JP2010085955A - 液晶装置、液晶装置の駆動方法及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】従来の液晶装置では、焼き付きを効果的に軽減することが困難である。
【解決手段】対向する第1基板及び第2基板の間に挟持された液晶と、第1基板及び液晶の間に介在する第1電極と、液晶を駆動するための電界を第1電極との間に発生させる第2電極と、1フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間SFに分割し、サブフィールド期間SFごとに液晶のオン状態及びオフ状態を選択する駆動回路と、を有し、第2電極の電位が第1電極の電位よりも高い第1駆動電圧と、第2電極の電位が第1電極の電位よりも低い第2駆動電圧とが互いに同じ値に設定され、駆動回路は、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間とを互いに同じ時間にする、ことを特徴とする液晶装置。
【選択図】図18
【解決手段】対向する第1基板及び第2基板の間に挟持された液晶と、第1基板及び液晶の間に介在する第1電極と、液晶を駆動するための電界を第1電極との間に発生させる第2電極と、1フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間SFに分割し、サブフィールド期間SFごとに液晶のオン状態及びオフ状態を選択する駆動回路と、を有し、第2電極の電位が第1電極の電位よりも高い第1駆動電圧と、第2電極の電位が第1電極の電位よりも低い第2駆動電圧とが互いに同じ値に設定され、駆動回路は、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間とを互いに同じ時間にする、ことを特徴とする液晶装置。
【選択図】図18
Description
本発明は、液晶装置、液晶装置の駆動方法及び電子機器に関する。
従来から、液晶装置の駆動方法として、サブフィールド駆動が知られている(例えば、特許文献1参照)。
サブフィールド駆動では、1フィールド(1フレーム)期間が、複数のサブフィールド期間に分割される。つまり、1フレームが、複数のサブフィールドに分割される。液晶のオン状態及びオフ状態は、サブフィールドごとに制御される。これにより、液晶装置での階調表示が実現され得る。
ところで、上記特許文献1には、1フレームごとにデータ書き込み極性を反転させることが記載されている。これにより、液晶に作用する電界の向きを、1フレームごとに反転させることができる。この結果、液晶装置における焼き付きと呼ばれる現象を軽減することができる。
しかしながら、液晶が、フレームごとに毎回オン状態になるとは限らない。あるフレームで液晶がオン状態になったとしても、その次のフレームでは液晶に駆動電圧が印加されずオン状態にならない場合が発生し得る。このような場合が続くと、1フレームごとに電界の向きを反転させたとしても、液晶には、同じ向きの電界ばかりが作用することになる。
つまり、従来の液晶装置では、焼き付きを効果的に軽減することが困難であるという課題がある。
つまり、従来の液晶装置では、焼き付きを効果的に軽減することが困難であるという課題がある。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
[適用例1]第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板の間に挟持された液晶と、前記第1基板及び前記液晶の間に介在する第1電極と、前記液晶を駆動するための電界を前記第1電極との間に発生させる第2電極と、1フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、前記サブフィールド期間ごとに前記第1電極と前記第2電極との間に印加する駆動電圧を制御することで、前記液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を前記サブフィールド期間ごとに択一的に選択する駆動回路と、を有し、前記オン状態は、前記駆動電圧を印加することによって選択され、前記オフ状態は、前記駆動電圧を印加しないことによって選択され、前記駆動電圧は、前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも高い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第1駆動電圧と、前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも低い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第2駆動電圧と、を含み、前記第1駆動電圧の絶対値と、前記第2駆動電圧の絶対値とは、互いに同じ値に設定されており、前記駆動回路は、前記1フレーム期間内において、前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする時間と、前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にする、ことを特徴とする液晶装置。
この適用例の液晶装置は、第1基板と、第2基板と、液晶と、第1電極と、第2電極と、駆動回路と、を有している。第2基板は、第1基板に対向している。液晶は、第1基板及び第2基板の間に挟持されている。第1電極は、第1基板及び液晶の間に介在している。第2電極は、液晶を駆動するための電界を第1電極との間に発生させる。
駆動回路は、1フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、サブフィールド期間ごとに液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を択一的に選択する。液晶のオン状態及びオフ状態は、第1電極と第2電極との間に印加する駆動電圧を制御することによって選択される。液晶のオン状態は、駆動電圧を印加することによって選択される。液晶のオフ状態は、駆動電圧を印加しないことによって選択される。
駆動電圧は、第1駆動電圧と、第2駆動電圧と、を含んでいる。第1駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも高い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。第2駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも低い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。
この液晶装置では、第1駆動電圧の絶対値と、第2駆動電圧の絶対値とは、互いに同じ値に設定されている。駆動回路は、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にする。
駆動回路は、1フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、サブフィールド期間ごとに液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を択一的に選択する。液晶のオン状態及びオフ状態は、第1電極と第2電極との間に印加する駆動電圧を制御することによって選択される。液晶のオン状態は、駆動電圧を印加することによって選択される。液晶のオフ状態は、駆動電圧を印加しないことによって選択される。
駆動電圧は、第1駆動電圧と、第2駆動電圧と、を含んでいる。第1駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも高い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。第2駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも低い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。
この液晶装置では、第1駆動電圧の絶対値と、第2駆動電圧の絶対値とは、互いに同じ値に設定されている。駆動回路は、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にする。
この液晶装置では、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にすることができる。
これにより、この液晶装置では、焼き付きの要因の1つを1フレーム期間内で解消しやすくすることができるので、焼き付きを効果的に軽減することができる。
これにより、この液晶装置では、焼き付きの要因の1つを1フレーム期間内で解消しやすくすることができるので、焼き付きを効果的に軽減することができる。
[適用例2]第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板の間に挟持された液晶と、前記第1基板及び前記液晶の間に介在する第1電極と、前記液晶を駆動するための電界を前記第1電極との間に発生させる第2電極と、1フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、前記サブフィールド期間ごとに前記第1電極と前記第2電極との間に印加する駆動電圧を制御することで、前記液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を前記サブフィールド期間ごとに択一的に選択する駆動回路と、を有し、前記オン状態は、前記駆動電圧を印加することによって選択され、前記オフ状態は、前記駆動電圧を印加しないことによって選択され、前記駆動電圧は、前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも高い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第1駆動電圧と、前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも低い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第2駆動電圧と、を含み、前記第1駆動電圧の絶対値と、前記第2駆動電圧の絶対値とは、互いに異なる値に設定されており、前記駆動回路は、前記1フレーム期間内において、前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする時間と、前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にする、ことを特徴とする液晶装置。
この適用例の液晶装置は、第1基板と、第2基板と、液晶と、第1電極と、第2電極と、駆動回路と、を有している。第2基板は、第1基板に対向している。液晶は、第1基板及び第2基板の間に挟持されている。第1電極は、第1基板及び液晶の間に介在している。第2電極は、液晶を駆動するための電界を第1電極との間に発生させる。
駆動回路は、1フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、サブフィールド期間ごとに液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を択一的に選択する。液晶のオン状態及びオフ状態は、第1電極と第2電極との間に印加する駆動電圧を制御することによって選択される。液晶のオン状態は、駆動電圧を印加することによって選択される。液晶のオフ状態は、駆動電圧を印加しないことによって選択される。
駆動電圧は、第1駆動電圧と、第2駆動電圧と、を含んでいる。第1駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも高い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。第2駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも低い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。
駆動回路は、1フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、サブフィールド期間ごとに液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を択一的に選択する。液晶のオン状態及びオフ状態は、第1電極と第2電極との間に印加する駆動電圧を制御することによって選択される。液晶のオン状態は、駆動電圧を印加することによって選択される。液晶のオフ状態は、駆動電圧を印加しないことによって選択される。
駆動電圧は、第1駆動電圧と、第2駆動電圧と、を含んでいる。第1駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも高い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。第2駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも低い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。
この液晶装置では、第1駆動電圧の絶対値と、第2駆動電圧の絶対値とは、互いに異なる値に設定されている。
ここで、液晶装置では、例えば、フィールドスルー(プッシュダウンとも呼ばれる)現象などが発生することがある。フィールドスルー現象は、種々の寄生容量などに起因して、駆動電圧が低下する現象である。また、液晶装置では、第1電極と第2電極との間で特性差が生じる場合がある。
この適用例では、第1駆動電圧の絶対値と第2駆動電圧の絶対値とが互いに異なる値に設定されているので、フィールドスルー現象における駆動電圧の低下や、第1電極と第2電極との間の特性差などを補償しやすくすることができる。
また、この適用例では、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にすることができる。
ここで、液晶装置では、例えば、フィールドスルー(プッシュダウンとも呼ばれる)現象などが発生することがある。フィールドスルー現象は、種々の寄生容量などに起因して、駆動電圧が低下する現象である。また、液晶装置では、第1電極と第2電極との間で特性差が生じる場合がある。
この適用例では、第1駆動電圧の絶対値と第2駆動電圧の絶対値とが互いに異なる値に設定されているので、フィールドスルー現象における駆動電圧の低下や、第1電極と第2電極との間の特性差などを補償しやすくすることができる。
また、この適用例では、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にすることができる。
従って、この適用例の液晶装置では、フィールドスルー現象や、第1電極と第2電極との間の特性差などが発生しても、焼き付きの要因の1つを1フレーム期間内で解消しやすくすることができるので、焼き付きを効果的に軽減することができる。
[適用例3]上記の液晶装置であって、前記駆動回路は、前記1フレーム期間内において、前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、を互いに同じ数にすることを特徴とする液晶装置。
この適用例では、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間の数と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間の数と、を互いに同じ数にすることができる。このため、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にしやすくすることができる。
[適用例4]第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板の間に挟持された液晶と、前記第1基板及び前記液晶の間に介在する第1電極と、前記液晶を駆動するための電界を前記第1電極との間に発生させる第2電極と、1フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、前記サブフィールド期間ごとに前記第1電極と前記第2電極との間に印加する駆動電圧を制御することで、前記液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を前記サブフィールド期間ごとに択一的に選択する駆動回路と、を有し、前記オン状態は、前記駆動電圧を印加することによって選択され、前記オフ状態は、前記駆動電圧を印加しないことによって選択され、前記駆動電圧は、前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも高い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第1駆動電圧と、前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも低い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第2駆動電圧と、を含み、前記第1駆動電圧の絶対値と、前記第2駆動電圧の絶対値とは、互いに同じ値に設定されており、前記駆動回路は、前記1フレーム期間内において、前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする時間と、前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にする、ことを特徴とする液晶装置。
この適用例の液晶装置は、第1基板と、第2基板と、液晶と、第1電極と、第2電極と、駆動回路と、を有している。第2基板は、第1基板に対向している。液晶は、第1基板及び第2基板の間に挟持されている。第1電極は、第1基板及び液晶の間に介在している。第2電極は、液晶を駆動するための電界を第1電極との間に発生させる。
駆動回路は、1フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、サブフィールド期間ごとに液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を択一的に選択する。液晶のオン状態及びオフ状態は、第1電極と第2電極との間に印加する駆動電圧を制御することによって選択される。液晶のオン状態は、駆動電圧を印加することによって選択される。液晶のオフ状態は、駆動電圧を印加しないことによって選択される。
駆動電圧は、第1駆動電圧と、第2駆動電圧と、を含んでいる。第1駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも高い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。第2駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも低い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。
駆動回路は、1フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、サブフィールド期間ごとに液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を択一的に選択する。液晶のオン状態及びオフ状態は、第1電極と第2電極との間に印加する駆動電圧を制御することによって選択される。液晶のオン状態は、駆動電圧を印加することによって選択される。液晶のオフ状態は、駆動電圧を印加しないことによって選択される。
駆動電圧は、第1駆動電圧と、第2駆動電圧と、を含んでいる。第1駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも高い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。第2駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも低い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。
この液晶装置では、第1駆動電圧の絶対値と、第2駆動電圧の絶対値とは、互いに同じ値に設定されている。駆動回路は、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にする。
ここで、液晶装置では、例えば、フィールドスルー(プッシュダウンとも呼ばれる)現象などが発生することがある。フィールドスルー現象は、種々の寄生容量などに起因して、駆動電圧が低下する現象である。また、液晶装置では、第1電極と第2電極との間で特性差が生じる場合がある。
この適用例では、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にすることができるので、フィールドスルー現象における駆動電圧の低下や、第1電極と第2電極との間の特性差などを補償しやすくすることができる。
ここで、液晶装置では、例えば、フィールドスルー(プッシュダウンとも呼ばれる)現象などが発生することがある。フィールドスルー現象は、種々の寄生容量などに起因して、駆動電圧が低下する現象である。また、液晶装置では、第1電極と第2電極との間で特性差が生じる場合がある。
この適用例では、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にすることができるので、フィールドスルー現象における駆動電圧の低下や、第1電極と第2電極との間の特性差などを補償しやすくすることができる。
従って、この適用例の液晶装置では、フィールドスルー現象や、第1電極と第2電極との間の特性差などが発生しても、焼き付きの要因の1つを1フレーム期間内で解消しやすくすることができるので、焼き付きを効果的に軽減することができる。
[適用例5]第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板の間に挟持された液晶と、前記第1基板及び前記液晶の間に介在する第1電極と、前記液晶を駆動するための電界を前記第1電極との間に発生させる第2電極と、1フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、前記サブフィールド期間ごとに前記第1電極と前記第2電極との間に印加する駆動電圧を制御することで、前記液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を前記サブフィールド期間ごとに択一的に選択する駆動回路と、を有し、前記オン状態は、前記駆動電圧を印加することによって選択され、前記オフ状態は、前記駆動電圧を印加しないことによって選択され、前記駆動電圧は、前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも高い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第1駆動電圧と、前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも低い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第2駆動電圧と、を含み、前記第1駆動電圧の絶対値と、前記第2駆動電圧の絶対値とは、互いに異なる値に設定されており、前記駆動回路は、前記1フレーム期間内において、前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする時間と、前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にする、ことを特徴とする液晶装置。
この適用例の液晶装置は、第1基板と、第2基板と、液晶と、第1電極と、第2電極と、駆動回路と、を有している。第2基板は、第1基板に対向している。液晶は、第1基板及び第2基板の間に挟持されている。第1電極は、第1基板及び液晶の間に介在している。第2電極は、液晶を駆動するための電界を第1電極との間に発生させる。
駆動回路は、1フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、サブフィールド期間ごとに液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を択一的に選択する。液晶のオン状態及びオフ状態は、第1電極と第2電極との間に印加する駆動電圧を制御することによって選択される。液晶のオン状態は、駆動電圧を印加することによって選択される。液晶のオフ状態は、駆動電圧を印加しないことによって選択される。
駆動電圧は、第1駆動電圧と、第2駆動電圧と、を含んでいる。第1駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも高い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。第2駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも低い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。
駆動回路は、1フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、サブフィールド期間ごとに液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を択一的に選択する。液晶のオン状態及びオフ状態は、第1電極と第2電極との間に印加する駆動電圧を制御することによって選択される。液晶のオン状態は、駆動電圧を印加することによって選択される。液晶のオフ状態は、駆動電圧を印加しないことによって選択される。
