JP2010225288A - 画像表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】有機発光ダイオードの絶縁不良が発生するのを抑制することが可能な画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】画像表示装置であって、第１電極層と、前記第１電極層上に部分的に形成される発光層と、前記発光層上に形成される第２電極層と、前記第１電極層上であって、前記発光層と隣接して形成される保護金属層と、前記保護金属層上に形成され、上面が疎水性の密着金属層と、前記密着金属層上に形成される疎水性の絶縁物と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】図３

Description

画像表示装置に関する。

有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）等の電流制御型の発光素子を一対の基板の間に設けた画像表示装置が知られている。かかる画像表示装置では、複数個の画素をマトリックス状に配列して構成されたものが従来から用いられている。

かかる画素には、発光素子としての有機発光ダイオードが設けられており、有機発光ダイオードは、素子基板上に形成される第１電極層と、第１電極層上に形成される発光層と、発光層上に形成される第２電極層と、から構成されている。なお、発光層は、複数の層から構成されているものが一般的である。

有機発光ダイオードは、第１電極層及び第２電極層に電圧を加えて、第１電極層及び第２電極層から発光層に正孔及び電子を注入し、発光層中で正孔と電子が再結合することで、放出されるエネルギーの一部が発光層中の発光分子を励起する。そして、発光層は、その励起された発光分子が基底状態に戻るときにエネルギーを放出して光を発する。

なお、発光層の外周には、第１電極層と第２電極層とが短絡しないように、両電極層の間に樹脂材料からなる疎水性の絶縁層が介在されている。

有機発光ダイオードは、その製造プロセス中に、第１電極層の表面が酸化すると、第１電極層から発光層中に注入される電荷量が減少し、有機発光ダイオードの発光輝度が低下することがある。そのため、有機発光ダイオードの製造プロセス中に第１電極層の表面の酸化等を抑制するために、第１電極層を保護するモリブデン等からなる保護金属層を設ける技術が提案されている（例えば、下記特許文献１参照）。

特開２００８−１０３８３号公報

特許文献１に開示されている技術では、モリブデン等からなる保護金属層は第１電極層を保護することができるものの、製造プロセス中に保護金属層の表面が酸化すると、保護金属層表面が親水性の性質を示す。そのため、保護金属層表面と絶縁層との接着性が低下し、両者の界面が剥離しやすくなる。その結果、第１電極層と第２電極層とが短絡する等の絶縁不良が発生する可能性がある。

本発明は、上記課題に鑑みたものであり、有機発光ダイオードの絶縁不良が発生するのを抑制することが可能な画像表示装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の第１の態様に係る画像表示装置は、第１電極層と、前記第１電極層上に部分的に形成される発光層と、前記発光層上に形成される第２電極層と、前記第１電極層上であって、前記発光層と隣接して形成される保護金属層と、前記保護金属層上に形成され、上面が疎水性の密着金属層と、前記密着金属層上に形成される疎水性の絶縁物と、を備えたことを特徴とする。

また、本発明の第２の態様に係る画像表示装置は、前記絶縁物と前記密着金属層との間には、前記密着金属層を構成する材料を含有する疎水性の酸化膜が形成されていることを特徴とする。

また、本発明の第３の態様に係る画像表示装置は、前記第１電極層の上面全域が、前記発光層及び前記保護金属層によって被覆されていることを特徴とする。

また、本発明の第４の態様に係る画像表示装置は、前記発光層と前記保護金属層は、接触して接続されていることを特徴とする。

また、本発明の第５の態様に係る画像表示装置は、前記第１電極層及び前記密着金属層は同一材料からなることを特徴とする。

また、本発明の第６の態様に係る画像表示装置は、前記密着金属層は、前記第１電極層及び前記保護金属層のいずれよりも有機アルカリ現像液に対する被エッチング量が大きいことを特徴とする。

