JP2010217252A - 電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置の駆動方法 - Google Patents

Abstract

【課題】１フレーム期間で表現できる階調数を飛躍的に高めることが可能な電気泳動表示装置、電子機器、電気泳動表示装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】電気泳動表示装置は、フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割され、サブフィールド期間ごとに画素電極と対向電極との間に印加される駆動電圧を、オン電圧およびオフ電圧のいずれか一方から選択することで、電気光学層の透過光を制御して複数の階調を表示する。電気泳動表示装置の駆動回路は、表示される階調に応じて、フレーム期間におけるオン電圧の印加期間とオフ電圧の印加期間との比率、並びにオン電圧及びオフ電圧の配列を決定する。ここで、正極性電圧の絶対値と負極性電圧の絶対値とは、互いに異なっている。
【選択図】図１８

Description

本発明は、電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置の駆動方法に関する。

電気光学装置の一例として、液晶装置について説明する。
従来から、液晶表示装置の駆動方法として、サブフィールド駆動が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００７−１４８４１７号公報

サブフィールド駆動では、１フレーム期間が、複数のサブフィールド期間に分割される。液晶のオン状態及びオフ状態は、サブフィールドごとに制御される。これにより、液晶装置での階調表示が実現され得る。

ところで、上記特許文献１には、１フレームごとにデータ書き込み極性を反転させること、それぞれの極性で等しい駆動電圧が印加されることが記載されている。

また、上記特許文献１には、１フレーム期間の透過光の積分値が階調データと対応するように、オン電圧およびオフ電圧が決定されることが記載されている。一般的に、１フレーム期間のサブフィールド数が多いほど、表現できる階調数が多くなることが知られている。

しかしながら、従来の液晶装置では、さらなる階調数の増大が困難であるという課題があった。

本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。

《適用例１》走査線とデータ線との交点に対応して設けられたスイッチングトランジスターと、該スイッチングトランジスターに接続され、該データ線から該スイッチングトランジスターを介して電位が供給される画素電極と、対向電極と、該画素電極と該対向電極との間に発生する電界が印加される電気光学層と、該走査線及び該データ線を駆動する駆動回路と、を有し、フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割され、該サブフィールド期間ごとに、前記電界を発生させるために前記画素電極と前記対向電極との間に印加される駆動電圧を、オン電圧およびオフ電圧のいずれか一方から選択することで、前記電気光学層の透過光を制御して複数の階調を表示する電気光学装置であって、前記オン電圧は、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より高い場合の前記駆動電圧である正極性電圧、又は前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より低い場合の前記駆動電圧である負極性電圧から選択され、前記オフ電圧は、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位と略等しい場合の前記駆動電圧であり、前記駆動回路は、表示される前記階調に応じて、前記フレーム期間における前記オン電圧の印加期間と前記オフ電圧の印加期間との比率、並びに、前記複数のサブフィールド期間のうち前記オン電圧が印加されるサブフィールド期間の配列及び前記オフ電圧が印加されるサブフィールド期間の配列を決定し、前記正極性電圧の絶対値と前記負極性電圧の絶対値とが互いに異なっていることを特徴とする電気光学装置。

この電気光学装置では、正極性電圧が印加されるサブフィールドと、負極性電圧が印加されるサブフィールドとで、互いに異なる絶対値の駆動電圧を液晶に印加することができる。
これにより、この電気光学装置では、正極性期間と負極性期間とで、異なる透過率とすることができるので、表現できる階調数を高めることができる。電気光学装置を透過する光量（透過率）は、電気光学層の応答状態によって決定され、この応答状態は、印加される駆動電圧に応じて異なる状態となる。したがって、正極性期間と負極性期間とで異なる駆動電圧を印加することで、正極性期間と負極性期間とで透過率が異なることとなり、正極性期間と負極性期間とで駆動電圧及び透過率を等しくする構成に比べ、正極性期間と負極性期間とを合わせたフレーム期間全体の透過率を細かく調整することが可能となる。これにより、従来表現できなかった透過率を実現できる。

《適用例２》上記適用例に記載の前記電気光学装置において、前記フレーム期間は、前記正極性電圧が前記オン電圧として選択される複数の正極性期間と、前記負極性電圧が前記オン電圧として選択される複数の負極性期間とを有し、前記正極性期間に含まれる前記サブフィールド期間の長さと、前記負極性期間に含まれる前記サブフィールド期間の長さとは、互いに異なることが好ましい。

《適用例３》上記適用例に記載の電気光学装置において、前記正極性期間に含まれる前記サブフィールド期間は、前記負極性期間に含まれる前記サブフィールド期間より長く、前記正極性電圧の絶対値は、前記負極性電圧の絶対値より小さいことが好ましい。

《適用例４》上記適用例に記載の電気光学装置において、前記正極性期間に含まれる前記サブフィールド期間は、前記負極性期間に含まれる前記サブフィールド期間より短く、前記正極性電圧の絶対値は、前記負極性電圧の絶対値より大きいことが好ましい。

このような構成によれば、正極性期間に含まれるサブフィールド期間と負極性期間に含まれるサブフィールド期間とでオン電圧の実効値をより近づけること、又は等しくすることが可能となり、焼き付きを効果的に低減することができる。

《適用例５》上記適用例に記載の電気光学装置において、前記フレーム期間には、前記正極性電圧が前記オン電圧として選択される前記サブフィールド期間と、前記負極性電圧が前記オン電圧として選択される前記サブフィールド期間と、が交互に配置されていることが好ましい。このような構成によれば、隣り合う複数のサブフィールド期間にわたってオン電圧が印加された場合に、当該複数のサブフィールド期間が正極性期間で始まるか負極性期間で始まるかによって透過率を変えることができる。

《適用例６》上記適用例に記載の電気光学装置において、前記駆動回路は、前記オン電圧が印加される複数のサブフィールド期間の個数が互いに等しい第１の前記フレーム期間と第２の前記フレーム期間において、前記第１のフレーム期間における透過光の積分値が第１の前記階調に対応し、前記第２のフレーム期間における透過光の積分値が前記第１の階調とは異なる第２の前記階調に対応するように、前記オン電圧が印加される前記複数のサブフィールド期間を配置することが好ましい。

《適用例７》前記電気光学装置においては、前記第１のフレーム期間において、前記正極性電圧からなる前記オン電圧が印加される第１のサブフィールド期間における前記電気光学層の応答と、前記負極性電圧からなる前記オン電圧が印加される第２のサブフィールド期間における前記電気光学層の応答とは、互いに影響を及ぼしあい、前記第２のフレーム期間において、前記正極性電圧からなる前記オン電圧が印加される第３のサブフィールド期間における前記電気光学層の応答と、前記負極性電圧からなる前記オン電圧が印加される第４のサブフィールド期間における前記電気光学層の応答とは、互いに影響を及ぼしあい、前記第１のサブフィールド期間は前記第２のサブフィールド期間よりも時間的に早い位置に配置され前記第３のサブフィールド期間は前記第４のサブフィールド期間よりも時間的に遅い位置に配置されることが好ましい。

《適用例８》上記適用例に記載の電気光学装置を具備したことを特徴とする電子機器。

《適用例９》走査線とデータ線との交点に対応して設けられたスイッチングトランジスターと、該スイッチングトランジスターに接続され、該データ線から該スイッチングトランジスターを介して電位が供給される画素電極と、対向電極と、該画素電極と該対向電極との間に発生する電界が印加される電気光学層と、該走査線及び該データ線を駆動する駆動回路と、を有し、フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割され、該サブフィールド期間ごとに、前記電界を発生させるために前記画素電極と前記対向電極との間に印加される駆動電圧を、オン電圧およびオフ電圧のいずれか一方から選択することで、前記電気光学層の透過光を制御して複数の階調を表示する電気光学装置の駆動方法であって、前記オン電圧は、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より高い場合の前記駆動電圧である正極性電圧、又は前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より低い場合の前記駆動電圧である負極性電圧から選択され、前記オフ電圧は、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位と略等しい場合の前記駆動電圧であり、表示される前記階調に応じて、前記フレーム期間における前記オン電圧の印加期間と前記オフ電圧の印加期間との比率、並びに、前記複数のサブフィールド期間のうち前記オン電圧が印加されるサブフィールド期間の配列及び前記オフ電圧が印加されるサブフィールド期間の配列が決定され、前記正極性電圧の絶対値と前記負極性電圧の絶対値とが互いに異なっていることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。