駆動電圧は、第1駆動電圧と、第2駆動電圧と、を含んでいる。第1駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも高い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。第2駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも低い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。
この液晶装置では、第1駆動電圧の絶対値と、第2駆動電圧の絶対値とは、互いに異なる値に設定されている。駆動回路は、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にする。
ここで、液晶装置では、例えば、フィールドスルー(プッシュダウンとも呼ばれる)現象などが発生することがある。フィールドスルー現象は、種々の寄生容量などに起因して、駆動電圧が低下する現象である。また、液晶装置では、第1電極と第2電極との間で特性差が生じる場合がある。
この適用例では、第1駆動電圧の絶対値と第2駆動電圧の絶対値とが互いに異なる値に設定されているので、フィールドスルー現象における駆動電圧の低下や、第1電極と第2電極との間の特性差などを補償しやすくすることができる。
また、この適用例では、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にすることができるので、フィールドスルー現象における駆動電圧の低下や、第1電極と第2電極との間の特性差などを補償しやすくすることができる。
ここで、液晶装置では、例えば、フィールドスルー(プッシュダウンとも呼ばれる)現象などが発生することがある。フィールドスルー現象は、種々の寄生容量などに起因して、駆動電圧が低下する現象である。また、液晶装置では、第1電極と第2電極との間で特性差が生じる場合がある。
この適用例では、第1駆動電圧の絶対値と第2駆動電圧の絶対値とが互いに異なる値に設定されているので、フィールドスルー現象における駆動電圧の低下や、第1電極と第2電極との間の特性差などを補償しやすくすることができる。
また、この適用例では、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にすることができるので、フィールドスルー現象における駆動電圧の低下や、第1電極と第2電極との間の特性差などを補償しやすくすることができる。
従って、この適用例の液晶装置では、フィールドスルー現象や、第1電極と第2電極との間の特性差などが発生しても、焼き付きの要因の1つを1フレーム期間内で解消しやすくすることができるので、焼き付きを効果的に軽減することができる。
[適用例6]上記の液晶装置であって、前記駆動回路は、前記1フレーム期間内において、前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、を互いに異なる数にすることを特徴とする液晶装置。
この適用例では、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間の数と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間の数と、を互いに異なる数にすることができる。このため、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にしやすくすることができる。
[適用例7]上記の液晶装置であって、前記駆動回路は、前記1フレーム期間内において、前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間と、前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間とを、互いに異なる長さにすることを特徴とする液晶装置。
この適用例では、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間とを、互いに異なる長さにすることができる。このため、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にしやすくすることができる。
[適用例8]上記の液晶装置であって、n(nは4以上の整数)本の走査線と、前記走査線に交差する信号線と、前記信号線及び前記走査線の交差に対応して設定された画素と、前記画素に対応して設けられており、前記走査線を介して供給された選択信号に基づいて、前記信号線と前記第1電極との間を電気的につなぐスイッチング素子と、前記サブフィールド期間において、前記走査線ごとに前記選択信号を、相互にタイミングをずらして供給する走査線駆動回路と、前記走査線に前記選択信号が供給されるたびに、前記選択信号が供給される前記走査線に対応する前記画素に対するデータ信号を、前記信号線に供給する信号線駆動回路と、を有しており、前記走査線駆動回路は、前記走査線に前記選択信号を供給するときに、i(iは1以上n以下の整数)番目の前記走査線に前記選択信号を供給した後に、i+k(kは3以上且つn−1以下の整数)番目(i+kがnを超える場合にはi+k−n)の前記走査線に前記選択信号を供給してから、i+1(i+1がnを超える場合にはi+1−n)を新たなiに設定し前記信号線駆動回路は、前記信号線に、前記第1駆動電圧に対応する電位の前記データ信号と、前記第2駆動電圧に対応する電位の前記データ信号と、を交互に供給する、ことを特徴とする液晶装置。
この適用例の液晶装置は、n本の走査線と、信号線と、画素と、スイッチング素子と、走査線駆動回路と、信号線駆動回路と、を有している。信号線は、走査線に交差している。画素は、信号線及び走査線の交差に対応して設定されている。スイッチング素子は、画素に対応して設けられている。スイッチング素子は、走査線を介して供給された選択信号に基づいて、信号線と第1電極との間を電気的につなぐ。走査線駆動回路は、サブフィールド期間において、走査線ごとに選択信号を、相互にタイミングをずらして供給する。信号線駆動回路は、走査線に選択信号が供給されるたびに、信号線にデータ信号を供給する。データ信号は、選択信号が供給される走査線に対応する画素に対するデータ信号である。
走査線駆動回路は、走査線に選択信号を供給する。n本の走査線に選択信号を供給するとき、走査線駆動回路は、i番目の走査線に選択信号を供給した後に、i+k番目の走査線に選択信号を供給してから、i+1を新たなiに設定する。ここで、iは、1以上n以下の整数である。kは、3以上且つn−1以下の整数である。i+kがnを超える場合には、i+kはi+k−nに置換される。また、i+1がnを超える場合には、i+1はi+1−nに置換される。
信号線駆動回路は、信号線に、第1駆動電圧に対応する電位のデータ信号と、第2駆動電圧に対応する電位のデータ信号と、を交互に供給する。
上記の構成により、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にすることができる。
信号線駆動回路は、信号線に、第1駆動電圧に対応する電位のデータ信号と、第2駆動電圧に対応する電位のデータ信号と、を交互に供給する。
上記の構成により、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にすることができる。
[適用例9]第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板の間に挟持された液晶と、前記第1基板及び前記液晶の間に介在する第1電極と、前記液晶をオフ状態からオン状態にするための電界を前記第1電極との間に発生させる第2電極と、を有する液晶装置の駆動方法であって、1フレーム期間の少なくとも一部を、前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも高い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第1駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも低い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第2駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割し、前記第1駆動電圧の絶対値と、前記第2駆動電圧の絶対値とを、互いに同じ値に設定し、前記1フレーム期間内において、前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする時間と、前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にする、ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
この適用例の駆動方法が適用され得る液晶装置は、第1基板と、第2基板と、液晶と、第1電極と、第2電極と、を有している。第2基板は、第1基板に対向している。液晶は、第1基板及び第2基板の間に挟持されている。第1電極は、第1基板及び液晶の間に介在している。第2電極は、液晶をオフ状態からオン状態にするための電界を第1電極との間に発生させる。
この適用例の駆動方法では、1フレーム期間の少なくとも一部を、第1駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、第2駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割する。第1駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも高い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。第2駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも低い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。
そして、第1駆動電圧の絶対値と第2駆動電圧の絶対値とを互いに同じ値に設定し、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にする。
この適用例の駆動方法では、1フレーム期間の少なくとも一部を、第1駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、第2駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割する。第1駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも高い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。第2駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも低い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。
そして、第1駆動電圧の絶対値と第2駆動電圧の絶対値とを互いに同じ値に設定し、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にする。
この駆動方法では、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にすることができる。
これにより、この駆動方法では、焼き付きの要因の1つを1フレーム期間内で解消しやすくすることができるので、焼き付きを効果的に軽減することができる。
これにより、この駆動方法では、焼き付きの要因の1つを1フレーム期間内で解消しやすくすることができるので、焼き付きを効果的に軽減することができる。
[適用例10]第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板の間に挟持された液晶と、前記第1基板及び前記液晶の間に介在する第1電極と、前記液晶をオフ状態からオン状態にするための電界を前記第1電極との間に発生させる第2電極と、を有する液晶装置の駆動方法であって、1フレーム期間の少なくとも一部を、前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも高い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第1駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも低い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第2駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割し、前記第1駆動電圧の絶対値と、前記第2駆動電圧の絶対値とを、互いに異なる値に設定し、前記1フレーム期間内において、前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする時間と、前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にする、ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
この適用例の駆動方法が適用され得る液晶装置は、第1基板と、第2基板と、液晶と、第1電極と、第2電極と、を有している。第2基板は、第1基板に対向している。液晶は、第1基板及び第2基板の間に挟持されている。第1電極は、第1基板及び液晶の間に介在している。第2電極は、液晶をオフ状態からオン状態にするための電界を第1電極との間に発生させる。
この適用例の駆動方法では、1フレーム期間の少なくとも一部を、第1駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、第2駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割する。第1駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも高い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。第2駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも低い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。
そして、第1駆動電圧の絶対値と第2駆動電圧の絶対値とを互いに異なる値に設定し、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にする。
この適用例の駆動方法では、1フレーム期間の少なくとも一部を、第1駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、第2駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割する。第1駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも高い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。第2駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも低い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。
そして、第1駆動電圧の絶対値と第2駆動電圧の絶対値とを互いに異なる値に設定し、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にする。
ここで、液晶装置では、例えば、フィールドスルー(プッシュダウンとも呼ばれる)現象などが発生することがある。フィールドスルー現象は、種々の寄生容量などに起因して、駆動電圧が低下する現象である。また、液晶装置では、第1電極と第2電極との間で特性差が生じる場合がある。
この適用例の駆動方法では、第1駆動電圧の絶対値と第2駆動電圧の絶対値とを互いに異なる値に設定するので、フィールドスルー現象における駆動電圧の低下や、第1電極と第2電極との間の特性差などを補償しやすくすることができる。
また、この適用例の駆動方法では、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にすることができる。
この適用例の駆動方法では、第1駆動電圧の絶対値と第2駆動電圧の絶対値とを互いに異なる値に設定するので、フィールドスルー現象における駆動電圧の低下や、第1電極と第2電極との間の特性差などを補償しやすくすることができる。
また、この適用例の駆動方法では、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にすることができる。
従って、この適用例の駆動方法では、フィールドスルー現象や、第1電極と第2電極との間の特性差などが発生しても、焼き付きの要因の1つを1フレーム期間内で解消しやすくすることができるので、焼き付きを効果的に軽減することができる。
[適用例11]上記の液晶装置の駆動方法であって、前記1フレーム期間内において、前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、を互いに同じ数にすることを特徴とする液晶装置の駆動方法。
この適用例では、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間の数と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間の数と、を互いに同じ数にすることができる。このため、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にしやすくすることができる。
[適用例12]第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板の間に挟持された液晶と、前記第1基板及び前記液晶の間に介在する第1電極と、前記液晶をオフ状態からオン状態にするための電界を前記第1電極との間に発生させる第2電極と、を有する液晶装置の駆動方法であって、1フレーム期間の少なくとも一部を、前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも高い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第1駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも低い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第2駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割し、前記第1駆動電圧の絶対値と、前記第2駆動電圧の絶対値とを、互いに同じ値に設定し、前記1フレーム期間内において、前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする時間と、前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にする、ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
この適用例の駆動方法が適用され得る液晶装置は、第1基板と、第2基板と、液晶と、第1電極と、第2電極と、を有している。第2基板は、第1基板に対向している。液晶は、第1基板及び第2基板の間に挟持されている。第1電極は、第1基板及び液晶の間に介在している。第2電極は、液晶をオフ状態からオン状態にするための電界を第1電極との間に発生させる。
この適用例の駆動方法では、1フレーム期間の少なくとも一部を、第1駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、第2駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割する。第1駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも高い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。第2駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも低い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。
そして、第1駆動電圧の絶対値と第2駆動電圧の絶対値とを互いに同じ値に設定し、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にする。
この適用例の駆動方法では、1フレーム期間の少なくとも一部を、第1駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、第2駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割する。第1駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも高い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。第2駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも低い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。
そして、第1駆動電圧の絶対値と第2駆動電圧の絶対値とを互いに同じ値に設定し、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にする。
ここで、液晶装置では、例えば、フィールドスルー(プッシュダウンとも呼ばれる)現象などが発生することがある。フィールドスルー現象は、種々の寄生容量などに起因して、駆動電圧が低下する現象である。また、液晶装置では、第1電極と第2電極との間で特性差が生じる場合がある。
この適用例の駆動方法では、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にするので、フィールドスルー現象における駆動電圧の低下や、第1電極と第2電極との間の特性差などを補償しやすくすることができる。
この適用例の駆動方法では、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にするので、フィールドスルー現象における駆動電圧の低下や、第1電極と第2電極との間の特性差などを補償しやすくすることができる。
従って、この適用例の駆動方法では、フィールドスルー現象や、第1電極と第2電極との間の特性差などが発生しても、焼き付きの要因の1つを1フレーム期間内で解消しやすくすることができるので、焼き付きを効果的に軽減することができる。
[適用例13]第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板の間に挟持された液晶と、前記第1基板及び前記液晶の間に介在する第1電極と、前記液晶をオフ状態からオン状態にするための電界を前記第1電極との間に発生させる第2電極と、を有する液晶装置の駆動方法であって、1フレーム期間の少なくとも一部を、前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも高い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第1駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも低い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第2駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割し、前記第1駆動電圧の絶対値と、前記第2駆動電圧の絶対値とを、互いに異なる値に設定し、前記1フレーム期間内において、前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする時間と、前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にする、ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
この適用例の駆動方法が適用され得る液晶装置は、第1基板と、第2基板と、液晶と、第1電極と、第2電極と、を有している。第2基板は、第1基板に対向している。液晶は、第1基板及び第2基板の間に挟持されている。第1電極は、第1基板及び液晶の間に介在している。第2電極は、液晶をオフ状態からオン状態にするための電界を第1電極との間に発生させる。
この適用例の駆動方法では、1フレーム期間の少なくとも一部を、第1駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、第2駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割する。第1駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも高い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。第2駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも低い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。