本発明によれば、有機発光ダイオードの絶縁不良が発生するのを抑制することが可能な画像表示装置を提供することができる。

本発明の一実施形態に係る画像表示装置の平面図である。 表示部を構成する画素の拡大した平面図である。 図２のＡ−Ａの長破線における一画素の拡大断面図である。 画素内の有機発光ダイオードの各層を説明する断面図である。 発光領域と取り囲む絶縁物の拡大断面図である。 図６（Ａ），図６（Ｂ）は、本実施形態の画像表示装置の製造工程を示す画素の断面図である。 図７（Ａ），図７（Ｂ）は、本実施形態の画像表示装置の製造工程を示す画素の断面図である。 図８（Ａ），図８（Ｂ）は、本実施形態の画像表示装置の製造工程を示す画素の断面図である。 図９（Ａ），図９（Ｂ）は、本実施形態の画像表示装置の製造工程を示す画素の断面図である。 図１０（Ａ），図１０（Ｂ）は、本実施形態の画像表示装置の製造工程を示す画素の断面図である。 図１１（Ａ），図１１（Ｂ）は、本実施形態の画像表示装置の製造工程を示す画素の断面図である。 図１２（Ａ），図１２（Ｂ）は、本実施形態の画像表示装置の製造工程を示す画素の断面図である。 図１３（Ａ），図１３（Ｂ）は、本実施形態の画像表示装置の製造工程を示す画素の断面図である。

以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。

＜画像表示装置の概略構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係る画像表示装置１を示す図である。画像表示装置１は、有機発光ダイオードの発光を利用している。

画像表示装置１は、テレビ等の家電機器、携帯電話又はコンピュータ機器等の電子機器に用いるものであり、素子基板２と、素子基板２上に実装される実装回路３とを有している。

素子基板２は、例えばガラス、プラスチック、金属又はセラミックからなり、素子基板２の中央に位置する表示部Ｄ１には、複数の画素４がマトリックス状に配列されている。また、素子基板２の端部に位置する実装部Ｄ２には、実装回路３が実装されている。

また、画素４は、赤色、緑色又は青色のいずれかの色を発光することができる。このことは、後述するように有機発光ダイオード５を構成する材料を適宜選択することによって、発光する色を決定することができる。なお、本実施形態においては、画素を赤色、緑色又は青色のいずれかの色を発光するものとしたが、例えば白色又は橙色等の色を発光するようにしてもよい。

画素４は、図２に示すように、発光領域Ｒ１と該発光領域Ｒ１の周囲を取り囲む非発光領域Ｒ２とを含んで構成されており、発光領域Ｒ１に発光可能な有機発光ダイオード５が設けられている。なお、図２は、図１の表示部Ｄ１の一部を拡大した平面図である。

また、各画素４には、隔壁６が設けられている。隔壁６は、断面が上部よりも下部が幅狭の形状であって、後述する絶縁物７上に形成されている。隔壁６上には、後述するように、蒸着法を用いて有機発光ダイオード５を構成する層を塗り分けるのに、蒸着マスクを載置することができる。隔壁６は、例えば酸化ケイ素、窒化ケイ素又は酸化窒化ケイ素等の無機絶縁材料、あるいはフェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の有機絶縁材料から成る。なお、隔壁６の厚みは、１μｍ以上４μｍ以下に設定されている。

また、素子基板２上には、素子基板２に対して対向するように配置された封止基板８が形成されている。封止基板８は光を透過する基板から成り、例えばガラス又はプラスチックを用いることができる。なお、本実施形態においては、素子基板２側から封止基板８側に向けて光が発せられるトップエミッション型の有機ＥＬディスプレイであるため、封止基板８は光を透過する部材が用いられる。

素子基板２の表示部Ｄ１には、画素４を被覆するように保護膜９が形成されている。保護膜９は、隔壁６をも被覆するように形成されることで、各画素４に酸素又は水分が浸入するのを低減し、各画素４が劣化するのを抑制することができる。保護膜９は、例えば窒化珪素、酸化珪素又は酸化窒化珪素等の無機絶縁材料から成る。さらに、保護膜９上にシール材１０を介して封止基板８が貼り合わされている。なお、保護膜９は、各画素４の劣化を抑制するために、厚みが１μｍ以上に設定されている。

シール材１０は、接着材としての機能を有し、硬化することによって素子基板２と封止基板８とを固着することができる。かかるシール材１０は、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂又はシリコン樹脂等の光硬化性樹脂、あるいは熱硬化性の樹脂を用いることができる。なお、本実施形態においては、紫外線の照射により硬化する光硬化性のエポキシ樹脂を用いる。なお、シール材１０は有機樹脂材料からなり、素子基板２と封止基板８とを強固に接着させるために、厚みが１μｍ以上に設定されている。

