JP2010219022A - 蓄電デバイス用電極及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】蓄電デバイス用電極は、タングステン酸化物を含むウィスカーからなる多孔質層を有する蓄電デバイス用電極であって、該タングステン酸化物を含むウィスカーのX線光電子分光分析による価電子帯光電子スペクトルが、そのフェルミ準位から1eV以内にピークを有する。
蓄電デバイス用電極の製造方法は、タングステン酸化物を含むウィスカーの構成金属を含む原料又は基材原料を、微量の酸素存在下で加熱処理して、タングステン酸化物を含むウィスカーを形成する。
蓄電デバイスは、上述の蓄電デバイス用電極と、電解質と、を備えている。
【選択図】なし
Description
なお、本発明において、「主成分」とは、各部位における構成成分全量を基準として、50質量%以上含まれることをいう。
本実施形態の蓄電デバイス用電極は、タングステン酸化物を含むファイバー及び/又はウィスカーからなる多孔質層を有するものである。
そして、タングステン酸化物を含むファイバー及びウィスカーのいずれか一方又は双方のX線光電子分光分析による価電子帯光電子スペクトルは、そのフェルミ準位から1eV以内にピークを有する。
ここで、「フェルミ準位」とは、フェルミ−ディラック分布を表すf(ε)をすべてのεについて加え合わせた和が粒子の総数に等しいという条件から決定されるパラメータであり、結合エネルギーが0となるエネルギーを示している。
また、X線光電子分光分析による価電子帯光電子スペクトルは、例えばX線光電子分光分析装置(PHI社製、QUANTUM2000)を用いて、測定することができる。フェルミ準位は、フェルミ準位近傍のスペクトルを、状態密度の傾きを考慮した測定温度のFermi−Dirac関数に、装置のエネルギー分解能をもつGauss関数で畳み込み積分を行った関数を用い、最小自乗法フィッティングを行い決定することができる。ただし、WOxの場合参照物質として金を測定して、WOxウィスカーと金の測定においてフェルミ準位のエネルギー位置が変わっていないと仮定し、フィッティングでフェルミ準位を決定し、それに合わせてスペクトルをシフトする。
また、特に限定されるものではないが、そのピークの強度が、5〜10eVの範囲内のピークの強度に対して1/20以上であることが好ましく、より好ましくは1/10以上、更に好ましくは1/5以上である。そのピーク強度が5〜10eVの範囲内のピーク、具体的には6eV付近の最大ピークの強度に対して1/20以上であると、優れたサイクル耐久性能を発現し得ると共に、電極としてより好適な導電性を得ることができる。
そして、特に限定されるものではないが、33〜34eVの範囲内のピークの34eVにおける強度が、35〜36eVの範囲内のピークの36eVにおける強度に対して1/20以上であることが好ましく、より好ましくは1/10以上2以下、更に好ましくは1/5以上1.3以下である。
33〜34eVの範囲内のピークの34eVにおける強度が、35〜36eVの範囲内のピークの36eVにおける強度に対して1/20以上であると電極としてより好適な導電性を得ることができ、2以下であるとサイクル耐久性能の向上の観点から好ましい。
また、33〜34eVの範囲内のピークの34eVにおける強度が、35〜36eVの範囲内のピークの36eVにおける強度に対して1/10以上であると、より優れたサイクル耐久性能を発揮することができるだけでなく、より優れた導電性及び応答性を発揮することができ、高速放電容量が大きいものとなる。
500〜600nmの範囲内に最大ピークを有すると、より優れたサイクル耐久性能を発揮することができるだけでなく、より優れた導電性及び応答性を発揮することができ、電位窓が広く(広い電圧範囲で安定な)、より高い品質安定性を確保できるものとなる。
なお、ファイバーなどの透過光解析が可能なものについては、一般的な可視光の透過スペクトルで判断が可能である。しかしながら、通常、ウィスカーの場合は、十分な光透過性がないため、光源(キセノン光源やハロゲン光源が望ましい。)からの反射光を検出したスペクトルをクベルカ−ムンク変換したスペクトルを用いて判断する。
(式中、R∞は絶対反射率、Kは吸光係数、Sは散乱係数である。)
(式中、r∞は標準粉体に対する試料の反射強度の比(反射強度比)、Kは吸光係数、Sは散乱係数である。)
非対称性指数αが0.07以上であると、より優れたサイクル耐久性能を発揮することができるだけでなく、より優れた導電性及び応答性を発揮することができ、高速放電容量が大きいものとなる。