そして、第1駆動電圧の絶対値と第2駆動電圧の絶対値とを互いに異なる値に設定し、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にする。
この適用例の駆動方法では、1フレーム期間の少なくとも一部を、第1駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、第2駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割する。第1駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも高い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。第2駆動電圧は、第2電極の電位が第1電極の電位よりも低い場合の第1電極と第2電極との間の電位差である。
そして、第1駆動電圧の絶対値と第2駆動電圧の絶対値とを互いに異なる値に設定し、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にする。
ここで、液晶装置では、例えば、フィールドスルー(プッシュダウンとも呼ばれる)現象などが発生することがある。フィールドスルー現象は、種々の寄生容量などに起因して、駆動電圧が低下する現象である。また、液晶装置では、第1電極と第2電極との間で特性差が生じる場合がある。
この適用例の駆動方法では、第1駆動電圧の絶対値と第2駆動電圧の絶対値とを互いに異なる値に設定するので、フィールドスルー現象における駆動電圧の低下や、第1電極と第2電極との間の特性差などを補償しやすくすることができる。
また、この適用例の駆動方法では、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にするので、フィールドスルー現象における駆動電圧の低下や、第1電極と第2電極との間の特性差などを補償しやすくすることができる。
この適用例の駆動方法では、第1駆動電圧の絶対値と第2駆動電圧の絶対値とを互いに異なる値に設定するので、フィールドスルー現象における駆動電圧の低下や、第1電極と第2電極との間の特性差などを補償しやすくすることができる。
また、この適用例の駆動方法では、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にするので、フィールドスルー現象における駆動電圧の低下や、第1電極と第2電極との間の特性差などを補償しやすくすることができる。
従って、この適用例の駆動方法では、フィールドスルー現象や、第1電極と第2電極との間の特性差などが発生しても、焼き付きの要因の1つを1フレーム期間内で解消しやすくすることができるので、焼き付きを効果的に軽減することができる。
[適用例14]上記の液晶装置の駆動方法であって、前記1フレーム期間内において、前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、を互いに異なる数にすることを特徴とする液晶装置の駆動方法。
この適用例では、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間の数と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間の数と、を互いに異なる数にする。このため、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にしやすくすることができる。
[適用例15]上記の液晶装置の駆動方法であって、前記1フレーム期間内において、前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間と、前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間と、を互いに異なる長さにすることを特徴とする液晶装置の駆動方法。
この適用例では、1フレーム期間内において、液晶を第1駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間とを、互いに異なる長さにする。このため、液晶を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にしやすくすることができる。
[適用例16]上記の液晶装置の駆動方法であって、前記液晶装置は、n(nは4以上の整数)本の走査線と、前記走査線に交差する信号線と、前記信号線及び前記走査線の交差に対応して設定された画素と、前記画素に対応して設けられており、前記走査線を介して供給された選択信号に基づいて、前記信号線と前記第1電極との間を電気的につなぐスイッチング素子と、前記サブフィールド期間ごとに、前記n本の走査線にn本を循環して前記選択信号を供給する走査線駆動回路と、前記走査線に前記選択信号が供給されるたびに、前記選択信号が供給される前記走査線に対応する前記画素に対するデータ信号を、前記信号線に供給する信号線駆動回路と、を有しており、前記選択信号の供給が前記n本の走査線を一順する前に、次の前記サブフィールド期間を開始させながら、前記信号線に、前記第1駆動電圧に対応する電位の前記データ信号と、前記第2駆動電圧に対応する電位の前記データ信号と、を交互に供給させることを特徴とする液晶装置の駆動方法。
この適用例の駆動方法が適用され得る液晶装置は、n本の走査線と、信号線と、画素と、スイッチング素子と、走査線駆動回路と、信号線駆動回路と、を有している。信号線は、走査線に交差している。画素は、信号線及び走査線の交差に対応して設定されている。スイッチング素子は、画素に対応して設けられている。スイッチング素子は、走査線を介して供給された選択信号に基づいて、信号線と第1電極との間を電気的につなぐ。
走査線駆動回路は、サブフィールド期間ごとに、n本の走査線にn本を循環して選択信号を供給する。
信号線駆動回路は、走査線に選択信号が供給されるたびに、信号線にデータ信号を供給する。データ信号は、選択信号が供給される走査線に対応する画素に対するデータ信号である。
走査線駆動回路は、サブフィールド期間ごとに、n本の走査線にn本を循環して選択信号を供給する。
信号線駆動回路は、走査線に選択信号が供給されるたびに、信号線にデータ信号を供給する。データ信号は、選択信号が供給される走査線に対応する画素に対するデータ信号である。
この適用例の駆動方法では、選択信号の供給がn本の走査線を一順する前に、次のサブフィールド期間を開始させながら、信号線に、第1駆動電圧に対応する電位のデータ信号と、第2駆動電圧に対応する電位のデータ信号と、を交互に供給させる。
この駆動方法により、液晶を第1駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間とを、互いに異なる長さにすることができる。
この駆動方法により、液晶を第1駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間と、液晶を第2駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間とを、互いに異なる長さにすることができる。
[適用例17]上記の液晶装置を有することを特徴とする電子機器。
この適用例の電子機器は、焼き付きの要因の1つを1フレーム期間内で解消しやすくすることができる液晶装置を有している。この液晶装置では、焼き付きを効果的に軽減することができる。このため、この適用例の電子機器では、液晶装置における焼き付きを効果的に軽減することができる。
実施形態について、電子機器の1つであるプロジェクタを例に、図面を参照しながら説明する。
第1実施形態におけるプロジェクタ1は、主要構成を示すブロック図である図1に示すように、光学系3と、制御回路5と、電源部7と、を有している。プロジェクタ1は、図示しない外部装置から入力される画像信号に応じた画像を、光学系3を介してスクリーン8などに投射することができる。
第1実施形態におけるプロジェクタ1は、主要構成を示すブロック図である図1に示すように、光学系3と、制御回路5と、電源部7と、を有している。プロジェクタ1は、図示しない外部装置から入力される画像信号に応じた画像を、光学系3を介してスクリーン8などに投射することができる。
光学系3は、画像信号に基づいた画像を形成し、形成した画像をスクリーン8などに投射する。制御回路5は、画像信号に基づいて光学系3の駆動を制御する。
なお、プロジェクタ1では、外部電源9から入力される電力が、電源部7によって直流電力に変換される。光学系3や制御回路5などには、電源部7から直流電力が供給される。
なお、プロジェクタ1では、外部電源9から入力される電力が、電源部7によって直流電力に変換される。光学系3や制御回路5などには、電源部7から直流電力が供給される。
光学系3は、ランプ11と、画像形成部13と、投射レンズ部15と、を有している。
ランプ11は、画像形成部13や投射レンズ部15を経てスクリーン8に向けて射出される投射光17を発生する。ランプ11としては、例えば、高圧水銀ランプやメタルハライドランプなどが採用され得る。
ランプ11は、画像形成部13や投射レンズ部15を経てスクリーン8に向けて射出される投射光17を発生する。ランプ11としては、例えば、高圧水銀ランプやメタルハライドランプなどが採用され得る。
画像形成部13は、後述する液晶パネルなどを有している。画像形成部13は、制御回路5から入力される画像データなどに基づいて液晶パネルに画像を形成する。画像形成部13には、ランプ11からの光が照射される。このため、画像形成部13に形成された画像は、ランプ11からの光によって投射レンズ部15に投影される。
投射レンズ部15には、ランプ11からの光が画像形成部13を経て入射される。投射レンズ部15は、入射された光を広げる方向に屈折させて、投射光17として射出する。このため、画像形成部13に形成された画像は、拡大された状態でスクリーン8に投射され得る。
制御回路5は、制御部21と、画像処理部23と、液晶パネル駆動回路25と、を有している。
制御部21は、例えば、マイクロコンピュータで構成され、CPU(Central Processing Unit)27と、メモリ部29と、を有している。
CPU27は、メモリ部29に格納されている制御プログラムに従って、プロジェクタ1の動作を統括制御する。メモリ部29は、フラッシュメモリ等のROM(Read Only Memory)や、RAM(Random Access Memory)等を含んでいる。ROMには、CPU27が実行する制御プログラムなどが格納されている。RAMは、CPU27によって実行される制御プログラムを一時的に展開したり、各種設定値等を一時的に格納したりする。
制御部21は、例えば、マイクロコンピュータで構成され、CPU(Central Processing Unit)27と、メモリ部29と、を有している。
CPU27は、メモリ部29に格納されている制御プログラムに従って、プロジェクタ1の動作を統括制御する。メモリ部29は、フラッシュメモリ等のROM(Read Only Memory)や、RAM(Random Access Memory)等を含んでいる。ROMには、CPU27が実行する制御プログラムなどが格納されている。RAMは、CPU27によって実行される制御プログラムを一時的に展開したり、各種設定値等を一時的に格納したりする。
画像処理部23には、画像信号が入力される。画像処理部23は、制御部21からの指示に基づいて、画像信号に種々の処理を施す。また、画像処理部23は、画像信号を画像データに変換する。画像信号から変換された画像データは、液晶パネル駆動回路25に出力される。
なお、画像処理部23が画像信号に施す処理としては、各種の画質調整や、メニュー、メッセージ等のOSD(オンスクリーンディスプレイ)画像を合成する処理などが挙げられる。また、各種の画質調整としては、解像度変換、輝度調整、コントラスト調整、シャープネス調整などが挙げられる。
液晶パネル駆動回路25は、入力された画像データに応じて、画像形成部13の駆動を制御する。
なお、画像処理部23が画像信号に施す処理としては、各種の画質調整や、メニュー、メッセージ等のOSD(オンスクリーンディスプレイ)画像を合成する処理などが挙げられる。また、各種の画質調整としては、解像度変換、輝度調整、コントラスト調整、シャープネス調整などが挙げられる。
液晶パネル駆動回路25は、入力された画像データに応じて、画像形成部13の駆動を制御する。
ここで、画像形成部13の構成について、詳細を説明する。
画像形成部13は、主要構成を示す図である図2に示すように、分光部31と、画像形成パネル33と、クロスダイクロイックプリズム35と、を有している。
分光部31には、ランプ11からの光41が入射される。分光部31は、光41から、赤系(R)の色の光41R、緑系(G)の色の光41G、及び青系(B)の色の光41Bのそれぞれを分離する。
画像形成部13は、主要構成を示す図である図2に示すように、分光部31と、画像形成パネル33と、クロスダイクロイックプリズム35と、を有している。
分光部31には、ランプ11からの光41が入射される。分光部31は、光41から、赤系(R)の色の光41R、緑系(G)の色の光41G、及び青系(B)の色の光41Bのそれぞれを分離する。
ここで、Rの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Gの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Bの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Rの色を呈する光41Rは、光の波長のピークが、可視光領域で570nm以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Gの色を呈する光41Gは、光の波長のピークが500nm〜565nmの範囲にある光であると定義され得る。Bの色を呈する光41Bは、光の波長のピークが415nm〜495nmの範囲にある光であると定義され得る。
分光部31は、ダイクロイックミラー43と、ダイクロイックミラー45と、反射ミラー47と、反射ミラー48と、反射ミラー49と、を有している。光41は、光軸51aに沿って分光部31に入射する。
ダイクロイックミラー43は、光軸51aと交差する位置に設けられている。ダイクロイックミラー43は、光軸51aの方向に対して傾斜している。ダイクロイックミラー43は、光41のうちで、Rの光41Rを透過させ、Gの光41G及びBの光41Bを反射させることができる。
ダイクロイックミラー43は、光軸51aと交差する位置に設けられている。ダイクロイックミラー43は、光軸51aの方向に対して傾斜している。ダイクロイックミラー43は、光41のうちで、Rの光41Rを透過させ、Gの光41G及びBの光41Bを反射させることができる。
従って、ダイクロイックミラー43によって、光41からRの光41Rが分離され得る。他方で、Gの光41G及びBの光41Bが混合した光53が、ダイクロイックミラー43によって、光41から分離され得る。
ダイクロイックミラー43を透過した光41Rは、光軸51aに沿って反射ミラー47へ導かれる。
他方で、ダイクロイックミラー43によって反射された光53は、光軸51aが光軸51bに変えられてから、ダイクロイックミラー45へ導かれる。
ダイクロイックミラー43を透過した光41Rは、光軸51aに沿って反射ミラー47へ導かれる。
他方で、ダイクロイックミラー43によって反射された光53は、光軸51aが光軸51bに変えられてから、ダイクロイックミラー45へ導かれる。
ダイクロイックミラー45は、光軸51bと交差する位置に設けられている。ダイクロイックミラー45は、光軸51bの方向に対して傾斜している。ダイクロイックミラー45は、光53のうちで、Bの光41Bを透過させ、Gの光41Gを反射させることができる。従って、ダイクロイックミラー45によって、光53からGの光41GとBの光41Bとが分離され得る。
ダイクロイックミラー45を透過した光41Bは、光軸51bに沿って反射ミラー48へ導かれる。
他方で、ダイクロイックミラー45によって反射された光41Gは、光軸51bが光軸51cに変えられる。
ダイクロイックミラー45を透過した光41Bは、光軸51bに沿って反射ミラー48へ導かれる。
他方で、ダイクロイックミラー45によって反射された光41Gは、光軸51bが光軸51cに変えられる。
反射ミラー47は、光41Rの光軸51aと交差する位置に設けられている。反射ミラー47は、光軸51aの方向に対して傾斜している。光41Rは、反射ミラー47で反射することによって、光軸51aが光軸51dに変えられる。
反射ミラー48は、光41Bの光軸51bと交差する位置に設けられている。反射ミラー48は、光軸51bの方向に対して傾斜している。光41Bは、反射ミラー48によって光軸51bが光軸51eに変えられてから、反射ミラー49に導かれる。
反射ミラー49は、光41Bの光軸51eと交差する位置に設けられている。反射ミラー49は、光軸51eの方向に対して傾斜している。光41Bは、反射ミラー49で反射することによって、光軸51eが光軸51fに変えられる。
反射ミラー48は、光41Bの光軸51bと交差する位置に設けられている。反射ミラー48は、光軸51bの方向に対して傾斜している。光41Bは、反射ミラー48によって光軸51bが光軸51eに変えられてから、反射ミラー49に導かれる。
反射ミラー49は、光41Bの光軸51eと交差する位置に設けられている。反射ミラー49は、光軸51eの方向に対して傾斜している。光41Bは、反射ミラー49で反射することによって、光軸51eが光軸51fに変えられる。
クロスダイクロイックプリズム35は、光軸51c、光軸51d及び光軸51fの交点に重なる位置に設けられている。クロスダイクロイックプリズム35は、面35aと、面35bと、面35cと、面35dと、を有している。
面35aは、反射ミラー47側に向けられている。面35bは、ダイクロイックミラー45側に向けられている。面35cは、反射ミラー49側に向けられている。
面35aは、反射ミラー47側に向けられている。面35bは、ダイクロイックミラー45側に向けられている。面35cは、反射ミラー49側に向けられている。
画像形成パネル33は、光41R,41G及び41Bごとに設けられている。つまり、プロジェクタ1は、光41Rに対応する画像形成パネル33と、光41Gに対応する画像形成パネル33と、光41Bに対応する画像形成パネル33と、を有している。なお、以下において、画像形成パネル33を光41R,41G及び41Bごとに識別する場合には、画像形成パネル33は、画像形成パネル33R、画像形成パネル33G及び画像形成パネル33Bと表記される。
画像形成パネル33R、画像形成パネル33G及び画像形成パネル33Bは、相互に同じ仕様の画像形成パネル33が採用され得る。
画像形成パネル33R、画像形成パネル33G及び画像形成パネル33Bは、相互に同じ仕様の画像形成パネル33が採用され得る。
画像形成パネル33Rは、面35aと反射ミラー47との間において、光軸51dに交差する位置に設けられている。画像形成パネル33Rは、面35aに対向している。
画像形成パネル33Gは、面35bとダイクロイックミラー45との間において、光軸51cに交差する位置に設けられている。画像形成パネル33Gは、面35bに対向している。
画像形成パネル33Bは、面35cと反射ミラー49との間において、光軸51fに交差する位置に設けられている。画像形成パネル33Bは、面35cに対向している。
画像形成パネル33Gは、面35bとダイクロイックミラー45との間において、光軸51cに交差する位置に設けられている。画像形成パネル33Gは、面35bに対向している。
画像形成パネル33Bは、面35cと反射ミラー49との間において、光軸51fに交差する位置に設けられている。画像形成パネル33Bは、面35cに対向している。
ここで、画像形成パネル33は、透過型の液晶パネルをライトバルブとして有している。
液晶パネルは、後述する複数の画素と、画素ごとに駆動が制御される液晶と、を有している。液晶パネルは、複数の画素に入射された光の偏光状態を、画素ごとに変化させることができる。なお、液晶パネルについては、詳細を後述する。
画像形成パネル33では、液晶パネルの複数の画素に入射された光の偏光状態を画素ごとに変化させることによって、画像形成パネル33を透過した光で画像を形成することができる。
液晶パネルは、後述する複数の画素と、画素ごとに駆動が制御される液晶と、を有している。液晶パネルは、複数の画素に入射された光の偏光状態を、画素ごとに変化させることができる。なお、液晶パネルについては、詳細を後述する。
画像形成パネル33では、液晶パネルの複数の画素に入射された光の偏光状態を画素ごとに変化させることによって、画像形成パネル33を透過した光で画像を形成することができる。
画像形成パネル33を透過した光は、クロスダイクロイックプリズム35に導かれる。
画像形成パネル33Rを透過した光41Rは、面35aからクロスダイクロイックプリズム35に入射する。
画像形成パネル33Gを透過した光41Gは、面35bからクロスダイクロイックプリズム35に入射する。
画像形成パネル33Bを透過した光41Bは、面35cからクロスダイクロイックプリズム35に入射する。
このため、面35aには、Rの画像が投影され、面35bには、Gの画像が投影され、面35cには、Bの画像が投影され得る。
画像形成パネル33Rを透過した光41Rは、面35aからクロスダイクロイックプリズム35に入射する。
画像形成パネル33Gを透過した光41Gは、面35bからクロスダイクロイックプリズム35に入射する。
画像形成パネル33Bを透過した光41Bは、面35cからクロスダイクロイックプリズム35に入射する。
このため、面35aには、Rの画像が投影され、面35bには、Gの画像が投影され、面35cには、Bの画像が投影され得る。
クロスダイクロイックプリズム35に入射した光41R,41G及び41Bは、クロスダイクロイックプリズム35によって合成される。つまり、クロスダイクロイックプリズム35によって、Rの画像、Gの画像及びBの画像が合成され得る。
クロスダイクロイックプリズム35によって合成された光41R,41G及び41Bは、画像光55としてクロスダイクロイックプリズム35の面35dから射出される。
クロスダイクロイックプリズム35によって合成された光41R,41G及び41Bは、画像光55としてクロスダイクロイックプリズム35の面35dから射出される。
面35dから射出された画像光55は、投射レンズ部15へ導かれてから、投射レンズ部15に入射する。投射レンズ部15に入射した画像光55は、投射光17(図1)としてスクリーン8などに投射される。
ここで、画像形成パネル33の構成について、詳細を説明する。
画像形成パネル33は、図3に示すように、液晶パネル61と、位相差板62と、位相差板63と、偏光板64aと、偏光板64bと、を有している。
ここで、画像形成パネル33には、複数の画素65が設定されている。複数の画素65は、領域67内で、図中のX方向及びY方向に配列しており、X方向を行方向とし、Y方向を列方向とするマトリクスMを構成している。
図3では、構成をわかりやすく示すため、画素65が誇張され、且つ画素65の個数が減じられている。
なお、X方向は、後述する走査線が延在する方向でもある。Y方向は、後述する信号線が延在する方向でもある。
画像形成パネル33は、図3に示すように、液晶パネル61と、位相差板62と、位相差板63と、偏光板64aと、偏光板64bと、を有している。
ここで、画像形成パネル33には、複数の画素65が設定されている。複数の画素65は、領域67内で、図中のX方向及びY方向に配列しており、X方向を行方向とし、Y方向を列方向とするマトリクスMを構成している。
図3では、構成をわかりやすく示すため、画素65が誇張され、且つ画素65の個数が減じられている。
なお、X方向は、後述する走査線が延在する方向でもある。Y方向は、後述する信号線が延在する方向でもある。
プロジェクタ1では、画像形成パネル33は、偏光板64b側の面69が、図2に示すクロスダイクロイックプリズム35側に向けられている。画像形成パネル33では、面69側に画像が形成(表示)される。従って、以下においては、面69は、表示面69と表記される。
領域67は、画像が形成(表示)される領域に相当する。このため、以下において、領域67は、表示領域67と表記される。
領域67は、画像が形成(表示)される領域に相当する。このため、以下において、領域67は、表示領域67と表記される。
液晶パネル61は、図3中のA−A線における断面図である図4に示すように、素子基板71と、対向基板73と、液晶75と、シール材77と、を有している。
素子基板71には、表示面69側すなわち液晶75側に、複数の画素65のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
対向基板73は、素子基板71よりも表示面69側で素子基板71に対向し、且つ素子基板71との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板73には、面79側すなわち液晶75側に、後述する対向電極などが設けられている。なお、面79は、画像形成パネル33における表示面69とは反対側の底面に相当している。このため、以下において、面79は、底面79と表記される。
素子基板71には、表示面69側すなわち液晶75側に、複数の画素65のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
対向基板73は、素子基板71よりも表示面69側で素子基板71に対向し、且つ素子基板71との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板73には、面79側すなわち液晶75側に、後述する対向電極などが設けられている。なお、面79は、画像形成パネル33における表示面69とは反対側の底面に相当している。このため、以下において、面79は、底面79と表記される。
