JP2010266780A - 液晶装置、液晶装置の駆動方法及び電子機器 - Google Patents
液晶装置、液晶装置の駆動方法及び電子機器 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】従来の液晶装置では、制御にかかる処理の負担を軽減することが困難である。
【解決手段】液晶装置85は、1フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割され、前記サブフィールド期間ごとにオン状態及びオフ状態のいずれか一方の状態に制御される液晶と、前記液晶の前記オン状態及び前記オフ状態を制御するための駆動電圧を、使用環境における温度を示す情報である温度情報TMPに基づいて変化させる電圧制御回路164と、を有する。
【選択図】図5
【解決手段】液晶装置85は、1フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割され、前記サブフィールド期間ごとにオン状態及びオフ状態のいずれか一方の状態に制御される液晶と、前記液晶の前記オン状態及び前記オフ状態を制御するための駆動電圧を、使用環境における温度を示す情報である温度情報TMPに基づいて変化させる電圧制御回路164と、を有する。
【選択図】図5
Description
本発明は、液晶装置、液晶装置の駆動方法及び電子機器等に関する。
液晶装置の駆動方法の1つとして、デジタル駆動方式がある。デジタル駆動方式の1つに、サブフィールド駆動がある。サブフィールド駆動では、1フィールド(1フレーム)期間が、複数のサブフィールド期間に分割される。つまり、1フィールドが、複数のサブフィールドに分割される。液晶のオン状態及びオフ状態は、サブフィールドごとに制御される。これにより、液晶装置での階調表示が実現され得る。
上記特許文献1には、使用環境における温度に基づいてサブフィールド期間の長さを変化させることが記載されている。これにより、温度による階調の差異を軽減することができる。
ところで、上記特許文献1によれば、1フィールドの長さと、1フィールドにおけるサブフィールドの数とは、それぞれ、温度によらず等しい。そして、ある温度において、1フィールド内の一部のサブフィールドを長くした場合、このフィールド内の他のサブフィールドは短く設定される。
これにより、1フィールドにおけるサブフィールドの数を変化させずに、1フィールドの長さを温度によらず一定に保つことができる。
ところで、上記特許文献1によれば、1フィールドの長さと、1フィールドにおけるサブフィールドの数とは、それぞれ、温度によらず等しい。そして、ある温度において、1フィールド内の一部のサブフィールドを長くした場合、このフィールド内の他のサブフィールドは短く設定される。
これにより、1フィールドにおけるサブフィールドの数を変化させずに、1フィールドの長さを温度によらず一定に保つことができる。
しかしながら、上述したように、1フィールド内の一部のサブフィールドを長くすれば、このフィールド内の他のサブフィールドを短くする必要がある。サブフィールド期間を短くすると、このサブフィールド期間内に実施されるべき種々の処理にかかる速度を速めなければならなくなることがある。種々の処理としては、例えば、液晶のオン状態及びオフ状態の制御にかかる処理などが挙げられる。
サブフィールド期間内に実施されるべき種々の処理にかかる速度を速めると、これらの処理を実施するための回路に対する負担が重くなりやすい。
つまり、従来の液晶装置では、制御にかかる処理の負担を軽減することが困難であるという課題がある。
サブフィールド期間内に実施されるべき種々の処理にかかる速度を速めると、これらの処理を実施するための回路に対する負担が重くなりやすい。
つまり、従来の液晶装置では、制御にかかる処理の負担を軽減することが困難であるという課題がある。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
[適用例1]1フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割され、前記サブフィールド期間ごとにオン状態及びオフ状態のいずれか一方の状態に制御される液晶と、前記液晶の前記オン状態及び前記オフ状態を制御するための駆動電圧を、使用環境における温度を示す情報である温度情報に基づいて変化させる電圧制御回路と、を有する、ことを特徴とする液晶装置。
この適用例の液晶装置は、液晶と、電圧制御回路と、を有している。この液晶装置では、1フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割される。液晶は、サブフィールド期間ごとにオン状態及びオフ状態のいずれか一方の状態に制御される。電圧制御回路は、液晶のオン状態及びオフ状態を制御するための駆動電圧を温度情報に基づいて変化させる。温度情報は、使用環境における温度を示す情報である。
一般的に、液晶の反応速度は、温度特性を有する。一般的な温度特性としては、温度が低下すると反応速度が遅くなり、温度が上昇すると反応速度が速くなる傾向がある。一般的な液晶装置では、使用環境における温度が変化すると、液晶の反応速度が変化しやすいため、光の透過率が変化しやすい。この結果、一般的な液晶装置では、温度による階調の差異が発生しやすい。
これに対し、適用例における液晶装置では、電圧制御回路が温度情報に基づいて駆動電圧を変化させるので、温度による液晶の反応速度の変化を軽減することができる。これにより、適用例における液晶装置では、温度による階調の差異を軽減することができる。
また、適用例における液晶装置では、サブフィールド期間を変化させる必要がないので、サブフィールド期間内に実施されるべき種々の処理にかかる速度を変化させる必要がない。このため、例えば、サブフィールド期間を変化させる液晶装置に比較して、種々の処理にかかる負担を軽減しやすくすることができる。
一般的に、液晶の反応速度は、温度特性を有する。一般的な温度特性としては、温度が低下すると反応速度が遅くなり、温度が上昇すると反応速度が速くなる傾向がある。一般的な液晶装置では、使用環境における温度が変化すると、液晶の反応速度が変化しやすいため、光の透過率が変化しやすい。この結果、一般的な液晶装置では、温度による階調の差異が発生しやすい。
これに対し、適用例における液晶装置では、電圧制御回路が温度情報に基づいて駆動電圧を変化させるので、温度による液晶の反応速度の変化を軽減することができる。これにより、適用例における液晶装置では、温度による階調の差異を軽減することができる。
また、適用例における液晶装置では、サブフィールド期間を変化させる必要がないので、サブフィールド期間内に実施されるべき種々の処理にかかる速度を変化させる必要がない。このため、例えば、サブフィールド期間を変化させる液晶装置に比較して、種々の処理にかかる負担を軽減しやすくすることができる。
