particles having a relatively small particle size for example, a particle size of 20 nm to 200 nm
  • the etching process may be performed using a first mask layer including particles having a first particle diameter, and then the etching process may be performed using a second mask layer including particles having a second particle diameter.
  • the particles contained in the first mask layer may have a larger average particle size or median particle size distribution than the particles contained in the second mask layer.
  • Any of a mode diameter, a median diameter, and an arithmetic average diameter may be used as an index for comparing the size of particles.
  • any number average diameter, length average diameter, area average diameter, or volume average diameter may be used as the arithmetic average diameter.
  • the ratio or ratio of the particles and the base included in the mask layer used in each step may be varied.
  • an etching process may be performed using a first mask layer having a particle content ratio of a first ratio, and then an etching process may be performed using a second mask layer having a particle content ratio of a second ratio.
  • the ratio or ratio between the particle and the base may be compared based on the volume of the particle and the base, or may be compared based on the weight of the particle and the base.
  • the concavo-convex structure 30 is formed on the light extraction surface of the light emitting element that emits deep ultraviolet light.
  • the present invention may be applied to a light extraction surface of a light emitting element that emits ultraviolet light having a wavelength ⁇ of about 360 nm to 400 nm or visible light having a wavelength ⁇ of 400 nm or more.
  • the concavo-convex structure is formed as the antireflection structure of the LED chip which is the light emitting element.
  • a concavo-convex structure formed using the above-described method may be applied as an antireflection structure in different applications.
  • the concavo-convex structure may be formed on a glass surface such as a display such as a television or a personal computer, a windshield of an automobile, a glass case for protecting an exhibit of a museum, merchandise of a store, or the like using the above-described method.
  • a concavo-convex structure by the above-described method may be formed on the surface of the optical element.
  • the concavo-convex structure described above may be formed on a flat surface or a curved surface.
  • SYMBOLS 10 Light emitting element, 12 ... Board
  • a light emitting device with improved light extraction efficiency can be manufactured by a simple and low cost method.

Abstract

発光素子の製造方法は、発光素子の光取り出し面となる主面（第２主面１２ｂ）上に、第１材料と第１材料と異なる第２材料とを含む溶液を塗布してマスク層３２を形成する工程と、形成したマスク層３２の上からドライエッチングによりマスク層３２および主面（第２主面１２ｂ）をエッチングして凹凸構造を形成する工程と、を備える。第１材料は樹脂材料であってもよく、第２材料は無機材料であってもよい。