液晶75は、素子基板71及び対向基板73の間に挟持されており、液晶パネル61の周縁よりも内側で表示領域67を囲むシール材77によって、素子基板71及び対向基板73の間に封止されている。本実施形態では、液晶75の駆動方式として、VA(Vertical Alignment)型の駆動方式が採用されている。
位相差板62は、素子基板71よりも底面79側、すなわち液晶75側とは反対側に設けられている。
位相差板63は、対向基板73よりも表示面69側、すなわち液晶75側とは反対側に設けられている。画像形成パネル33では、位相差板62及び位相差板63は、それぞれ、入射された光に対して1/4波長の位相差を付与する。
位相差板63は、対向基板73よりも表示面69側、すなわち液晶75側とは反対側に設けられている。画像形成パネル33では、位相差板62及び位相差板63は、それぞれ、入射された光に対して1/4波長の位相差を付与する。
偏光板64aは、素子基板71の底面79側に設けられている。偏光板64bは、位相差板63の表示面69側に設けられている。偏光板64a及び偏光板64bは、それぞれ、透過軸に沿った偏光軸を有する直線偏光を透過させることができる。
また、液晶パネル61は、液晶パネル駆動回路25と液晶パネル61とを示すブロック図である図5に示すように、走査線駆動回路81と、信号線駆動回路83と、をも有している。液晶パネル駆動回路25と液晶パネル61とは、それぞれ、液晶装置85の構成要素の1つである。
また、液晶パネル61は、液晶パネル駆動回路25と液晶パネル61とを示すブロック図である図5に示すように、走査線駆動回路81と、信号線駆動回路83と、をも有している。液晶パネル駆動回路25と液晶パネル61とは、それぞれ、液晶装置85の構成要素の1つである。
マトリクスMでは、Y方向に沿って並ぶ複数の画素65が、図6に示すように、1つの画素列87を構成している。また、X方向に沿って並ぶ複数の画素65が、1つの画素行88を構成している。
ここで、液晶パネル61の素子基板71及び対向基板73のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板71は、図6中のC−C線における断面図である図7に示すように、第1基板91と、素子層92とを有している。
第1基板91は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面69側に向けられた第1面93aと、底面79側に向けられた第2面93bとを有している。
素子基板71は、図6中のC−C線における断面図である図7に示すように、第1基板91と、素子層92とを有している。
第1基板91は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面69側に向けられた第1面93aと、底面79側に向けられた第2面93bとを有している。
素子層92は、第1基板91の第1面93aに設けられている。素子層92には、絶縁膜95と、絶縁膜97と、絶縁膜99と、配向膜101とが含まれている。また、素子層92には、図5に示すように、画素65ごとに、スイッチング素子の1つであるTFT(Thin Film Transistor)素子103と、画素電極105と、容量素子107と、が含まれている。
絶縁膜95は、図7に示すように、第1基板91の第1面93aに設けられている。絶縁膜97は、絶縁膜95の表示面69側に設けられている。絶縁膜99は、絶縁膜97の表示面69側に設けられている。画素電極105は、絶縁膜99の表示面69側に設けられている。配向膜101は、画素電極105の表示面69側に設けられている。
なお、絶縁膜95の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜95の材料として、酸化シリコンが採用されている。
なお、絶縁膜95の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜95の材料として、酸化シリコンが採用されている。
TFT素子103と、画素電極105とは、それぞれ、各画素65に対応して設けられている。
TFT素子103は、拡大図である図8に示すように、半導体層109と、ゲート電極111と、を有している。半導体層109は、絶縁膜95の表示面69側に設けられている。半導体層109は、ゲート絶縁膜113によって表示面69側から覆われている。
TFT素子103は、拡大図である図8に示すように、半導体層109と、ゲート電極111と、を有している。半導体層109は、絶縁膜95の表示面69側に設けられている。半導体層109は、ゲート絶縁膜113によって表示面69側から覆われている。
半導体層109としては、例えば、単結晶シリコンや、多結晶シリコン、非晶質シリコンなどが採用され得る。本実施形態では、半導体層109として、多結晶シリコンが採用されている。
ゲート絶縁膜113の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、ゲート絶縁膜113の材料として、酸化シリコンが採用されている。
ゲート絶縁膜113の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、ゲート絶縁膜113の材料として、酸化シリコンが採用されている。
ゲート電極111は、ゲート絶縁膜113を挟んで半導体層109に対向する位置に設けられている。
ゲート電極111の材料としては、例えば、多結晶シリコンなどにイオンなどを注入したものなどが採用され得る。また、ゲート電極111の材料として、モリブデン、タングステン、タンタル、クロムなどの金属や、これらを含む合金なども採用され得る。モリブデンやタングステンなどを含む合金としては、例えば、モリブデンシリサイドや、タングステンシリサイドなどが挙げられる。
本実施形態では、ゲート電極111として、多結晶シリコンにイオンなどを注入した所謂ポリシリコンゲートが採用されている。
ゲート電極111の材料としては、例えば、多結晶シリコンなどにイオンなどを注入したものなどが採用され得る。また、ゲート電極111の材料として、モリブデン、タングステン、タンタル、クロムなどの金属や、これらを含む合金なども採用され得る。モリブデンやタングステンなどを含む合金としては、例えば、モリブデンシリサイドや、タングステンシリサイドなどが挙げられる。
本実施形態では、ゲート電極111として、多結晶シリコンにイオンなどを注入した所謂ポリシリコンゲートが採用されている。
本実施形態では、半導体層109は、チャネル領域109aと、ソース領域109bと、ドレイン領域109cと、を有している。
チャネル領域109aは、平面視でゲート電極111に重なっている。ソース領域109b及びドレイン領域109cは、それぞれ、平面視でチャネル領域109aの外側に設けられている。チャネル領域109aは、ソース領域109bとドレイン領域109cとの間に設けられている。
なお、半導体層109としては、チャネル領域109aとソース領域109bとの間や、チャネル領域109aとドレイン領域109cとの間に、LDD(Lightly Doped Drain)領域を設けた構成も採用され得る。
チャネル領域109aは、平面視でゲート電極111に重なっている。ソース領域109b及びドレイン領域109cは、それぞれ、平面視でチャネル領域109aの外側に設けられている。チャネル領域109aは、ソース領域109bとドレイン領域109cとの間に設けられている。
なお、半導体層109としては、チャネル領域109aとソース領域109bとの間や、チャネル領域109aとドレイン領域109cとの間に、LDD(Lightly Doped Drain)領域を設けた構成も採用され得る。
上記の構成を有するTFT素子103は、絶縁膜97によって表示面69側から覆われている。絶縁膜97の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜97の材料として、酸化シリコンが採用されている。
絶縁膜97及びゲート絶縁膜113には、コンタクトホール115aと、コンタクトホール115bと、が設けられている。
コンタクトホール115aは、ソース領域109bに及んでいる。コンタクトホール115bは、ドレイン領域109cに及んでいる。コンタクトホール115a内には、ソース電極117が設けられている。コンタクトホール115b内には、ドレイン電極119が設けられている。
絶縁膜97及びゲート絶縁膜113には、コンタクトホール115aと、コンタクトホール115bと、が設けられている。
コンタクトホール115aは、ソース領域109bに及んでいる。コンタクトホール115bは、ドレイン領域109cに及んでいる。コンタクトホール115a内には、ソース電極117が設けられている。コンタクトホール115b内には、ドレイン電極119が設けられている。
絶縁膜97の表示面69側には、図7に示すように、信号線Sが設けられている。信号線Sは、平面視でソース電極117に重なる位置に設けられている。信号線Sとソース電極117とは、互いに電気的につながっている。信号線Sは、ソース電極117を介して半導体層109のソース領域109b(図8)に電気的につながっている。信号線Sは、図7に示すように、絶縁膜99によって表示面69側から覆われている。絶縁膜99の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜99の材料として、酸化シリコンが採用されている。
ここで、図8に示すコンタクトホール115bは、絶縁膜99の表示面69側に及んでいる。ドレイン電極119は、図7に示すように、絶縁膜99の表示面69側に及んでいる。画素電極105とドレイン電極119とは、互いに電気的につながっている。画素電極105は、ドレイン電極119を介して半導体層109のドレイン領域109c(図8)に電気的につながっている。
画素電極105としては、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)や、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide)などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、画素電極105の材料として、ITOが採用されている。
画素電極105としては、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)や、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide)などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、画素電極105の材料として、ITOが採用されている。
画素電極105は、図7に示すように、配向膜101によって表示面69側から覆われている。
配向膜101の材料としては、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、配向膜101の材料として、ポリイミドが採用されている。なお、配向膜101には、表示面69側に配向処理が施されている。
配向膜101の材料としては、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、配向膜101の材料として、ポリイミドが採用されている。なお、配向膜101には、表示面69側に配向処理が施されている。
対向基板73は、第2基板121と、対向層122とを有している。第2基板121は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面69側に向けられた外向面121aと、底面79側に向けられた対向面121bとを有している。
対向層122は、第2基板121の対向面121bに設けられている。対向層122には、絶縁膜123と、対向電極125と、配向膜127と、が含まれている。
絶縁膜123は、第2基板121の対向面121bに設けられている。絶縁膜123の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜123の材料として、酸化シリコンが採用されている。
対向層122は、第2基板121の対向面121bに設けられている。対向層122には、絶縁膜123と、対向電極125と、配向膜127と、が含まれている。
絶縁膜123は、第2基板121の対向面121bに設けられている。絶縁膜123の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜123の材料として、酸化シリコンが採用されている。
対向電極125は、絶縁膜123の底面79側に設けられている。対向電極125の材料としては、例えばITOやインジウム亜鉛酸化物などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、対向電極125の材料として、ITOが採用されている。
対向電極125は、マトリクスMを構成する複数の画素65(図3)にわたって一連した状態で設けられている。対向電極125は、マトリクスMを構成する複数の画素65に対して共通して機能する。
なお、本実施形態では、画素65の領域は、図7に示すように、1つの画素電極105と、対向電極125とが重なり合う領域であると定義され得る。
対向電極125は、マトリクスMを構成する複数の画素65(図3)にわたって一連した状態で設けられている。対向電極125は、マトリクスMを構成する複数の画素65に対して共通して機能する。
なお、本実施形態では、画素65の領域は、図7に示すように、1つの画素電極105と、対向電極125とが重なり合う領域であると定義され得る。
配向膜127は、対向電極125の底面79側に設けられている。対向電極125は、配向膜127によって底面79側から覆われている。配向膜127の材料としては、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、配向膜127の材料として、ポリイミドが採用されている。配向膜127には、底面79側に配向処理が施されている。
ここで、Y方向に並ぶ複数のソース電極117は、図9に示すように、信号線Sを介して、画素列87(図5)単位で相互に電気的につながっている。
また、X方向に並ぶ複数のゲート電極111は、図9に示すように、走査線Tを介して、画素行88(図5)単位で相互に電気的につながっている。
複数の信号線Sは、それぞれY方向に延びており、X方向に並んでいる。X方向に隣り合う信号線S同士の間には、隙間が設けられている。
複数の走査線Tは、それぞれX方向に延びており、Y方向に並んでいる。Y方向に隣り合う走査線T同士の間には、隙間が設けられている。
また、X方向に並ぶ複数のゲート電極111は、図9に示すように、走査線Tを介して、画素行88(図5)単位で相互に電気的につながっている。
複数の信号線Sは、それぞれY方向に延びており、X方向に並んでいる。X方向に隣り合う信号線S同士の間には、隙間が設けられている。
複数の走査線Tは、それぞれX方向に延びており、Y方向に並んでいる。Y方向に隣り合う走査線T同士の間には、隙間が設けられている。
本実施形態では、X方向に沿って延在する容量線Cが設けられている。容量線Cは、走査線Tに対応して、すなわち画素行88(図5)ごとに設けられている。
本実施形態では、容量線Cは、図7に示す絶縁膜95の表示面69側に設けられており、絶縁膜97によって表示面69側から覆われている。容量線Cの材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。なお、ゲート電極111(走査線T)と、容量線Cとは、図9に示すように、Y方向に隙間をあけた状態で並んでいる。
本実施形態では、容量線Cは、図7に示す絶縁膜95の表示面69側に設けられており、絶縁膜97によって表示面69側から覆われている。容量線Cの材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。なお、ゲート電極111(走査線T)と、容量線Cとは、図9に示すように、Y方向に隙間をあけた状態で並んでいる。
画素65は、複数の信号線Sと、複数の走査線Tとの各交差に対応して設定されている。
画素電極105は、図10に示すように、互いに隣り合う信号線Sと、互いに隣り合う走査線Tとによって囲まれる領域に重なっている。なお、本実施形態では、画素電極105は、周縁部が信号線S及び走査線Tに重なっている。また、画素電極105は、容量線Cに重なっている。
これにより、液晶パネル61では、容量線Cと画素電極105との間に、図5に示す容量素子107が形成される。
なお、図7に示すTFT素子103の断面は、図10中のH−H線における断面に相当している。
画素電極105は、図10に示すように、互いに隣り合う信号線Sと、互いに隣り合う走査線Tとによって囲まれる領域に重なっている。なお、本実施形態では、画素電極105は、周縁部が信号線S及び走査線Tに重なっている。また、画素電極105は、容量線Cに重なっている。
これにより、液晶パネル61では、容量線Cと画素電極105との間に、図5に示す容量素子107が形成される。
なお、図7に示すTFT素子103の断面は、図10中のH−H線における断面に相当している。
本実施形態では、液晶パネル61は、図5に示すように、n本(nは、1以上の整数)の走査線Tと、m本(mは、1以上の整数)の信号線Sとを有している。なお、以下においてn本の走査線Tが個々に識別される場合に、走査線T(i)という表記が用いられる。iは、1以上且つn以下の整数である。また、m本の信号線Sが個々に識別される場合に、信号線S(j)という表記が用いられる。jは、1以上且つm以下の整数である。
素子基板71及び対向基板73の間に介在する液晶75は、図7に示すように、配向膜101と配向膜127との間に介在している。
本実施形態では、図4に示すシール材77は、図7に示す第1基板91の第1面93aと、第2基板121の対向面121bとによって挟持されている。つまり、液晶パネル61では、液晶75は、第1基板91及び第2基板121によって保持されている。なお、シール材77は、配向膜101及び配向膜127の間に設けられていてもよい。この場合、液晶75は、素子基板71及び対向基板73に保持されているとみなされ得る。
本実施形態では、図4に示すシール材77は、図7に示す第1基板91の第1面93aと、第2基板121の対向面121bとによって挟持されている。つまり、液晶パネル61では、液晶75は、第1基板91及び第2基板121によって保持されている。なお、シール材77は、配向膜101及び配向膜127の間に設けられていてもよい。この場合、液晶75は、素子基板71及び対向基板73に保持されているとみなされ得る。
液晶75は、図7に示すように、L1なる厚みに設定されている。液晶75は、入射した光を変調することができる。本実施形態では、液晶75は、入射した光に位相差を付与することができる。これは、液晶75のリタデーション(複屈折率と厚みL1との積)の設定により実現され得る。本実施形態では、入射した光に1/2波長の位相差を付与するリタデーションが設定されている。
液晶パネル61では、画素電極105と対向電極125との間に電圧を印加すると、画素電極105と対向電極125との間に電界が発生する。液晶パネル61では、TFT素子103がオフ状態からオン状態に変化すると、画素電極105と対向電極125との間に電界が発生する。この電界によって液晶75の配向状態を画素65ごとに変化させることができる。
本実施形態では、液晶75に電界が作用すると、液晶75がオン状態になる。他方で、液晶75に作用する電界が解除されると、液晶75がオフ状態になる。
プロジェクタ1では、図2に示す画像形成部13に光41を照射した状態で、各液晶パネル61における液晶75の配向状態を画素65ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶75の配向状態は、TFT素子103のオフ状態及びオン状態を切り替えることによって変化し得る。
本実施形態では、液晶75に電界が作用すると、液晶75がオン状態になる。他方で、液晶75に作用する電界が解除されると、液晶75がオフ状態になる。
プロジェクタ1では、図2に示す画像形成部13に光41を照射した状態で、各液晶パネル61における液晶75の配向状態を画素65ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶75の配向状態は、TFT素子103のオフ状態及びオン状態を切り替えることによって変化し得る。
図7に示す配向膜101及び配向膜127のそれぞれには、配向処理が施されている。配向処理が施された配向膜101及び配向膜127によって、液晶75の初期的な配向状態が規制される。
図11(a)は、液晶75がオフ状態のときの画像形成パネル33における偏光状態を示す図であり、図11(b)は、液晶75がオン状態のときの画像形成パネル33における偏光状態を示す図である。
図11(a)は、液晶75がオフ状態のときの画像形成パネル33における偏光状態を示す図であり、図11(b)は、液晶75がオン状態のときの画像形成パネル33における偏光状態を示す図である。
画像形成パネル33では、偏光板64aの透過軸141と、偏光板64bの透過軸142とは、図11(a)及び図11(b)に示すように、互いに直交している。
なお、図11(a)及び図11(b)において、X'方向及びY'方向は、X'方向が偏光板64aの透過軸141の方向を示し、Y'方向が偏光板64bの透過軸142の方向を示している。X'方向及びY'方向は、XY平面内で互いに直交する任意の2方向である。
なお、図11(a)及び図11(b)において、X'方向及びY'方向は、X'方向が偏光板64aの透過軸141の方向を示し、Y'方向が偏光板64bの透過軸142の方向を示している。X'方向及びY'方向は、XY平面内で互いに直交する任意の2方向である。
位相差板62の遅相軸62aは、平面視でX'方向に対して、時計方向に45度の傾きを有する方向に設定されている。
従って、偏光板64aを透過した直線偏光143は、位相差板62によって1/4波長の位相差が与えられ、平面視で反時計方向に回転する円偏光144として液晶75に入射される。
従って、偏光板64aを透過した直線偏光143は、位相差板62によって1/4波長の位相差が与えられ、平面視で反時計方向に回転する円偏光144として液晶75に入射される。
液晶75に入射された円偏光144は、液晶75がオフ状態のときに、図11(a)に示すように、偏光状態が維持されたまま(位相差が付与されずに)円偏光144として位相差板63に向けて射出される。
ここで、位相差板63の遅相軸63aは、平面視でX'方向に対して、時計方向に45度の傾きを有する方向に設定されている。
ここで、位相差板63の遅相軸63aは、平面視でX'方向に対して、時計方向に45度の傾きを有する方向に設定されている。
このため、位相差板63に入射された円偏光144は、位相差板63によって1/4波長の位相差が与えられ、平面視でX'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光145として偏光板64bに向けて射出される。
偏光板64bに向けて射出された直線偏光145は、偏光軸が偏光板64bの透過軸142に対して直交しているため、偏光板64bによって吸収される。
偏光板64bに向けて射出された直線偏光145は、偏光軸が偏光板64bの透過軸142に対して直交しているため、偏光板64bによって吸収される。
他方で、液晶75がオン状態のときに、液晶75に入射された円偏光144は、図11(b)に示すように、1/2波長の位相差が与えられ、平面視で時計方向に回転する(円偏光144とは逆回転の)円偏光147として位相差板63に向けて射出される。
位相差板63に入射された円偏光147は、位相差板63によって1/4波長の位相差が与えられ、平面視でY'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光149として偏光板64bに向けて射出される。
偏光板64bに向けて射出された直線偏光149は、偏光軸が偏光板64bの透過軸142に沿っているため、偏光板64bを透過する。
位相差板63に入射された円偏光147は、位相差板63によって1/4波長の位相差が与えられ、平面視でY'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光149として偏光板64bに向けて射出される。
偏光板64bに向けて射出された直線偏光149は、偏光軸が偏光板64bの透過軸142に沿っているため、偏光板64bを透過する。
このように、画像形成パネル33では、液晶75のオン状態及びオフ状態の切り替えにより、画像の形成が制御される。
本実施形態では、液晶75がオフ状態のときに画像形成パネル33からの光の射出が遮断される所謂ノーマリブラック(初期的に“黒表示”の状態)の表示モードが採用されている。しかしながら、表示モードは、ノーマリブラックに限定されず、所謂ノーマリホワイト(初期的に“白表示”の状態)も採用され得る。
本実施形態では、液晶75がオフ状態のときに画像形成パネル33からの光の射出が遮断される所謂ノーマリブラック(初期的に“黒表示”の状態)の表示モードが採用されている。しかしながら、表示モードは、ノーマリブラックに限定されず、所謂ノーマリホワイト(初期的に“白表示”の状態)も採用され得る。
ここで、図5に示す液晶装置85の駆動方法について説明する。
液晶パネル駆動回路25は、図5に示すように、コントローラ161と、メモリ部163と、を有している。
コントローラ161には、図1に示す画像処理部23を介して、垂直同期信号VSYNCと、水平同期信号HSYNCと、クロック信号DCLKと、画像データDATAと、が供給される。
液晶パネル駆動回路25は、図5に示すように、コントローラ161と、メモリ部163と、を有している。
コントローラ161には、図1に示す画像処理部23を介して、垂直同期信号VSYNCと、水平同期信号HSYNCと、クロック信号DCLKと、画像データDATAと、が供給される。