本実施形態におけるプロジェクターの主要構成を示すブロック図。 本実施形態におけるプロジェクターの画像形成部の主要構成を示す図。 本実施形態におけるプロジェクターの画像形成パネルを示す斜視図。 図３中のＡ−Ａ線における断面図。 本実施形態での液晶パネル駆動回路と液晶パネルとを示すブロック図。 本実施形態での画像形成パネルにおける複数の画素の一部を示す平面図。 本実施形態での液晶パネルの図６中のＣ−Ｃ線における断面図。 図７中のＴＦＴ素子の拡大図。 本実施形態での半導体層、信号線及び走査線の配置を説明する平面図。 本実施形態での画素電極の配置を説明する平面図。 本実施形態での走査線駆動回路を説明する回路図。 本実施形態でのサブフィールド期間を説明するタイミングチャート。 本実施形態での選択信号を説明するタイミングチャート。 本実施形態での選択信号を説明するタイミングチャート。 本実施形態での信号線駆動回路を説明するブロック図。 本実施形態での画像データサブフィールド駆動データ変換ＬＵＴを示す図。 本実施形態での正極性期間と負極性期間とを説明するタイミングチャート。 本実施形態での駆動電圧と液晶応答の例。 本実施形態の電気光学装置が適用された電子機器の斜視図。

実施形態について、電子機器の１つであるプロジェクターを例に、図面を参照しながら説明する。
本実施形態におけるプロジェクター１は、主要構成を示すブロック図である図１に示すように、光学系３と、制御回路５と、電源部７と、を有している。プロジェクター１は、図示しない外部装置から入力される画像信号に応じた画像を、光学系３を介してスクリーン８などに投射することができる。

光学系３は、画像信号に基づいた画像を形成し、形成した画像をスクリーン８などに投射する。制御回路５は、画像信号に基づいて光学系３の駆動を制御する。
なお、プロジェクター１では、外部電源９から入力される電力が、電源部７によって直流電力に変換される。光学系３や制御回路５などには、電源部７から直流電力が供給される。

光学系３は、ランプ１１と、画像形成部１３と、投射レンズ部１５と、を有している。
ランプ１１は、画像形成部１３や投射レンズ部１５を経てスクリーン８に向けて射出される投射光１７を発生する。ランプ１１としては、例えば、高圧水銀ランプやメタルハライドランプなどが採用され得る。

画像形成部１３は、後述する液晶パネルなどを有している。画像形成部１３は、制御回路５から入力される画像データなどに基づいて液晶パネルに画像を形成する。画像形成部１３には、ランプ１１からの光が照射される。このため、画像形成部１３に形成された画像は、ランプ１１からの光によって投射レンズ部１５に投影される。

投射レンズ部１５には、ランプ１１からの光が画像形成部１３を経て入射される。投射レンズ部１５は、入射された光を広げる方向に屈折させて、投射光１７として射出する。このため、画像形成部１３に形成された画像は、拡大された状態でスクリーン８に投射され得る。

制御回路５は、制御部２１と、画像処理部２３と、液晶パネル駆動回路２５と、を有している。
制御部２１は、例えば、マイクロコンピューターで構成され、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２７と、メモリー部２９と、を有している。
ＣＰＵ２７は、メモリー部２９に格納されている制御プログラムに従って、プロジェクター１の動作を統括制御する。メモリー部２９は、フラッシュメモリー等のＲＯＭ（Read Only Memory）や、ＲＡＭ（Random Access Memory）等を含んでいる。ＲＯＭには、ＣＰＵ２７が実行する制御プログラムなどが格納されている。ＲＡＭは、ＣＰＵ２７によって実行される制御プログラムを一時的に展開したり、各種設定値等を一時的に格納したりする。

画像処理部２３には、画像信号が入力される。画像処理部２３は、制御部２１からの指示に基づいて、画像信号に種々の処理を施す。また、画像処理部２３は、画像信号を画像データに変換する。画像信号から変換された画像データは、液晶パネル駆動回路２５に出力される。
なお、画像処理部２３が画像信号に施す処理としては、各種の画質調整や、メニュー、メッセージ等のＯＳＤ（オンスクリーンディスプレー）画像を合成する処理などが挙げられる。また、各種の画質調整としては、解像度変換、輝度調整、コントラスト調整、シャープネス調整などが挙げられる。
液晶パネル駆動回路２５は、入力された画像データに応じて、画像形成部１３の駆動を制御する。

ここで、画像形成部１３の構成について、詳細を説明する。
画像形成部１３は、主要構成を示す図である図２に示すように、分光部３１と、画像形成パネル３３と、クロスダイクロイックプリズム３５と、を有している。
分光部３１には、ランプ１１からの光４１が入射される。分光部３１は、光４１から、赤系（Ｒ）の色の光４１Ｒ、緑系（Ｇ）の色の光４１Ｇ、及び青系（Ｂ）の色の光４１Ｂのそれぞれを分離する。

ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光４１Ｒは、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光４１Ｇは、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光４１Ｂは、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。

分光部３１は、ダイクロイックミラー４３と、ダイクロイックミラー４５と、反射ミラー４７と、反射ミラー４８と、反射ミラー４９と、を有している。光４１は、光軸５１ａに沿って分光部３１に入射する。
ダイクロイックミラー４３は、光軸５１ａと交差する位置に設けられている。ダイクロイックミラー４３は、光軸５１ａの方向に対して傾斜している。ダイクロイックミラー４３は、光４１のうちで、Ｒの光４１Ｒを透過させ、Ｇの光４１Ｇ及びＢの光４１Ｂを反射させることができる。

従って、ダイクロイックミラー４３によって、光４１からＲの光４１Ｒが分離され得る。他方で、Ｇの光４１Ｇ及びＢの光４１Ｂが混合した光５３が、ダイクロイックミラー４３によって、光４１から分離され得る。
ダイクロイックミラー４３を透過した光４１Ｒは、光軸５１ａに沿って反射ミラー４７へ導かれる。
他方で、ダイクロイックミラー４３によって反射された光５３は、光軸５１ａが光軸５１ｂに変えられてから、ダイクロイックミラー４５へ導かれる。

ダイクロイックミラー４５は、光軸５１ｂと交差する位置に設けられている。ダイクロイックミラー４５は、光軸５１ｂの方向に対して傾斜している。ダイクロイックミラー４５は、光５３のうちで、Ｂの光４１Ｂを透過させ、Ｇの光４１Ｇを反射させることができる。従って、ダイクロイックミラー４５によって、光５３からＧの光４１ＧとＢの光４１Ｂとが分離され得る。
ダイクロイックミラー４５を透過した光４１Ｂは、光軸５１ｂに沿って反射ミラー４８へ導かれる。
他方で、ダイクロイックミラー４５によって反射された光４１Ｇは、光軸５１ｂが光軸５１ｃに変えられる。

反射ミラー４７は、光４１Ｒの光軸５１ａと交差する位置に設けられている。反射ミラー４７は、光軸５１ａの方向に対して傾斜している。光４１Ｒは、反射ミラー４７で反射することによって、光軸５１ａが光軸５１ｄに変えられる。
反射ミラー４８は、光４１Ｂの光軸５１ｂと交差する位置に設けられている。反射ミラー４８は、光軸５１ｂの方向に対して傾斜している。光４１Ｂは、反射ミラー４８によって光軸５１ｂが光軸５１ｅに変えられてから、反射ミラー４９に導かれる。
反射ミラー４９は、光４１Ｂの光軸５１ｅと交差する位置に設けられている。反射ミラー４９は、光軸５１ｅの方向に対して傾斜している。光４１Ｂは、反射ミラー４９で反射することによって、光軸５１ｅが光軸５１ｆに変えられる。

クロスダイクロイックプリズム３５は、光軸５１ｃ、光軸５１ｄ及び光軸５１ｆの交点に重なる位置に設けられている。クロスダイクロイックプリズム３５は、面３５ａと、面３５ｂと、面３５ｃと、面３５ｄと、を有している。
面３５ａは、反射ミラー４７側に向けられている。面３５ｂは、ダイクロイックミラー４５側に向けられている。面３５ｃは、反射ミラー４９側に向けられている。

画像形成パネル３３は、光４１Ｒ、光４１Ｇ及び光４１Ｂごとに設けられている。つまり、プロジェクター１は、光４１Ｒに対応する画像形成パネル３３と、光４１Ｇに対応する画像形成パネル３３と、光４１Ｂに対応する画像形成パネル３３と、を有している。なお、以下において、画像形成パネル３３を光４１Ｒ、光４１Ｇ及び光４１Ｂごとに識別する場合には、画像形成パネル３３は、画像形成パネル３３Ｒ、画像形成パネル３３Ｇ及び画像形成パネル３３Ｂと表記される。
画像形成パネル３３Ｒ、画像形成パネル３３Ｇ及び画像形成パネル３３Ｂは、相互に同じ仕様の画像形成パネル３３が採用され得る。

画像形成パネル３３Ｒは、面３５ａと反射ミラー４７との間において、光軸５１ｄに交差する位置に設けられている。画像形成パネル３３Ｒは、面３５ａに対向している。
画像形成パネル３３Ｇは、面３５ｂとダイクロイックミラー４５との間において、光軸５１ｃに交差する位置に設けられている。画像形成パネル３３Ｇは、面３５ｂに対向している。
画像形成パネル３３Ｂは、面３５ｃと反射ミラー４９との間において、光軸５１ｆに交差する位置に設けられている。画像形成パネル３３Ｂは、面３５ｃに対向している。