Description

発光素子の製造方法
　本発明は、発光素子の製造方法に関し、特に、紫外光を発する発光素子の製造方法に関する。
　近年、青色光を出力する発光ダイオードやレーザダイオード等の半導体発光素子が実用化されており、さらに波長の短い深紫外光を出力する発光素子の開発が進められている。深紫外光は高い殺菌能力を有することから、深紫外光の出力が可能な半導体発光素子は、医療や食品加工の現場における水銀フリーの殺菌用光源として注目されている。このような深紫外光用の発光素子は、例えば、サファイア基板などの基板上に窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）系のｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層を順に積層させることで形成される。
　活性層が発する深紫外光は、サファイア基板のうち半導体層が積層される第１主面とは反対側の第２主面（光取り出し面）を通じて外部に出力される。サファイア基板は、屈折率の比較的高い材料であるため、光取り出し面となる界面での屈折率差が大きい。その結果、活性層から光取り出し面に向かう深紫外光の多くが内側に向けて全反射され、外部取り出し効率が大きく低下する要因となっている。
　サファイア基板の光取り出し効率を高めるための方法の一つとして、光取り出し面にナノメートルまたはサブミクロン程度の凹凸構造を形成する方法がある。例えば、リソグラフィ技術やナノインプリント技術を用いてサファイア基板上にレジストパターンを形成し、エッチング処理を施すことにより微細な凹凸構造が形成される（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１２－１４９１５１号公報
　フォトリソグラフィ技術を用いて凹凸構造を形成する場合、一般に、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト剥離の工程を必要とし、露光用のマスクが必要となることから製造コストが高くなりやすい。また、ナノインプリント技術を用いる場合も特殊な金型を作成する必要があるために製造コストの増大につながりうる。また、凹凸形成前の基板に反りが生じている場合に、その反りが僅かであっても金型を正確に転写できないおそれが生じうる。
　本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その例示的な目的のひとつは、簡易かつコストの低い方法で、光取り出し効率を高めた発光素子を製造することにある。
　上記課題を解決するために、本発明のある態様の発光素子の製造方法は、発光素子の光取り出し面となる主面上に、第１材料と第１材料と異なる第２材料とを含む溶液を塗布してマスク層を形成する工程と、形成したマスク層の上からドライエッチングによりマスク層および主面をエッチングして凹凸構造を形成する工程と、を備える。
　この態様によると、マスク層に含まれる第１材料と第２材料の材料特性の違いを利用して、光取出し面となる主面上におけるエッチング速度を位置に応じて異ならせることができる。これにより、位置に応じて異なる深さで主面をエッチングして、凹凸構造を有する光取出し面を簡易かつ安価な方法で形成でき、発光素子の光取り出し効率を向上させることができる。
　凹凸構造の上に残留するマスク層を除去する工程をさらに備えてもよい。
　第１材料は樹脂材料であってもよく、第２材料は無機材料であってもよい。
　溶液には、第２材料の粒子が分散されてもよい。
　発光素子は、凹凸構造を通じて紫外光を外部に出力するよう構成されてもよい。
　発光素子は、サファイア基板を備えてもよい。凹凸構造は、サファイア基板の一主面に形成されてもよい。
　本発明によれば、簡易かつコストの低い方法で、光取り出し効率を高めた発光素子を製造できる。
実施の形態に係る発光素子の構成を概略的に示す断面図である。 発光素子の製造工程を模式的に示す図である。 発光素子の製造工程を模式的に示す図である。 発光素子の製造工程を模式的に示す図である。 発光素子の製造工程を模式的に示す図である。
　以下、図面を参照しながら、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。また、説明の理解を助けるため、各図面における各構成要素の寸法比は、必ずしも実際の発光素子の寸法比と一致しない。
　図１は、実施の形態に係る発光素子１０の構成を概略的に示す断面図である。発光素子１０は、基板１２と、半導体積層構造１４を備える。半導体積層構造１４は、テンプレート層１６、ｎ型クラッド層１８、活性層２０、ｐ型クラッド層２２、ｐ型コンタクト層２４、ｐ側電極２６、ｎ側電極２８を備える。
　発光素子１０は、中心波長λが約３５５ｎｍ以下となる「深紫外光」を発するように構成される半導体発光素子であり、いわゆるＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップである。このような波長の深紫外光を出力するため、活性層２０は、バンドギャップが約３．４ｅＶ以上となる窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）系半導体材料で構成される。本実施の形態では、特に、中心波長λが約２４０ｎｍ～３５０ｎｍの深紫外光を発する場合について示す。
