JP2010225458A - 薄膜超電導線材及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属基板と、前記金属基板上に形成された、Ce、Zr、Y、Gd、Mg、Sr、及びTiからなる群から選ばれた少なくとも1種の元素を含む複数層の金属酸化物膜を有する中間層と、前記中間層上に形成された超電導膜を有する通電層とを備える薄膜超電導線材であって、前記中間層は、第1の酸化物膜と、前記第1の酸化物膜上に形成された第2の酸化物膜を有し、前記第2の酸化物膜の形成後の前記第1の酸化物膜の格子定数は、前記第2の酸化物膜の形成前の格子定数よりも大きいことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
配向金属基板法により2軸配向組織を形成したNiWテープ基板上に、EB蒸着法により厚さ120nmのCeO2薄膜を成膜した。このときのCeO2薄膜の単位格子サイズをX線回折法により評価したところ、0.54nmであった。
配向金属基板法により2軸配向組織を形成したNiWテープ基板上に、EB蒸着法により厚さ120nmのCeO2薄膜を成膜した。このときのCeO2薄膜の単位格子サイズをX線回折法により評価したところ、0.54nmであった。
Claims (5)
- 金属基板と、前記金属基板上に形成された、Ce、Zr、Y、Gd、Mg、Sr、及びTiからなる群から選ばれた少なくとも1種の元素を含む複数種類の成分構成を有する複数層の金属酸化物膜を有する中間層と、前記中間層上に形成された超電導膜を有する通電層とを備える薄膜超電導線材であって、
前記中間層は、第1の酸化物膜と、前記第1の酸化物膜上に形成された第2の酸化物膜を有し、前記第2の酸化物膜の形成後の前記第1の酸化物膜の格子定数は、前記第2の酸化物膜の形成前の格子定数よりも大きいことを特徴とする薄膜超電導線材。 - 金属基板と、前記金属基板上に形成された、Ce、Zr、Y、Gd、Mg、Sr、及びTiからなる群から選ばれた少なくとも1種の元素を含む複数種類の成分構成を有する複数層の金属酸化物膜を有する中間層と、前記中間層上に形成された超電導膜を有する通電層とを備える薄膜超電導線材の製造方法であって、
(a)前記金属基板上に第1の酸化物膜を成膜する工程と、
(b)前記第1の酸化物膜の酸素量を減少させる条件で第2の酸化物膜を成膜する工程と
を具備することを特徴とする薄膜超電導線材の製造方法。 - 前記工程(b)は、Ar雰囲気中または酸素分圧が5.0×10-3Pa以下のArおよび酸素の混合ガス雰囲気中で、前記第1の酸化物膜上に、前記第2の酸化物膜を成膜することである請求項2に記載の薄膜超電導線材の製造方法。
- 前記工程(b)は、酸素を含む雰囲気中で前記第1の酸化物膜を300〜700℃に加熱する条件で前記第2の酸化物膜を成膜することである請求項2に記載の薄膜超電導線材の製造方法。
- 前記第2の酸化物膜上に、第3の酸化物膜を形成することを特徴とする請求項2〜4のいずれかに記載の薄膜超電導線材の製造方法。
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