ピークの下1/4値幅が2.5〜4.0eVであると、より優れたサイクル耐久性能を発揮することができるだけでなく、より優れた導電性及び応答性を発揮することができ、高速放電容量が大きいものとなる。
このような構成とすることにより、優れたサイクル耐久性能を発現し得るだけでなく、ウィスカーやファイバーと基材との密着性がより向上し、電気的な接触も向上するため、電極としての内部抵抗を小さくすることができ、導電性に優れ、より優れた応答性を発揮することができる。
また、セラミックスとしては、例えば窒化タングステン、炭化タングステン、ホウ化タングステン、窒化モリブデン、炭化モリブデン、ホウ化モリブデンなどを挙げることができる。
このようなタングステン金属とタングステン酸化物とが連続的に形成された構成とすることにより、優れたサイクル耐久性能を発現し得るだけでなく、界面の電気抵抗を小さくすることができ、導電性に優れたものとなる。また、ウィスカーやファイバーと基材との密着性を維持しながら、物理強度や導電性に優れた別の組成の材料を芯材として使用することができるため、例えば電極としての内部抵抗を小さくすることができ、より優れた応答性を発揮することができる。また、物理強度を向上させることもできる。
なお、上記芯材としては、例えば鉄、コバルト、ニッケル、ニオブ、モリブデン、白金、チタンなどの金属や酸化アルミニウム、酸化ケイ素などの高融点セラミックなどを挙げることができる。
本実施形態の蓄電デバイス用電極の製造方法は、上述した本発明の一実施形態に係る蓄電デバイス用電極の製造方法の一実施形態であって、タングステン酸化物を含むファイバー及びウィスカーのいずれか一方又は双方の構成金属を含む原料又は基材原料を、微量の酸素存在下で加熱処理して、タングステン酸化物を含むファイバー及びウィスカーのいずれか一方又は双方を形成して、所望の蓄電デバイス用電極を得る製造方法である。
また、酸素濃度は、段階的にないし連続的に低減させてもよい。
具体的には、例えば、まず、酸素濃度100〜10000体積ppmの酸素含有アルゴン気流中(流量:1〜5000cm3/分(1atm、25℃))、30〜1100℃で、1分間〜10時間加熱し、次いで、アルゴン気流中(流量:1〜5000cm3/分(1atm、25℃))、800〜1600℃で、1分間〜100時間加熱して、タングステン酸化物を含むウィスカーやファイバーの形成をすることができる。なお、アルゴン気流については、途中で供給を中止することができる。
また、例えば、大気中で、加熱を開始し、開始と同時にアルゴンを供給し(流量:10〜5000cm3/分(1atm、25℃))、800〜1600℃で、1分間〜100時間加熱して、タングステン酸化物を含むウィスカーやファイバーの形成をすることもできる。
本実施形態の蓄電デバイスは、上述した本発明の一実施形態に係る蓄電デバイス用電極と、電解質と、を備えているものである。
なお、蓄電デバイス用電極は、正極にも負極にも適用することができる。また、蓄電デバイス用電極は、それ自体で電極として使用することもできるが、例えば、他の活物質などの材料と組み合わせることもできる。例えば、正極には高電位側で容量を発現する活物質を含む被覆層を有するものを、負極には低電位側で安定で容量を発現する活物質を含む被覆層を有するものを組み合わせることが望ましい。また、両極に同じ組成のものを使用することも可能である。
非水系電解液の具体例としては、有機系電解液やイオン液体などを挙げることができる。
このような構成とすることにより、セルの安全面やサイクル特性などの面で扱いやすいという利点がある。また、固体又はゲル状の電解質は、一般的には液体の電解質と比較してイオン伝導性が低いため、上述した優れた応答性を有する蓄電デバイス用電極と組み合わせることによる利点が大きい。
固体又はゲル状の電解質の具体例としては、高分子系、ゲル系、固体酸などを挙げることができる。
基材としてのタングステン金属平板を、雰囲気制御可能な電気炉内に配置し、酸素含有アルゴン気流中(酸素濃度:1体積%、流量:15cm3/分(1atm、25℃))、100℃まで昇温速度550℃/時で加熱した。
次いで、アルゴンガス気流中(流量:15cm3/分(1atm、25℃))、昇温速度550℃/時で1100℃まで加熱し、更に、1100℃で2時間保持した。なお、アルゴンガスの供給を200℃到達時に停止した。
しかる後、室温まで自然冷却して、本例の蓄電デバイス用電極(以下「サンプル1」という。)を得た。