ここで、画像形成パネル３３は、透過型の液晶パネルをライトバルブとして有している。
液晶パネルは、後述する複数の画素と、画素ごとに駆動が制御される液晶と、を有している。液晶パネルは、複数の画素に入射された光の偏光状態を、画素ごとに変化させることができる。なお、液晶パネルについては、詳細を後述する。
画像形成パネル３３では、液晶パネルの複数の画素に入射された光の偏光状態を画素ごとに変化させることによって、画像形成パネル３３を透過した光で画像を形成することができる。

画像形成パネル３３を透過した光は、クロスダイクロイックプリズム３５に導かれる。
画像形成パネル３３Ｒを透過した光４１Ｒは、面３５ａからクロスダイクロイックプリズム３５に入射する。
画像形成パネル３３Ｇを透過した光４１Ｇは、面３５ｂからクロスダイクロイックプリズム３５に入射する。
画像形成パネル３３Ｂを透過した光４１Ｂは、面３５ｃからクロスダイクロイックプリズム３５に入射する。
このため、面３５ａには、Ｒの画像が投影され、面３５ｂには、Ｇの画像が投影され、面３５ｃには、Ｂの画像が投影され得る。

クロスダイクロイックプリズム３５に入射した光４１Ｒ、光４１Ｇ及び光４１Ｂは、クロスダイクロイックプリズム３５によって合成される。つまり、クロスダイクロイックプリズム３５によって、Ｒの画像、Ｇの画像及びＢの画像が合成され得る。
クロスダイクロイックプリズム３５によって合成された光４１Ｒ、光４１Ｇ及び光４１Ｂは、画像光５５としてクロスダイクロイックプリズム３５の面３５ｄから射出される。

面３５ｄから射出された画像光５５は、投射レンズ部１５へ導かれてから、投射レンズ部１５に入射する。投射レンズ部１５に入射した画像光５５は、投射光１７（図１）としてスクリーン８などに投射される。

ここで、画像形成パネル３３の構成について、詳細を説明する。
画像形成パネル３３は、図３に示すように、液晶パネル６１と、位相差板６２と、位相差板６３と、偏光板６４ａと、偏光板６４ｂと、を有している。
ここで、画像形成パネル３３には、複数の画素６５が設定されている。複数の画素６５は、領域６７内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリックスＭを構成している。
図３では、構成をわかりやすく示すため、画素６５が誇張され、且つ画素６５の個数が減じられている。
なお、Ｘ方向は、後述する走査線が延在する方向でもある。Ｙ方向は、後述する信号線が延在する方向でもある。

プロジェクター１では、画像形成パネル３３は、偏光板６４ｂ側の面６９が、図２に示すクロスダイクロイックプリズム３５側に向けられている。画像形成パネル３３では、面６９側に画像が形成（表示）される。従って、以下においては、面６９は、表示面６９と表記される。
領域６７は、画像が形成（表示）される領域に相当する。このため、以下において、領域６７は、表示領域６７と表記される。

液晶パネル６１は、図３中のＡ−Ａ線における断面図である図４に示すように、素子基板７１と、対向基板７３と、液晶７５と、シール材７７と、を有している。
素子基板７１には、表示面６９側すなわち液晶７５側に、複数の画素６５のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
対向基板７３は、素子基板７１よりも表示面６９側で素子基板７１に対向し、且つ素子基板７１との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板７３には、面７９側すなわち液晶７５側に、後述する対向電極などが設けられている。なお、面７９は、画像形成パネル３３における表示面６９とは反対側の底面に相当している。このため、以下において、面７９は、底面７９と表記される。

液晶７５は、素子基板７１及び対向基板７３の間に挟持されており、液晶パネル６１の周縁よりも内側で表示領域６７を囲むシール材７７によって、素子基板７１及び対向基板７３の間に封止されている。本実施形態では、液晶７５の配向方式として、ＶＡ（Vertical Alignment）型の配向方式が採用されている。

位相差板６２は、素子基板７１よりも底面７９側、すなわち液晶７５側とは反対側に設けられている。
位相差板６３は、対向基板７３よりも表示面６９側、すなわち液晶７５側とは反対側に設けられている。画像形成パネル３３では、位相差板６２及び位相差板６３は、それぞれ、入射された光に対して位相差を付与することで、画像形成パネルへ入射する光、ならびに画像形成パネルから出射する光の偏光状態を最適化することができる。

偏光板６４ａは、素子基板７１の底面７９側に設けられている。偏光板６４ｂは、位相差板６３の表示面６９側に設けられている。偏光板６４ａ及び偏光板６４ｂは、それぞれ、透過軸に沿った偏光軸を有する直線偏光を透過させることができる。
また、液晶パネル６１は、液晶パネル駆動回路２５と液晶パネル６１とを示すブロック図である図５に示すように、走査線駆動回路８１と、信号線駆動回路８３と、をも有している。液晶パネル駆動回路２５と液晶パネル６１とは、それぞれ、電気光学装置の一例としての液晶装置８５の構成要素の１つである。

マトリックスＭでは、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の画素６５が、図６に示すように、１つの画素列８７を構成している。また、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素６５が、１つの画素行８８を構成している。

ここで、液晶パネル６１の素子基板７１及び対向基板７３のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板７１は、図６中のＣ−Ｃ線における断面図である図７に示すように、第１基板９３と、素子層９２とを有している。
第１基板９３は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面６９側に向けられた第１面９３ａと、底面７９側に向けられた第２面９３ｂとを有している。

素子層９２は、第１基板９３の第１面９３ａに設けられている。素子層９２には、絶縁膜９５と、絶縁膜９７と、絶縁膜９９と、配向膜１０１とが含まれている。また、素子層９２には、図５に示すように、画素６５ごとに、スイッチング素子の１つであるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子１０３と、画素電極１０５と、図示しない容量素子と、が含まれている。

絶縁膜９５は、図７に示すように、第１基板９３の第１面９３ａに設けられている。絶縁膜９７は、絶縁膜９５の表示面６９側に設けられている。絶縁膜９９は、絶縁膜９７の表示面６９側に設けられている。画素電極１０５は、絶縁膜９９の表示面６９側に設けられている。配向膜１０１は、画素電極１０５の表示面６９側に設けられている。
なお、絶縁膜９５の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜９５の材料として、酸化シリコンが採用されている。

ＴＦＴ素子１０３と、画素電極１０５とは、それぞれ、各画素６５に対応して設けられている。
ＴＦＴ素子１０３は、拡大図である図８に示すように、半導体層１０９と、ゲート電極１１１と、を有している。半導体層１０９は、絶縁膜９５の表示面６９側に設けられている。半導体層１０９は、ゲート絶縁膜１１３によって表示面６９側から覆われている。

半導体層１０９としては、例えば、単結晶シリコンや、多結晶シリコン、非晶質シリコンなどが採用され得る。本実施形態では、半導体層１０９として、多結晶シリコンが採用されている。
ゲート絶縁膜１１３の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、ゲート絶縁膜１１３の材料として、酸化シリコンが採用されている。

ゲート電極１１１は、ゲート絶縁膜１１３を挟んで半導体層１０９に対向する位置に設けられている。
ゲート電極１１１の材料としては、例えば、多結晶シリコンなどにイオンなどを注入したものなどが採用され得る。また、ゲート電極１１１の材料として、モリブデン、タングステン、タンタル、クロムなどの金属や、これらを含む合金なども採用され得る。モリブデンやタングステンなどを含む合金としては、例えば、モリブデンシリサイドや、タングステンシリサイドなどが挙げられる。
本実施形態では、ゲート電極１１１として、多結晶シリコンにイオンなどを注入した所謂ポリシリコンゲートが採用されている。

本実施形態では、半導体層１０９は、チャネル領域１０９ａと、ソース領域１０９ｂと、ドレイン領域１０９ｃと、を有している。
チャネル領域１０９ａは、平面視でゲート電極１１１に重なっている。ソース領域１０９ｂ及びドレイン領域１０９ｃは、それぞれ、平面視でチャネル領域１０９ａの外側に設けられている。チャネル領域１０９ａは、ソース領域１０９ｂとドレイン領域１０９ｃとの間に設けられている。
なお、半導体層１０９としては、チャネル領域１０９ａとソース領域１０９ｂとの間や、チャネル領域１０９ａとドレイン領域１０９ｃとの間に、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域を設けた構成も採用され得る。

上記の構成を有するＴＦＴ素子１０３は、絶縁膜９７によって表示面６９側から覆われている。絶縁膜９７の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜９７の材料として、酸化シリコンが採用されている。
絶縁膜９７及びゲート絶縁膜１１３には、コンタクトホール１１５ａと、コンタクトホール１１５ｂと、が設けられている。
コンタクトホール１１５ａは、ソース領域１０９ｂに及んでいる。コンタクトホール１１５ｂは、ドレイン領域１０９ｃに及んでいる。コンタクトホール１１５ａ内には、ソース電極１１７が設けられている。コンタクトホール１１５ｂ内には、ドレイン電極１１９が設けられている。