[適用例2]上記の液晶装置であって、前記温度を検出し、検出した結果を前記温度情報として前記電圧制御回路に出力する温度検出部を有する、ことを特徴とする液晶装置。
この適用例の液晶装置は、温度検出部を有している。温度検出部は、使用環境における温度を検出し、検出した結果を温度情報として電圧制御回路に出力する。これにより、使用環境における温度を検出することができる。
[適用例3]上記の液晶装置であって、前記駆動電圧は、前記液晶を前記オン状態にするための前記駆動電圧であるオン電圧と、前記液晶を前記オフ状態にするための前記駆動電圧であるオフ電圧とを含み、前記電圧制御回路は、前記温度情報に基づいて、前記オン電圧を変化させる、ことを特徴とする液晶装置。
この適用例では、駆動電圧は、オン電圧と、オフ電圧とを含んでいる。オン電圧は、液晶をオン状態にするための駆動電圧である。オフ電圧は、液晶をオフ状態にするための駆動電圧である。そして、電圧制御回路は、温度情報に基づいて、オン電圧を変化させる。これにより、液晶をオン状態にするときの反応速度において、温度による反応速度の変化を軽減することができる。
[適用例4]上記の液晶装置であって、前記電圧制御回路は、前記温度の低下に応じて前記オン電圧の絶対値が大きくなる方向に前記オン電圧を変化させる、ことを特徴とする液晶装置。
この適用例では、電圧制御回路は、温度の低下に応じてオン電圧の絶対値が大きくなる方向にオン電圧を変化させる。これにより、温度の低下によって液晶の反応速度が遅くなることを軽減することができる。
[適用例5]上記の液晶装置であって、前記駆動電圧が印加される第1電極及び第2電極を有し、前記液晶は、複数の画素の前記画素ごとに前記オン状態及び前記オフ状態が制御され、前記第1電極は、前記画素ごとに個別に設けられており、前記第2電極は、複数の前記画素間にまたがって設けられており、且つ前記複数の画素間で共通の電位に保たれ、前記第1電極には、前記サブフィールド期間ごとに、前記液晶を前記オン状態又は前記オフ状態にすることを指示する画像信号が供給され、前記電圧制御回路は、前記画像信号の電位を変化させることによって、前記駆動電圧を変化させる、ことを特徴とする液晶装置。
この適用例の液晶装置は、第1電極及び第2電極を有している。駆動電圧は、第1電極及び第2電極の間に印加される。この液晶装置では、液晶は、複数の画素の画素ごとにオン状態及びオフ状態が制御される。第1電極は、画素ごとに個別に設けられている。第2電極は、複数の画素間にまたがって設けられている。第2電極は、複数の画素間で共通の電位に保たれる。第1電極には、サブフィールド期間ごとに、液晶をオン状態又はオフ状態にすることを指示する画像信号が供給される。電圧制御回路は、画像信号の電位を変化させることによって、駆動電圧を変化させる。
上記の構成により、画像信号の電位を変化させることによって、駆動電圧を変化させることができる。
上記の構成により、画像信号の電位を変化させることによって、駆動電圧を変化させることができる。
[適用例6]1フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、前記サブフィールド期間ごとに液晶をオン状態及びオフ状態のいずれか一方の状態に制御する液晶装置の駆動方法であって、前記液晶の前記オン状態及び前記オフ状態を制御するための駆動電圧を、使用環境における温度を示す情報である温度情報に基づいて変化させる、ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
この適用例の液晶装置の駆動方法は、1フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、サブフィールド期間ごとに液晶をオン状態及びオフ状態のいずれか一方の状態に制御する液晶装置の駆動方法である。この液晶装置の駆動方法では、液晶のオン状態及びオフ状態を制御するための駆動電圧を、使用環境における温度を示す情報である温度情報に基づいて変化させる。
[適用例7]上記の液晶装置を有することを特徴とする電子機器。
この適用例の電子機器は、液晶装置を有している。この液晶装置は、液晶と、電圧制御回路と、を有している。この液晶装置では、1フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割される。液晶は、サブフィールド期間ごとにオン状態及びオフ状態のいずれか一方の状態に制御される。電圧制御回路は、液晶のオン状態及びオフ状態を制御するための駆動電圧を温度情報に基づいて変化させる。温度情報は、使用環境における温度を示す情報である。
一般的に、液晶の反応速度は、温度特性を有する。一般的な温度特性としては、温度が低下すると反応速度が遅くなり、温度が上昇すると反応速度が速くなる傾向がある。一般的な液晶装置では、使用環境における温度が変化すると、液晶の反応速度が変化しやすいため、光の透過率が変化しやすい。この結果、一般的な液晶装置では、温度による階調の差異が発生しやすい。
これに対し、適用例における電子機器が有する液晶装置では、電圧制御回路が温度情報に基づいて駆動電圧を変化させるので、温度による液晶の反応速度の変化を軽減することができる。これにより、この液晶装置では、温度による階調の差異を軽減することができる。
また、この液晶装置では、サブフィールド期間を変化させる必要がないので、サブフィールド期間内に実施されるべき種々の処理にかかる速度を変化させる必要がない。このため、例えば、サブフィールド期間を変化させる液晶装置に比較して、種々の処理にかかる負担を軽減しやすくすることができる。
そして、適用例の電子機器は、種々の処理にかかる負担を軽減しやすくすることができる液晶装置を有している。このため、この電子機器では、液晶装置において、種々の処理にかかる負担を軽減しやすくすることができる。
一般的に、液晶の反応速度は、温度特性を有する。一般的な温度特性としては、温度が低下すると反応速度が遅くなり、温度が上昇すると反応速度が速くなる傾向がある。一般的な液晶装置では、使用環境における温度が変化すると、液晶の反応速度が変化しやすいため、光の透過率が変化しやすい。この結果、一般的な液晶装置では、温度による階調の差異が発生しやすい。
これに対し、適用例における電子機器が有する液晶装置では、電圧制御回路が温度情報に基づいて駆動電圧を変化させるので、温度による液晶の反応速度の変化を軽減することができる。これにより、この液晶装置では、温度による階調の差異を軽減することができる。
また、この液晶装置では、サブフィールド期間を変化させる必要がないので、サブフィールド期間内に実施されるべき種々の処理にかかる速度を変化させる必要がない。このため、例えば、サブフィールド期間を変化させる液晶装置に比較して、種々の処理にかかる負担を軽減しやすくすることができる。