　基板１２は、テンプレート層１６が積層される第１主面１２ａを有する。基板１２は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板であり、例えば、第１主面１２ａがサファイア基板の（０００１）面となるように設けられる。テンプレート層１６は、ＡｌＮ系半導体材料で形成される層を含み、例えば、高温成長させたＡｌＮ（ＨＴ－ＡｌＮ）層を含む。テンプレート層１６は、ＡｌＧａＮ系半導体材料で形成される層、例えば、アンドープのＡｌＧａＮ（ｕ－ＡｌＧａＮ）層を含んでもよい。
　基板１２およびテンプレート層１６は、ｎ型クラッド層１８から上の層を形成するための下地層として機能する。またこれらの層は、活性層２０が発する深紫外光を外部に取り出すための光取り出し基板として機能し、活性層２０が発する深紫外光を透過する。基板１２の第１主面１２ａと反対側には、光取り出し面１２ｃが設けられる。光取り出し面１２ｃには、光取り出し効率を高めるための凹凸構造３０が設けられる。
　凹凸構造３０は、発光素子１０が出力する光の波長よりも小さい周期で凹凸が繰り返されるように形成される。凹凸構造３０は、特定の周期性を有するような凹凸形状ではなく、光取り出し面１２ｃの面内において、凹凸の高さ及び面方向の周期がランダムとなるような凹凸形状を有する。これにより、光取り出し面１２ｃを透過する光から見て、光取り出し面１２ｃの界面において屈折率が徐々に変化するようにしている。
　凹凸構造３０は、凹凸の面方向の周期が波長λの０．０１倍～０．５倍程度となるように形成され、好ましくは、０．０１倍～０．１倍程度となるように形成される。例えば、発光素子１０の発光波長λが約２８０ｎｍである場合、凹凸構造３０の周期は、３ｎｍ～１４０ｎｍ程度となるように形成され、好ましくは、３ｎｍ～２８ｎｍ程度となるように形成される。
　ｎ型クラッド層１８は、ｎ型のＡｌＧａＮ系半導体材料で形成され、例えば、ｎ型の不純物としてシリコン（Ｓｉ）がドープされるＡｌＧａＮ層である。ｎ型クラッド層１８は、活性層２０が発する深紫外光を透過するように組成比が選択され、例えば、活性層２０よりもＡｌＮのモル分率が高くなるように形成される。
　活性層２０は、ｎ型クラッド層１８の一部領域上に形成される。活性層２０は、ＡｌＧａＮ系半導体材料で形成され、ｎ型クラッド層１８とｐ型クラッド層２２に挟まれたダブルヘテロ接合構造を構成する。活性層２０は、単層もしくは多層の量子井戸構造を構成してもよい。このような量子井戸構造は、例えば、ｎ型またはアンドープのＡｌＧａＮ系半導体材料で形成される障壁層と、アンドープのＡｌＧａＮ系半導体材料で形成される井戸層とを積層させることにより形成される。
　ｐ型クラッド層２２は、活性層２０の上に形成される。ｐ型クラッド層２２は、ｐ型のＡｌＧａＮ系半導体材料で形成される層であり、例えば、ＭｇドープのＡｌＧａＮ層である。ｐ型クラッド層２２は、活性層２０よりもＡｌＮのモル分率が高くなるように組成比が選択される。
　ｐ型コンタクト層２４は、ｐ型クラッド層２２の上に形成される。ｐ型コンタクト層２４は、ｐ型のＡｌＧａＮ系半導体材料で形成され、ｐ型クラッド層２２よりもＡｌ含有率が低くなるように組成比が選択される。ｐ型コンタクト層２４は、実質的にＡｌＮを含まないｐ型のＧａＮ系半導体材料で形成されてもよい。ｐ型コンタクト層２４のＡｌＮのモル分率を小さくすることにより、ｐ側電極２６との良好なオーミック接触を得ることができる。
　ｐ側電極２６は、ｐ型コンタクト層２４の上に設けられる。ｐ側電極２６は、ｐ型コンタクト層２４との間でオーミック接触が実現できる材料で形成され、例えば、チタン（Ｔｉ）／白金（Ｐｔ）／金（Ａｕ）の積層構造により形成される。
　ｎ側電極２８は、ｎ型クラッド層１８の上の活性層２０が設けられていない露出領域３８に設けられる。ｎ側電極２８は、例えば、金ゲルマニウム（ＡｕＧｅ）／Ｎｉ／Ａｕの積層構造により形成される。
　つづいて、図２～図５を参照しながら発光素子１０の製造方法について述べる。
　図２に示すように、基板１２の第１主面１２ａの上に半導体積層構造１４を形成する。まず、基板１２の第１主面１２ａの上に、テンプレート層１６、ｎ型クラッド層１８、活性層２０、ｐ型クラッド層２２、ｐ型コンタクト層２４を順に積層させる。これらの層は、有機金属化学気相成長（ＭＯＶＰＥ）法や、分子線エピタキシ（ＭＢＥ）法などの周知のエピタキシャル成長法を用いて形成できる。
　次に、活性層２０、ｐ型クラッド層２２およびｐ型コンタクト層２４の一部を除去してｎ型クラッド層１８が露出される露出領域３８を形成する。露出領域３８は、例えば、ｐ型コンタクト層２４の上の一部にマスクをし、マスクを介して各層をエッチングすることにより形成できる。露出領域３８は、例えば、プラズマを用いたドライエッチングにより形成できる。
　次に、ｐ型コンタクト層２４の上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕのｐ側電極２６を形成し、ｎ型クラッド層１８の上の露出領域３８にＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕのｎ側電極２８を形成する。ｐ側電極２６およびｎ側電極２８を構成する各金属層は、例えば、ＭＢＥ法などの周知の方法により形成できる。これにより、図２に示す半導体積層構造１４ができあがる。なお、この時点において、基板１２の第１主面１２ａと反対側の第２主面１２ｂには凹凸構造が形成されていない。