メモリ部163には、1フレーム分の画像データDATAが一時的に格納される。コントローラ161は、メモリ部163に格納された1フレーム分の画像データDATAから、画素行88単位の画像データdataを読み出す。コントローラ161は、読み出した画像データdataをシリアルデータとして信号線駆動回路83に出力する。信号線駆動回路83には、クロック信号CLX、イネーブル信号ENBX及び極性反転信号FRも、コントローラ161から入力される。
また、コントローラ161は、スタートパルスDYと、クロック信号CLYと、を走査線駆動回路81に出力する。
また、コントローラ161は、スタートパルスDYと、クロック信号CLYと、を走査線駆動回路81に出力する。
ここで、本実施形態では、1フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割するサブフィールド駆動が採用されている。サブフィールド駆動では、サブフィールド期間ごとに液晶75のオン状態及びオフ状態を制御することができる。
本実施形態では、1フレーム期間が、図12に示すように、32個のサブフィールド期間SF1〜SF32に分割される。本実施形態では、32個のサブフィールド期間SF1〜SF32は、相互に同じ長さに設定される。
本実施形態では、1フレーム期間が、図12に示すように、32個のサブフィールド期間SF1〜SF32に分割される。本実施形態では、32個のサブフィールド期間SF1〜SF32は、相互に同じ長さに設定される。
なお、以下においては、サブフィールド期間SF1〜サブフィールド期間SF32という表記と、サブフィールド期間SFという表記とが併用される。
垂直同期信号VSYNCは、フレーム期間の開始を規定する信号である。スタートパルスDYは、サブフィールド期間SFの開始を規定する信号であり、垂直同期信号VSYNCを基準としてコントローラ161(図5)によって生成される。
垂直同期信号VSYNCは、フレーム期間の開始を規定する信号である。スタートパルスDYは、サブフィールド期間SFの開始を規定する信号であり、垂直同期信号VSYNCを基準としてコントローラ161(図5)によって生成される。
走査線駆動回路81は、図13に示すように、シフトレジスタ165を有している。スタートパルスDY及びクロック信号CLYは、シフトレジスタ165に入力される。
シフトレジスタ165からは、選択信号g(1)〜選択信号g(n)が出力される。選択信号g(1)は、図5に示すように、走査線T(1)に供給される。選択信号g(2)が走査線T(2)に供給され、選択信号g(n)が走査線T(n)に供給される。
シフトレジスタ165からは、選択信号g(1)〜選択信号g(n)が出力される。選択信号g(1)は、図5に示すように、走査線T(1)に供給される。選択信号g(2)が走査線T(2)に供給され、選択信号g(n)が走査線T(n)に供給される。
選択信号g(i)は、図14に示すように、クロック信号CLYの半周期のパルス幅を有している。
選択信号g(1)は、スタートパルスDYが立ち上がってからクロック信号CLYの2番目の変化点に基づいてLoレベルからHiレベルに立ち上がる。ここで、変化点とは、パルス信号がLoレベルからHiレベルに変化する時点と、パルス信号がHiレベルからLoレベルに変化する時点とを示す。
Hiレベルに立ち上がった選択信号g(1)は、図13に示すシフトレジスタ165によって、クロック信号CLYの変化点ごとに選択信号g(2),g(3),…,g(n)の順にシフトされていく。
選択信号g(1)は、スタートパルスDYが立ち上がってからクロック信号CLYの2番目の変化点に基づいてLoレベルからHiレベルに立ち上がる。ここで、変化点とは、パルス信号がLoレベルからHiレベルに変化する時点と、パルス信号がHiレベルからLoレベルに変化する時点とを示す。
Hiレベルに立ち上がった選択信号g(1)は、図13に示すシフトレジスタ165によって、クロック信号CLYの変化点ごとに選択信号g(2),g(3),…,g(n)の順にシフトされていく。
選択信号g(1)がHiレベルに立ち上がってから、選択信号g(n)がLoレベルに立ち下がるまでの期間が、1垂直期間に相当している。本実施形態では、1垂直期間は、サブフィールド期間SFよりも短い長さに設定されている。
なお、本実施形態では、スタートパルスDYが立ち上がってからクロック信号CLYの1番目の変化点に基づいて、イネーブル信号ENBXがLoレベルからHiレベルに立ち上がる。
なお、本実施形態では、スタートパルスDYが立ち上がってからクロック信号CLYの1番目の変化点に基づいて、イネーブル信号ENBXがLoレベルからHiレベルに立ち上がる。
イネーブル信号ENBXの1周期は、選択信号g(i)のパルス幅と同等に設定されている。イネーブル信号ENBXは、LoレベルからHiレベルに立ち上がった後に、選択信号g(1)〜選択信号g(n)の各立ち上がりに基づいて、順次にLoレベルからHiレベルに立ち上がっていく。従って、イネーブル信号ENBXは、1つのサブフィールド期間SF内で、n+1個の立ち上がりパルスを有している。
なお、本実施形態では、イネーブル信号ENBXの1周期が1水平期間に相当している。
なお、本実施形態では、イネーブル信号ENBXの1周期が1水平期間に相当している。
信号線駆動回路83は、図15に示すように、シフトレジスタ171と、第1ラッチ回路173と、第2ラッチ回路175と、レベルシフタ177と、を有している。
シフトレジスタ171には、イネーブル信号ENBXと、クロック信号CLXとが入力される。
第1ラッチ回路173には、シフトレジスタ171からの出力信号(ラッチ信号LT(1)〜ラッチ信号LT(m))と、画像データdataとが入力される。
第2ラッチ回路175には、第1ラッチ回路173からの出力信号と、イネーブル信号ENBXとが入力される。
シフトレジスタ171には、イネーブル信号ENBXと、クロック信号CLXとが入力される。
第1ラッチ回路173には、シフトレジスタ171からの出力信号(ラッチ信号LT(1)〜ラッチ信号LT(m))と、画像データdataとが入力される。
第2ラッチ回路175には、第1ラッチ回路173からの出力信号と、イネーブル信号ENBXとが入力される。
レベルシフタ177には、第2ラッチ回路175からの出力信号と、極性反転信号FRとが入力される。
レベルシフタ177からは、データ信号d(1)〜データ信号d(m)が出力される。データ信号d(1)は、図5に示すように、信号線S(1)に供給される。データ信号d(2)が信号線S(2)に供給され、データ信号d(m)が信号線S(m)に供給される。
レベルシフタ177からは、データ信号d(1)〜データ信号d(m)が出力される。データ信号d(1)は、図5に示すように、信号線S(1)に供給される。データ信号d(2)が信号線S(2)に供給され、データ信号d(m)が信号線S(m)に供給される。
シフトレジスタ171は、イネーブル信号ENBXを、クロック信号CLXの変化点ごとにシフトさせながら、ラッチ信号LT(1),LT(2),LT(3),…,LT(m)として順次に出力していく。
第1ラッチ回路173は、2値信号である画像データdataを、ラッチ信号LT(j)の立ち下がりに基づいて順次にラッチしていく。
第1ラッチ回路173は、2値信号である画像データdataを、ラッチ信号LT(j)の立ち下がりに基づいて順次にラッチしていく。
第2ラッチ回路175は、第1ラッチ回路173でラッチされた画像データdataのそれぞれを、イネーブル信号ENBXにもとづいて一斉にラッチする。第2ラッチ回路175でラッチされた各画像データdataは、データ信号d(1)〜データ信号d(m)として、レベルシフタ177を介して、信号線S(1)〜信号線S(m)に一斉に供給される。
レベルシフタ177は、極性反転信号FRのレベルに応じて、データ信号d(1)〜データ信号d(m)に対応する電位を選択する。
ここで、液晶装置85では、液晶75をオン状態にするための電圧として、第1駆動電圧と第2駆動電圧とが設定されている。第1駆動電圧及び第2駆動電圧は、それぞれ、画素電極105と対向電極125との間の電位差である。
ここで、液晶装置85では、液晶75をオン状態にするための電圧として、第1駆動電圧と第2駆動電圧とが設定されている。第1駆動電圧及び第2駆動電圧は、それぞれ、画素電極105と対向電極125との間の電位差である。
第1駆動電圧は、画素電極105の電位が対向電極125の電位よりも高い場合の画素電極105と対向電極125との間の電位差である。
第2駆動電圧は、画素電極105の電位が対向電極125の電位よりも低い場合の画素電極105と対向電極125との間の電位差である。
本実施形態では、対向電極125は、第1駆動電圧と第2駆動電圧とで同じ電位に設定される。また、本実施形態では、第1駆動電圧の絶対値と第2駆動電圧の絶対値とが、互いに同じ値に設定される。
第2駆動電圧は、画素電極105の電位が対向電極125の電位よりも低い場合の画素電極105と対向電極125との間の電位差である。
本実施形態では、対向電極125は、第1駆動電圧と第2駆動電圧とで同じ電位に設定される。また、本実施形態では、第1駆動電圧の絶対値と第2駆動電圧の絶対値とが、互いに同じ値に設定される。
レベルシフタ177は、極性反転信号FRがHiレベルのときに、第1駆動電圧に対応する電位を、データ信号d(1)〜データ信号d(m)の電位として選択する。レベルシフタ177は、極性反転信号FRがLoレベルのときに、第2駆動電圧に対応する電位を、データ信号d(1)〜データ信号d(m)の電位として選択する。
極性反転信号FRには、図16に示すように、1フレーム期間内にHiレベルの期間とLoレベルの期間とが設定されている。
本実施形態では、極性反転信号FRは、1フレーム期間の開始に基づいてLoレベルからHiレベルに立ち上がる。Hiレベルに立ち上がった極性反転信号FRは、サブフィールド期間SF16の終了時点までHiレベルの状態が維持される。
本実施形態では、極性反転信号FRは、1フレーム期間の開始に基づいてLoレベルからHiレベルに立ち上がる。Hiレベルに立ち上がった極性反転信号FRは、サブフィールド期間SF16の終了時点までHiレベルの状態が維持される。
また、本実施形態では、極性反転信号FRは、サブフィールド期間SF16の終了に基づいてHiレベルからLoレベルに立ち下がる。Loレベルに立ち下がった極性反転信号FRは、サブフィールド期間SF32の終了時点までLoレベルの状態が維持される。
つまり、本実施形態では、極性反転信号FRは、1フレーム期間の前半においてHiレベルに維持され、1フレーム期間の後半においてLoレベルに維持される。
つまり、本実施形態では、極性反転信号FRは、1フレーム期間の前半においてHiレベルに維持され、1フレーム期間の後半においてLoレベルに維持される。
ラッチ信号LT(j)は、図17に示すように、クロック信号CLXの半周期のパルス幅を有している。
ラッチ信号LT(1)は、イネーブル信号ENBXがLoレベルからHiレベルに立ち上がってからクロック信号CLXの3番目の変化点に基づいてLoレベルからHiレベルに立ち上がる。
Hiレベルに立ち上がったラッチ信号LT(1)は、図15に示すシフトレジスタ171によって、クロック信号CLXの変化点ごとにラッチ信号LT(2),LT(3),…,LT(m)の順にシフトしながら出力されていく。
ラッチ信号LT(1)は、イネーブル信号ENBXがLoレベルからHiレベルに立ち上がってからクロック信号CLXの3番目の変化点に基づいてLoレベルからHiレベルに立ち上がる。
Hiレベルに立ち上がったラッチ信号LT(1)は、図15に示すシフトレジスタ171によって、クロック信号CLXの変化点ごとにラッチ信号LT(2),LT(3),…,LT(m)の順にシフトしながら出力されていく。
このとき、図15に示す第1ラッチ回路173は、ラッチ信号LT(1)の立ち下がりに基づいて、信号線S(1)に対応する画像データdata(1)をラッチする。同様に、第1ラッチ回路173は、ラッチ信号LT(j)の立ち下がりに基づいて、信号線S(j)に対応する画像データdata(j)をラッチする。
第1ラッチ回路173から画像データdata(j)の出力を受ける第2ラッチ回路175は、次のイネーブル信号ENBXの立ち下がりに基づいて、画像データdata(j)をレベルシフタ177に一斉に出力する。レベルシフタ177に出力された画像データdata(j)は、極性反転信号FRのレベルに応じた電位のデータ信号d(j)として、信号線S(j)に一斉に供給される。
上述した画像データdata(j)のラッチ動作と、データ信号d(j)の出力動作とは、1つのサブフィールド期間SFにおいて、走査線T(i)の本数分だけ(本実施形態ではn回)繰り返される。これにより、1つのサブフィールド期間SFにおける画像の形成が完了する。これらの動作をサブフィールド期間SF1からサブフィールド期間SF32まで繰り返すことによって、1フレーム分の画像の形成が行われ得る。
本実施形態では、1フレーム期間において、サブフィールド期間SFごとに液晶75の駆動を選択的に制御することによって、1フレーム分の画像における階調表示が行われ得る。
本実施形態では、1フレーム期間において、サブフィールド期間SFごとに液晶75の駆動を選択的に制御することによって、1フレーム分の画像における階調表示が行われ得る。
本実施形態では、1フレーム期間内において、液晶75をオン状態にする期間、すなわち画素電極105と対向電極125との間に駆動電圧を印加する期間が、図18に示すように、第1駆動電圧による第1駆動期間181aと、第2駆動電圧による第2駆動期間181bとに配分される。図18では、1フレーム期間が32個のサブフィールド期間SFに区画されている。液晶75をオン状態にしない、すなわち画素電極105と対向電極125との間に駆動電圧を印加しないサブフィールド期間SFには、ハッチングが施されている。液晶75をオン状態にするサブフィールド期間SFには、ハッチングが施されていない。
なお、図18では、1フレーム期間内の6個のサブフィールド期間SFにおいて液晶75をオン状態にする例が示されている。
なお、図18では、1フレーム期間内の6個のサブフィールド期間SFにおいて液晶75をオン状態にする例が示されている。
図18に示す例では、液晶75をオン状態にする6個のサブフィールド期間SFのうちの3個のサブフィールド期間SFが、第1駆動期間181aに割り当てられている。6個のサブフィールド期間SFのうちの残りの3個のサブフィールド期間SFが、第2駆動期間181bに割り当てられている。
つまり、本実施形態では、1フレーム期間内において、液晶75をオン状態にする期間が、第1駆動期間181aと第2駆動期間181bとに等分される。本実施形態では、図5に示すコントローラ161が、液晶75を第1駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間SFの数と、液晶75を第2駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間SFの数と、を同等に配分する。これにより、1フレーム期間内において、液晶75を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶75を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にすることができる。
つまり、本実施形態では、1フレーム期間内において、液晶75をオン状態にする期間が、第1駆動期間181aと第2駆動期間181bとに等分される。本実施形態では、図5に示すコントローラ161が、液晶75を第1駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間SFの数と、液晶75を第2駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間SFの数と、を同等に配分する。これにより、1フレーム期間内において、液晶75を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶75を第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にすることができる。
ところで、第1駆動電圧は、前述したように、画素電極105の電位が対向電極125の電位よりも高い場合の画素電極105と対向電極125との間の電位差である。また、第2駆動電圧は、画素電極105の電位が対向電極125の電位よりも低い場合の画素電極105と対向電極125との間の電位差である。
このため、画素電極105と対向電極125との間に発生する電界には、第1駆動電圧によって発生する第1電界と、第2駆動電圧によって発生する第2電界とがある。そして、第1電界と第2電界とは、電界の向きが互いに反対の向きになる。これにより、液晶75の誘電分極現象を、打ち消しやすくすることができる。
このため、画素電極105と対向電極125との間に発生する電界には、第1駆動電圧によって発生する第1電界と、第2駆動電圧によって発生する第2電界とがある。そして、第1電界と第2電界とは、電界の向きが互いに反対の向きになる。これにより、液晶75の誘電分極現象を、打ち消しやすくすることができる。
上述したように、本実施形態では、1フレーム期間が、第1駆動電圧が割り当てられるサブフィールド期間SFと、第2駆動電圧が割り当てられるサブフィールド期間SFとに等分されている。そして、1フレーム期間内において、液晶75をオン状態にする期間が第1駆動期間181aと第2駆動期間181bとに等分される。
つまり、表示の階調レベルによらず、1フレーム期間内において、第1駆動電圧が割り当てられるサブフィールド期間SFの全期間に対する第1駆動期間181aの割合と、第2駆動電圧が割り当てられるサブフィールド期間SFの全期間に対する第2駆動期間181bの割合とは、互いに等しい。
このため、1フレーム期間内において、第1電界の強さに第1駆動期間181aを乗じた値と、第2電界の強さに第2駆動期間181bを乗じた値と、を表示の階調レベルによらず同等に保つことができる。
これにより、液晶75の誘電分極現象を、1フレーム期間内で打ち消しやすくすることができる。つまり、本実施形態では、液晶75の焼き付きの要因の1つを1フレーム期間内で解消しやすくすることができるので、液晶75の焼き付きを効果的に軽減することができる。
なお、本実施形態において、画素電極105が第1電極に対応し、対向電極125が第2電極に対応している。
これにより、液晶75の誘電分極現象を、1フレーム期間内で打ち消しやすくすることができる。つまり、本実施形態では、液晶75の焼き付きの要因の1つを1フレーム期間内で解消しやすくすることができるので、液晶75の焼き付きを効果的に軽減することができる。
なお、本実施形態において、画素電極105が第1電極に対応し、対向電極125が第2電極に対応している。
本実施形態では、1フレーム期間内において、液晶75を第1駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間SFと、液晶75を第2駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間SFとを、同じ分布となる例を示したが、これに限定するものではない。1フレーム期間内において、液晶75を第1駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶75を第2駆動電圧でオン状態にする時間とが、互いに同じ時間となれば良く、オン状態となるサブフィールド期間の分布は、第1駆動電圧と第2駆動電圧とで異なっていても良い。例えば、32個のサブフィールド期間SF1〜SF32のうち、サブフィールド期間SF1〜SF4を第1駆動電圧でオン状態とし、サブフィールド期間SF20〜SF21ならびにサブフィールド期間SF30〜SF31を第2駆動電圧でオン状態としても良い。
これにより、液晶75の誘電分極現象を、1フレーム期間内で打ち消しやすくすることができる。つまり、本実施形態では、液晶75の焼き付きの要因の1つを1フレーム期間内で解消しやすくすることができるので、液晶75の焼き付きを効果的に軽減することができる。また、限られたサブフィールド期間SFを用いて、より多くの階調レベルを表現することが可能となる。
第2実施形態について説明する。
第2実施形態におけるプロジェクタ10は、図19に示すように、光学系3が画像形成部20を有している。第2実施形態におけるプロジェクタ10は、第1実施形態におけるプロジェクタ1の画像形成部13が画像形成部20に替えられていることを除いては、プロジェクタ1と同様の構成を有している。
従って、以下においては、重複した説明を避けるため、第1実施形態と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる点のみについて説明する。
第2実施形態におけるプロジェクタ10は、図19に示すように、光学系3が画像形成部20を有している。第2実施形態におけるプロジェクタ10は、第1実施形態におけるプロジェクタ1の画像形成部13が画像形成部20に替えられていることを除いては、プロジェクタ1と同様の構成を有している。
従って、以下においては、重複した説明を避けるため、第1実施形態と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる点のみについて説明する。
画像形成部20は、主要構成を示す図である図20に示すように、分光部201と、画像形成装置203と、画像形成装置204と、画像形成装置205と、クロスダイクロイックプリズム35と、を有している。
分光部201は、クロスダイクロイックミラー207と、反射ミラー208と、反射ミラー209と、ダイクロイックミラー211と、を有している。光41は、クロスダイクロイックミラー207に照射される。
クロスダイクロイックミラー207は、分離ミラー部207aと、分離ミラー部207bと、を有している。分離ミラー部207aと、分離ミラー部207bとは、互いに交差している。分離ミラー部207aは、光41の入射方向に対して傾斜している。分離ミラー部207bも、光41の入射方向に対して傾斜している。
クロスダイクロイックミラー207は、分離ミラー部207aと、分離ミラー部207bと、を有している。分離ミラー部207aと、分離ミラー部207bとは、互いに交差している。分離ミラー部207aは、光41の入射方向に対して傾斜している。分離ミラー部207bも、光41の入射方向に対して傾斜している。
このため、光41は、分離ミラー部207a及び分離ミラー部207bの双方に対して斜めに照射される。
分離ミラー部207aは、光41のうちで、Bの光41Bを透過させ、Rの光41R及びGの光41Gを反射させることができる。他方で、分離ミラー部207bは、光41のうちで、Bの光41Bを反射させ、Rの光41R及びGの光41Gを透過させることができる。
分離ミラー部207aは、光41のうちで、Bの光41Bを透過させ、Rの光41R及びGの光41Gを反射させることができる。他方で、分離ミラー部207bは、光41のうちで、Bの光41Bを反射させ、Rの光41R及びGの光41Gを透過させることができる。
従って、クロスダイクロイックミラー207によって、光41からBの光41Bが分離され得る。他方で、Rの光41R及びGの光41Gが混合した光213が、光41から分離され得る。
光41Bの光軸214aと、光213の光軸214bとは、それぞれ、光41の入射方向とは交差する。また、光41Bが進行する向きと、光213が進行する向きとは、互いに異なる向きになる。本実施形態では、光41Bが進行する向きと、光213が進行する向きとは、互いに反対の向きになっている。
光41Bの光軸214aと、光213の光軸214bとは、それぞれ、光41の入射方向とは交差する。また、光41Bが進行する向きと、光213が進行する向きとは、互いに異なる向きになる。本実施形態では、光41Bが進行する向きと、光213が進行する向きとは、互いに反対の向きになっている。
反射ミラー208は、光41Bの光軸214aと交差する位置に設けられている。反射ミラー208は、光軸214aの方向に対して傾斜している。
また、反射ミラー209は、光213の光軸214bと交差する位置に設けられている。反射ミラー209は、光軸214bの方向に対して傾斜している。光213は、反射ミラー209によって光軸214bが光軸214cに変えられてから、ダイクロイックミラー211に導かれる。
また、反射ミラー209は、光213の光軸214bと交差する位置に設けられている。反射ミラー209は、光軸214bの方向に対して傾斜している。光213は、反射ミラー209によって光軸214bが光軸214cに変えられてから、ダイクロイックミラー211に導かれる。
ダイクロイックミラー211は、光213の光軸214cと交差する位置に設けられている。ダイクロイックミラー211は、光軸214cの方向に対して傾斜している。ダイクロイックミラー211は、光213のうちで、Rの光41Rを透過させ、Gの光41Gを反射させることができる。従って、ダイクロイックミラー211によって、光213からRの光41Rと、Gの光41Gとが分離され得る。
光41Rは、光軸214dに沿って画像形成装置203に導かれる。光41Gは、光軸214eに沿って画像形成装置204に導かれる。また、光41Bは、反射ミラー208によって光軸214aが光軸214fに変えられてから、画像形成装置205に導かれる。
画像形成装置203、画像形成装置204及び画像形成装置205は、それぞれ、画像形成パネル217を有している。
また、画像形成装置203は、偏光ビームスプリッタ219Rを有している。画像形成装置204は、偏光ビームスプリッタ219Gを有している。画像形成装置205は、偏光ビームスプリッタ219Bを有している。
また、画像形成装置203は、偏光ビームスプリッタ219Rを有している。画像形成装置204は、偏光ビームスプリッタ219Gを有している。画像形成装置205は、偏光ビームスプリッタ219Bを有している。
画像形成パネル217は、光41R,41G及び41Bごとに設けられている。つまり、プロジェクタ10は、光41Rに対応する画像形成パネル217と、光41Gに対応する画像形成パネル217と、光41Bに対応する画像形成パネル217と、を有している。なお、以下において、画像形成パネル217を光41R,41G及び41Bごとに識別する場合には、画像形成パネル217は、画像形成パネル217R、画像形成パネル217G及び画像形成パネル217Bと表記される。