次に、図３に示すように、素子基板２と封止基板８との間に形成される各種層について説明する。なお、図３は、図２の長破線におけるＡ−Ａ断面図における一画素の断面図である。

素子基板２上には、ＴＦＴや電気配線等から成る回路層１１が形成されている。さらに、回路層１１上には、回路層１１の所定領域以外が電気的にショートしないように、例えば窒化珪素、酸化珪素又は酸化窒化珪素等から成る絶縁層１２が形成されている。

また、絶縁層１２上には、回路層１１及び絶縁層１２に起因する表面の凹凸を低減するために、平坦化膜１３が形成されている。回路層１１は、複数の電気配線がパターニングされているため、その表面には凹凸が形成される。有機発光ダイオード５を凹凸な面上に形成すると、有機発光ダイオード５を構成する電極層同士が短絡し、有機発光ダイオード５が発光しないことがある。そのため、絶縁層１２上に平坦化膜１３が形成される。

かかる平坦化膜１３は、例えばノボラック樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂等の絶縁性を有する有機材料を用いることができる。なお、平坦化膜１３の厚みは、例えば２μｍ以上５μｍ以下に設定されている。

また、平坦化膜１３には、平坦化膜１３を貫通するコンタクトホールＳが形成されている。かかるコンタクトホールＳは、上部よりも下部が幅狭に形成されている。コンタクトホールＳは、各画素４に形成されており、コンタクトホールＳの底部には、回路層１１の一部が露出している。

図４は、有機発光ダイオード５の構成を説明するための断面図である。発光領域Ｒ１に位置する平坦化膜１３上には、有機発光ダイオード５が形成されている。図３及び図４に示すように、有機発光ダイオード５は、第１電極層１４と、第１電極層１４上に形成された発光層１５と、発光層１５上に形成された第２電極層１６と、を含んで構成されている。ここで、発光領域Ｒ１は、第１電極層１４と発光層１５が直接接するとともに、第１電極層１４と第２電極層１６との間に電流が流れることで発光する領域のことをいう。

第１電極層１４は、平坦化膜１３上に形成される。第１電極層１４は、例えばアルミニウム、銀、銅、金、ロジウム又はネオジム等の光高反射金属、あるいはこれらの合金等の光反射率の大きい材料から成る。このように、第１電極層１４を光反射率の大きい材料から構成することにより、トップエミッション型の有機発光ダイオード５においては光取り出し効率を向上させることができる。なお、第１電極層１４の厚みは、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下に設定されている。

また、平坦化膜１３上からコンタクトホールＳの内周面にかけてコンタクト電極層１７が形成されている。そして、コンタクトホールＳの内周面に形成されるコンタクト電極層１７の一部が、コンタクトホールＳの底部から露出する回路層１１の一部と接続されている。

そして、発光領域Ｒ１に対応する第１電極層１４上に発光層１５が形成され、その上に第２電極層１６が形成される。

発光層１５は、絶縁物７で囲まれる第１電極層１４上に形成され、複数の層から構成されている。本実施形態においては、発光層１５は、正孔注入層１８、正孔輸送層１９、有機発光層２０、電子輸送層２１及び電子注入層２２を順次積層した構成である。また、発光層１５の各層を構成する材料は、発する光の色に応じて、適当な材料が選択される。例えば、発光層１５が、赤色を発する場合について説明する。

この場合、正孔注入層１８は、例えば酸化ニッケル、酸化チタン、フッ化炭素、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、或いは１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン又はこれにシアノ基などが結合した誘導体等の複素環化合物から成る。正孔注入層１８の厚みは、例えば５ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定されている。

また、正孔輸送層１９は、例えばＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’−ビス[Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ]ビフェニル（α−ＮＰＤ）等の芳香族ジアミン化合物、および４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等のスターバースト芳香族又は芳香族アミン化合物を用いることができる。正孔輸送層１９の厚みは、例えば１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下に設定されている。