そして、適用例の電子機器は、種々の処理にかかる負担を軽減しやすくすることができる液晶装置を有している。このため、この電子機器では、液晶装置において、種々の処理にかかる負担を軽減しやすくすることができる。
実施形態について、電子機器の1つであるプロジェクターを例に、図面を参照しながら説明する。
本実施形態におけるプロジェクター1は、主要構成を示すブロック図である図1に示すように、光学系3と、制御回路5と、電源部7と、を有している。プロジェクター1は、図示しない外部装置から入力される画像信号に応じた画像を、光学系3を介してスクリーン8などに投射することができる。
本実施形態におけるプロジェクター1は、主要構成を示すブロック図である図1に示すように、光学系3と、制御回路5と、電源部7と、を有している。プロジェクター1は、図示しない外部装置から入力される画像信号に応じた画像を、光学系3を介してスクリーン8などに投射することができる。
光学系3は、画像信号に基づいた画像を形成し、形成した画像をスクリーン8などに投射する。制御回路5は、画像信号に基づいて光学系3の駆動を制御する。
なお、プロジェクター1では、外部電源9から入力される電力が、電源部7によって直流電力に変換される。光学系3や制御回路5などには、電源部7から直流電力が供給される。
なお、プロジェクター1では、外部電源9から入力される電力が、電源部7によって直流電力に変換される。光学系3や制御回路5などには、電源部7から直流電力が供給される。
光学系3は、ランプ11と、画像形成部13と、投射レンズ部15と、を有している。
ランプ11は、画像形成部13や投射レンズ部15を経てスクリーン8に向けて射出される投射光17を発生する。ランプ11としては、例えば、高圧水銀ランプやメタルハライドランプなどが採用され得る。
ランプ11は、画像形成部13や投射レンズ部15を経てスクリーン8に向けて射出される投射光17を発生する。ランプ11としては、例えば、高圧水銀ランプやメタルハライドランプなどが採用され得る。
画像形成部13は、後述する液晶パネルなどを有している。画像形成部13は、制御回路5から入力される画像データなどに基づいて液晶パネルに画像を形成する。画像形成部13には、ランプ11からの光が照射される。このため、画像形成部13に形成された画像は、ランプ11からの光によって投射レンズ部15に投影される。
投射レンズ部15には、ランプ11からの光が画像形成部13を経て入射される。投射レンズ部15は、入射された光を広げる方向に屈折させて、投射光17として射出する。このため、画像形成部13に形成された画像は、拡大された状態でスクリーン8に投射され得る。
制御回路5は、制御部21と、液晶パネル駆動回路25と、を有している。
制御部21は、例えば、マイクロコンピューターで構成され、CPU(Central Processing Unit)27と、メモリー部29と、を有している。
CPU27は、メモリー部29に格納されている制御プログラムに従って、プロジェクター1の動作を総轄的に制御する。メモリー部29は、フラッシュメモリー等のROM(Read Only Memory)や、RAM(Random Access Memory)等を含んでいる。ROMには、CPU27が実行する制御プログラムなどが格納されている。RAMは、CPU27によって実行される制御プログラムを一時的に展開したり、各種設定値等を一時的に格納したりする。
制御部21は、例えば、マイクロコンピューターで構成され、CPU(Central Processing Unit)27と、メモリー部29と、を有している。
CPU27は、メモリー部29に格納されている制御プログラムに従って、プロジェクター1の動作を総轄的に制御する。メモリー部29は、フラッシュメモリー等のROM(Read Only Memory)や、RAM(Random Access Memory)等を含んでいる。ROMには、CPU27が実行する制御プログラムなどが格納されている。RAMは、CPU27によって実行される制御プログラムを一時的に展開したり、各種設定値等を一時的に格納したりする。
制御部21には、図示しないホスト機器から画像信号が入力される。画像信号は、制御部21を経てから液晶パネル駆動回路25に入力される。液晶パネル駆動回路25は、入力された画像信号に応じて、画像形成部13の駆動を制御する。
ここで、画像形成部13の構成について、詳細を説明する。
画像形成部13は、主要構成を示す図である図2に示すように、分光部31と、画像形成パネル33と、クロスダイクロイックプリズム35と、を有している。
分光部31には、ランプ11からの光41が入射される。分光部31は、光41から、赤系(R)の色の光41R、緑系(G)の色の光41G、及び青系(B)の色の光41Bのそれぞれを分離する。
ここで、画像形成部13の構成について、詳細を説明する。
画像形成部13は、主要構成を示す図である図2に示すように、分光部31と、画像形成パネル33と、クロスダイクロイックプリズム35と、を有している。
分光部31には、ランプ11からの光41が入射される。分光部31は、光41から、赤系(R)の色の光41R、緑系(G)の色の光41G、及び青系(B)の色の光41Bのそれぞれを分離する。
ここで、Rの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Gの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Bの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Rの色を呈する光41Rは、光の波長のピークが、可視光領域で570nm以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Gの色を呈する光41Gは、光の波長のピークが500nm〜565nmの範囲にある光であると定義され得る。Bの色を呈する光41Bは、光の波長のピークが415nm〜495nmの範囲にある光であると定義され得る。
分光部31は、ダイクロイックミラー43と、ダイクロイックミラー45と、反射ミラー47と、反射ミラー48と、反射ミラー49と、を有している。光41は、光軸51aに沿って分光部31に入射する。
ダイクロイックミラー43は、光軸51aと交差する位置に設けられている。ダイクロイックミラー43は、光軸51aの方向に対して傾斜している。ダイクロイックミラー43は、光41のうちで、Rの光41Rを透過させ、Gの光41G及びBの光41Bを反射させることができる。
ダイクロイックミラー43は、光軸51aと交差する位置に設けられている。ダイクロイックミラー43は、光軸51aの方向に対して傾斜している。ダイクロイックミラー43は、光41のうちで、Rの光41Rを透過させ、Gの光41G及びBの光41Bを反射させることができる。