画像形成パネル217R、画像形成パネル217G及び画像形成パネル217Bは、相互に同じ仕様の画像形成パネル217が採用され得る。
画像形成パネル217R、画像形成パネル217G及び画像形成パネル217Bは、相互に同じ仕様の画像形成パネル217が採用され得る。
画像形成パネル217Rは、クロスダイクロイックプリズム35の面35aに対向している。画像形成パネル217Gは、面35bに対向している。画像形成パネル217Bは、面35cに対向している。
偏光ビームスプリッタ219Rは、画像形成パネル217Rと、クロスダイクロイックプリズム35との間に介在している。偏光ビームスプリッタ219Gは、画像形成パネル217Gと、クロスダイクロイックプリズム35との間に介在している。偏光ビームスプリッタ219Bは、画像形成パネル217Bと、クロスダイクロイックプリズム35との間に介在している。
偏光ビームスプリッタ219Rは、画像形成パネル217Rと、クロスダイクロイックプリズム35との間に介在している。偏光ビームスプリッタ219Gは、画像形成パネル217Gと、クロスダイクロイックプリズム35との間に介在している。偏光ビームスプリッタ219Bは、画像形成パネル217Bと、クロスダイクロイックプリズム35との間に介在している。
偏光ビームスプリッタ219Rは、光41Rの光軸214dと交差する位置に設けられている。偏光ビームスプリッタ219Rは、光軸214dの方向に対して傾斜しており、光41Rを受ける面が画像形成パネル217側に向けられている。
偏光ビームスプリッタ219Gは、光41Gの光軸214eと交差する位置に設けられている。偏光ビームスプリッタ219Gは、光軸214eの方向に対して傾斜しており、光41Gを受ける面が画像形成パネル217側に向けられている。
偏光ビームスプリッタ219Bは、光41Bの光軸214fと交差する位置に設けられている。偏光ビームスプリッタ219Bは、光軸214fの方向に対して傾斜しており、光41Bを受ける面が画像形成パネル217側に向けられている。
偏光ビームスプリッタ219Gは、光41Gの光軸214eと交差する位置に設けられている。偏光ビームスプリッタ219Gは、光軸214eの方向に対して傾斜しており、光41Gを受ける面が画像形成パネル217側に向けられている。
偏光ビームスプリッタ219Bは、光41Bの光軸214fと交差する位置に設けられている。偏光ビームスプリッタ219Bは、光軸214fの方向に対して傾斜しており、光41Bを受ける面が画像形成パネル217側に向けられている。
偏光ビームスプリッタ219Rは、光41RのうちのS偏光41Rsを反射させ、光41RのうちのP偏光41Rpを透過させることができる。偏光ビームスプリッタ219Gは、光41GのうちのS偏光41Gsを反射させ、光41GのうちのP偏光41Gpを透過させることができる。偏光ビームスプリッタ219Bは、光41BのうちのS偏光41Bsを反射させ、光41BのうちのP偏光41Bpを透過させることができる。
ここで、各画像形成パネル217は、反射型の液晶パネルを有している。
各液晶パネルは、複数の画素65に入射された光の偏光状態を、画素65ごとに変化させることができる。なお、液晶パネルについては、詳細を後述する。
本実施形態では、各画像形成パネル217は、図20に示すように、入射されたS偏光41Rs,41Gs,41Bsを、画素65ごとに選択的にP偏光41Rp,41Gp,41Bpとして反射させることができる。
各液晶パネルは、複数の画素65に入射された光の偏光状態を、画素65ごとに変化させることができる。なお、液晶パネルについては、詳細を後述する。
本実施形態では、各画像形成パネル217は、図20に示すように、入射されたS偏光41Rs,41Gs,41Bsを、画素65ごとに選択的にP偏光41Rp,41Gp,41Bpとして反射させることができる。
画像形成パネル217Rから射出されたP偏光41Rpは、偏光ビームスプリッタ219Rを透過することができる。他方で、画像形成パネル217Rで偏光状態が維持されたまま、画像形成パネル217Rから射出されたS偏光41Rsは、偏光ビームスプリッタ219Rで反射する。このため、画像形成装置203では、画像形成パネル217Rから射出されたP偏光41RpでRの画像を形成することができる。
同様に、画像形成装置204では、画像形成パネル217Gから射出されたP偏光41GpでGの画像を形成することができる。画像形成装置205では、画像形成パネル217Bから射出されたP偏光41BpでBの画像を形成することができる。
同様に、画像形成装置204では、画像形成パネル217Gから射出されたP偏光41GpでGの画像を形成することができる。画像形成装置205では、画像形成パネル217Bから射出されたP偏光41BpでBの画像を形成することができる。
画像形成パネル217Rから射出されたP偏光41Rpは、偏光ビームスプリッタ219Rを透過してから、クロスダイクロイックプリズム35に導かれる。
画像形成パネル217Gから射出されたP偏光41Gpは、偏光ビームスプリッタ219Gを透過してから、クロスダイクロイックプリズム35に導かれる。
画像形成パネル217Bから射出されたP偏光41Bpは、偏光ビームスプリッタ219Bを透過してから、クロスダイクロイックプリズム35に導かれる。
画像形成パネル217Gから射出されたP偏光41Gpは、偏光ビームスプリッタ219Gを透過してから、クロスダイクロイックプリズム35に導かれる。
画像形成パネル217Bから射出されたP偏光41Bpは、偏光ビームスプリッタ219Bを透過してから、クロスダイクロイックプリズム35に導かれる。
P偏光41Rpは、クロスダイクロイックプリズム35の面35aからクロスダイクロイックプリズム35に入射する。P偏光41Gpは、面35bからクロスダイクロイックプリズム35に入射する。P偏光41Bpは、面35cからクロスダイクロイックプリズム35に入射する。
このため、面35aには、Rの画像が投影され、面35bには、Gの画像が投影され、面35cには、Bの画像が投影され得る。
このため、面35aには、Rの画像が投影され、面35bには、Gの画像が投影され、面35cには、Bの画像が投影され得る。
クロスダイクロイックプリズム35に入射したP偏光41Rp,41Gp,41Bpは、クロスダイクロイックプリズム35によって合成される。つまり、クロスダイクロイックプリズム35によって、Rの画像、Gの画像及びBの画像が合成され得る。
クロスダイクロイックプリズム35によって合成されたP偏光41Rp,41Gp,41Bpは、画像光55としてクロスダイクロイックプリズム35の面35dから射出される。
クロスダイクロイックプリズム35によって合成されたP偏光41Rp,41Gp,41Bpは、画像光55としてクロスダイクロイックプリズム35の面35dから射出される。
ここで、画像形成パネル217の構成について、詳細を説明する。
画像形成パネル217は、図21に示すように、液晶パネル220と、位相差板221と、を有している。
なお、プロジェクタ10では、画像形成パネル217は、表示面69が、図20に示すクロスダイクロイックプリズム35側に向けられている。
画像形成パネル217は、図21に示すように、液晶パネル220と、位相差板221と、を有している。
なお、プロジェクタ10では、画像形成パネル217は、表示面69が、図20に示すクロスダイクロイックプリズム35側に向けられている。
液晶パネル220は、図21中のD−D線における断面図である図22に示すように、素子基板223を有している。なお、液晶パネル220は、第1実施形態における液晶パネル61の素子基板71(図4)が素子基板223に替えられていることを除いては、液晶パネル61と同様の構成を有している。
位相差板221は、対向基板73よりも表示面69側、すなわち液晶75側とは反対側に設けられている。画像形成パネル217では、位相差板221は、入射された光に対して1/2波長の位相差を付与する。
位相差板221は、対向基板73よりも表示面69側、すなわち液晶75側とは反対側に設けられている。画像形成パネル217では、位相差板221は、入射された光に対して1/2波長の位相差を付与する。
素子基板223は、図6中のC−C線における断面図である図23に示すように、画素電極225を有している。
素子基板223は、第1実施形態における素子基板71の画素電極105(図7)が画素電極225に替えられていることを除いては、素子基板71と同様の構成を有している。
本実施形態では、画素電極225として、例えば、金や、銀、アルミニウムなどの高い光反射性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、画素電極225の材料として、アルミニウムが採用されている。
なお、液晶パネル220は、第1実施形態と同様に、図24に示すように、走査線駆動回路81と、信号線駆動回路83と、をも有している。
素子基板223は、第1実施形態における素子基板71の画素電極105(図7)が画素電極225に替えられていることを除いては、素子基板71と同様の構成を有している。
本実施形態では、画素電極225として、例えば、金や、銀、アルミニウムなどの高い光反射性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、画素電極225の材料として、アルミニウムが採用されている。
なお、液晶パネル220は、第1実施形態と同様に、図24に示すように、走査線駆動回路81と、信号線駆動回路83と、をも有している。
本実施形態では、液晶75は、図23に示すように、L2なる厚みに設定されている。本実施形態では、入射した光に1/4波長の位相差を付与する厚みL2が液晶75に設定されている。
プロジェクタ10では、図20に示す画像形成部20に光41を照射した状態で、各液晶パネル220における液晶75の配向状態を画素65ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶75の配向状態は、TFT素子103のオフ状態及びオン状態を切り替えることによって変化し得る。
プロジェクタ10では、図20に示す画像形成部20に光41を照射した状態で、各液晶パネル220における液晶75の配向状態を画素65ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶75の配向状態は、TFT素子103のオフ状態及びオン状態を切り替えることによって変化し得る。
図25(a)は、液晶75がオフ状態のときの画像形成装置203における偏光状態を示す図であり、図25(b)は、液晶75がオン状態のときの画像形成装置203における偏光状態を示す図である。
画像形成装置203では、偏光ビームスプリッタ219Rの透過軸231は、図25(a)及び図25(b)に示すように、S偏光41Rsの偏光軸に対して直交している。
なお、図25(a)及び図25(b)において、X''方向及びY''方向は、X''方向がP偏光41Rpの偏光軸の方向を示し、Y''方向がS偏光41Rsの偏光軸の方向を示している。X''方向及びY''方向は、XY平面内で互いに直交する任意の2方向である。
なお、図25(a)及び図25(b)において、X''方向及びY''方向は、X''方向がP偏光41Rpの偏光軸の方向を示し、Y''方向がS偏光41Rsの偏光軸の方向を示している。X''方向及びY''方向は、XY平面内で互いに直交する任意の2方向である。
位相差板221の遅相軸221aは、平面視でX''方向に対して、反時計方向に67.5度の傾きを有する方向に設定されている。
従って、位相差板221に入射されたS偏光41Rsは、1/2波長の位相差が与えられ、直線偏光233として液晶75に入射される。なお、直線偏光233の偏光軸は、X''方向に対して、図25(a)及び図25(b)で見て反時計方向に45度の傾きを有している。
従って、位相差板221に入射されたS偏光41Rsは、1/2波長の位相差が与えられ、直線偏光233として液晶75に入射される。なお、直線偏光233の偏光軸は、X''方向に対して、図25(a)及び図25(b)で見て反時計方向に45度の傾きを有している。
液晶75に入射された直線偏光233は、液晶75がオフ状態のときに、図25(a)に示すように、偏光状態が維持されたまま(位相差が付与されずに)直線偏光233として画素電極225に向けて射出される。
画素電極225に向けて射出された直線偏光233は、偏光状態が維持されたまま画素電極225で反射され、液晶75に入射される。
画素電極225に向けて射出された直線偏光233は、偏光状態が維持されたまま画素電極225で反射され、液晶75に入射される。
画素電極225から液晶75に入射された直線偏光233は、偏光状態が維持されたまま位相差板221に入射される。位相差板221に入射された直線偏光233は、1/2波長の位相差が与えられ、平面視でY''方向に沿った偏光軸を有するS偏光41Rsとして偏光ビームスプリッタ219Rに向けて射出される。偏光ビームスプリッタ219Rに向けて射出されたS偏光41Rsは、偏光ビームスプリッタ219Rで反射するため、偏光ビームスプリッタ219Rを透過できない。
他方で、液晶75がオン状態のときに、液晶75に入射された直線偏光233は、図25(b)に示すように、1/4波長の位相差が与えられ、平面視で反時計方向に回転する円偏光235として画素電極225に向けて射出される。
円偏光235は、画素電極225で反射され、平面視で時計方向に回転する(円偏光235とは逆回転の)円偏光237として液晶75に入射される。
円偏光235は、画素電極225で反射され、平面視で時計方向に回転する(円偏光235とは逆回転の)円偏光237として液晶75に入射される。
液晶75に入射された円偏光237は、1/4波長の位相差が与えられ、平面視でX''方向に対して反時計方向に135度の傾きを有する偏光軸を有する直線偏光239として位相差板221に入射される。
位相差板221に入射された直線偏光239は、1/2波長の位相差が与えられ、平面視でX''方向に沿った偏光軸を有するP偏光41Rpとして偏光ビームスプリッタ219Rに向けて射出される。
偏光ビームスプリッタ219Rに向けて射出されたP偏光41Rpは、偏光軸が偏光ビームスプリッタ219Rの透過軸231の方向に沿っているため、偏光ビームスプリッタ219Rを透過する。
位相差板221に入射された直線偏光239は、1/2波長の位相差が与えられ、平面視でX''方向に沿った偏光軸を有するP偏光41Rpとして偏光ビームスプリッタ219Rに向けて射出される。
偏光ビームスプリッタ219Rに向けて射出されたP偏光41Rpは、偏光軸が偏光ビームスプリッタ219Rの透過軸231の方向に沿っているため、偏光ビームスプリッタ219Rを透過する。
このように、画像形成装置203では、液晶75のオン状態及びオフ状態の切り替えにより、Rの画像の形成が制御される。
なお、画像形成装置204及び画像形成装置205のそれぞれにおいても、偏光状態は画像形成装置203と同様である。このため、画像形成装置204及び画像形成装置205のそれぞれにおける画像の形成方法については、詳細な説明を省略する。
画像形成装置204及び画像形成装置205のそれぞれにおいても、液晶75のオン状態及びオフ状態の切り替えにより、Gの画像の形成及びBの画像の形成のそれぞれが制御され得る。
なお、画像形成装置204及び画像形成装置205のそれぞれにおいても、偏光状態は画像形成装置203と同様である。このため、画像形成装置204及び画像形成装置205のそれぞれにおける画像の形成方法については、詳細な説明を省略する。
画像形成装置204及び画像形成装置205のそれぞれにおいても、液晶75のオン状態及びオフ状態の切り替えにより、Gの画像の形成及びBの画像の形成のそれぞれが制御され得る。
第2実施形態における液晶装置85の駆動方法は、第1実施形態における駆動方法と同様である。このため、第2実施形態における駆動方法の詳細については、説明を省略する。
上述した構成により、第2実施形態においても、第1実施形態と同様の効果が得られる。なお、本実施形態では、画素電極225が第1電極に対応し、対向電極125が第2電極に対応している。
上述した構成により、第2実施形態においても、第1実施形態と同様の効果が得られる。なお、本実施形態では、画素電極225が第1電極に対応し、対向電極125が第2電極に対応している。
なお、第1実施形態及び第2実施形態では、それぞれ、第1駆動電圧と第2駆動電圧とを互いに同じ値に設定したが、駆動電圧の設定はこれに限定されない。駆動電圧としては、第1駆動電圧と第2駆動電圧とを互いに異なる値に設定することも採用され得る。
第1駆動電圧と第2駆動電圧とを互いに同じ値に設定しても、液晶75中に電荷の偏りが発生することがある。このようなときに、第1駆動電圧と第2駆動電圧とを互いに異なる値に設定することが有効である。
第1駆動電圧と第2駆動電圧とを互いに異なる値に設定する方法としては、液晶75中の電荷の偏りに応じて設定する方法が採用され得る。
第1駆動電圧と第2駆動電圧とを互いに同じ値に設定しても、液晶75中に電荷の偏りが発生することがある。このようなときに、第1駆動電圧と第2駆動電圧とを互いに異なる値に設定することが有効である。
第1駆動電圧と第2駆動電圧とを互いに異なる値に設定する方法としては、液晶75中の電荷の偏りに応じて設定する方法が採用され得る。
液晶75中の電荷の偏りは、液晶パネル61や液晶パネル220の設計の際に見積もられる計算値や、実験的に確認される実測値などの種々の値が採用され得る。そして、第1駆動電圧と第2駆動電圧との設定方法としては、液晶75中の電荷の偏りに応じて、すなわちこの偏りを低く抑えるように、それぞれの値を設定する方法が採用され得る。この場合も、表示の階調レベルによらず、1フレーム期間内において、第1駆動電圧が割り当てられるサブフィールド期間SFの全期間に対する第1駆動期間181aの割合と、第2駆動電圧が割り当てられるサブフィールド期間SFの全期間に対する第2駆動期間181bの割合とが、互いに等しく設定される。
これにより、液晶75中に電荷の偏りが発生する場合であっても、1フレーム期間内において、液晶75の誘電分極現象を、1フレーム期間内で打ち消しやすくすることができる。この結果、第1実施形態及び第2実施形態のそれぞれにおいて、液晶75の焼き付きを一層効果的に軽減することができる。
これにより、液晶75中に電荷の偏りが発生する場合であっても、1フレーム期間内において、液晶75の誘電分極現象を、1フレーム期間内で打ち消しやすくすることができる。この結果、第1実施形態及び第2実施形態のそれぞれにおいて、液晶75の焼き付きを一層効果的に軽減することができる。
ところで、液晶75中に電荷の偏りが発生する要因としては、例えば、フィールドスルー(プッシュダウンとも呼ばれる)現象などが挙げられる。この現象は、TFT素子103がオン状態からオフ状態に変化したときに、画素電極105や画素電極225の電位が低下する現象である。
また、液晶75中に電荷の偏りが発生する他の要因としては、例えば、画素電極105と対向電極125との間の特性差や、画素電極225と対向電極125との間の特性差が考えられる。これらの電極の特性としては、例えば、仕事関数が挙げられる。
画素電極105と対向電極125との間や、画素電極225と対向電極125との間に仕事関数の差があると、液晶75中に電荷の偏りが発生することがある。
また、液晶75中に電荷の偏りが発生する他の要因としては、例えば、画素電極105と対向電極125との間の特性差や、画素電極225と対向電極125との間の特性差が考えられる。これらの電極の特性としては、例えば、仕事関数が挙げられる。
画素電極105と対向電極125との間や、画素電極225と対向電極125との間に仕事関数の差があると、液晶75中に電荷の偏りが発生することがある。
第2実施形態では、画素電極225の材料と、対向電極125の材料とが、互いに異なる材料であるので、これらの電極間に特性差が発生しやすいことが考えられる。一般的に、ITOは、アルミニウムよりも仕事関数が大きい。このため、第2実施形態では、第1駆動電圧と第2駆動電圧とを互いに同じ値に設定した場合、第2駆動電圧を印加した場合の方が第1駆動電圧を印加した場合よりも電荷が注入されやすいと考えられる。
このため、第2実施形態では、液晶75の焼き付きを効果的に軽減する観点から、第1駆動電圧の値を第2駆動電圧の値よりも大きい値に設定することが好ましいと考えられる。これにより、画素電極225及び対向電極125のそれぞれからの電荷授受を同等にしやすくすることができ、液晶75中の電荷の偏りを解消しやすくすることができる。
このため、第2実施形態では、液晶75の焼き付きを効果的に軽減する観点から、第1駆動電圧の値を第2駆動電圧の値よりも大きい値に設定することが好ましいと考えられる。これにより、画素電極225及び対向電極125のそれぞれからの電荷授受を同等にしやすくすることができ、液晶75中の電荷の偏りを解消しやすくすることができる。
なお、第1電界の強さと第2電界の強さとの間に差が発生する場合において、液晶75の焼き付きを軽減する方法としては、第1駆動電圧と第2駆動電圧とを互いに異なる値に設定する方法(第1の方法)に限定されない。液晶75の焼き付きを軽減する方法としては、第1駆動電圧と第2駆動電圧とを互いに等しい値として、第1駆動期間181aと第2駆動期間181bとを互いに異なる長さに設定する方法(第2の方法)も採用され得る。
さらに、第1駆動電圧と第2駆動電圧とを互いに異なる値に設定し、且つ第1駆動期間181aと第2駆動期間181bとを互いに異なる長さに設定する方法(第3の方法)も採用され得る。
第2の方法や第3の方法では、サブフィールド期間SFの各長さが、互いに等しい長さに設定された場合には、第1駆動期間181aのサブフィールド期間SFの個数と、第2駆動期間181bのサブフィールド期間SFの個数とを、互いに異なる個数に設定すればよい。
また、第2の方法や第3の方法は、極性反転信号FRがHiレベルである期間とLoレベルである期間とで、サブフィールド期間SFの長さを異なる長さに設定することによっても実現され得る。第1実施形態及び第2実施形態では、サブフィールド期間SF1〜SF16の各長さと、サブフィールド期間SF17〜SF32の各長さとを、互いに異なる長さに設定すればよい。
第2の方法や第3の方法では、サブフィールド期間SFの各長さが、互いに等しい長さに設定された場合には、第1駆動期間181aのサブフィールド期間SFの個数と、第2駆動期間181bのサブフィールド期間SFの個数とを、互いに異なる個数に設定すればよい。
また、第2の方法や第3の方法は、極性反転信号FRがHiレベルである期間とLoレベルである期間とで、サブフィールド期間SFの長さを異なる長さに設定することによっても実現され得る。第1実施形態及び第2実施形態では、サブフィールド期間SF1〜SF16の各長さと、サブフィールド期間SF17〜SF32の各長さとを、互いに異なる長さに設定すればよい。
サブフィールド期間SFの各長さが、互いに等しい場合であっても、異なる場合であっても、表示の階調レベルによらず、1フレーム期間内において、第1駆動電圧が割り当てられるサブフィールド期間SFの全期間に対する第1駆動期間181aの割合と、第2駆動電圧が割り当てられるサブフィールド期間SFの全期間に対する第2駆動期間181bの割合とが、互いに等しく設定される。このため、1フレーム期間内において、第1電界の強さに第1駆動期間181aを乗じた値と、第2電界の強さに第2駆動期間181bを乗じた値と、を表示の階調レベルによらず同等に保つことができる。
これにより、液晶75中に電荷の偏りが発生する場合であっても、1フレーム期間内において、液晶75の誘電分極現象を、1フレーム期間内で打ち消しやすくすることができる。この結果、第1実施形態及び第2実施形態のそれぞれにおいて、液晶75の焼き付きを一層効果的に軽減することができる。
これにより、液晶75中に電荷の偏りが発生する場合であっても、1フレーム期間内において、液晶75の誘電分極現象を、1フレーム期間内で打ち消しやすくすることができる。この結果、第1実施形態及び第2実施形態のそれぞれにおいて、液晶75の焼き付きを一層効果的に軽減することができる。
ところで、液晶75は誘電体である。また、液晶パネル61及び液晶パネル220は、それぞれ、容量素子107を有している。このため、液晶75を挟んで互いに対向する電極間には、電界が保持される。従って、第1電界の強さと第2電界の強さとの間に差が発生する場合に液晶75の焼き付きを軽減する方法としては、液晶75を第1駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間SFと、液晶75を第2駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間SFと、を互いに異なる長さにする方法(第4の方法)も採用され得る。
ここで、第4の方法が適用され得るプロジェクタ1及びプロジェクタ10のそれぞれを第3実施形態として以下に説明する。
第3実施形態におけるプロジェクタ1及びプロジェクタ10は、それぞれ、図26に示す液晶装置250を有している。第3実施形態におけるプロジェクタ1及びプロジェクタ10は、それぞれ、液晶装置85が液晶装置250に替えられていることを除いては、第1実施形態のプロジェクタ1及び第2実施形態のプロジェクタ10と同様の構成を有している。
以下の第3実施形態では、第1実施形態及び第2実施形態のそれぞれと同様の構成については同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。
第3実施形態におけるプロジェクタ1及びプロジェクタ10は、それぞれ、図26に示す液晶装置250を有している。第3実施形態におけるプロジェクタ1及びプロジェクタ10は、それぞれ、液晶装置85が液晶装置250に替えられていることを除いては、第1実施形態のプロジェクタ1及び第2実施形態のプロジェクタ10と同様の構成を有している。