また、有機発光層２０は、例えばビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム、１，４−フェニレンビス（トリフェニルシラン）、１，３−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン、１，３，５−トリ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ベンゼン、ＣＢＰ、Ａｌｑ_３又はＳＤＰＶＢｉ等のホスト材料に、トリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｃ２，Ｎ）イリジウム等の有機金属化合物、或いはＤＣＪＴＢ、クマリン、キナクリドン、フェナンスレン基を有するペリノン誘導体、或いはオリゴチオフェン誘導体又はペリレン誘導体等のドーパント材料を含有したものを用いることができる。有機発光層２０の厚みは、例えば２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定されている。

また、電子輸送層２１は、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、ポリアリールアルカン、ブタジエンを用いることができる。電子輸送層２１の厚みは、例えば２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下に設定されている。

また、電子注入層２２は、例えば例えばフッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化炭素等を用いることができる。電子注入層２２の厚みは、例えば０．５ｎｍ以上２ｎｍ以下に設定されている。

発光層１５上には、第２電極層１６が形成されている。第２電極層１６は、発光層１５の上面側から光を取り出すために、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、錫酸化物等の光透過性を有する導電材料を用いて形成される。また、第２電極１６が、例えばマグネシウム、銀、アルミニウム又はカルシウム等の材料から成る場合、その厚みを１００ｎｍ以下にすることによって、光透過性の電極とすることができる。このようにして、第２電極層１６は、発光層１５の発する光が透過する。そして、透過した光は、画像表示装置１の外部に放出される。

発光層１５は、第１電極層１４と第２電極層１６との間に電流が流れ、発光層１５中に注入された正孔と電子とが結合することによって励起されて発光する。そして、発光層１５が発する光が第１電極層１４と第２電極層１６との間で定在波となって共振し、発光する光を強めるために、発光層１５の厚みが調整されている。

図５は、絶縁物７と第１電極層１４との間の各層を説明するための画素の拡大断面図である。図３及び図５に示すように、非発光領域Ｒ２に位置する第１電極層１４上には、発光層１５と併設して保護金属層２３が形成されている。保護金属層２３は、高融点金属からなるため、後述する両性金属からなる密着金属層２４と比較して有機アルカリ現像液に対して耐性を有する。保護金属層２３は、後述する有機発光ダイオード５の形成する製造プロセスにおいて第１電極層１４を形成後、発光層１５を形成するまでの間、第１電極層１４の上面が酸化する等のプロセスダメージを受けるのを軽減する機能を備えている。なお、保護金属層２３は、第１電極層１４の上面に粉塵が付着することも抑制することができる。仮に、第１電極層１４の上面の酸化が大きく進行していると、第１電極層１４と第２電極層１６との間に電圧を印加して発光層１５を発光させようとしても、第１電極層１４から発光層１５への電荷注入効率が低下し、発光層１５の発光輝度が所望する発光輝度と比較して大きくて低下する結果となる。

保護金属層２３は、第１電極層１４との密着性が優れた材料が選択され、保護金属層２３と第１電極層１４との界面における剥離を効果的に抑制することができる。なお、保護金属層２３は、例えば、モリブデン、タングステン又はチタン、或いはそれらを主成分とする高融点金属からなる。また、保護金属層２３の厚みは、例えば、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下に設定されている。

そして、第１電極層１４の上面は、発光層１５及び保護金属層２３によって被覆されている。そのため、第１電極層１４の上面が大気に対して露出していないため、第１電極層１４の上面が酸化するのを抑制することができる。

保護金属層２３上には、上面が疎水性の密着金属層２４が形成されている。密着金属層２４は、後述する絶縁物７との密着性及び保護金属層２３との密着性が優れた材料が選択される。密着金属層２４は、例えば、アルミ二ウム、亜鉛、スズ、鉛、ガリウム又はインジウム等の両性金属からなる。

密着金属層２４は、後述するように有機発光ダイオード５を形成する製造プロセスにおいて上面が酸化して、密着金属層２４の上面に酸化膜２４ａが形成されても密着金属層２４の酸化膜２４ａは疎水性の性質を示す。仮に、保護金属層２３上に密着金属層２４を形成せずに、保護金属層２３が大気中に露出された場合、保護金属層２３の上面が酸化されて、保護金属層２３の上面に酸化膜が形成される。かかる酸化膜は、例えば、酸化モリブデン等の水溶性の性質を示す親水性であるため、疎水性を示す樹脂との密着性が悪い。一方、本実施形態においては、密着金属層２４の上面に形成される酸化膜２４ａは、疎水性を示すため、疎水性の材料との密着性が優れている。つまり、疎水性同士の材料は、密着性が優れているため、酸化膜２４ａと疎水性の材料からなる絶縁物７との密着力は良好に維持され、両者の界面において両者が剥離するのを効果的に抑制することができる。