　つづいて、第２主面１２ｂに凹凸構造３０を形成する工程について述べる。まず、図３に示すように、基板１２の第２主面１２ｂの上にマスク層３２を形成する。マスク層３２は、基部３４と、基部３４に分散されている粒子３６とを含む。基部３４は、第１材料である樹脂材料で構成され、例えば、ノボラック系、フェノール系、エポキシ系、ポリエチレン系、ポリプロピレン系、ポリスチレン系、アクリル系、ポリアミド系などのポリマー樹脂で構成される。粒子３６は、第２材料である無機材料で構成され、例えば、金属酸化物や金属などで構成される。粒子３６は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）酸化ジルコニウム（ＺｒＯ）、酸化モリブデン（ＭＯＯｘ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化タンタル（ＴａＯｘ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）などの金属酸化物や、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）などの金属を含んでもよい。基部３４および粒子３６は、基部３４よりも粒子３６の方がエッチングされにくい材料、例えば、基部３４よりも粒子３６の方が硬い材料となるように選択される。
　粒子３６の粒子径は、形成しようとする凹凸構造３０の面方向の周期性に応じて選択され、作成しようとする凹凸の周期に応じた大きさの粒子径が選択される。例えば、１０ｎｍ程度の周期を有する凹凸構造３０を実現するためには、例えば、１０ｎｍ～１００ｎｍ程度の粒子径を有する粒子３６を用いればよい。
　マスク層３２は、有機溶剤に基部３４となるポリマーを混合させ、粒子３６を分散させた溶液を第２主面１２ｂの上に塗布し、塗布した溶液を乾燥または加熱することで形成される。マスク層３２は、粘度の低い溶液をスピンコートにより塗布することで、サブミクロン程度の厚さに形成できる。
　次に、図４に示すように、マスク層３２の上からエッチングガス４０を照射することによりマスク層３２と第２主面１２ｂをドライエッチングする。エッチング処理は、マスク層３２のほぼ全てが除去されて第２主面１２ｂの少なくとも一部がエッチングされるまで行われる。マスク層３２を構成する基部３４と粒子３６は材料特性が異なるため、基部３４と粒子３６はエッチングガス４０によって異なる速度でエッチングされる。具体的には、樹脂である基部３４に比べて無機材料である粒子３６はエッチングされにくく、エッチング速度が遅い。本実施例では、このような基部３４と粒子３６のエッチング速度の差を利用して凹凸構造３０を形成する。
　図示されるように、マスク層３２に含まれる粒子３６はランダムに重なり合った状態で基部３４の中に存在する。例えば、ＡやＤに示す位置では、エッチング方向に粒子３６が多く重なり合っている一方で、ＢやＣに示す位置では、粒子３６の数が少ない。また、Ｅに示す位置のように、エッチング方向に延びる直線上に粒子３６が存在しない場所もありうる。ＡやＤのように粒子３６をエッチングする距離が長い位置では、エッチングによりマスク層３２を貫通して第２主面１２ｂに到達するまでにかかる時間が相対的に長い。一方、ＢやＣのように粒子３６をエッチングする距離が短い位置では、第２主面１２ｂに到達するまでにかかる時間が相対的に短い。そのため、それぞれの位置に対して均一に同じ時間だけエッチング処理を行うと、第２主面１２ｂのエッチングされる深さが位置に応じて異なることになる。
　図５は、エッチング処理後に形成される凹凸構造３０を模式的に示す図である。図示されるように、エッチングされにくいＡやＤの位置では、基板１２の高さが相対的に高くなる一方、エッチングされやすいＢ、Ｃ、Ｅの位置では、基板１２の高さが相対的に低くなる。このようなエッチング深さのばらつきを利用して基板１２の第２主面１２ｂをエッチングすることで、凹凸構造３０を有する光取り出し面１２ｃを形成できる。
　このエッチング工程では、エッチングガス４０としてアルゴン（Ａｒ）などの希ガスを用いる物理的なエッチング方法を用いてもよいし、フッ素（Ｆ）や塩素（Ｃｌ）などを含む反応性のガスを用いる反応性イオンエッチング法を用いてもよい。なお、基部３４および粒子３６の材質やエッチングガス４０の種類を適切に選択することで、位置に応じたエッチング速度のばらつき量を制御し、凹凸構造３０の高さや周期を調整できる。
　上述のエッチング工程の後に、第２主面１２ｂの上に残留するマスク層３２を除去してもよい。マスク層３２は、基部３４となる樹脂を溶かすことのできる有機溶剤等を用いるウェット処理により除去ないし洗浄することができる。この洗浄工程では、基板１２に形成される凹凸構造３０の形状に影響を与えないような方法でなされることが望ましい。
　なお、一枚の基板１２を用いて複数のＬＥＤチップを形成する場合、凹凸構造３０を有する光取り出し面１２ｃを形成した後に、基板１２および半導体積層構造１４がチップ毎にダイシングして切り離される。これにより、図１に示す発光素子１０ができあがる。