従って、ダイクロイックミラー43によって、光41からRの光41Rが分離され得る。他方で、Gの光41G及びBの光41Bが混合した光53が、ダイクロイックミラー43によって、光41から分離され得る。
ダイクロイックミラー43を透過した光41Rは、光軸51aに沿って反射ミラー47へ導かれる。
他方で、ダイクロイックミラー43によって反射された光53は、光軸51aが光軸51bに変えられてから、ダイクロイックミラー45へ導かれる。
ダイクロイックミラー43を透過した光41Rは、光軸51aに沿って反射ミラー47へ導かれる。
他方で、ダイクロイックミラー43によって反射された光53は、光軸51aが光軸51bに変えられてから、ダイクロイックミラー45へ導かれる。
ダイクロイックミラー45は、光軸51bと交差する位置に設けられている。ダイクロイックミラー45は、光軸51bの方向に対して傾斜している。ダイクロイックミラー45は、光53のうちで、Bの光41Bを透過させ、Gの光41Gを反射させることができる。従って、ダイクロイックミラー45によって、光53からGの光41GとBの光41Bとが分離され得る。
ダイクロイックミラー45を透過した光41Bは、光軸51bに沿って反射ミラー48へ導かれる。
他方で、ダイクロイックミラー45によって反射された光41Gは、光軸51bが光軸51cに変えられる。
ダイクロイックミラー45を透過した光41Bは、光軸51bに沿って反射ミラー48へ導かれる。
他方で、ダイクロイックミラー45によって反射された光41Gは、光軸51bが光軸51cに変えられる。
反射ミラー47は、光41Rの光軸51aと交差する位置に設けられている。反射ミラー47は、光軸51aの方向に対して傾斜している。光41Rは、反射ミラー47で反射することによって、光軸51aが光軸51dに変えられる。
反射ミラー48は、光41Bの光軸51bと交差する位置に設けられている。反射ミラー48は、光軸51bの方向に対して傾斜している。光41Bは、反射ミラー48によって光軸51bが光軸51eに変えられてから、反射ミラー49に導かれる。
反射ミラー49は、光41Bの光軸51eと交差する位置に設けられている。反射ミラー49は、光軸51eの方向に対して傾斜している。光41Bは、反射ミラー49で反射することによって、光軸51eが光軸51fに変えられる。
反射ミラー48は、光41Bの光軸51bと交差する位置に設けられている。反射ミラー48は、光軸51bの方向に対して傾斜している。光41Bは、反射ミラー48によって光軸51bが光軸51eに変えられてから、反射ミラー49に導かれる。
反射ミラー49は、光41Bの光軸51eと交差する位置に設けられている。反射ミラー49は、光軸51eの方向に対して傾斜している。光41Bは、反射ミラー49で反射することによって、光軸51eが光軸51fに変えられる。
クロスダイクロイックプリズム35は、光軸51c、光軸51d及び光軸51fの交点に重なる位置に設けられている。クロスダイクロイックプリズム35は、面35aと、面35bと、面35cと、面35dと、を有している。
面35aは、反射ミラー47側に向けられている。面35bは、ダイクロイックミラー45側に向けられている。面35cは、反射ミラー49側に向けられている。
面35aは、反射ミラー47側に向けられている。面35bは、ダイクロイックミラー45側に向けられている。面35cは、反射ミラー49側に向けられている。
画像形成パネル33は、光41R,41G及び41Bごとに設けられている。つまり、プロジェクター1は、光41Rに対応する画像形成パネル33と、光41Gに対応する画像形成パネル33と、光41Bに対応する画像形成パネル33と、を有している。なお、以下において、画像形成パネル33を光41R,41G及び41Bごとに識別する場合には、画像形成パネル33は、画像形成パネル33R、画像形成パネル33G及び画像形成パネル33Bと表記される。
画像形成パネル33R、画像形成パネル33G及び画像形成パネル33Bは、相互に同じ仕様の画像形成パネル33が採用され得る。
画像形成パネル33R、画像形成パネル33G及び画像形成パネル33Bは、相互に同じ仕様の画像形成パネル33が採用され得る。
画像形成パネル33Rは、面35aと反射ミラー47との間において、光軸51dに交差する位置に設けられている。画像形成パネル33Rは、面35aに対向している。
画像形成パネル33Gは、面35bとダイクロイックミラー45との間において、光軸51cに交差する位置に設けられている。画像形成パネル33Gは、面35bに対向している。
画像形成パネル33Bは、面35cと反射ミラー49との間において、光軸51fに交差する位置に設けられている。画像形成パネル33Bは、面35cに対向している。
画像形成パネル33Gは、面35bとダイクロイックミラー45との間において、光軸51cに交差する位置に設けられている。画像形成パネル33Gは、面35bに対向している。
画像形成パネル33Bは、面35cと反射ミラー49との間において、光軸51fに交差する位置に設けられている。画像形成パネル33Bは、面35cに対向している。
ここで、画像形成パネル33は、透過型の液晶パネルをライトバルブとして有している。
液晶パネルは、後述する複数の画素と、画素ごとに駆動が制御される液晶と、を有している。液晶パネルは、複数の画素に入射された光の偏光状態を、画素ごとに変化させることができる。なお、液晶パネルについては、詳細を後述する。
画像形成パネル33では、液晶パネルの複数の画素に入射された光の偏光状態を画素ごとに変化させることによって、画像形成パネル33を透過した光で画像を形成することができる。
液晶パネルは、後述する複数の画素と、画素ごとに駆動が制御される液晶と、を有している。液晶パネルは、複数の画素に入射された光の偏光状態を、画素ごとに変化させることができる。なお、液晶パネルについては、詳細を後述する。
画像形成パネル33では、液晶パネルの複数の画素に入射された光の偏光状態を画素ごとに変化させることによって、画像形成パネル33を透過した光で画像を形成することができる。
画像形成パネル33を透過した光は、クロスダイクロイックプリズム35に導かれる。
画像形成パネル33Rを透過した光41Rは、面35aからクロスダイクロイックプリズム35に入射する。
画像形成パネル33Gを透過した光41Gは、面35bからクロスダイクロイックプリズム35に入射する。
画像形成パネル33Bを透過した光41Bは、面35cからクロスダイクロイックプリズム35に入射する。
このため、面35aには、Rの画像が投影され、面35bには、Gの画像が投影され、面35cには、Bの画像が投影され得る。
画像形成パネル33Rを透過した光41Rは、面35aからクロスダイクロイックプリズム35に入射する。