ここで、酸化物が、親水性又は疎水性のどちらの性質を示すかについて説明する。酸化物である共有結合の物質は、種類の異なる原子同士の電気陰性度の差又は分子の非対称な立体構造による電荷の偏りの影響に起因し、分子内における正電荷と負電荷の重心が一致しないと極性分子となり、分子内における正電荷と負電荷の重心が一致すると無極性分子となる。例えば、水は極性分子であって、他の極性分子と混ざりやすく、他の極性分子を溶かしやすい。このように、極性分子となる酸化物は親水性を示す。

また、密着金属層２４の下面は、酸化されにくいものの、密着金属層２４の直下に形成されている保護金属層２３は金属材料からなるため、両者は金属同士の結合により、密着性が良好に維持され、両社の界面において両者が剥離しようとするのを十分に抑制することができる。その結果、密着金属層２４は、その直上に位置する絶縁物７と、直下に位置する保護金属層２３との良好に密着することにより、両界面における剥離を効果的に抑制できる。

また、密着金属層２４は、後述するように保護金属層２３を形成する製造プロセスにおいて、密着金属層２４の厚みと絶縁物７の現像時間によって発光領域Ｒ１における密着金属層２４の張出しを制御し、保護金属層２３のエッチング領域を調整することができる。その結果、保護金属層２３のサイドエッチングを軽減することができ、有機発光ダイオードの絶縁不良を抑制することができる。なお、密着金属層２４の厚みは、例えば、５ｎｍ以上５００ｎｍ以下に設定されている。

絶縁物７は、密着金属層２４上に形成されるとともに、発光領域Ｒ１、及びコンタクト電極層１７と第２電極層１６とが直接接続されるコンタクト領域を除いて、非発光領域Ｒ２に形成されている。そして、絶縁物７の一部は、平坦化膜１３の上面の一部と直接接続されている。つまり、絶縁物７は、平面視して発光領域Ｒ１に対応する第１電極層１４の一部を露出するとともに、コンタクトホールＳの内周面から平坦化膜１３上にかけて形成されるコンタクト電極層１７の一部を露出している。なお、絶縁物７は、疎水性の材料であって、例えば、フェノール樹脂、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の有機絶縁材料、あるいは窒化珪素、酸化珪素又は酸化窒化珪素等の無機絶縁材料から成る。

絶縁物７上には、発光層１５の一部が発光領域Ｒ１から非発光領域Ｒ２にかけて形成されている。さらに、第２電極層１６が、発光領域Ｒ１からコンタクト領域にかけて形成されている。つまり、隔壁６にて囲まれる領域に第２電極層１６が形成されている。第２電極層１６は、後述するように蒸着法を用いて表示部Ｄ１全面に形成しようとしたとき、隔壁６によって第２電極層１６が画素４ごとに形成される。隔壁６が上部よりも下部が幅狭になっていることにより、隔壁６の上面には、第２電極層１６と同一材料の膜が被着するものの、隔壁６の側面全てに第２電極層１６が被着しないため、隔壁６の側面で第２電極層１６が不連続となる。

本実施形態によれば、発光領域Ｒ１の周囲に形成される樹脂材料の絶縁物７とその直下に位置する金属材料の保護金属層２３との間に密着金属層２４を形成し、両材料との接着性を良好に維持することにより、保護金属層２３の上面及び下面の剥離を効果的に抑制することができる。その結果、有機発光ダイオード５の絶縁不良が発生するのを抑制することができる。

＜画像表示装置の製造方法＞
以下に、本発明の実施形態に係る画像表示装置１の製造方法について、図６〜図１３を用いて詳細に説明する。

まず、素子基板２上に、回路層１１及び絶縁層１２をパターニングして形成された基板を準備する。なお、回路層１１及び絶縁層１２は、従来周知の蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等の薄膜形成技術、フォトリソグラフィー法又はエッチング法等の薄膜加工技術を用いて、所定パターンに形成される。