絶縁膜９７の表示面６９側には、図７に示すように、信号線Ｓが設けられている。信号線Ｓは、平面視でソース電極１１７に重なる位置に設けられている。信号線Ｓとソース電極１１７とは、互いに電気的につながっている。信号線Ｓは、ソース電極１１７を介して半導体層１０９のソース領域１０９ｂ（図８）に電気的につながっている。信号線Ｓは、図７に示すように、絶縁膜９９によって表示面６９側から覆われている。絶縁膜９９の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜９９の材料として、酸化シリコンが採用されている。

ここで、図８に示すコンタクトホール１１５ｂは、絶縁膜９９の表示面６９側に及んでいる。ドレイン電極１１９は、図７に示すように、絶縁膜９９の表示面６９側に及んでいる。画素電極１０５とドレイン電極１１９とは、互いに電気的につながっている。画素電極１０５は、ドレイン電極１１９を介して半導体層１０９のドレイン領域１０９ｃ（図８）に電気的につながっている。
画素電極１０５としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）や、インジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide）などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、画素電極１０５の材料として、ＩＴＯが採用されている。

画素電極１０５は、図７に示すように、配向膜１０１によって表示面６９側から覆われている。
配向膜１０１の材料としては、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、配向膜１０１の材料として、ポリイミドが採用されている。なお、配向膜１０１には、表示面６９側に配向処理が施されている。

対向基板７３は、第２基板１２１と、対向層１２２とを有している。第２基板１２１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面６９側に向けられた外向面１２１ａと、底面７９側に向けられた対向面１２１ｂとを有している。
対向層１２２は、第２基板１２１の対向面１２１ｂに設けられている。対向層１２２には、絶縁膜１２３と、対向電極１２５と、配向膜１２７と、が含まれている。
絶縁膜１２３は、第２基板１２１の対向面１２１ｂに設けられている。絶縁膜１２３の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜１２３の材料として、酸化シリコンが採用されている。

対向電極１２５は、絶縁膜１２３の底面７９側に設けられている。対向電極１２５の材料としては、例えばＩＴＯやインジウム亜鉛酸化物などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、対向電極１２５の材料として、ＩＴＯが採用されている。
対向電極１２５は、マトリックスＭを構成する複数の画素６５（図３）にわたって一連した状態で設けられている。対向電極１２５は、マトリックスＭを構成する複数の画素６５に対して共通して機能する。
なお、本実施形態では、画素６５の領域は、図７に示すように、１つの画素電極１０５と、対向電極１２５とが重なり合う領域であると定義され得る。

配向膜１２７は、対向電極１２５の底面７９側に設けられている。対向電極１２５は、配向膜１２７によって底面７９側から覆われている。配向膜１２７の材料としては、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、配向膜１２７の材料として、ポリイミドが採用されている。配向膜１２７には、底面７９側に配向処理が施されている。

ここで、Ｙ方向に並ぶ複数のソース電極１１７は、図９に示すように、信号線Ｓを介して、画素列８７（図５）単位で相互に電気的につながっている。
また、Ｘ方向に並ぶ複数のゲート電極１１１は、図９に示すように、走査線Ｔを介して、画素行８８（図５）単位で相互に電気的につながっている。
複数の信号線Ｓは、それぞれＹ方向に延びており、Ｘ方向に並んでいる。Ｘ方向に隣り合う信号線Ｓ同士の間には、隙間が設けられている。
複数の走査線Ｔは、それぞれＸ方向に延びており、Ｙ方向に並んでいる。Ｙ方向に隣り合う走査線Ｔ同士の間には、隙間が設けられている。

本実施形態では、図示しないが、Ｘ方向に沿って延在する容量線が設けられている。容量線は、走査線Ｔに対応して、すなわち画素行８８（図５）ごとに設けられている。
本実施形態では、容量線は、図７に示す絶縁膜９５の表示面６９側に設けられており、絶縁膜９７によって表示面６９側から覆われている。容量線の材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。なお、容量線とゲート電極１１１（走査線Ｔ）とは、図９に示すＹ方向に隙間をあけた状態で並んでいる。

画素６５は、複数の信号線Ｓと、複数の走査線Ｔとの各交差に対応して設定されている。
画素電極１０５は、図１０に示すように、互いに隣り合う信号線Ｓと、互いに隣り合う走査線Ｔとによって囲まれる領域に重なっている。なお、本実施形態では、画素電極１０５は、周縁部が信号線Ｓ及び走査線Ｔに重なっている。また、画素電極１０５は、容量線に重なっている。
これにより、液晶パネル６１では、容量線と画素電極１０５との間に、図５に示す容量素子が形成される。
なお、図７に示すＴＦＴ素子１０３の断面は、図１０中のＨ−Ｈ線における断面に相当している。

本実施形態では、液晶パネル６１は、図５に示すように、ｎ本（ｎは、１以上の整数）の走査線Ｔと、ｍ本（ｍは、１以上の整数）の信号線Ｓとを有している。なお、以下においてｎ本の走査線Ｔが個々に識別される場合に、走査線Ｔ（ｉ）という表記が用いられる。ｉは、１以上且つｎ以下の整数である。また、ｍ本の信号線Ｓが個々に識別される場合に、信号線Ｓ（ｊ）という表記が用いられる。ｊは、１以上且つｍ以下の整数である。

素子基板７１及び対向基板７３の間に介在する液晶７５は、図７に示すように、配向膜１０１と配向膜１２７との間に介在している。
本実施形態では、図４に示すシール材７７は、図７に示す第１基板９３の第１面９３ａと、第２基板１２１の対向面１２１ｂとによって挟持されている。つまり、液晶パネル６１では、液晶７５は、第１基板９３及び第２基板１２１によって保持されている。なお、シール材７７は、配向膜１０１及び配向膜１２７の間に設けられていてもよい。この場合、液晶７５は、素子基板７１及び対向基板７３に保持されているとみなされ得る。

液晶７５は、図７に示すように、Ｌ１なる厚みに設定されている。液晶７５は、入射した光を変調することができる。本実施形態では、液晶７５は、入射した光に位相差を付与することができる。これは、液晶７５のリタデーション（複屈折率と厚みＬ１との積）の設定により実現され得る。本実施形態では、入射した光に１／２波長の位相差を付与するリタデーションが設定されている。

液晶パネル６１では、画素電極１０５と対向電極１２５との間に電圧を印加すると、画素電極１０５と対向電極１２５との間に電界が発生する。液晶パネル６１では、ＴＦＴ素子１０３がオフ状態からオン状態に変化すると、画素電極１０５と対向電極１２５との間に電界が発生する。この電界によって液晶７５の配向状態を画素６５ごとに変化させることができる。
本実施形態では、液晶７５に電界が作用すると、液晶７５がオン状態になる。他方で、液晶７５に作用する電界が解除されると、液晶７５がオフ状態になる。
プロジェクター１では、図２に示す画像形成部１３に光４１を照射した状態で、各液晶パネル６１における液晶７５の配向状態を画素６５ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶７５の配向状態は、ＴＦＴ素子１０３のオフ状態及びオン状態を切り替えることによって変化し得る。

図７に示す配向膜１０１及び配向膜１２７のそれぞれには、配向処理が施されている。配向処理が施された配向膜１０１及び配向膜１２７によって、液晶７５の初期的な配向状態が規制される。
画像形成パネル３３では、液晶７５のオン状態及びオフ状態の切り替えにより、液晶７５を透過する光の偏光状態を制御し、画像の形成が制御される。

本実施形態では、液晶７５がオフ状態のときに画像形成パネル３３からの光の射出が遮断される所謂ノーマリーブラック（初期的に“黒表示”の状態）の表示モードが採用されている。しかしながら、表示モードは、ノーマリーブラックに限定されず、所謂ノーマリーホワイト（初期的に“白表示”の状態）も採用され得る。
ノーマリーブラックモードにおいて、最も暗い状態の透過率を相対透過率０％とし、最も明るい状態の透過率を相対透過率１００％としたとき、液晶７５に印加される電圧のうち、相対透過率が１０％となる電圧を光学的しきい値電圧といい、相対透過率が９０％となる電圧を光学的飽和電圧という。通常、光学的しきい値電圧がオフ電圧に相当し、光学的飽和電圧がオン電圧に相当する。電圧変調方式（アナログ駆動）において、液晶７５を中間調（灰色）とさせる場合には、液晶７５に光学的飽和電圧以下の電圧が印加されるように設計される。このため、液晶７５の透過率は、液晶７５の印加電圧にほぼ比例した値となる。
ノーマリーホワイトモードにおいては、液晶７５に印加される電圧のうち、相対透過率が９０％となる電圧を光学的しきい値電圧といい、相対透過率が１０％となる電圧を光学的飽和電圧という。本明細書では便宜上、ノーマリーホワイトモードにおいても光学的しきい値電圧がオフ電圧に相当し、光学的飽和電圧がオン電圧に相当する。