　本実施の形態によれば、基部３４と粒子３６を含む溶液を塗布して形成されるマスク層３２を利用して、凹凸構造３０を有する光取り出し面１２ｃを形成することができる。このため、リソグラフィ技術やナノインプリント技術などを用いる場合と比較して、簡易かつ安価に凹凸構造３０を形成できる。また、基板１２の表面にサブミクロン程度の反りが生じている場合であっても凹凸構造３０の形成が可能である。したがって、本実施例によれば、発光素子１０の製造コストを抑えつつ、発光素子１０の光取り出し効率を高めることができる。
（実施例）
　以下に、実施例に基づいて本実施の形態を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
　まず、上述の方法により、サファイア基板上にＡｌＧａＮ系の半導体材料で構成される半導体積層構造を作成する。次に、有機溶剤にノボラック系樹脂を混合させるとともに、粒径が約５０ｎｍであるＳｉＯ２の粒子を分散させた溶液を用意した。この溶液は、粘度が１．５ｍＰａ・ｓとなるように調製した。この溶液をサファイア基板の第２主面上にスピンコートにより塗布した。塗布の後にホットプレートを用いて基板を加熱して溶剤を揮発させ、厚さ約０．２μｍのマスク層を形成した。
　つづいて、アルゴンガスを用いるイオンミリング装置により、マスク層の上からサファイア基板の全面をドライエッチングした。エッチングの条件は、サファイア基板を約０．２μｍエッチングすることのできる照射量および照射時間とした。これにより、サファイア基板上に０．１μｍ程度の高さを有する特異的な周期性を有しない凹凸構造を形成できた。本手法による凹凸構造を設けることで、凹凸構造を形成しない発光素子と比べて出力光の強度が約３０％向上することが確認できた。
　以上、本発明を実施例にもとづいて説明した。本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の設計変更が可能であり、様々な変形例が可能であること、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは、当業者に理解されるところである。
　上述の実施の形態では、マスク形成工程およびエッチング工程を１回行うことにより凹凸構造を形成することとした。変形例においては、マスク形成工程とエッチング工程を複数回行うことにより所望の凹凸構造を形成してもよい。具体的には、１回目のエッチング工程を終えた主面上に再度マスク層を形成してエッチング処理を施してもよい。また、マスク形成工程とエッチング工程を複数回行う場合には、それぞれの工程において使用するマスク層に含まれる粒子の粒子径を異ならせてもよい。例えば、１回目のマスク層として比較的粒子径の大きい粒子（例えば、粒子径０．５μｍ～２μｍ）を使用し、２回目のマスク層として比較的粒子径の小さい粒子（例えば、粒子径２０ｎｍ～２００ｎｍ）を使用してもよい。
　例えば、第１粒子径の粒子を含む第１マスク層を用いてエッチング処理を施し、その後、第２粒子径の粒子を含む第２マスク層を用いてエッチング処理を施してもよい。第１マスク層に含まれる粒子は、第２マスク層に含まれる粒子と比べて平均粒子径または粒度分布の中央値が大きくてもよい。粒子の大小を比較するための指標として、モード径、メディアン径、算術平均径のいずれを用いてもよい。また、算術平均径として、個数平均径、長さ平均径、面積平均径、体積平均径のいずれを用いてもよい。
　また、マスク形成工程とエッチング工程を複数回行う場合に、それぞれの工程において使用するマスク層に含まれる粒子と基部の割合ないし比率を異ならせてもよい。例えば、粒子の含有率が第１割合となる第１マスク層を用いてエッチング処理を施し、その後、粒子の含有率が第２割合となる第２マスク層を用いてエッチング処理を施してもよい。粒子と基部の割合または比率は、粒子および基部の体積で比較してもよいし、粒子および基部の重量で比較してもよい。
　上述の実施の形態では、深紫外光を発する発光素子の光取り出し面に凹凸構造３０を形成する場合について示した。変形例においては、波長λが３６０ｎｍ～４００ｎｍ程度の紫外光や、波長λが４００ｎｍ以上の可視光を発する発光素子の光取出し面に適用してもよい。
　上述の実施の形態では、発光素子であるＬＥＤチップの反射防止構造として凹凸構造を形成する場合を示した。変形例においては、異なる用途における反射防止構造として上述の方法を用いて形成される凹凸構造を適用してもよい。例えば、テレビやパソコンなどのディスプレイ、自動車のフロントガラス、美術館の展示物や商店の商品等を守るためのガラスケースといったガラス表面に対し、上述の方法を用いて凹凸構造を形成してもよい。また、レンズなどの光学素子の表面に設けられる反射防止膜の代わりとして、上述の方法による凹凸構造を光学素子表面に形成してもよい。上述の凹凸構造は、平面に対して形成されてもよいし、曲面に対して形成されてもよい。
　１０…発光素子、１２…基板、１２ａ…第１主面、１２ｂ…第２主面、１２ｃ…光取り出し面、１４…半導体積層構造、３０…凹凸構造、３２…マスク層、３４…基部、３６…粒子。
　本発明によれば、簡易かつコストの低い方法で、光取り出し効率を高めた発光素子を製造できる。