そして、回路層１１及び絶縁層１２を被覆するように例えば従来周知のスピンコート法を用いて有機樹脂膜を形成する。さらに、有機樹脂膜上に露光マスクを用いて有機樹脂膜を露光し、さらに現像、ベーキング処理を行い、図６（Ａ）に示すように、回路層１１の一部を露出させて、上部よりも下部が幅狭なコンタクトホールＳを有する平坦化膜１３を形成する。なお、有機樹脂膜は、硬化後に平坦化膜１３となる。

次に、図６（Ｂ）に示すように、平坦化膜１３上に、例えば、アルミニウム及びネオジウムとの合金を用いた両性金属であって、且つ光高反射金属からなる第１金属膜１４ｘを形成する。具体的には、平坦化膜１３及びスルーホールＳに対して、スパッタリング法を用いて第１金属膜１４ｘを形成する。なお、第１金属膜１４ｘは、後述するようにパターニングされると、第１電極層１４とコンタクト電極層１７となる。

そして、図７（Ａ）に示すように、第１金属膜１４ｘ上に、例えば、モリブデンを用いた高融点金属からなる保護金属膜２３ｘを形成する。具体的には、第１金属膜１４ｘで被覆されている基板上に対してスパッタリング法を用いて保護金属膜２３ｘを形成する。なお、保護金属膜２３ｘは、後述するようにパターニングされると、保護金属層２３となる。

さらに、図７（Ｂ）に示すように、保護金属膜２３ｘ上に、例えば、アルミ二ウムを用いた疎水性の密着金属膜２４ｘを形成する。具体的には、保護金属膜２３ｘ上で被覆されている基板上に対してスパッタリング法を用いて密着金属膜２４ｘを形成する。なお、密着金属膜２４ｘは、後述するようにパターニングされると、密着金属層２４となる。

次に、図８（Ａ）に示すように、フォトリソグラフィー法を用いて、露光、現像及びエッチング可能なフォトレジストからなる樹脂膜２５ｘを形成する。このようにして、基板上に下方から上方に向けて両性金属からなる第１金属膜１４ｘと、高融点金属からなる保護金属膜２３ｘと、疎水性の両性金属からなる密着金属膜２４ｘと、樹脂膜２５ｘとを積層した積層基板を準備することができる。

そして、図８（Ｂ）に示すように、樹脂膜２５ｘの露光する箇所以外をフォトマスクで覆って、樹脂膜２５ｘの一部Ｒｘを露光する。この後、図９（Ａ）に示すように、樹脂膜２５ｘの一部Ｒｘ及びその直下に位置する密着金属膜２４ｘの一部を有機アルカリ現像液を用いて除去する。なお、樹脂膜２５ｘの一部Ｒｘと密着金属膜２４ｘの一部が除去されることで、樹脂膜２５ｘがパターニングされ、パターン樹脂膜２５が形成される。

具体的には、有機アルカリ現像液にて露光された樹脂膜２５ｘの一部Ｒｘが現像される。その後、エッチングされた一部Ｒｘの直下に、密着金属膜２４ｘの一部が露出し、該露出した密着金属膜２４ｘが有機アルカリ現像液にてさらにエッチングされる。そして、密着金属膜２４ｘがパターニングされて、パターン密着金属膜２４ｙとなる。なお、有機アルカリ現像液は、例えば、水酸化テトラエチルアンモニウムを用いる。密着金属膜２４ｘは、アルカリに可溶な両性金属であるため、有機アルカリ現像液にてエッチングされる。その結果、保護金属膜２３ｘの一部が露出する。なお、保護金属膜２３ｘは、有機アルカリ現像液に対して反応性の低い高融点金属であるため、有機アルカリ現像液にてエッチングされにくい。つまり、密着金属膜は、保護金属膜よりも有機アルカリ現像液に対する被エッチング量が大きい。