ここで、図５に示す液晶装置８５の駆動方法について説明する。
液晶パネル駆動回路２５は、図５に示すように、コントローラー２５３と、メモリー部１６３と、を有している。
コントローラー２５３には、図１に示す画像処理部２３を介して、垂直同期信号ＶＳＹＮＣと、水平同期信号ＨＳＹＮＣと、クロック信号ＤＣＬＫと、画像データＤＡＴＡと、が供給される。

メモリー部１６３には、１フレーム分の画像データＤＡＴＡが、サブフィールド駆動データＳＦＤＡＴＡに変換された後、一時的に格納される。サブフィールド駆動データＳＦＤＡＴＡへの変換には、ルックアップテーブル（ＬＵＴ）が用いられる。図１６はＬＵＴの一例であるが、画像データが持つ階調値に応じて、対応するサブフィールド駆動データＳＦＤＡＴＡが呼び出される。コントローラー２５３は、メモリー部１６３に格納された１フレーム分のサブフィールド駆動データＳＦＤＡＴＡから、特定のサブフィールドにおける画素行８８単位のサブフィールド駆動データｓｆｄａｔａを読み出す。コントローラー２５３は、読み出したサブフィールド駆動データｄａｔａをシリアルデータとして信号線駆動回路８３に出力する。信号線駆動回路８３には、クロック信号ＣＬＸ、イネーブル信号ＥＮＢＸ及び極性反転信号ＦＲも、コントローラー２５３から入力される。

ここで、本実施形態では、１フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割するサブフィールド駆動が採用されている。サブフィールド駆動では、サブフィールド期間ごとに液晶７５のオン状態及びオフ状態を制御することができる。
本実施形態では、１フレーム期間が、図１２に示すように、３２個のサブフィールド期間ＳＦ１〜ＳＦ３２に分割される。

なお、以下においては、サブフィールド期間ＳＦ１〜サブフィールド期間ＳＦ３２という表記と、サブフィールド期間ＳＦという表記とが併用される。
垂直同期信号ＶＳＹＮＣは、フレーム期間の開始を規定する信号である。スタートパルスＤＹは、サブフィールド期間ＳＦの開始を規定する信号であり、垂直同期信号ＶＳＹＮＣを基準としてコントローラー２５３（図５）によって生成される。

コントローラー２５３は、スタートパルスＤＹと、クロック信号ＣＬＹと、イネーブル信号ＥＮＢ１と、イネーブル信号ＥＮＢ２と、を走査線駆動回路８１に出力する。
本実施形態では、走査線駆動回路８１は、図１１に示すように、シフトレジスター２５５と、ｎ個のＡＮＤ回路ＡＬ（１）〜ＡＬ（ｎ）と、を有している。
なお、本実施形態では、ｎは、４以上の偶数が適用される。
シフトレジスター２５５は、ｎ段の単位回路Ｕｃ（１）〜Ｕｃ（ｎ）を有している。各段の単位回路Ｕｃ（ｉ）は、各走査線Ｔ（ｉ）に対応している。各ＡＮＤ回路ＡＬ（ｉ）も、各走査線Ｔ（ｉ）に対応している。従って、各段の単位回路Ｕｃ（ｉ）と各ＡＮＤ回路ＡＬ（ｉ）とは、互いに対応している。

各段の単位回路Ｕｃ（ｉ）からのシフト信号Ｓｒ（ｉ）は、対応する各ＡＮＤ回路ＡＬ（ｉ）に入力される。
イネーブル信号ＥＮＢ１は、ｎ個のＡＮＤ回路ＡＬ（１）〜ＡＬ（ｎ）のうちで奇数番目のＡＮＤ回路ＡＬ（ｉ）に入力される。奇数番目のＡＮＤ回路ＡＬ（ｉ）は、シフト信号Ｓｒ（ｉ）とイネーブル信号ＥＮＢ１との論理積信号を、選択信号ｇ（ｉ）として各走査線Ｔ（ｉ）に出力する。
イネーブル信号ＥＮＢ２は、ｎ個のＡＮＤ回路ＡＬ（１）〜ＡＬ（ｎ）のうちで偶数番目のＡＮＤ回路ＡＬ（ｉ）に入力される。偶数番目のＡＮＤ回路ＡＬ（ｉ）は、シフト信号Ｓｒ（ｉ）とイネーブル信号ＥＮＢ２との論理積信号を、選択信号ｇ（ｉ）として各走査線Ｔ（ｉ）に出力する。

ここで、本実施形態では、１フレーム期間内におけるサブフィールド期間ＳＦの個数は、偶数個に設定される。そして、奇数番目のサブフィールド期間ＳＦと、偶数番目のサブフィールド期間ＳＦとは、図１２に示すように、互いに異なる長さに設定されている。サブフィールド期間ＳＦｏとサブフィールド期間ＳＦｅとは、いずれが長くても短くてもよい。
なお、以下において、複数のサブフィールド期間ＳＦのうちで奇数番目と偶数番目とを識別する場合に、奇数番目のサブフィールド期間ＳＦがサブフィールド期間ＳＦｏと表記され、偶数番目のサブフィールド期間ＳＦがサブフィールド期間ＳＦｅと表記される。
また、スタートパルスＤＹにおいて、サブフィールド期間ＳＦｏの開始を規定するパルスがスタートパルスＤＹｏと表記され、サブフィールド期間ＳＦｅの開始を規定するパルスがスタートパルスＤＹｅと表記される。

本実施形態では、スタートパルスＤＹｏ及びスタートパルスＤＹｅは、図１３に示すように、それぞれ、パルス幅がクロック信号ＣＬＹの１周期の長さ（Ｈ）に設定されている。クロック信号ＣＬＹは、デューティー比５０％に設定されている。本実施形態では、スタートパルスＤＹｏ及びスタートパルスＤＹｅは、それぞれ、クロック信号ＣＬＹのＬｏレベルからＨｉレベルへの立ち上がりに同期してＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がる。
また、極性反転信号ＦＲは、クロック信号ＣＬＹの立ち上がりに基づいてＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がり、クロック信号ＣＬＹのＨｉレベルからＬｏレベルへの変化に基づいてＨｉレベルからＬｏレベルに変化する。

サブフィールド期間ＳＦｏは、ｋ×Ｈの長さに設定されている。ここで、ｋは、３以上且つｎ−１以下の奇数である。つまり、サブフィールド期間ＳＦｏでは、クロック信号ＣＬＹのＨｉレベルの期間がｋ回だけ出現する。
サブフィールド期間ＳＦｅは、（ｎ−ｋ）×Ｈの長さに設定されている。サブフィールド期間ＳＦｅでは、クロック信号ＣＬＹのＨｉレベルの期間が（ｎ−ｋ）回だけ出現する。
このため、サブフィールド期間ＳＦｏとサブフィールド期間ＳＦｅとを加算した長さは、ｎ×Ｈの長さになる。つまり、サブフィールド期間ＳＦｏとサブフィールド期間ＳＦｅとを加算した期間では、クロック信号ＣＬＹのＨｉレベルの期間がｎ回だけ出現する。

イネーブル信号ＥＮＢ１及びイネーブル信号ＥＮＢ２は、それぞれ、２Ｈの周期（クロック信号ＣＬＹの２倍の周期）を有している。イネーブル信号ＥＮＢ１及びイネーブル信号ＥＮＢ２は、それぞれ、Ｈ／２よりも狭い幅のパルスを有している。
イネーブル信号ＥＮＢ１及びイネーブル信号ＥＮＢ２には、それぞれ、Ｈ／２の間隔で連続して発生する２つのパルスが、２Ｈの間隔ごとに出現する。Ｈ／２の間隔で連続して発生する２つのパルスは、クロック信号ＣＬＹがＬｏからＨｉレベルに立ち上がるタイミングを挟んでいる。
イネーブル信号ＥＮＢ１及びイネーブル信号ＥＮＢ２は、電気的に１８０度の位相差を有している。

液晶装置２５０が起動してから最初のスタートパルスＤＹが出力されると、このスタートパルスＤＹは、シフト信号Ｓｒ（ｉ）としてシフト信号Ｓｒ（１）からシフト信号Ｓｒ（ｎ）まで、クロック信号ＣＬＹの周期（Ｈ）ごとに順次に出力される。シフト信号Ｓｒ（ｉ）は、スタートパルスＤＹが出力されるたびにシフト信号Ｓｒ（１）からシフト信号Ｓｒ（ｎ）まで順次に出力される。このため、シフト信号Ｓｒ（ｉ）は、ｎ段の単位回路Ｕｃ（１）〜Ｕｃ（ｎ）から循環的に出力される。