以下の第3実施形態では、第1実施形態及び第2実施形態のそれぞれと同様の構成については同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。
液晶装置250は、液晶パネル駆動回路251を有している。液晶装置250は、液晶装置85の液晶パネル駆動回路25(図5及び図24)が、液晶パネル駆動回路251に替えられていることを除いては、液晶装置85と同様の構成を有している。
液晶パネル駆動回路251は、コントローラ253を有している。液晶パネル駆動回路251は、液晶パネル駆動回路25のコントローラ161(図5及び図24)が、コントローラ253に替えられていることを除いては、液晶パネル駆動回路25と同様の構成を有している。
液晶パネル駆動回路251は、コントローラ253を有している。液晶パネル駆動回路251は、液晶パネル駆動回路25のコントローラ161(図5及び図24)が、コントローラ253に替えられていることを除いては、液晶パネル駆動回路25と同様の構成を有している。
コントローラ253は、スタートパルスDYと、クロック信号CLYと、イネーブル信号ENB1と、イネーブル信号ENB2と、を走査線駆動回路81に出力する。
本実施形態では、走査線駆動回路81は、図27に示すように、シフトレジスタ255と、n個のAND回路AL(1)〜AL(n)と、を有している。
なお、本実施形態では、nは、4以上の偶数が適用される。
シフトレジスタ255は、n段の単位回路Uc(1)〜Uc(n)を有している。各段の単位回路Uc(i)は、各走査線T(i)に対応している。各AND回路AL(i)も、各走査線T(i)に対応している。従って、各段の単位回路Uc(i)と各AND回路AL(i)とは、互いに対応している。
本実施形態では、走査線駆動回路81は、図27に示すように、シフトレジスタ255と、n個のAND回路AL(1)〜AL(n)と、を有している。
なお、本実施形態では、nは、4以上の偶数が適用される。
シフトレジスタ255は、n段の単位回路Uc(1)〜Uc(n)を有している。各段の単位回路Uc(i)は、各走査線T(i)に対応している。各AND回路AL(i)も、各走査線T(i)に対応している。従って、各段の単位回路Uc(i)と各AND回路AL(i)とは、互いに対応している。
各段の単位回路Uc(i)からのシフト信号Sr(i)は、対応する各AND回路AL(i)に入力される。
イネーブル信号ENB1は、n個のAND回路AL(1)〜AL(n)のうちで奇数番目のAND回路AL(i)に入力される。奇数番目のAND回路AL(i)は、シフト信号Sr(i)とイネーブル信号ENB1との論理積信号を、選択信号g(i)として各走査線T(i)に出力する。
イネーブル信号ENB2は、n個のAND回路AL(1)〜AL(n)のうちで偶数番目のAND回路AL(i)に入力される。偶数番目のAND回路AL(i)は、シフト信号Sr(i)とイネーブル信号ENB2との論理積信号を、選択信号g(i)として各走査線T(i)に出力する。
イネーブル信号ENB1は、n個のAND回路AL(1)〜AL(n)のうちで奇数番目のAND回路AL(i)に入力される。奇数番目のAND回路AL(i)は、シフト信号Sr(i)とイネーブル信号ENB1との論理積信号を、選択信号g(i)として各走査線T(i)に出力する。
イネーブル信号ENB2は、n個のAND回路AL(1)〜AL(n)のうちで偶数番目のAND回路AL(i)に入力される。偶数番目のAND回路AL(i)は、シフト信号Sr(i)とイネーブル信号ENB2との論理積信号を、選択信号g(i)として各走査線T(i)に出力する。
ここで、本実施形態では、1フレーム期間内におけるサブフィールド期間SFの個数は、偶数個に設定される。そして、奇数番目のサブフィールド期間SFと、偶数番目のサブフィールド期間SFとは、図28に示すように、互いに異なる長さに設定されている。サブフィールド期間SFoとサブフィールド期間SFeとは、いずれが長くても短くてもよい。
なお、以下において、複数のサブフィールド期間SFのうちで奇数番目と偶数番目とを識別する場合に、奇数番目のサブフィールド期間SFがサブフィールド期間SFoと表記され、偶数番目のサブフィールド期間SFがサブフィールド期間SFeと表記される。
また、スタートパルスDYにおいて、サブフィールド期間SFoの開始を規定するパルスがスタートパルスDYoと表記され、サブフィールド期間SFeの開始を規定するパルスがスタートパルスDYeと表記される。
なお、以下において、複数のサブフィールド期間SFのうちで奇数番目と偶数番目とを識別する場合に、奇数番目のサブフィールド期間SFがサブフィールド期間SFoと表記され、偶数番目のサブフィールド期間SFがサブフィールド期間SFeと表記される。
また、スタートパルスDYにおいて、サブフィールド期間SFoの開始を規定するパルスがスタートパルスDYoと表記され、サブフィールド期間SFeの開始を規定するパルスがスタートパルスDYeと表記される。
本実施形態では、スタートパルスDYo及びスタートパルスDYeは、図29に示すように、それぞれ、パルス幅がクロック信号CLYの1周期の長さ(H)に設定されている。クロック信号CLYは、デューティ比50%に設定されている。スタートパルスDYo及びスタートパルスDYeは、それぞれ、クロック信号CLYの立ち上がりに基づいてLoレベルからHiレベルに立ち上がる。本実施形態では、スタートパルスDYo及びスタートパルスDYeは、それぞれ、クロック信号CLYの立ち上がりに同期して立ち上がる。
また、極性反転信号FRは、クロック信号CLYの立ち上がりに基づいてLoからHiレベルに立ち上がり、クロック信号CLYの立ち下がりに基づいてHiからLoレベルに立ち上がる。
また、極性反転信号FRは、クロック信号CLYの立ち上がりに基づいてLoからHiレベルに立ち上がり、クロック信号CLYの立ち下がりに基づいてHiからLoレベルに立ち上がる。
サブフィールド期間SFoは、k×Hの長さに設定されている。ここで、kは、3以上且つn−1以下の奇数である。つまり、サブフィールド期間SFoでは、クロック信号CLYのHiレベルの期間がk回だけ出現する。
サブフィールド期間SFeは、(n−k)×Hの長さに設定されている。サブフィールド期間SFeでは、クロック信号CLYのHiレベルの期間が(n−k)回だけ出現する。
このため、サブフィールド期間SFoとサブフィールド期間SFeとを加算した長さは、n×Hの長さになる。つまり、サブフィールド期間SFoとサブフィールド期間SFeとを加算した期間では、クロック信号CLYのHiレベルの期間がn回だけ出現する。
サブフィールド期間SFeは、(n−k)×Hの長さに設定されている。サブフィールド期間SFeでは、クロック信号CLYのHiレベルの期間が(n−k)回だけ出現する。
このため、サブフィールド期間SFoとサブフィールド期間SFeとを加算した長さは、n×Hの長さになる。つまり、サブフィールド期間SFoとサブフィールド期間SFeとを加算した期間では、クロック信号CLYのHiレベルの期間がn回だけ出現する。
イネーブル信号ENB1及びイネーブル信号ENB2は、それぞれ、2Hの周期(クロック信号CLYの2倍の周期)を有している。イネーブル信号ENB1及びイネーブル信号ENB2は、それぞれ、H/2よりも狭い幅のパルスを有している。
イネーブル信号ENB1及びイネーブル信号ENB2には、それぞれ、H/2の間隔で連続して発生する2つのパルスが、2Hの間隔ごとに出現する。H/2の間隔で連続して発生する2つのパルスは、クロック信号CLYがLoからHiレベルに立ち上がるタイミングを挟んでいる。
イネーブル信号ENB1及びイネーブル信号ENB2は、電気的に180度の位相差を有している。
イネーブル信号ENB1及びイネーブル信号ENB2には、それぞれ、H/2の間隔で連続して発生する2つのパルスが、2Hの間隔ごとに出現する。H/2の間隔で連続して発生する2つのパルスは、クロック信号CLYがLoからHiレベルに立ち上がるタイミングを挟んでいる。
イネーブル信号ENB1及びイネーブル信号ENB2は、電気的に180度の位相差を有している。
液晶装置250が起動してから最初のスタートパルスDYが出力されると、このスタートパルスDYは、シフト信号Sr(i)としてシフト信号Sr(1)からシフト信号Sr(n)まで、クロック信号CLYの周期(H)ごとに順次に出力される。シフト信号Sr(i)は、スタートパルスDYが出力されるたびにシフト信号Sr(1)からシフト信号Sr(n)まで順次に出力される。このため、シフト信号Sr(i)は、n段の単位回路Uc(1)〜Uc(n)から循環的に出力される。
本実施形態では、サブフィールド期間SFoの開始を規定するスタートパルスDYoがシフト信号Sr(i)として最終段の単位回路Uc(n)から出力される前に、サブフィールド期間SFeの開始を規定するスタートパルスDYeが出力される。本実施形態では、サブフィールド期間SFoの開始を規定するスタートパルスDYoがk段目の単位回路Uc(k)からシフト信号Sr(k)として出力されるときに、サブフィールド期間SFeの開始を規定するスタートパルスDYeが出力される。つまり、シフト信号Sr(k)の出力とサブフィールド期間SFeの開始を規定するスタートパルスDYeの出力とが、時間的に重なっている。
また、サブフィールド期間SFeの開始を規定するスタートパルスDYeがn−k段目の単位回路Uc(n−k)からシフト信号Sr(n−k)として出力されるときに、サブフィールド期間SFoの開始を規定するスタートパルスDYoが出力される。つまり、シフト信号Sr(n−k)の出力とサブフィールド期間SFoの開始を規定するスタートパルスDYoの出力とが、時間的に重なっている。
このため、本実施形態では、サブフィールド期間SFoにおいて、シフト信号Sr(i)とシフト信号Sr(n−k+i)とが時間的に重複して出力される。また、サブフィールド期間SFeにおいて、シフト信号Sr(i)とシフト信号Sr(i+k)とが時間的に重複して力される。
このとき、奇数番目のシフト信号Sr(i)と偶数番目のシフト信号Sr(i)とが時間的に重複する。奇数番目のシフト信号Sr(i)同士が時間的に重なることが避けられている。同様に、偶数番目のシフト信号Sr(i)同士が時間的に重なることも避けられている。
このとき、奇数番目のシフト信号Sr(i)と偶数番目のシフト信号Sr(i)とが時間的に重複する。奇数番目のシフト信号Sr(i)同士が時間的に重なることが避けられている。同様に、偶数番目のシフト信号Sr(i)同士が時間的に重なることも避けられている。
ここで、イネーブル信号ENB1及びイネーブル信号ENB2は、互いに180度の位相差を有している。このため、奇数番目のシフト信号Sr(i)と偶数番目のシフト信号Sr(i)とが時間的に重複していても、n個の選択信号g(i)は、図30に示すように、時間的に重なることがない。
サブフィールド期間SFoでは、選択信号g(n−k)の次に選択信号g(n)が出力され、選択信号g(n)の次に選択信号g(n−k+1)が出力され、選択信号g(n−k+1)の次に選択信号g(1)が出力される。そして、選択信号g(n−1)の次に選択信号g(n−k−1)が出力されると、サブフィールド期間SFoが終了する。
サブフィールド期間SFoでは、選択信号g(n−k)の次に選択信号g(n)が出力され、選択信号g(n)の次に選択信号g(n−k+1)が出力され、選択信号g(n−k+1)の次に選択信号g(1)が出力される。そして、選択信号g(n−1)の次に選択信号g(n−k−1)が出力されると、サブフィールド期間SFoが終了する。
他方で、サブフィールド期間SFeでは、選択信号g(n)の次に選択信号g(k)が出力され、選択信号g(k)の次に選択信号g(1)が出力され、選択信号g(1)の次に選択信号g(1+k)が出力される。そして、選択信号g(n−k−1)の次に選択信号g(n−1)が出力されると、サブフィールド期間SFeが終了する。
つまり、本実施形態では、走査線駆動回路81は、選択信号g(i)の次に選択信号g(i+k)を出力してから、選択信号g(i+1)を出力する。ただし、i+kがnを超える場合には、i+kは、i+k−nに置換される。
つまり、本実施形態では、走査線駆動回路81は、選択信号g(i)の次に選択信号g(i+k)を出力してから、選択信号g(i+1)を出力する。ただし、i+kがnを超える場合には、i+kは、i+k−nに置換される。
上記の構成によれば、1つの選択信号g(i)において、パルスの発生間隔を交互に異ならせることができる。本実施形態では、1つの選択信号g(i)に、(k−0.5)×Hの間隔で発生するパルスP1と、(n−k+0.5)×Hの間隔で発生するパルスP2とが交互に出現する。本実施形態では、パルスP1が極性反転信号FRのHiレベルの期間に対応し、パルスP2が極性反転信号FRのLoレベルの期間に対応している。
これらの結果、n行の各画素行88では、画素電極105(225)と対向電極125との間に、(k−0.5)×Hの期間において第2電界が保持され、(n−k+0.5)×Hの期間において第1電界が保持され得る。
これにより、各画素65において、液晶75を第1駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間SFと、液晶75を第2駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間SFと、を互いに異なる長さにすることができる。この結果、第1電界を印加するサブフィールド期間SFeの個数が第2電界を印加するサブフィールド期間SFoの個数と同じであっても、第1電界が保持される期間と、第2電界が保持される期間とを互いに異なる長さにすることができる。
これらの結果、n行の各画素行88では、画素電極105(225)と対向電極125との間に、(k−0.5)×Hの期間において第2電界が保持され、(n−k+0.5)×Hの期間において第1電界が保持され得る。
これにより、各画素65において、液晶75を第1駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間SFと、液晶75を第2駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間SFと、を互いに異なる長さにすることができる。この結果、第1電界を印加するサブフィールド期間SFeの個数が第2電界を印加するサブフィールド期間SFoの個数と同じであっても、第1電界が保持される期間と、第2電界が保持される期間とを互いに異なる長さにすることができる。
所望の階調レベルを表示するために、第1電界を印加するサブフィールド期間SFeの個数を第2電界を印加するサブフィールド期間SFoの個数と等しく設定することで、表示の階調レベルによらず、1フレーム期間内において、第1駆動電圧が割り当てられるサブフィールド期間SFの全期間に対する第1駆動期間181aの割合と、第2駆動電圧が割り当てられるサブフィールド期間SFの全期間に対する第2駆動期間181bの割合とを、互いに等しくすることができる。
第1電界が保持される期間と第2電界が保持される期間との設定方法としては、液晶75中の電荷の偏りに応じて、それぞれの値を設定する方法が採用され得る。すなわち、第1電界が保持される期間と第2電界が保持される期間とは、液晶75中の電荷の偏りを低く抑える値であることが好ましい。
これにより、液晶75中に電荷の偏りが発生する場合であっても、1フレーム期間内において、液晶75の誘電分極現象を、1フレーム期間内で打ち消しやすくすることができる。この結果、液晶75中に電荷の偏りが発生する場合であっても、液晶75の焼き付きを効果的に軽減することができる。
これにより、液晶75中に電荷の偏りが発生する場合であっても、1フレーム期間内において、液晶75の誘電分極現象を、1フレーム期間内で打ち消しやすくすることができる。この結果、液晶75中に電荷の偏りが発生する場合であっても、液晶75の焼き付きを効果的に軽減することができる。
第1〜第3実施形態では、それぞれ、液晶装置85や液晶装置250をプロジェクタ1やプロジェクタ10に適用した例を説明したが、液晶装置85や液晶装置250の適用はプロジェクタ1やプロジェクタ10に限定されない。液晶装置85や液晶装置250は、例えば、ディスプレイなどの表示装置にも適用され得る。
液晶パネル61及び液晶パネル220のうちで液晶パネル61が採用されている液晶装置85や液晶装置250を表示装置に適用した例を、第4実施形態として説明する。
以下の第4実施形態では、重複した説明を避けるため、第1〜第3実施形態と同様の構成については同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。
液晶パネル61及び液晶パネル220のうちで液晶パネル61が採用されている液晶装置85や液晶装置250を表示装置に適用した例を、第4実施形態として説明する。
以下の第4実施形態では、重複した説明を避けるため、第1〜第3実施形態と同様の構成については同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。
表示装置300は、図31に示すように、表示パネル310と、制御部320と、照明装置330と、を有している。
表示パネル310は、液晶パネル61と、位相差板62と、位相差板63と、偏光板64aと、偏光板64bと、を有している。表示パネル310は、第1実施形態における画像形成パネル33(図3)と同様の構成を有している。
制御部320は、液晶パネル駆動回路25又は液晶パネル駆動回路251を有している。
照明装置330は、導光板331と、光源333と、を有している。
表示パネル310は、液晶パネル61と、位相差板62と、位相差板63と、偏光板64aと、偏光板64bと、を有している。表示パネル310は、第1実施形態における画像形成パネル33(図3)と同様の構成を有している。
制御部320は、液晶パネル駆動回路25又は液晶パネル駆動回路251を有している。
照明装置330は、導光板331と、光源333と、を有している。
液晶パネル61は、図31中のE−E線における断面図である図32に示すように、対向基板301を有している。第4実施形態における液晶パネル61は、第1実施形態における液晶パネル61の対向基板73(図4)が、対向基板301に替えられていることを除いては、第1実施形態における液晶パネル61と同様の構成を有している。
導光板331は、表示パネル310の底面79側に設けられており、偏光板64aに対向する光射出面332aを有している。
光源333は、例えば、LED(Light Emitting Diode)や冷陰極管などが採用され、導光板331の側面332bに対向した状態で設けられている。
導光板331は、表示パネル310の底面79側に設けられており、偏光板64aに対向する光射出面332aを有している。
光源333は、例えば、LED(Light Emitting Diode)や冷陰極管などが採用され、導光板331の側面332bに対向した状態で設けられている。
光源333からの光は、導光板331の側面332bに入射される。導光板331に入射された光は、導光板331の中で反射しながら光射出面332aから射出される。光射出面332aから射出された光は、偏光板64aを介して液晶パネル61に入射される。なお、導光板331には、必要に応じて、光射出面332aに拡散板が設けられ、底面332cに反射板が設けられる。
表示装置300は、底面79を介して液晶パネル61の複数の画素65に入射された光の偏光状態を画素ごとに変化させることによって、表示パネル310を透過した光で画像を形成することができる。
なお、表示装置300の構成としては、偏光板64bよりも表示面69側や、偏光板64bと位相差板63との間、位相差板63と対向基板301との間に、光学補償フィルムを設けた構成も採用され得る。光学補償フィルムを設けることで、液晶75を表示面69の法線方向から見たときや、法線方向から傾斜した方向から見たときなどの液晶75の位相差を補償することができる。これにより、光漏れを低減することができ、コントラストの向上が図られる。
なお、表示装置300の構成としては、偏光板64bよりも表示面69側や、偏光板64bと位相差板63との間、位相差板63と対向基板301との間に、光学補償フィルムを設けた構成も採用され得る。光学補償フィルムを設けることで、液晶75を表示面69の法線方向から見たときや、法線方向から傾斜した方向から見たときなどの液晶75の位相差を補償することができる。これにより、光漏れを低減することができ、コントラストの向上が図られる。
光学補償フィルムとしては、屈折率異方性が負のディスコティック液晶分子等をハイブリッド配向させた負の一軸性媒体(例えば、富士フィルム製のWVフィルム)などが採用され得る。また、屈折率異方性が正のネマチック液晶分子等をハイブリッド配向させた正の一軸性媒体(例えば、日本石油製のNHフィルム)なども採用され得る。さらに、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせた構成も採用され得る。その他、各方向の屈折率がnx>ny>nzとなる二軸性媒体や、負のC−Plate等も採用され得る。
表示装置300に設定されている複数の画素65は、それぞれ、表示面69から射出する光の色が、図33に示すように、R、G及びBのうちの1つに設定されている。つまり、マトリクスMを構成する複数の画素65は、Rの光を射出する画素65Rと、Gの光を射出する画素65Gと、Bの光を射出する画素65Bとを含んでいる。
なお、以下においては、画素65という表記と、画素65R、65Gg及び65Bという表記とが、適宜、使いわけられる。
なお、以下においては、画素65という表記と、画素65R、65Gg及び65Bという表記とが、適宜、使いわけられる。
また、表示装置300では、1つの画素列87内の各画素65は、光の色がR、G及びBのうちの1つに設定されている。つまり、マトリクスMは、複数の画素65RがY方向に配列した画素列87Rと、複数の画素65GがY方向に配列した画素列87Gと、複数の画素65BがY方向に配列した画素列87Bとを有している。そして、マトリクスMでは、画素列87R、画素列87G及び画素列87Bが、この順でX方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列87という表記と、画素列87R、画素列87G及び画素列87Bという表記とが、適宜、使いわけられる。
なお、以下においては、画素列87という表記と、画素列87R、画素列87G及び画素列87Bという表記とが、適宜、使いわけられる。
ここで、対向基板301の構成について説明する。
対向基板301は、図33中のF−F線における断面図である図34に示すように、対向層302を有している。対向層302は、第2基板121の対向面121bに設けられている。
対向層302には、カラーフィルタ305と、オーバーコート層306と、対向電極125と、配向膜127と、が含まれている。
カラーフィルタ305は、各画素65に対応して設けられている。カラーフィルタ305は、第2基板121の対向面121b側に設けられており、各画素65の領域を底面79側から覆っている。
対向基板301は、図33中のF−F線における断面図である図34に示すように、対向層302を有している。対向層302は、第2基板121の対向面121bに設けられている。
対向層302には、カラーフィルタ305と、オーバーコート層306と、対向電極125と、配向膜127と、が含まれている。
カラーフィルタ305は、各画素65に対応して設けられている。カラーフィルタ305は、第2基板121の対向面121b側に設けられており、各画素65の領域を底面79側から覆っている。
ここで、カラーフィルタ305は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルタ305は、画素65R、画素65G及び画素65Bごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。画素65Rに対応するカラーフィルタ305は、Rの光を透過させることができる。画素65Gに対応するカラーフィルタ305はGの光を透過させ、画素65Bに対応するカラーフィルタ305はBの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルタ305に対してR、G及びBが識別される場合に、カラーフィルタ305R、305G及び305Bという表記が用いられる。
オーバーコート層306は、カラーフィルタ305の底面79側に設けられている。オーバーコート層306は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、カラーフィルタ305を底面79側から覆っている。
なお、対向基板301の構成としては、カラーフィルタ305をR、G及びBごとに区画する遮光膜を設けた構成も採用され得る。この場合、遮光膜は、対向面121bに設けられる。この構成により、表示におけるコントラストの向上を図りやすくすることができる。遮光膜の材料としては、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などが採用され得る。
なお、対向基板301の構成としては、カラーフィルタ305をR、G及びBごとに区画する遮光膜を設けた構成も採用され得る。この場合、遮光膜は、対向面121bに設けられる。この構成により、表示におけるコントラストの向上を図りやすくすることができる。遮光膜の材料としては、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などが採用され得る。
上記の構成により、第4実施形態では、第1実施形態及び第3実施形態のそれぞれと同様の効果が得られる。
液晶パネル220が採用されている液晶装置85や液晶装置250を表示装置に適用した例を、第5実施形態として説明する。
以下の第5実施形態では、重複した説明を避けるため、第1〜第4実施形態と同様の構成については同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。
以下の第5実施形態では、重複した説明を避けるため、第1〜第4実施形態と同様の構成については同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。