次に、図９（Ｂ）に示すように、パターン樹脂膜２５から露出する保護金属膜２３ｘの一部及びその直下に位置する第１電極膜１４ｘの一部を混酸を用いてエッチングし、基板上の一部である平坦化膜１３の一部を露出させる。このとき、第１電極膜１４ｘがエッチングされてパターニングされることで、第１電極層１４及びコンタクト電極層１７が形成される。このように、第１電極層１４とコンタクト電極層１７とは、同じ工程にて同時に形成される。そのため、第１電極層１４とコンタクト電極層１７とは同様の材料からなる。なお、第１電極層１４とコンタクト電極層１７とは、分離されており、両者はこの時点でお互いから絶縁されている状態である。さらに、保護金属膜２３ｘがエッチングされてパターニングされることで、第１電極層１４及びコンタクト電極層１７上にパターン保護金属膜２３ｙが形成される。

具体的には、混酸にて露出する保護金属膜２３ｘの一部をエッチングし、第１電極膜１４ｘの一部を露出させる。さらに、露出した第１電極膜１４ｘの一部を混酸にてエッチングされる。その結果、第１電極膜１４ｘの直下に位置する平坦化膜１３の一部が露出する。なお、混酸は、例えば、燐酸、硝酸又は酢酸等の酸と水とを混合した水溶液を用いる。保護金属膜２３ｘと第１電極膜１４ｘは、両性金属又は高融点金属であるため混酸にてエッチングされる。

そして、図１０（Ａ）に示すように、パターン樹脂膜２５を、レジスト剥離液を用いて剥離し、パターン密着金属膜２４ｙを露出させる。このとき、第１電極層１４の上面は、パターン密着金属膜２４ｙにて被覆されているため、第１電極層１４の上面の酸化は抑制される。その後、パターン密着金属膜２４ｙの上面を、オゾン洗浄又は大気中の酸素による自然酸化を用いて酸化させる。

次に、酸化したパターン保護金属膜２３ｙ上及び露出する平坦化膜１３上を被覆するように、フォトリソグラフィー法を用いて、例えば、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等からなる絶縁膜７ｘを形成する。そして、図１０（Ｂ）に示すように、絶縁膜７ｘの露光する箇所以外をフォトマスクで覆って、絶縁膜７ｘの一部Ｒｘを露光する。

次に、図１１（Ａ）に示すように、露光された絶縁膜７ｘの一部Ｒｘ及びその直下に位置するパターン密着金属膜２４ｙの一部を、アルカリ現像液を用いて除去して密着金属層２４を形成する。このようにして、絶縁膜７ｘをパターニングして、パターン絶縁物７を形成することができる。その結果、密着金属層２４の上面の一部から露出する平坦化膜１３上にかけて絶縁物７を形成することができる。そして、発光領域Ｒ１に位置するパターン保護金属膜２３ｙを露出させる。このとき、第１電極層１４の上面をパターン保護金属膜２３ｙで被覆した状態である。この状態で、図１１（Ｂ）に示すように、従来周知の薄膜形成技術・薄膜加工技術を用いて、絶縁物７上に上部よりも下部が幅狭な隔壁６を形成する。

そして、図１２（Ａ）に示すように、絶縁物７にて被覆されずに露出した状態のパターン保護金属層２３ｙの一部を、硝酸の含有比率が１５ｗｔ％〜３５ｗｔ％、酢酸の含有比率が２５ｗｔ％〜４５ｗｔ％、燐酸の含有比率が０．１ｗｔ％〜５ｗｔ％である混酸を用いてウェットエッチングし、第１電極層１４の上面を露出させる。このとき、パターン保護金属膜２３ｙをウェットエッチングしてパターングすることにより、保護金属層２３を形成することができる。そして、露出していたパターン保護金属膜２３ｙをエッチングし、その直下に第１電極層１４の一部を露出させることができる。

そして、図１２（Ｂ）に示すように、第１電極層１４上に、例えば蒸着法を用いて、発光層１５を形成する。具体的には、発光層１５を形成する際は、蒸着マスクを隔壁６上に載置する。そして、各画素４を、赤色、緑色又は青色と発光する色に応じた有機材料を塗り分けることができる。

そして、図１３（Ａ）に示すように、発光層１５上から絶縁物７上にかけて、第２電極層１６を形成する。第２電極層１６を構成する際は、蒸着マスクを用いずに、発光層１５上から絶縁物７上を介してコンタクト電極層１７上にまで形成することができる。このようにして、各画素４に有機発光ダイオード５を形成することができる。そして、第２電極層１６とコンタクト電極層１７とを直接接続することにより、第２電極層１６とコンタクト電極層１７とを電気的に接続することができる。