本実施形態では、サブフィールド期間ＳＦｏの開始を規定するスタートパルスＤＹｏがシフト信号Ｓｒ（ｉ）として最終段の単位回路Ｕｃ（ｎ）から出力される前に、サブフィールド期間ＳＦｅの開始を規定するスタートパルスＤＹｅが出力される。本実施形態では、サブフィールド期間ＳＦｏの開始を規定するスタートパルスＤＹｏがｋ段目の単位回路Ｕｃ（ｋ）からシフト信号Ｓｒ（ｋ）として出力されるときに、サブフィールド期間ＳＦｅの開始を規定するスタートパルスＤＹｅが出力される。つまり、シフト信号Ｓｒ（ｋ）の出力とサブフィールド期間ＳＦｅの開始を規定するスタートパルスＤＹｅの出力とが、時間的に重なっている。

また、サブフィールド期間ＳＦｅの開始を規定するスタートパルスＤＹｅがｎ−ｋ段目の単位回路Ｕｃ（ｎ−ｋ）からシフト信号Ｓｒ（ｎ−ｋ）として出力されるときに、サブフィールド期間ＳＦｏの開始を規定するスタートパルスＤＹｏが出力される。つまり、シフト信号Ｓｒ（ｎ−ｋ）の出力とサブフィールド期間ＳＦｏの開始を規定するスタートパルスＤＹｏの出力とが、時間的に重なっている。

このため、本実施形態では、サブフィールド期間ＳＦｏにおいて、シフト信号Ｓｒ（ｉ）とシフト信号Ｓｒ（ｎ−ｋ＋ｉ）とが時間的に重複して出力される。また、サブフィールド期間ＳＦｅにおいて、シフト信号Ｓｒ（ｉ）とシフト信号Ｓｒ（ｉ＋ｋ）とが時間的に重複して入力される。
このとき、奇数番目のシフト信号Ｓｒ（ｉ）と偶数番目のシフト信号Ｓｒ（ｉ）とが時間的に重複する。奇数番目のシフト信号Ｓｒ（ｉ）同士が時間的に重なることが避けられている。同様に、偶数番目のシフト信号Ｓｒ（ｉ）同士が時間的に重なることも避けられている。

ここで、イネーブル信号ＥＮＢ１及びイネーブル信号ＥＮＢ２は、互いに１８０度の位相差を有している。このため、奇数番目のシフト信号Ｓｒ（ｉ）と偶数番目のシフト信号Ｓｒ（ｉ）とが時間的に重複していても、ｎ個の選択信号ｇ（ｉ）は、図１４に示すように、時間的に重なることがない。
サブフィールド期間ＳＦｏでは、選択信号ｇ（ｎ−ｋ）の次に選択信号ｇ（ｎ）が出力され、選択信号ｇ（ｎ）の次に選択信号ｇ（ｎ−ｋ＋１）が出力され、選択信号ｇ（ｎ−ｋ＋１）の次に選択信号ｇ（１）が出力される。そして、選択信号ｇ（ｎ−１）の次に選択信号ｇ（ｎ−ｋ−１）が出力されると、サブフィールド期間ＳＦｏが終了する。

他方で、サブフィールド期間ＳＦｅでは、選択信号ｇ（ｎ）の次に選択信号ｇ（ｋ）が出力され、選択信号ｇ（ｋ）の次に選択信号ｇ（１）が出力され、選択信号ｇ（１）の次に選択信号ｇ（１＋ｋ）が出力される。そして、選択信号ｇ（ｎ−ｋ−１）の次に選択信号ｇ（ｎ−１）が出力されると、サブフィールド期間ＳＦｅが終了する。
つまり、本実施形態では、走査線駆動回路８１は、選択信号ｇ（ｉ）の次に選択信号ｇ（ｉ＋ｋ）を出力してから、選択信号ｇ（ｉ＋１）を出力する。ただし、ｉ＋ｋがｎを超える場合には、ｉ＋ｋは、ｉ＋ｋ−ｎに置換される。

上記の構成によれば、１つの選択信号ｇ（ｉ）において、パルスの発生間隔を交互に異ならせることができる。本実施形態では、１つの選択信号ｇ（ｉ）にパルスＰ１とパルスＰ２とが交互に出現するが、パルスＰ２の次にパルスＰ１が発生する場合のパルスＰ１とパルスＰ２との間隔は（ｋ−０．５）×Ｈであり、パルスＰ１の次にパルスＰ２が発生する場合のパルスＰ１とパルスＰ２との間隔は（ｎ−ｋ＋０．５）×Ｈである。本実施形態では、パルスＰ１が極性反転信号ＦＲのＨｉレベルの期間に対応し、パルスＰ２が極性反転信号ＦＲのＬｏレベルの期間に対応している。
これらの結果、ｎ行の各画素行８８では、画素電極１０５と対向電極１２５との間に、（ｋ−０．５）×Ｈの期間において正極性電圧が液晶７５に印加され、（ｎ−ｋ＋０．５）×Ｈの期間において負極性電圧が液晶７５に印加され得る。
これにより、各画素６５において、液晶７５を正極性電圧でオン状態にするサブフィールド期間ＳＦと、液晶７５を負極性電圧でオン状態にするサブフィールド期間ＳＦと、を互いに異なる長さにすることができる。

なお、本実施形態では、正極性電圧を印加するサブフィールド期間ＳＦと負極性電圧を印加するサブフィールド期間ＳＦとを、互いに異なる長さと設定したが、対向電極基板と画素電極基板の特性差（例えば仕事関数など）に応じて任意に設定して良い。後述する正極性ならびに負極性の駆動電圧の設定値と、ＬＣＣＯＭ電圧の設定値と、基板特性差との関係によっては、正極性電圧を印加するサブフィールド期間ＳＦと負極性電圧を印加するサブフィールド期間ＳＦとが、互いに等しい長さとなることもある。このように、サブフィールド期間を調整することで、正極性と負極性で駆動電圧を異ならせた場合にも焼き付きを防止することができる。

本実施形態では、スタートパルスＤＹが立ち上がってからクロック信号ＣＬＹの１番目の変化点に基づいて、イネーブル信号ＥＮＢＸがＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がる。

イネーブル信号ＥＮＢＸの１周期は、選択信号ｇ（ｉ）のパルス幅と同等に設定されている。イネーブル信号ＥＮＢＸは、ＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がった後に、選択信号ｇ（１）〜選択信号ｇ（ｎ）の各立ち上がりに基づいて、順次にＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がっていく。従って、イネーブル信号ＥＮＢＸは、１つのサブフィールド期間ＳＦ内で、ｎ＋１個の立ち上がりパルスを有している。
なお、本実施形態では、イネーブル信号ＥＮＢＸの１周期が１水平期間に相当している。

信号線駆動回路８３は、図１５に示すように、シフトレジスター１７１と、第１ラッチ回路１７３と、第２ラッチ回路１７５と、レベルシフター１７７と、を有している。
シフトレジスター１７１には、イネーブル信号ＥＮＢＸと、クロック信号ＣＬＸとが入力される。
第１ラッチ回路１７３には、シフトレジスター１７１からの出力信号（ラッチ信号ＬＴ（１）〜ラッチ信号ＬＴ（ｍ））と、サブフィールド駆動データｓｆｄａｔａとが入力される。
第２ラッチ回路１７５には、第１ラッチ回路１７３からの出力信号と、イネーブル信号ＥＮＢＸとが入力される。

レベルシフター１７７には、第２ラッチ回路１７５からの出力信号と、極性反転信号ＦＲとが入力される。
レベルシフター１７７からは、データ信号ｄ（１）〜データ信号ｄ（ｍ）が出力される。データ信号ｄ（１）は、図５に示すように、信号線Ｓ（１）に供給される。データ信号ｄ（２）が信号線Ｓ（２）に供給され、データ信号ｄ（ｍ）が信号線Ｓ（ｍ）に供給される。

シフトレジスター１７１は、イネーブル信号ＥＮＢＸを、クロック信号ＣＬＸの変化点ごとにシフトさせながら、ラッチ信号ＬＴ（１），ＬＴ（２），ＬＴ（３）、…，ＬＴ（ｍ）として順次に出力していく。
第１ラッチ回路１７３は、２値信号であるサブフィールド駆動データｓｆｄａｔａを、ラッチ信号ＬＴ（ｊ）のＨｉレベルからＬｏレベルへの変化に基づいて順次にラッチしていく。

第２ラッチ回路１７５は、第１ラッチ回路１７３でラッチされたサブフィールド駆動データｓｆｄａｔａのそれぞれを、イネーブル信号ＥＮＢＸにもとづいて一斉にラッチする。第２ラッチ回路１７５でラッチされた各サブフィールド駆動データｓｆｄａｔａは、データ信号ｄ（１）〜データ信号ｄ（ｍ）として、レベルシフター１７７を介して、信号線Ｓ（１）〜信号線Ｓ（ｍ）に一斉に供給される。