画像形成パネル33Gを透過した光41Gは、面35bからクロスダイクロイックプリズム35に入射する。
画像形成パネル33Bを透過した光41Bは、面35cからクロスダイクロイックプリズム35に入射する。
このため、面35aには、Rの画像が投影され、面35bには、Gの画像が投影され、面35cには、Bの画像が投影され得る。
クロスダイクロイックプリズム35に入射した光41R,41G及び41Bは、クロスダイクロイックプリズム35によって合成される。つまり、クロスダイクロイックプリズム35によって、Rの画像、Gの画像及びBの画像が合成され得る。
クロスダイクロイックプリズム35によって合成された光41R,41G及び41Bは、画像光55としてクロスダイクロイックプリズム35の面35dから射出される。
クロスダイクロイックプリズム35によって合成された光41R,41G及び41Bは、画像光55としてクロスダイクロイックプリズム35の面35dから射出される。
面35dから射出された画像光55は、投射レンズ部15へ導かれてから、投射レンズ部15に入射する。投射レンズ部15に入射した画像光55は、投射光17(図1)としてスクリーン8などに投射される。
ここで、画像形成パネル33の構成について、詳細を説明する。
画像形成パネル33は、図3に示すように、液晶パネル61と、位相差板62と、位相差板63と、偏光板64aと、偏光板64bと、を有している。
ここで、画像形成パネル33には、複数の画素65が設定されている。複数の画素65は、領域67内で、図中のX方向及びY方向に配列しており、X方向を行方向とし、Y方向を列方向とするマトリクスMを構成している。
図3では、構成をわかりやすく示すため、画素65が誇張され、且つ画素65の個数が減じられている。
なお、X方向は、後述する走査線が延在する方向である。Y方向は、後述する信号線が延在する方向である。本実施形態では、X方向及びY方向は、互いに直交している。
画像形成パネル33は、図3に示すように、液晶パネル61と、位相差板62と、位相差板63と、偏光板64aと、偏光板64bと、を有している。
ここで、画像形成パネル33には、複数の画素65が設定されている。複数の画素65は、領域67内で、図中のX方向及びY方向に配列しており、X方向を行方向とし、Y方向を列方向とするマトリクスMを構成している。
図3では、構成をわかりやすく示すため、画素65が誇張され、且つ画素65の個数が減じられている。
なお、X方向は、後述する走査線が延在する方向である。Y方向は、後述する信号線が延在する方向である。本実施形態では、X方向及びY方向は、互いに直交している。
プロジェクター1では、画像形成パネル33は、偏光板64b側の面69が、図2に示すクロスダイクロイックプリズム35側に向けられている。画像形成パネル33では、面69側に画像が形成(表示)される。従って、以下においては、面69は、表示面69と表記される。
領域67は、画像が形成(表示)される領域に相当する。このため、以下において、領域67は、表示領域67と表記される。
領域67は、画像が形成(表示)される領域に相当する。このため、以下において、領域67は、表示領域67と表記される。
液晶パネル61は、図3中のA−A線における断面図である図4に示すように、素子基板71と、対向基板73と、液晶75と、シール材77と、を有している。
素子基板71には、表示面69側すなわち液晶75側に、複数の画素65のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
対向基板73は、素子基板71よりも表示面69側で素子基板71に対向し、且つ素子基板71との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板73には、面79側すなわち液晶75側に、後述する対向電極などが設けられている。なお、面79は、画像形成パネル33における表示面69とは反対側の底面に相当している。このため、以下において、面79は、底面79と表記される。
素子基板71には、表示面69側すなわち液晶75側に、複数の画素65のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
対向基板73は、素子基板71よりも表示面69側で素子基板71に対向し、且つ素子基板71との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板73には、面79側すなわち液晶75側に、後述する対向電極などが設けられている。なお、面79は、画像形成パネル33における表示面69とは反対側の底面に相当している。このため、以下において、面79は、底面79と表記される。
液晶75は、素子基板71及び対向基板73の間に挟持されており、液晶パネル61の周縁よりも内側で表示領域67を囲むシール材77によって、素子基板71及び対向基板73の間に封止されている。本実施形態では、液晶75の駆動方式として、VA(Vertical Alignment)型の駆動方式が採用されている。
位相差板62は、素子基板71よりも底面79側、すなわち液晶75側とは反対側に設けられている。
位相差板63は、対向基板73よりも表示面69側、すなわち液晶75側とは反対側に設けられている。画像形成パネル33では、位相差板62及び位相差板63は、それぞれ、入射された光に対して1/4波長の位相差を付与する。
位相差板63は、対向基板73よりも表示面69側、すなわち液晶75側とは反対側に設けられている。画像形成パネル33では、位相差板62及び位相差板63は、それぞれ、入射された光に対して1/4波長の位相差を付与する。
偏光板64aは、素子基板71の底面79側に設けられている。偏光板64bは、位相差板63の表示面69側に設けられている。偏光板64a及び偏光板64bは、それぞれ、透過軸に沿った偏光軸を有する直線偏光を透過させることができる。
また、液晶パネル61は、液晶パネル駆動回路25と液晶パネル61とを示すブロック図である図5に示すように、走査線駆動回路81と、信号線駆動回路83と、温度検出部84と、をも有している。液晶パネル駆動回路25と液晶パネル61とは、それぞれ、液晶装置85の構成要素の1つである。
また、液晶パネル61は、液晶パネル駆動回路25と液晶パネル61とを示すブロック図である図5に示すように、走査線駆動回路81と、信号線駆動回路83と、温度検出部84と、をも有している。液晶パネル駆動回路25と液晶パネル61とは、それぞれ、液晶装置85の構成要素の1つである。
マトリクスMでは、Y方向に沿って並ぶ複数の画素65が、図6に示すように、1つの画素列87を構成している。また、X方向に沿って並ぶ複数の画素65が、1つの画素行88を構成している。