表示装置400は、図35に示すように、表示パネル410と、制御部320と、を有している。
表示パネル410は、液晶パネル220と、位相差板221と、偏光板64bと、を有している。
表示装置400では、表示面69を介して液晶75に入射された外光を、画素電極225で表示面69側に反射させて、その反射光を表示面69側に射出することによって、反射表示が行われ得る。なお、外光とは、表示装置400の表示面69から入射されるあらゆる光である。外光には、例えば、屋内外の照明光や、太陽光、照明装置からの光などが含まれる。
表示パネル410は、液晶パネル220と、位相差板221と、偏光板64bと、を有している。
表示装置400では、表示面69を介して液晶75に入射された外光を、画素電極225で表示面69側に反射させて、その反射光を表示面69側に射出することによって、反射表示が行われ得る。なお、外光とは、表示装置400の表示面69から入射されるあらゆる光である。外光には、例えば、屋内外の照明光や、太陽光、照明装置からの光などが含まれる。
液晶パネル220は、図35中のJ−J線における断面図である図36に示すように、対向基板301を有している。第5実施形態での液晶パネル220は、第2実施形態での液晶パネル220の対向基板73(図22)が対向基板301に替えられていることを除いては、第2実施形態における液晶パネル220と同様の構成を有している。
なお、表示装置400においても、偏光板64bよりも表示面69側や、偏光板64bと位相差板221との間、位相差板221と対向基板301との間に、光学補償フィルムを設けた構成が採用され得る。これにより、光漏れを低減することができ、コントラストの向上が図られる。
上記の構成により、第5実施形態では、第2実施形態及び第3実施形態のそれぞれと同様の効果が得られる。
なお、第1〜第5実施形態では、それぞれ、液晶75の駆動方式としてVA型の駆動方式が採用されているが、駆動方式はこれに限定されない。液晶75の駆動方式は、TN(Twisted Nematic)型、IPS(In Plane Switching)型、FFS(Fringe Field Switching)型等の種々の方式も採用され得る。
上述した表示装置300や表示装置400は、例えば、図37に示す電子機器500の表示部510に適用され得る。この電子機器500は、携帯電話機である。この電子機器500は、操作ボタン511を有している。表示部510は、操作ボタン511で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器500では、表示部510に表示装置300又は表示装置400が適用されているので、表示部510における液晶75の焼き付きを効果的に軽減することができる。
なお、電子機器500としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。
なお、電子機器500としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。
1,10…プロジェクタ、5…制御回路、13…画像形成部、20…画像形成部、21…制御部、25…液晶パネル駆動回路、33…画像形成パネル、61…液晶パネル、65…画素、67…表示領域、69…表示面、71…素子基板、73…対向基板、75…液晶、79…底面、81…走査線駆動回路、83…信号線駆動回路、85…液晶装置、91…第1基板、103…TFT素子、105…画素電極、107…容量素子、121…第2基板、125…対向電極、161…コントローラ、163…メモリ部、165…シフトレジスタ、171…シフトレジスタ、173…第1ラッチ回路、175…第2ラッチ回路、177…レベルシフタ、181a…第1駆動期間、181b…第2駆動期間、203,204,205…画像形成装置、217…画像形成パネル、220…液晶パネル、223…素子基板、225…画素電極、250…液晶装置、251…液晶パネル駆動回路、253…コントローラ、255…シフトレジスタ、300,400…表示装置、301…対向基板、500…電子機器、d(1)〜d(m)…データ信号、Sr(1)〜Sr(n)…シフト信号、g(1)〜g(n)…選択信号、S(1)〜S(m)…信号線、T(1)〜T(n)…走査線。
Claims (17)
- 第1基板と、
前記第1基板に対向する第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板の間に挟持された液晶と、
前記第1基板及び前記液晶の間に介在する第1電極と、
前記液晶を駆動するための電界を前記第1電極との間に発生させる第2電極と、
1フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、前記サブフィールド期間ごとに前記第1電極と前記第2電極との間に印加する駆動電圧を制御することで、前記液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を前記サブフィールド期間ごとに択一的に選択する駆動回路と、を有し、
前記オン状態は、前記駆動電圧を印加することによって選択され、
前記オフ状態は、前記駆動電圧を印加しないことによって選択され、
前記駆動電圧は、
前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも高い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第1駆動電圧と、
前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも低い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第2駆動電圧と、
を含み、
前記第1駆動電圧の絶対値と、前記第2駆動電圧の絶対値とは、互いに同じ値に設定されており、
前記駆動回路は、前記1フレーム期間内において、
前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする時間と、
前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にする、
ことを特徴とする液晶装置。 - 第1基板と、
前記第1基板に対向する第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板の間に挟持された液晶と、
前記第1基板及び前記液晶の間に介在する第1電極と、
前記液晶を駆動するための電界を前記第1電極との間に発生させる第2電極と、
1フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、前記サブフィールド期間ごとに前記第1電極と前記第2電極との間に印加する駆動電圧を制御することで、前記液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を前記サブフィールド期間ごとに択一的に選択する駆動回路と、を有し、
前記オン状態は、前記駆動電圧を印加することによって選択され、
前記オフ状態は、前記駆動電圧を印加しないことによって選択され、
前記駆動電圧は、
前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも高い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第1駆動電圧と、
前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも低い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第2駆動電圧と、
を含み、
前記第1駆動電圧の絶対値と、前記第2駆動電圧の絶対値とは、互いに異なる値に設定されており、
前記駆動回路は、前記1フレーム期間内において、
前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする時間と、
前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にする、
ことを特徴とする液晶装置。 - 前記駆動回路は、前記1フレーム期間内において、
前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、
前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、
を互いに同じ数にすることを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶装置。 - 第1基板と、
前記第1基板に対向する第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板の間に挟持された液晶と、
前記第1基板及び前記液晶の間に介在する第1電極と、
前記液晶を駆動するための電界を前記第1電極との間に発生させる第2電極と、
1フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、前記サブフィールド期間ごとに前記第1電極と前記第2電極との間に印加する駆動電圧を制御することで、前記液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を前記サブフィールド期間ごとに択一的に選択する駆動回路と、を有し、
前記オン状態は、前記駆動電圧を印加することによって選択され、
前記オフ状態は、前記駆動電圧を印加しないことによって選択され、
前記駆動電圧は、
前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも高い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第1駆動電圧と、
前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも低い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第2駆動電圧と、
を含み、
前記第1駆動電圧の絶対値と、前記第2駆動電圧の絶対値とは、互いに同じ値に設定されており、
前記駆動回路は、前記1フレーム期間内において、
前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする時間と、
前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にする、
ことを特徴とする液晶装置。 - 第1基板と、
前記第1基板に対向する第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板の間に挟持された液晶と、
前記第1基板及び前記液晶の間に介在する第1電極と、
前記液晶を駆動するための電界を前記第1電極との間に発生させる第2電極と、
1フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、前記サブフィールド期間ごとに前記第1電極と前記第2電極との間に印加する駆動電圧を制御することで、前記液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を前記サブフィールド期間ごとに択一的に選択する駆動回路と、を有し、
前記オン状態は、前記駆動電圧を印加することによって選択され、
前記オフ状態は、前記駆動電圧を印加しないことによって選択され、
前記駆動電圧は、
前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも高い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第1駆動電圧と、
前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも低い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第2駆動電圧と、
を含み、
前記第1駆動電圧の絶対値と、前記第2駆動電圧の絶対値とは、互いに異なる値に設定されており、
前記駆動回路は、前記1フレーム期間内において、
前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする時間と、
前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にする、
ことを特徴とする液晶装置。 - 前記駆動回路は、前記1フレーム期間内において、
前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、
前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、
を互いに異なる数にすることを特徴とする請求項4又は5に記載の液晶装置。 - 前記駆動回路は、前記1フレーム期間内において、
前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間と、
前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間と、
を互いに異なる長さにすることを特徴とする請求項4又は5に記載の液晶装置。 - n(nは4以上の整数)本の走査線と、
前記走査線に交差する信号線と、
前記信号線及び前記走査線の交差に対応して設定された画素と、
前記画素に対応して設けられており、前記走査線を介して供給された選択信号に基づいて、前記信号線と前記第1電極との間を電気的につなぐスイッチング素子と、
前記サブフィールド期間において、前記走査線ごとに前記選択信号を、相互にタイミングをずらして供給する走査線駆動回路と、
前記走査線に前記選択信号が供給されるたびに、前記選択信号が供給される前記走査線に対応する前記画素に対するデータ信号を、前記信号線に供給する信号線駆動回路と、
を有しており、
前記走査線駆動回路は、前記走査線に前記選択信号を供給するときに、i(iは1以上n以下の整数)番目の前記走査線に前記選択信号を供給した後に、i+k(kは3以上且つn−1以下の整数)番目(i+kがnを超える場合にはi+k−n)の前記走査線に前記選択信号を供給してから、i+1(i+1がnを超える場合にはi+1−n)を新たなiに設定し、
前記信号線駆動回路は、前記信号線に、前記第1駆動電圧に対応する電位の前記データ信号と、前記第2駆動電圧に対応する電位の前記データ信号と、を交互に供給する、
ことを特徴とする請求項7に記載の液晶装置。 - 第1基板と、
前記第1基板に対向する第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板の間に挟持された液晶と、
前記第1基板及び前記液晶の間に介在する第1電極と、
前記液晶をオフ状態からオン状態にするための電界を前記第1電極との間に発生させる第2電極と、を有する液晶装置の駆動方法であって、
1フレーム期間の少なくとも一部を、
前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも高い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第1駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、
前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも低い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第2駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割し、
前記第1駆動電圧の絶対値と、前記第2駆動電圧の絶対値とを、互いに同じ値に設定し、
前記1フレーム期間内において、
前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする時間と、
前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする時間と、
を互いに同じ時間にする、
ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。 - 第1基板と、
前記第1基板に対向する第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板の間に挟持された液晶と、
前記第1基板及び前記液晶の間に介在する第1電極と、
前記液晶をオフ状態からオン状態にするための電界を前記第1電極との間に発生させる第2電極と、を有する液晶装置の駆動方法であって、
1フレーム期間の少なくとも一部を、
前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも高い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第1駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、
前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも低い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第2駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割し、
前記第1駆動電圧の絶対値と、前記第2駆動電圧の絶対値とを、互いに異なる値に設定し、
前記1フレーム期間内において、
前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする時間と、
前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする時間と、
を互いに同じ時間にする、
ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。 - 前記1フレーム期間内において、
前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、
前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、
を互いに同じ数にすることを特徴とする請求項9又は10に記載の液晶装置の駆動方法。 - 第1基板と、
前記第1基板に対向する第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板の間に挟持された液晶と、
前記第1基板及び前記液晶の間に介在する第1電極と、
前記液晶をオフ状態からオン状態にするための電界を前記第1電極との間に発生させる第2電極と、を有する液晶装置の駆動方法であって、
1フレーム期間の少なくとも一部を、
前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも高い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第1駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、
前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも低い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第2駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割し、
前記第1駆動電圧の絶対値と、前記第2駆動電圧の絶対値とを、互いに同じ値に設定し、
前記1フレーム期間内において、
前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする時間と、
前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする時間と、
を互いに異なる時間にする、
ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。 - 第1基板と、
前記第1基板に対向する第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板の間に挟持された液晶と、
前記第1基板及び前記液晶の間に介在する第1電極と、
前記液晶をオフ状態からオン状態にするための電界を前記第1電極との間に発生させる第2電極と、を有する液晶装置の駆動方法であって、
1フレーム期間の少なくとも一部を、
前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも高い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第1駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、
前記第2電極の電位が前記第1電極の電位よりも低い場合の前記第1電極と前記第2電極との間の電位差である第2駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割し、
前記第1駆動電圧の絶対値と、前記第2駆動電圧の絶対値とを、互いに異なる値に設定し、
前記1フレーム期間内において、
前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする時間と、
前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする時間と、
を互いに異なる時間にする、
ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。 - 前記1フレーム期間内において、
前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、
前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、
を互いに異なる数にすることを特徴とする請求項12又は13に記載の液晶装置の駆動方法。 - 前記1フレーム期間内において、
前記液晶を前記第1駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間と、
前記液晶を前記第2駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間と、
を互いに異なる長さにすることを特徴とする請求項12又は13に記載の液晶装置の駆動方法。 - 前記液晶装置は、
n(nは4以上の整数)本の走査線と、
前記走査線に交差する信号線と、
前記信号線及び前記走査線の交差に対応して設定された画素と、
前記画素に対応して設けられており、前記走査線を介して供給された選択信号に基づいて、前記信号線と前記第1電極との間を電気的につなぐスイッチング素子と、
前記サブフィールド期間ごとに、前記n本の走査線にn本を循環して前記選択信号を供給する走査線駆動回路と、
前記走査線に前記選択信号が供給されるたびに、前記選択信号が供給される前記走査線に対応する前記画素に対するデータ信号を、前記信号線に供給する信号線駆動回路と、を有しており、
前記選択信号の供給が前記n本の走査線を一順する前に、次の前記サブフィールド期間を開始させながら、前記信号線に、前記第1駆動電圧に対応する電位の前記データ信号と、前記第2駆動電圧に対応する電位の前記データ信号と、を交互に供給させることを特徴とする請求項15に記載の液晶装置の駆動方法。 - 請求項1乃至8のいずれか一項に記載の液晶装置を有することを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008258120A JP2010085955A (ja) | 2008-10-03 | 2008-10-03 | 液晶装置、液晶装置の駆動方法及び電子機器 |
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JP2008258120A Withdrawn JP2010085955A (ja) | 2008-10-03 | 2008-10-03 | 液晶装置、液晶装置の駆動方法及び電子機器 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012220838A (ja) * | 2011-04-12 | 2012-11-12 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の駆動方法、電気光学装置および電子機器 |
JP2014174518A (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-22 | Seiko Epson Corp | 画像処理装置、電気光学装置、電子機器および駆動方法 |
JP2015031778A (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-16 | セイコーエプソン株式会社 | 駆動装置、液晶表示装置、電子機器及び駆動方法 |
US9161022B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-10-13 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, method of driving electro-optical device, and electronic apparatus |
-
2008
- 2008-10-03 JP JP2008258120A patent/JP2010085955A/ja not_active Withdrawn
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