Claims (6)

  1. 　発光素子の光取り出し面となる主面上に、第１材料と前記第１材料と異なる第２材料とを含む溶液を塗布してマスク層を形成する工程と、
    　形成したマスク層の上からドライエッチングにより前記マスク層および前記主面をエッチングして凹凸構造を形成する工程と、を備えることを特徴とする発光素子の製造方法。
  2. 　前記凹凸構造の上に残留する前記マスク層を除去する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の発光素子の製造方法。
  3. 　前記第１材料は樹脂材料であり、前記第２材料は無機材料であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子の製造方法。
  4. 　前記溶液には、前記第２材料の粒子が分散されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
  5. 　前記発光素子は、前記凹凸構造を通じて紫外光を外部に出力するよう構成される請求項１から４のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
  6. 　前記発光素子は、サファイア基板を備え、
    　前記凹凸構造は、前記サファイア基板の一主面に形成されることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
PCT/JP2016/072326 2015-07-29 2016-07-29 発光素子の製造方法 WO2017018507A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201680023860.4A CN108886075B (zh) 2015-07-29 2016-07-29 发光元件的制造方法
JP2017530935A JP6349036B2 (ja) 2015-07-29 2016-07-29 発光素子の製造方法
KR1020187000999A KR20180018700A (ko) 2015-07-29 2016-07-29 발광 소자의 제조 방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015149795 2015-07-29
JP2015-149795 2015-07-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017018507A1 true WO2017018507A1 (ja) 2017-02-02

Family

ID=57884662

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2016/072326 WO2017018507A1 (ja) 2015-07-29 2016-07-29 発光素子の製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6349036B2 (ja)
KR (1) KR20180018700A (ja)
CN (1) CN108886075B (ja)
TW (1) TW201712890A (ja)
WO (1) WO2017018507A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114023856A (zh) * 2021-09-30 2022-02-08 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 发光二极管及其制造方法
EP3989281A4 (en) * 2019-06-21 2023-01-25 LG Electronics Inc. DISPLAY DEVICE USING A MICRO-LED AND METHOD FOR MAKING IT