サンプル1を目視で確認したところ、黄色であった。また、走査型電子顕微鏡(SEM)により観察したところ、形成されたウィスカーの平均長さは約30μm、得られた電極は、1cm×1cm、厚みが0.1mmであった。
アルゴンガスの供給を1100℃に達すると同時に停止したこと以外は、実施例1と同様の操作を繰り返して、本例の蓄電デバイス用電極(以下「サンプル2」という。)を得た。
サンプル2を目視で確認したところ、紫色であった。また、SEMにより観察したところ、形成されたウィスカーの平均長さは約30μm、得られた電極は、1cm×1cm、厚みが0.1mmであった。
アルゴンガスの供給を300℃に達すると同時に停止したこと以外は、実施例1と同様の操作を繰り返して、本例の蓄電デバイス用電極(以下「サンプル3」という。)を得た。
サンプル3を目視で確認したところ、緑がかった紺色であった。また、SEMにより観察したところ、形成されたウィスカーの平均長さは約30μm、得られた電極は、1cm×1cm、厚みが0.1mmであった。
基材としてのタングステン金属平板を、雰囲気制御可能な電気炉内に配置し、大気の状態から加熱を開始し、加熱開始直後からアルゴン(流量:300cm3/分(1atm、25℃))を供給しながら、昇温速度1100℃/時で1100℃まで加熱し、更に1100℃で8時間保持した。
しかる後、室温まで自然冷却して、本例の蓄電デバイス用電極(以下「サンプル4」ということがある。)を得た。
サンプル4を目視で確認したところ、紫色であった。また、SEMにより観察したところ、形成されたウィスカーの平均長さは約30μm、得られた電極は、1cm×1cm、厚みが0.1mmであった。
1100℃における保持時間を2時間としたこと以外は、実施例4と同様の操作を繰り返し、本例の蓄電デバイス用電極(以下「サンプル5」ということがある。)を得た。
サンプル5を目視で確認したところ、紺色であった。また、SEMにより観察したところ、形成されたウィスカーの平均長さは約30μm、得られた電極は、1cm×1cm、厚みが0.1mmであった。
黄色や紺色を示すサンプル1やサンプル3はフェルミ準位付近のごくわずかなピークしか確認されなかった。また、34eV付近にもピークは確認されなかった。
一方、同じ紺色を示すサンプル5はフェルミ準位付近に小さなピークが確認され、紫色を示すサンプル2及びサンプル4はフェルミ準位付近に明確なピークが確認された。
なお、図1において、サンプル1及びサンプル3においては、フェルミ準位付近のピーク強度が、5〜10eVの範囲内の最大ピークの強度に対して、2/43及び1/25であり、1/20未満であった。また、サンプル4においては、フェルミ準位付近のピーク強度が、5〜10eVの範囲内の最大ピークの強度に対して、4/15であり、1/5以上であった。更に、サンプル2及びサンプル5においては、フェルミ準位付近のピーク強度が、5〜10eVの範囲内の最大ピークの強度に対して、1/6及び1/11であり、1/20以上であった。
また、図2において、サンプル1及びサンプル3においては、34eVにおける強度が、36eVにおける強度に対して、1/37であり、1/20未満であった。また、サンプル4においては、34eVにおける強度が、36eVにおける強度に対して、5/11であり、1/5以上であった。更に、サンプル2及びサンプル5においては、34eVにおける強度が、36eVにおける強度に対して、5/17及び1/8であり、1/20以上であった。
黄色を示すサンプル1や紺色を示すサンプル3には特徴的なピークが存在するが、残りの3つのサンプルには殆ど特徴的なピークは確認されなかった。
このスペクトルから、紫色を示すサンプル2及びサンプル4は、500〜600nmの範囲内に最大ピークがあることが確認された。
実施例2の蓄電デバイス用電極は、サイクル耐久性能が非常に優れていることが分かる。また、電圧範囲を1.7〜3.0Vから1.5〜3.0Vの低電位側に広げた場合でも、劣化のないCV曲線を得ることができた。
一方、実施例5の蓄電デバイス用電極も、電圧範囲が1.7〜3.0Vにおいては、比較的安定なCV曲線を得ることができたが、電圧範囲を1.5〜3.0Vの低電位側に広げると、若干の劣化が生じることが確認された。
基材としてのタングステン金属平板を、雰囲気制御可能な電気炉内に配置し、酸素含有アルゴン気流中(酸素濃度:1体積%、流量:15cm3/分(1atm、25℃))、100℃まで昇温速度550℃/時で加熱した。