レベルシフター１７７は、極性反転信号ＦＲがＨｉレベルのときに、正極性電圧に対応する電位を、データ信号ｄ（１）〜データ信号ｄ（ｍ）の電位として選択する。レベルシフター１７７は、極性反転信号ＦＲがＬｏレベルのときに、負極性電圧に対応する電位を、データ信号ｄ（１）〜データ信号ｄ（ｍ）の電位として選択する。正負極性で駆動電圧の絶対値が等しくても異なっていても、必要な電源数に変わりはない。したがって、本実施形態では、正負極性で駆動電圧の絶対値を異ならせた際にも、駆動回路を煩雑にすることなく、低コストに実現することができる。

液晶装置８５では、液晶７５をオン状態にするためのオン電圧と、オフ状態にするためのオフ電圧と、のいずれかの電圧が階調データに応じて選択される。ノーマリーブラックモードの場合、飽和電圧以上の駆動電圧であるオン電圧が印加された際には明表示となり、しきい値電圧以下の駆動電圧であるオフ電圧が印加された際には暗表示となる。反対に、ノーマリーホワイトモードの場合、オン電圧が印加された際には暗表示となり、オフ電圧が印加された際には明表示となる。

液晶装置８５では、液晶７５をオン状態にするためのオン電圧として、正極性電圧と負極性電圧とが設定されており、１つのサブフィールドにおいて、正極性電圧と負極性電圧のいずれかがオン電圧として選択される。
正極性電圧は、画素電極１０５の電位が対向電極１２５の電位よりも高い場合の画素電極１０５と対向電極１２５との間の電位差である。
負極性電圧は、画素電極１０５の電位が対向電極１２５の電位よりも低い場合の画素電極１０５と対向電極１２５との間の電位差である。
本実施形態では、対向電極１２５は、正極性電圧と負極性電圧とで同じ電位に設定される。また、本実施形態では、正極性電圧の絶対値と負極性電圧の絶対値とが、互いに異なる値に設定される。

液晶装置８５では、液晶７５をオフ状態にするためのオフ電圧として、基準電圧Ｖｃが設定される。
ところで、対向電極１２５への印加電圧ＬＣcomは、基準電圧Ｖｃよりも低位側に設定される。これは、ｎチャネル型のトランジスターでは、ゲート・ドレイン電極間の寄生容量に起因して、オンからオフに状態変化するときにドレイン（画素電極１１８）の電位が低下する、というフィードスルーが発生するためである。仮に電圧ＬＣcomを基準電圧Ｖｃと一致させた場合、負極性書込による液晶素子の電圧実効値が、フィードスルーのために、正極性書込による電圧実効値よりも若干大きくなってしまう（トランジスターがｎチャネルの場合）。このため、フィードスルーの影響が相殺されるような適正値に、電圧ＬＣcomを基準電圧Ｖｃよりも低位側にオフセットして設定される。ただし、フィードスルーの影響が無視できるならば、電圧ＬＣcomと基準電圧Ｖｃとは一致するように設定しても良い。

上述したサブフィールド駆動データｓｆｄａｔａ（ｊ）のラッチ動作と、データ信号ｄ（ｊ）の出力動作とは、１つのサブフィールド期間ＳＦにおいて、走査線Ｔ（ｉ）の本数分だけ（本実施形態ではｎ回）繰り返される。これにより、１つのサブフィールド期間ＳＦにおける画像の形成が完了する。これらの動作をサブフィールド期間ＳＦ１からサブフィールド期間ＳＦ３２まで繰り返すことによって、１フレーム分の画像の形成が行われ得る。

本実施形態では、１フレーム期間において、サブフィールド期間ＳＦごとに液晶７５の駆動を選択的に制御することによって、１フレーム分の画像における階調表示が行われ得る。各サブフィールドのオン電圧及びオフ電圧の選択に対して、液晶はオン状態もしくはオフ状態へと応答する。液晶の応答状態によって透過光の強度は変化するが、１フレーム期間における透過光強度の積分値によって階調が表現される。具体的には、ノーマリーブラック液晶の場合、１フレーム期間の全てがオン状態であるときを最大階調とし、１フレーム期間の全てがオフ状態であるときを０階調とすることができる。１フレーム期間にオン状態とオフ状態と過渡状態のうちの２つ以上を混在させることで中間階調を表現できる。したがって、１フレーム期間における、オン電圧を印加する期間とオフ電圧を印加する期間の比率と、オン電圧が印加されるサブフィールド期間とオフ電圧が印加されるサブフィールド期間の配列を制御することで、様々な階調を表示することができる。

本実施形態では、１フレーム期間内において、液晶７５にオン電圧を印加する期間、すなわち画素電極１０５と対向電極１２５との間に飽和電圧を印加する期間が、図１７に示すように、正極性電圧による正極性期間１８１ａと、負極性電圧による負極性期間１８１ｂとが交互に配置される。図１７では正極性期間１８１ａの長さと負極性期間１８１ｂの長さとが互いに等しく描かれているが、実際は図１４で説明したように、正極性期間１８１ａの長さと負極性期間１８１ｂの長さとは互いに等しくない。

図１７は、正極性期間と負極性期間とを説明するタイミングチャートである。図１７（ａ）、（ｂ）は、それぞれ垂直同期信号ＶＳＹＮＣ、極性反転信号ＦＲのタイミングを示す図であり、図１７（ｃ）、（ｄ）は、あるフレーム期間におけるサブフィールド期間の配置の例を示す図である。図１７（ａ）〜（ｄ）の横軸は、いずれも同一の時間軸である。図１７では、１フレーム期間が３２個のサブフィールド期間ＳＦに区画されている。液晶７５にオフ電圧を印加する、すなわち画素電極１０５と対向電極１２５との間にしきい値電圧を印加するサブフィールド期間ＳＦには、ハッチングが施されている。液晶７５にオン電圧を印加するサブフィールド期間ＳＦには、ハッチングが施されていない。
なお、図１７では、１フレーム期間内の４個のサブフィールド期間ＳＦにおいて液晶７５にオン電圧を印加する例が示されている。

図１７（ｃ）に示す例では、液晶７５にオン電圧を印加する４個のサブフィールド期間ＳＦＡ１乃至ＳＦＡ４のうちの２個のサブフィールド期間ＳＦＡ２，ＳＦＡ３が、正極性期間１８１ａに割り当てられている。４個のサブフィールド期間ＳＦのうちの残りの２個のサブフィールド期間ＳＦＡ１，ＳＦＡ４が、負極性期間１８１ｂに割り当てられている。また、図１７（ｄ）に示す例では、液晶７５にオン電圧を印加する４個のサブフィールド期間ＳＦＢ１乃至ＳＦＢ４のうちの２個のサブフィールド期間ＳＦＢ１，ＳＦＢ３が、正極性期間１８１ａに割り当てられている。４個のサブフィールド期間ＳＦのうちの残りの２個のサブフィールド期間ＳＦＢ２，ＳＦＢ４が、負極性期間１８１ｂに割り当てられている。そして、サブフィールド期間ＳＦＡ１とＳＦＡ２およびサブフィールド期間ＳＦＢ１とＳＦＢ２は、いずれも時間的に連続して配置されている。また、サブフィールド期間ＳＦＡ２とＳＦＡ３との間隔と、サブフィールド期間ＳＦＡ３とＳＦＡ４との間隔と、サブフィールド期間ＳＦＡ４と次のフレームのサブフィールド期間ＳＦＡ１との間隔とは、いずれも、各サブフィールド期間同士で液晶応答が相互に作用しない程度に互いに時間的に離れて配置されている。つまり、この２個のサブフィールド期間ＳＦＡ３とＳＦＡ４の透過率の積分値の合計は、１個のサブフィールド期間の透過率の積分値の２倍と等しい。サブフィールド期間ＳＦＢ１乃至ＳＦＢ４についても同様である。
しかし、サブフィールド期間ＳＦＡ１とＳＦＡ２の透過率の積分値の合計とサブフィールド期間ＳＦＢ１とＳＦＢ２の透過率の積分値の合計とは互いに異なるため、図１７（ｃ）に示すサブフィールド期間ＳＦＡ１乃至ＳＦＡ４の配置と図１７（ｄ）に示すサブフィールド期間ＳＦＢ１乃至ＳＦＢ４の配置とでは、１フレーム期間で積分したときに互いに異なる透過率Ａと透過率Ｂが得られる。図１８を用いて、その理由を以下に説明する。

図１８（ａ）は、液晶７５に正極性のオン電圧と負極性のオン電圧とをこの順に印加したときの電圧波形を示す図であり、図１８（ｂ）はその場合の絶対値を示す図であり、図１８（ｃ）はその場合の透過率変化を示す図である。また、図１８（ｄ）は、液晶７５に負極性のオン電圧と正極性のオン電圧とをこの順に印加したときの電圧波形を示す図であり、図１８（ｅ）はその場合の絶対値を示す図であり、図１８（ｆ）はその場合の透過率変化を示す図である。