ここで、液晶パネル61の素子基板71及び対向基板73のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板71は、図6中のC−C線における断面図である図7に示すように、第1基板91と、素子層92とを有している。
第1基板91は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面69側に向けられた第1面93aと、底面79側に向けられた第2面93bとを有している。
素子基板71は、図6中のC−C線における断面図である図7に示すように、第1基板91と、素子層92とを有している。
第1基板91は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面69側に向けられた第1面93aと、底面79側に向けられた第2面93bとを有している。
素子層92は、第1基板91の第1面93aに設けられている。素子層92には、絶縁膜95と、絶縁膜97と、絶縁膜99と、配向膜101とが含まれている。また、素子層92には、図5に示すように、画素65ごとに、スイッチング素子の1つであるTFT(Thin Film Transistor)素子103と、画素電極105と、容量素子107と、が含まれている。
絶縁膜95は、図7に示すように、第1基板91の第1面93aに設けられている。絶縁膜97は、絶縁膜95の表示面69側に設けられている。絶縁膜99は、絶縁膜97の表示面69側に設けられている。画素電極105は、絶縁膜99の表示面69側に設けられている。配向膜101は、画素電極105の表示面69側に設けられている。
なお、絶縁膜95の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜95の材料として、酸化シリコンが採用されている。
なお、絶縁膜95の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜95の材料として、酸化シリコンが採用されている。
TFT素子103と、画素電極105とは、それぞれ、各画素65に対応して設けられている。
TFT素子103は、拡大図である図8に示すように、半導体層109と、ゲート電極111と、を有している。半導体層109は、絶縁膜95の表示面69側に設けられている。半導体層109は、ゲート絶縁膜113によって表示面69側から覆われている。
TFT素子103は、拡大図である図8に示すように、半導体層109と、ゲート電極111と、を有している。半導体層109は、絶縁膜95の表示面69側に設けられている。半導体層109は、ゲート絶縁膜113によって表示面69側から覆われている。
半導体層109としては、例えば、単結晶シリコンや、多結晶シリコン、非晶質シリコンなどが採用され得る。本実施形態では、半導体層109として、多結晶シリコンが採用されている。
ゲート絶縁膜113の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、ゲート絶縁膜113の材料として、酸化シリコンが採用されている。
ゲート絶縁膜113の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、ゲート絶縁膜113の材料として、酸化シリコンが採用されている。
ゲート電極111は、ゲート絶縁膜113を挟んで半導体層109に対向する位置に設けられている。
ゲート電極111の材料としては、例えば、多結晶シリコンなどにイオンなどを注入したものなどが採用され得る。また、ゲート電極111の材料として、モリブデン、タングステン、タンタル、クロムなどの金属や、これらを含む合金なども採用され得る。モリブデンやタングステンなどを含む合金としては、例えば、モリブデンシリサイドや、タングステンシリサイドなどが挙げられる。
本実施形態では、ゲート電極111として、多結晶シリコンにイオンなどを注入した所謂ポリシリコンゲートが採用されている。
ゲート電極111の材料としては、例えば、多結晶シリコンなどにイオンなどを注入したものなどが採用され得る。また、ゲート電極111の材料として、モリブデン、タングステン、タンタル、クロムなどの金属や、これらを含む合金なども採用され得る。モリブデンやタングステンなどを含む合金としては、例えば、モリブデンシリサイドや、タングステンシリサイドなどが挙げられる。
本実施形態では、ゲート電極111として、多結晶シリコンにイオンなどを注入した所謂ポリシリコンゲートが採用されている。
本実施形態では、半導体層109は、チャネル領域109aと、ソース領域109bと、ドレイン領域109cと、を有している。
チャネル領域109aは、平面視でゲート電極111に重なっている。ソース領域109b及びドレイン領域109cは、それぞれ、平面視でチャネル領域109aの外側に設けられている。チャネル領域109aは、ソース領域109bとドレイン領域109cとの間に設けられている。
なお、半導体層109としては、チャネル領域109aとソース領域109bとの間や、チャネル領域109aとドレイン領域109cとの間に、LDD(Lightly Doped Drain)領域を設けた構成も採用され得る。
チャネル領域109aは、平面視でゲート電極111に重なっている。ソース領域109b及びドレイン領域109cは、それぞれ、平面視でチャネル領域109aの外側に設けられている。チャネル領域109aは、ソース領域109bとドレイン領域109cとの間に設けられている。
なお、半導体層109としては、チャネル領域109aとソース領域109bとの間や、チャネル領域109aとドレイン領域109cとの間に、LDD(Lightly Doped Drain)領域を設けた構成も採用され得る。
上記の構成を有するTFT素子103は、絶縁膜97によって表示面69側から覆われている。絶縁膜97の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜97の材料として、酸化シリコンが採用されている。
絶縁膜97及びゲート絶縁膜113には、コンタクトホール115aと、コンタクトホール115bと、が設けられている。
コンタクトホール115aは、ソース領域109bに及んでいる。コンタクトホール115bは、ドレイン領域109cに及んでいる。コンタクトホール115a内には、ソース電極117が設けられている。コンタクトホール115b内には、ドレイン電極119が設けられている。
絶縁膜97及びゲート絶縁膜113には、コンタクトホール115aと、コンタクトホール115bと、が設けられている。
コンタクトホール115aは、ソース領域109bに及んでいる。コンタクトホール115bは、ドレイン領域109cに及んでいる。コンタクトホール115a内には、ソース電極117が設けられている。コンタクトホール115b内には、ドレイン電極119が設けられている。