次いで、酸素含有アルゴンガス気流中(酸素濃度:0.05体積%、流量:15cm3/分(1atm、25℃))、昇温速度550℃/時で1100℃まで加熱し、更に、1100℃で2時間保持した。なお、保持後は電気炉の電流を止めて徐冷を行い、酸素含有アルゴンガスの供給を200℃到達時に停止した。
しかる後、室温まで自然冷却して、本例の蓄電デバイス用電極(以下「サンプル6」という。)を得た。
サンプル6を目視で確認したところ、紫色であった。また、SEMにより観察したところ、形成されたウィスカーの平均長さは約30μm、得られた電極は、1cm×1cm、厚みが0.1mmであった。
基材としてのタングステン金属平板を、雰囲気制御可能な電気炉内に配置し、酸素含有アルゴン気流中(酸素濃度:1体積%、流量:15cm3/分(1atm、25℃))、100℃まで昇温速度550℃/時で加熱した。
次いで、酸素含有アルゴンガス気流中(酸素濃度:0.1体積%、流量:15cm3/分(1atm、25℃))、昇温速度550℃/時で1100℃まで加熱し、更に、1100℃で2時間保持した。なお、保持後は電気炉の電流を止めて徐冷を行い、酸素含有アルゴンガスの供給を200℃到達時に停止した。
しかる後、室温まで自然冷却して、本例の蓄電デバイス用電極(以下「サンプル7」という。)を得た。
サンプル7を目視で確認したところ、紫色であった。また、SEMにより観察したところ、形成されたウィスカーの平均長さは約30μm、得られた電極は、1cm×1cm、厚みが0.1mmであった。
基材としてのタングステン金属平板を、雰囲気制御可能な電気炉内に配置し、酸素含有アルゴン気流中(酸素濃度:1体積%、流量:15cm3/分(1atm、25℃))、100℃まで昇温速度550℃/時で加熱した。
次いで、酸素含有アルゴンガス気流中(酸素濃度:0.4体積%、流量:15cm3/分(1atm、25℃))、昇温速度550℃/時で1100℃まで加熱し、更に、1100℃で2時間保持した。なお、保持後は電気炉の電流を止めて徐冷を行い、酸素含有アルゴンガスの供給を200℃到達時に停止した。
しかる後、室温まで自然冷却して、本例の蓄電デバイス用電極(以下「サンプル8」という。)を得た。
サンプル8を目視で確認したところ、紫色であった。また、SEMにより観察したところ、形成されたウィスカーの平均長さは約30μm、得られた電極は、1cm×1cm、厚みが0.1mmであった。
基材としてのタングステン金属平板を、雰囲気制御可能な電気炉内に配置し、酸素含有アルゴン気流中(酸素濃度:1体積%、流量:15cm3/分(1atm、25℃))、100℃まで昇温速度550℃/時で加熱した。
次いで、酸素含有アルゴンガス気流中(酸素濃度:0.6体積%、流量:15cm3/分(1atm、25℃))、昇温速度550℃/時で1100℃まで加熱し、更に、1100℃で2時間保持した。なお、保持後は電気炉の電流を止めて徐冷を行い、酸素含有アルゴンガスの供給を200℃到達時に停止した。
しかる後、室温まで自然冷却して、本例の蓄電デバイス用電極(以下「サンプル9」という。)を得た。
サンプル9を目視で確認したところ、紺色であった。また、SEMにより観察したところ、形成されたウィスカーの平均長さは約30μm、得られた電極は、1cm×1cm、厚みが0.1mmであった。
基材としてのタングステン金属平板を、雰囲気制御可能な電気炉内に配置し、酸素含有アルゴン気流中(酸素濃度:1体積%、流量:15cm3/分(1atm、25℃))、100℃まで昇温速度550℃/時で加熱した。
次いで、酸素含有アルゴンガス気流中(酸素濃度:0.8体積%、流量:15cm3/分(1atm、25℃))、昇温速度550℃/時で1100℃まで加熱し、更に、1100℃で2時間保持した。なお、保持後は電気炉の電流を止めて徐冷を行い、酸素含有アルゴンガスの供給を200℃到達時に停止した。
しかる後、室温まで自然冷却して、本例の蓄電デバイス用電極(以下「サンプル10」という。)を得た。
サンプル10を目視で確認したところ、緑がかった紺色であった。また、SEMにより観察したところ、形成されたウィスカーの平均長さは約30μm、得られた電極は、1cm×1cm、厚みが0.1mmであった。
これらのセルに対し、1.2〜3Vの範囲で充放電を行った。まず、10mA/cm2で高速充放電を2回行い、2回目の放電容量を測定した。次に、1mA/cm2で充放電を100回繰り返し、100サイクル後の容量維持率を測定した。
得られた結果を表1、図7〜図10に示す。
表1及び図7において、フェルミ準位近傍ピーク強度比とは、5〜10eVの範囲内のピークの強度に対するフェルミ準位から1eV以内のピークの強度の比を意味する。