前述したように、正極性電圧と負極性電圧は、絶対値が異なる電圧値に設定される。図１８に示す例では、正極性電圧の絶対値を負極性電圧の絶対値よりも高く設定している。また、正極性期間に割り当てられたサブフィールドを、負極性期間に割り当てられたサブフィールドよりも短い時間に設定した。このようにすることで、液晶パネルに電荷の偏りが生じて焼き付きが発生することを防止することができる。本実施形態では、正極性期間でオン電圧を印加するサブフィールドの数と負極性期間でオン電圧を印加するサブフィールドの数を等しく設定している。このようにすることで、オン電圧の数を変えて異なる階調レベルを表現した際にも、効果的に焼き付きを防止することができる。

図１８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す例は、液晶７５に正極性のオン電圧と負極性のオン電圧とをこの順に印加した図１７（ｄ）の場合に相当し、図１８（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）に示す例は、液晶７５に負極性のオン電圧と正極性のオン電圧とをこの順に印加した図１７（ｃ）の場合に相当する。図１８（ｃ）と図１８（ｆ）を比較すればわかるように、初めに高電圧を印加した方が、単位時間当たりの透過率変化量はより大きくなる。したがって、印加される電圧の実効値が合計で等しいとしても、印加される電圧の絶対値の推移が異なる場合には、これに応じて透過率の推移が異なることとなり、この結果、透過率の積分値（図１８（ｃ）、（ｆ）における透過率の面積に相当）が異なることとなる。例えば、高電圧に設定された正極性電圧を最初に印加した方が、低電圧に設定された負極性電圧を最初に印加した場合に比べて高い透過率を表現できる。正極性電圧と負極性電圧が等しい場合には、極性順序を入れ替えても透過率の推移が同じになるため透過率は変わらないが、このように正負の極性で駆動電圧を異ならせることで、表現可能な階調数を飛躍的に高めることができる。

本実施形態では、図１７に示したように、連続してオン電圧が印加されるサブフィールドの順序を入れ替えたが、これに限定するものではない。液晶が過渡応答状態にあれば良く、液晶の応答時間内で離れたサブフィールドの順序を入れ替えても良い。
また、本実施形態では、１フレーム期間内において、正極性期間と負極性期間をサブフィールド毎に切り替えたが、これに限定するものではない。１フレーム期間内において、例えば、正極性期間を複数サブフィールド連続し、その後負極性期間を複数サブフィールド連続し、これを繰り返すような構成としても良い。この場合、極性の切り替わり部分で同様の効果を得ることができる。

なお、本実施形態では、それぞれ、液晶７５の駆動方式としてＶＡ型の駆動方式が採用されているが、駆動方式はこれに限定されない。液晶７５の駆動方式は、ＴＮ（Twisted Nematic）型、ＩＰＳ（In Plane Switching）型、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）型等の種々の方式も採用され得る。

上述した電気光学装置の一例としての液晶装置８５は、例えば、図１９に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示部５１０に液晶装置８５が適用されているので、表示部５１０における液晶７５の焼き付きを効果的に軽減することができる。
なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピューター、デジタルスチールカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。

１…プロジェクター、５…制御回路、１３…画像形成部、２１…制御部、２５…液晶パネル駆動回路、３３…画像形成パネル、６１…液晶パネル、６５…画素、６７…表示領域、６９…表示面、７１…素子基板、７３…対向基板、７５…液晶、７９…底面、８１…走査線駆動回路、８３…信号線駆動回路、８５…液晶装置、９３…第１基板、１０３…ＴＦＴ素子、１０５…画素電極、１２１…第２基板、１２５…対向電極、１６３…メモリー部、１７１…シフトレジスター、１７３…第１ラッチ回路、１７５…第２ラッチ回路、１７７…レベルシフター、１８１ａ…正極性期間、１８１ｂ…負極性期間、２５３…コントローラー、２５５…シフトレジスター、５００…電子機器、ｄ（１）〜ｄ（ｍ）…データ信号、Ｓｒ（１）〜Ｓｒ（ｎ）…シフト信号、ｇ（１）〜ｇ（ｎ）…選択信号、Ｓ（１）〜Ｓ（ｍ）…信号線、Ｔ（１）〜Ｔ（ｎ）…走査線。

Claims (9)

1. 走査線とデータ線との交点に対応して設けられたスイッチングトランジスターと、該スイッチングトランジスターに接続され、該データ線から該スイッチングトランジスターを介して電位が供給される画素電極と、対向電極と、該画素電極と該対向電極との間に発生する電界が印加される電気光学層と、該走査線及び該データ線を駆動する駆動回路と、を有し、
   フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割され、該サブフィールド期間ごとに、前記電界を発生させるために前記画素電極と前記対向電極との間に印加される駆動電圧を、オン電圧およびオフ電圧のいずれか一方から選択することで、前記電気光学層の透過光を制御して複数の階調を表示する電気光学装置であって、
   前記オン電圧は、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より高い場合の前記駆動電圧である正極性電圧、又は前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より低い場合の前記駆動電圧である負極性電圧から選択され、
   前記オフ電圧は、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位と略等しい場合の前記駆動電圧であり、
   前記駆動回路は、表示される前記階調に応じて、前記フレーム期間における前記オン電圧の印加期間と前記オフ電圧の印加期間との比率、並びに、前記複数のサブフィールド期間のうち前記オン電圧が印加されるサブフィールド期間の配列及び前記オフ電圧が印加されるサブフィールド期間の配列を決定し、前記正極性電圧の絶対値と前記負極性電圧の絶対値とが互いに異なっていることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記フレーム期間は、前記正極性電圧が前記オン電圧として選択される複数の正極性期間と、前記負極性電圧が前記オン電圧として選択される複数の負極性期間とを有し、前記正極性期間に含まれる前記サブフィールド期間の長さと、前記負極性期間に含まれる前記サブフィールド期間の長さとは、互いに異なることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記正極性期間に含まれる前記サブフィールド期間は、前記負極性期間に含まれる前記サブフィールド期間より長く、
   前記正極性電圧の絶対値は、前記負極性電圧の絶対値より小さいことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記正極性期間に含まれる前記サブフィールド期間は、前記負極性期間に含まれる前記サブフィールド期間より短く、
   前記正極性電圧の絶対値は、前記負極性電圧の絶対値より大きいことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
5. 前記フレーム期間には、前記正極性電圧が前記オン電圧として選択される前記サブフィールド期間と、前記負極性電圧が前記オン電圧として選択される前記サブフィールド期間と、が交互に配置されていることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記駆動回路は、前記オン電圧が印加される複数のサブフィールド期間の個数が互いに等しい第１の前記フレーム期間と第２の前記フレーム期間において、前記第１のフレーム期間における透過光の積分値が第１の前記階調に対応し、前記第２のフレーム期間における透過光の積分値が前記第１の階調とは異なる第２の前記階調に対応するように、前記オン電圧が印加される前記複数のサブフィールド期間を配置することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 前記第１のフレーム期間において、前記正極性電圧からなる前記オン電圧が印加される第１のサブフィールド期間における前記電気光学層の応答と、前記負極性電圧からなる前記オン電圧が印加される第２のサブフィールド期間における前記電気光学層の応答とは、互いに影響を及ぼしあい、
   前記第２のフレーム期間において、前記正極性電圧からなる前記オン電圧が印加される第３のサブフィールド期間における前記電気光学層の応答と、前記負極性電圧からなる前記オン電圧が印加される第４のサブフィールド期間における前記電気光学層の応答とは、互いに影響を及ぼしあい、
   前記第１のサブフィールド期間は前記第２のサブフィールド期間よりも時間的に早い位置に配置され、
   前記第３のサブフィールド期間は前記第４のサブフィールド期間よりも時間的に遅い位置に配置されることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備したことを特徴とする電子機器。
9. 走査線とデータ線との交点に対応して設けられたスイッチングトランジスターと、該スイッチングトランジスターに接続され、該データ線から該スイッチングトランジスターを介して電位が供給される画素電極と、対向電極と、該画素電極と該対向電極との間に発生する電界が印加される電気光学層と、該走査線及び該データ線を駆動する駆動回路と、を有し、
   フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割され、該サブフィールド期間ごとに、前記電界を発生させるために前記画素電極と前記対向電極との間に印加される駆動電圧を、オン電圧およびオフ電圧のいずれか一方から選択することで、前記電気光学層の透過光を制御して複数の階調を表示する電気光学装置の駆動方法であって、
   前記オン電圧は、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より高い場合の前記駆動電圧である正極性電圧、又は前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より低い場合の前記駆動電圧である負極性電圧から選択され、
   前記オフ電圧は、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位と略等しい場合の前記駆動電圧であり、
   表示される前記階調に応じて、前記フレーム期間における前記オン電圧の印加期間と前記オフ電圧の印加期間との比率、並びに、前記複数のサブフィールド期間のうち前記オン電圧が印加されるサブフィールド期間の配列及び前記オフ電圧が印加されるサブフィールド期間の配列が決定され、前記正極性電圧の絶対値と前記負極性電圧の絶対値とが互いに異なっていることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。

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