絶縁膜97の表示面69側には、図7に示すように、信号線Sが設けられている。信号線Sは、平面視でソース電極117に重なる位置に設けられている。信号線Sとソース電極117とは、互いに電気的につながっている。信号線Sは、ソース電極117を介して半導体層109のソース領域109b(図8)に電気的につながっている。信号線Sは、図7に示すように、絶縁膜99によって表示面69側から覆われている。絶縁膜99の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜99の材料として、酸化シリコンが採用されている。
ここで、図8に示すコンタクトホール115bは、絶縁膜99の表示面69側に及んでいる。ドレイン電極119は、図7に示すように、絶縁膜99の表示面69側に及んでいる。画素電極105とドレイン電極119とは、互いに電気的につながっている。画素電極105は、ドレイン電極119を介して半導体層109のドレイン領域109c(図8)に電気的につながっている。
画素電極105としては、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)や、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide)などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、画素電極105の材料として、ITOが採用されている。
画素電極105としては、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)や、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide)などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、画素電極105の材料として、ITOが採用されている。
画素電極105は、図7に示すように、配向膜101によって表示面69側から覆われている。
配向膜101の材料としては、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、配向膜101の材料として、ポリイミドが採用されている。なお、配向膜101には、表示面69側に配向処理が施されている。
配向膜101の材料としては、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、配向膜101の材料として、ポリイミドが採用されている。なお、配向膜101には、表示面69側に配向処理が施されている。
対向基板73は、第2基板121と、対向層122とを有している。第2基板121は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面69側に向けられた外向面121aと、底面79側に向けられた対向面121bとを有している。
対向層122は、第2基板121の対向面121bに設けられている。対向層122には、絶縁膜123と、対向電極125と、配向膜127と、が含まれている。
絶縁膜123は、第2基板121の対向面121bに設けられている。絶縁膜123の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜123の材料として、酸化シリコンが採用されている。
対向層122は、第2基板121の対向面121bに設けられている。対向層122には、絶縁膜123と、対向電極125と、配向膜127と、が含まれている。
絶縁膜123は、第2基板121の対向面121bに設けられている。絶縁膜123の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜123の材料として、酸化シリコンが採用されている。
対向電極125は、絶縁膜123の底面79側に設けられている。対向電極125の材料としては、例えばITOやインジウム亜鉛酸化物などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、対向電極125の材料として、ITOが採用されている。
対向電極125は、マトリクスMを構成する複数の画素65(図3)にわたって一連した状態で設けられている。対向電極125は、マトリクスMを構成する複数の画素65に対して共通して機能する。
なお、本実施形態では、画素65の領域は、図7に示すように、1つの画素電極105と、対向電極125とが重なり合う領域であると定義され得る。
対向電極125は、マトリクスMを構成する複数の画素65(図3)にわたって一連した状態で設けられている。対向電極125は、マトリクスMを構成する複数の画素65に対して共通して機能する。
なお、本実施形態では、画素65の領域は、図7に示すように、1つの画素電極105と、対向電極125とが重なり合う領域であると定義され得る。
配向膜127は、対向電極125の底面79側に設けられている。対向電極125は、配向膜127によって底面79側から覆われている。配向膜127の材料としては、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、配向膜127の材料として、ポリイミドが採用されている。配向膜127には、底面79側に配向処理が施されている。
ここで、Y方向に並ぶ複数のソース電極117は、図9に示すように、信号線Sを介して、画素列87(図5)単位で相互に電気的につながっている。
また、X方向に並ぶ複数のゲート電極111は、図9に示すように、走査線Tを介して、画素行88(図5)単位で相互に電気的につながっている。
複数の信号線Sは、それぞれY方向に延びており、X方向に並んでいる。X方向に隣り合う信号線S同士の間には、隙間が設けられている。
複数の走査線Tは、それぞれX方向に延びており、Y方向に並んでいる。Y方向に隣り合う走査線T同士の間には、隙間が設けられている。
また、X方向に並ぶ複数のゲート電極111は、図9に示すように、走査線Tを介して、画素行88(図5)単位で相互に電気的につながっている。
複数の信号線Sは、それぞれY方向に延びており、X方向に並んでいる。X方向に隣り合う信号線S同士の間には、隙間が設けられている。
複数の走査線Tは、それぞれX方向に延びており、Y方向に並んでいる。Y方向に隣り合う走査線T同士の間には、隙間が設けられている。
本実施形態では、X方向に沿って延在する容量線Cが設けられている。容量線Cは、走査線Tに対応して、すなわち画素行88(図5)ごとに設けられている。
本実施形態では、容量線Cは、図7に示す絶縁膜95の表示面69側に設けられており、絶縁膜97によって表示面69側から覆われている。容量線Cの材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。なお、ゲート電極111(走査線T)と、容量線Cとは、図9に示すように、Y方向に隙間をあけた状態で並んでいる。