また、表1及び図8において、34eV/36eVピーク強度比とは、35〜36eVの範囲内のピークの36eVにおける強度に対する33〜34eVの範囲内のピークの34eVにおける強度の比を意味する。
更に、表1及び図9において、非対称性指数αとは、Doniach−Sunjic式におけるパラメータを意味する。
更にまた、表1及び図10において、O1sピーク1/4値幅とは、525〜535eVの範囲内のピークにおけるピークの下1/4値幅を意味する。
Claims (14)
- タングステン酸化物を含むファイバー及び/又はウィスカーからなる多孔質層を有する蓄電デバイス用電極であって、
上記タングステン酸化物を含むファイバー及び/又はウィスカーのX線光電子分光分析による価電子帯光電子スペクトルが、そのフェルミ準位から1eV以内にピークを有する、ことを特徴とする蓄電デバイス用電極。 - 上記タングステン酸化物を含むファイバー及び/又はウィスカーのX線光電子分光分析による価電子帯光電子スペクトルが、そのフェルミ準位において上記ピークの立ち上がりが開始されており、且つ、上記ピークの強度が、5〜10eVの範囲内のピークの強度に対して1/20以上である、ことを特徴とする請求項1に記載の蓄電デバイス用電極。
- 上記タングステン酸化物を含むファイバー及び/又はウィスカーのX線光電子分光分析によるW4f光電子スペクトルが、33〜34eVの範囲内及び35〜36eVの範囲内の双方にピークを有する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の蓄電デバイス用電極。
- 33〜34eVの範囲内のピークの34eVにおける強度が、35〜36eVの範囲内のピークの36eVにおける強度に対して1/20以上である、ことを特徴とする請求項3に記載の蓄電デバイス用電極。
- 33〜34eVの範囲内のピークの34eVにおける強度が、35〜36eVの範囲内のピークの36eVにおける強度に対して1/10以上である、ことを特徴とする請求項4に記載の蓄電デバイス用電極。
- 上記タングステン酸化物を含むファイバー及び/又はウィスカーの可視光分光分析による反射スペクトルのクベルカ−ムンク変換によるスペクトルが、500〜600nmの範囲内に最大ピークを有する、ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つの項に記載の蓄電デバイス用電極。
- 上記タングステン酸化物を含むファイバー及び/又はウィスカーのX線光電子分光分析による525〜535eVの範囲内のピークをDoniach−Sunjic式により最小二乗近似させたとき、非対称性指数αが0.07以上である、ことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つの項に記載の蓄電デバイス用電極。
- 上記タングステン酸化物を含むファイバー及び/又はウィスカーのX線光電子分光分析による525〜535eVの範囲内のピークにおけるピークの下1/4値幅が2.5〜4.0eVである、ことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つの項に記載の蓄電デバイス用電極。
- 上記タングステン酸化物を含むファイバー及び/又はウィスカーからなる多孔質層が、タングステンを含む金属又はセラミックの基材上に形成されている、ことを特徴とする請求項1〜8のいずれか1つの項に記載の蓄電デバイス用電極。
- 上記基材が、その表面に上記タングステン酸化物を含むウィスカー又はファイバーの構成金属を含む金属層を備えていることを特徴とする請求項9に記載の蓄電デバイス用電極。
- 請求項1〜10のいずれか1つの項に記載の蓄電デバイス用電極と、電解質と、を備えていることを特徴とする蓄電デバイス。
- 上記電解質が、非水系電解液であることを特徴とする請求項11に記載の蓄電デバイス。
- 上記電解質が、固体又はゲル状体であることを特徴とする請求項11に記載の蓄電デバイス。
- 請求項1〜10のいずれか1つの項に記載の蓄電デバイス用電極の製造方法であって、
タングステン酸化物を含むファイバー及び/又はウィスカーの構成金属を含む原料又は基材原料を、微量の酸素存在下で加熱処理して、タングステン酸化物を含むファイバー及び/又はウィスカーを形成する、ことを特徴とする蓄電デバイス用電極の製造方法。
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