さらに、図１３（Ｂ）に示すように、例えばスパッタリング法又はＣＶＤ法を用いて、表示部Ｄ１上に有機発光ダイオード５が劣化しないように保護膜９を形成する。有機発光ダイオード５を保護膜９で被覆することにより、外気から有機発光ダイオード５が晒されるのを防止することができる。

次に、ガラスからなる封止基板８を準備する。そして、封止基板８上に、例えばディスペンサ法、またはスクリーン印刷法を用いて、未硬化のシール材を塗布する。このようにして、未硬化のシール材が塗布された状態の封止基板８を準備することができる。

次に、上述した工程により得られた素子基板２と封止基板８の両方を用意する。そして、両基板を位置合わせして、両基板を未硬化のシール材を介して貼り合わせる。なお、封止基板８を未硬化のシール材によって、素子基板２に貼り合わせる作業は、例えば窒素ガス又はアルゴンガス等の不活性ガス中や、高真空中で行うことによって、素子基板２と封止基板８との間に酸素や水分が含まれるのを抑制することができる。

さらに、未硬化のシール材を硬化させて、素子基板２と封止基板８の両者を固着させることができる。ここで、未硬化のシール材が硬化することにより、シール材１０となる。このようにして、有機ＥＬパネルを作製することができる。そして、素子基板２の非表示領域Ｄ２上に実装回路３を実装することで、画像表示装置１を作製することができる。

本実施形態によれば、絶縁物７と保護金属層２３との間に密着金属層２４を形成することができ、両材料との接着性を良好に維持することにより、保護金属層２３の上面及び下面の剥離を効果的に抑制することができる。その結果、有機発光ダイオード５の絶縁不良が発生するのを抑制することができる。

なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上述した実施形態においては、トップエミッションの画像表示装置について説明したが、本発明の作用効果を奏するのであれば、ボトムエミッションの画像表示装置であっても構わない。また、隔壁を有さないトップエミッション構造であって、且つ第２電極層が全画素で共通電極となるカソードコモンの画像表示装置であってもよい。

１ 画像表示装置
２ 素子基板
３ 実装回路
４ 画素
５ 有機発光ダイオード
６ 隔壁
７ 絶縁物
８ 封止基板
９ 保護膜
１０ シール材
１１ 回路層
１２ 絶縁層
１３ 平坦化膜
１４ 第１電極層
１５ 発光層
１６ 第２電極層
１７ コンタクト電極層
１８ 正孔注入層
１９ 正孔輸送層
２０ 有機発光層
２１ 電子輸送層
２２ 電子注入層
２３ 保護金属層
２４ 密着金属層
２４ａ 酸化膜
Ｄ１ 表示部
Ｄ２ 実装部
Ｒ１ 発光領域
Ｒ２ 非発光領域
Ｓ コンタクトホール

Claims (6)

1. 第１電極層と、
   前記第１電極層上に部分的に形成される発光層と、
   前記発光層上に形成される第２電極層と、
   前記第１電極層上であって、前記発光層と隣接して形成される保護金属層と、
   前記保護金属層上に形成され、上面が疎水性の密着金属層と、
   前記密着金属層上に形成される疎水性の絶縁物と、を備えたことを特徴とする画像表示装置。
2. 請求項１に画像表示装置であって、
   前記絶縁物と前記密着金属層との間には、前記密着金属層を構成する材料を含有する疎水性の酸化膜が形成されていることを特徴とする画像表示装置。
3. 請求項１又は請求項２に記載の画像表示装置であって、
   前記第１電極層の上面全域が、前記発光層及び前記保護金属層によって被覆されていることを特徴とする画像表示装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の画像表示装置であって、
   前記発光層と前記保護金属層は、接触して接続されていることを特徴とする画像表示装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の画像表示装置であって、
   前記第１電極層及び前記密着金属層は同一材料からなることを特徴とする画像表示装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の画像表示装置であって、
   前記密着金属層は、前記第１電極層及び前記保護金属層のいずれよりも有機アルカリ現像液に対する被エッチング量が大きいことを特徴とする画像表示装置。