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010239003A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Sony Corp 反射防止構造体の製造方法および固体撮像装置の製造方法
JP2014507077A (ja) * 2011-03-03 2014-03-20 ソウル バイオシス カンパニー リミテッド 発光ダイオードチップ

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6228538B1 (en) * 1998-08-28 2001-05-08 Micron Technology, Inc. Mask forming methods and field emission display emitter mask forming methods
JP2007019318A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Sumitomo Chemical Co Ltd 半導体発光素子、半導体発光素子用基板の製造方法及び半導体発光素子の製造方法
KR101159438B1 (ko) * 2007-11-16 2012-06-22 가부시키가이샤 아루박 기판 처리 방법, 및 이 방법에 의해 처리된 기판
KR101062282B1 (ko) * 2009-03-05 2011-09-05 우리엘에스티 주식회사 질화물계 발광소자 및 그 제조방법
JP5767796B2 (ja) * 2010-09-28 2015-08-19 林純薬工業株式会社 エッチング液組成物およびエッチング方法
KR101969334B1 (ko) * 2011-11-16 2019-04-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 발광 장치
EP2889922B1 (en) * 2012-08-21 2018-03-07 Oji Holdings Corporation Method for producing substrate for semiconductor light emitting element and method for manufacturing semiconductor light emitting element
JP6153734B2 (ja) * 2013-01-23 2017-06-28 スタンレー電気株式会社 光源装置
TWI543395B (zh) * 2013-04-01 2016-07-21 中國砂輪企業股份有限公司 圖案化光電基板及其製作方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010239003A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Sony Corp 反射防止構造体の製造方法および固体撮像装置の製造方法
JP2014507077A (ja) * 2011-03-03 2014-03-20 ソウル バイオシス カンパニー リミテッド 発光ダイオードチップ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3989281A4 (en) * 2019-06-21 2023-01-25 LG Electronics Inc. DISPLAY DEVICE USING A MICRO-LED AND METHOD FOR MAKING IT
CN114023856A (zh) * 2021-09-30 2022-02-08 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 发光二极管及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2017018507A1 (ja) 2017-11-16
KR20180018700A (ko) 2018-02-21
CN108886075B (zh) 2021-07-13
TW201712890A (zh) 2017-04-01
CN108886075A (zh) 2018-11-23
JP6349036B2 (ja) 2018-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4481894B2 (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
JP5728116B2 (ja) Ｌｅｄ素子及びその製造方法
KR101250450B1 (ko) 마이크로 나노 조합구조의 제조방법 및 마이크로 나노 조합구조가 집적된 광소자의 제조방법
JP5379434B2 (ja) 発光素子用サファイア基板の製造方法
US9312448B2 (en) Metallic contact for optoelectronic semiconductor device
KR100755591B1 (ko) 질화물계 발광소자의 제조방법
WO2011027679A1 (ja) 半導体発光素子
US9142728B2 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
TWI611595B (zh) Led元件
US20120223355A1 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
JP2019040980A (ja) 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
WO2017212766A1 (ja) 深紫外発光素子
TW201324614A (zh) 蝕刻方法、藍寶石基板及發光元件
JP5435523B1 (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
JP2007150259A (ja) 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP6349036B2 (ja) 発光素子の製造方法
US20120241803A1 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
JP6553541B2 (ja) 深紫外発光素子
US9444012B2 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
CN103811614A (zh) 具有异质材料结构的发光元件及其制造方法
JP6548024B2 (ja) 凹凸構造を含む基板の製造方法及び半導体発光素子の製造方法
Zhang et al. Improving the performance for flip-chip AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes using surface textured Ga-face n-AlGaN
KR20090021975A (ko) 미세패턴 형성방법 및 이를 이용한 반도체 발광소자제조방법
TW201013993A (en) Optoelectronic semiconductor chip and method for its manufacture
JP2014120523A (ja) 半導体の表面に突起又は凹部を形成する方法及び半導体発光素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16830610

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

DPE1 Request for preliminary examination filed after expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2017530935

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20187000999

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 16830610

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1