本実施形態では、容量線Cは、図7に示す絶縁膜95の表示面69側に設けられており、絶縁膜97によって表示面69側から覆われている。容量線Cの材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。なお、ゲート電極111(走査線T)と、容量線Cとは、図9に示すように、Y方向に隙間をあけた状態で並んでいる。
画素65は、複数の信号線Sと、複数の走査線Tとの各交差に対応して設定されている。
画素電極105は、図10に示すように、互いに隣り合う信号線Sと、互いに隣り合う走査線Tとによって囲まれる領域に重なっている。なお、本実施形態では、画素電極105は、周縁部が信号線S及び走査線Tに重なっている。また、画素電極105は、容量線Cに重なっている。
これにより、液晶パネル61では、容量線Cと画素電極105との間に、図5に示す容量素子107が形成される。
なお、図7に示すTFT素子103の断面は、図10中のH−H線における断面に相当している。
画素電極105は、図10に示すように、互いに隣り合う信号線Sと、互いに隣り合う走査線Tとによって囲まれる領域に重なっている。なお、本実施形態では、画素電極105は、周縁部が信号線S及び走査線Tに重なっている。また、画素電極105は、容量線Cに重なっている。
これにより、液晶パネル61では、容量線Cと画素電極105との間に、図5に示す容量素子107が形成される。
なお、図7に示すTFT素子103の断面は、図10中のH−H線における断面に相当している。
本実施形態では、液晶パネル61は、図5に示すように、n本(nは、1以上の整数)の走査線Tと、m本(mは、1以上の整数)の信号線Sとを有している。なお、以下においてn本の走査線Tが個々に識別される場合に、走査線T(i)という表記が用いられる。iは、1以上且つn以下の整数である。また、m本の信号線Sが個々に識別される場合に、信号線S(j)という表記が用いられる。jは、1以上且つm以下の整数である。
素子基板71及び対向基板73の間に介在する液晶75は、図7に示すように、配向膜101と配向膜127との間に介在している。
本実施形態では、図4に示すシール材77は、図7に示す第1基板91の第1面93aと、第2基板121の対向面121bとによって挟持されている。つまり、液晶パネル61では、液晶75は、第1基板91及び第2基板121によって保持されている。なお、シール材77は、配向膜101及び配向膜127の間に設けられていてもよい。この場合、液晶75は、素子基板71及び対向基板73に保持されているとみなされ得る。
本実施形態では、図4に示すシール材77は、図7に示す第1基板91の第1面93aと、第2基板121の対向面121bとによって挟持されている。つまり、液晶パネル61では、液晶75は、第1基板91及び第2基板121によって保持されている。なお、シール材77は、配向膜101及び配向膜127の間に設けられていてもよい。この場合、液晶75は、素子基板71及び対向基板73に保持されているとみなされ得る。
液晶75は、図7に示すように、L1なる厚みに設定されている。液晶75は、入射した光を変調することができる。本実施形態では、液晶75は、入射した光に位相差を付与することができる。これは、液晶75のリタデーション(複屈折率と厚みL1との積)の設定により実現され得る。本実施形態では、入射した光に1/2波長の位相差を付与するリタデーションが設定されている。
液晶パネル61では、画素電極105と対向電極125との間に電圧を印加すると、画素電極105と対向電極125との間に電界が発生する。この電界によって液晶75の配向状態を画素65ごとに変化させることができる。
本実施形態では、液晶75に電界が作用すると、液晶75がオン状態になる。他方で、液晶75に作用する電界が解除されると、液晶75がオフ状態になる。
プロジェクター1では、図2に示す画像形成部13に光41を照射した状態で、各液晶パネル61における液晶75の配向状態を画素65ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶75の配向状態は、画素電極105の電位と対向電極125の電位との差(以下、駆動電圧と呼ぶ)によって変化し得る。
本実施形態では、液晶75に電界が作用すると、液晶75がオン状態になる。他方で、液晶75に作用する電界が解除されると、液晶75がオフ状態になる。
プロジェクター1では、図2に示す画像形成部13に光41を照射した状態で、各液晶パネル61における液晶75の配向状態を画素65ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶75の配向状態は、画素電極105の電位と対向電極125の電位との差(以下、駆動電圧と呼ぶ)によって変化し得る。
図7に示す配向膜101及び配向膜127のそれぞれには、配向処理が施されている。配向処理が施された配向膜101及び配向膜127によって、液晶75の初期的な配向状態が規制される。
液晶パネル61では、駆動電圧が0Vのときに、液晶75がオフ状態にある。他方で、駆動電圧が0Vを超えると、液晶75がオフ状態からオン状態に変化する。
図11(a)は、液晶75がオフ状態のときの画像形成パネル33における偏光状態を示す図であり、図11(b)は、液晶75がオン状態のときの画像形成パネル33における偏光状態を示す図である。
液晶パネル61では、駆動電圧が0Vのときに、液晶75がオフ状態にある。他方で、駆動電圧が0Vを超えると、液晶75がオフ状態からオン状態に変化する。
図11(a)は、液晶75がオフ状態のときの画像形成パネル33における偏光状態を示す図であり、図11(b)は、液晶75がオン状態のときの画像形成パネル33における偏光状態を示す図である。
画像形成パネル33では、偏光板64aの透過軸141と、偏光板64bの透過軸142とは、図11(a)及び図11(b)に示すように、互いに直交している。
なお、図11(a)及び図11(b)において、X'方向及びY'方向は、X'方向が偏光板64aの透過軸141の方向を示し、Y'方向が偏光板64bの透過軸142の方向を示している。X'方向及びY'方向は、XY平面内で互いに直交する任意の2方向である。
なお、図11(a)及び図11(b)において、X'方向及びY'方向は、X'方向が偏光板64aの透過軸141の方向を示し、Y'方向が偏光板64bの透過軸142の方向を示している。X'方向及びY'方向は、XY平面内で互いに直交する任意の2方向である。
位相差板62の遅相軸62aは、平面視でX'方向に対して、時計方向に45度の傾きを有する方向に設定されている。
従って、偏光板64aを透過した直線偏光143は、位相差板62によって1/4波長の位相差が与えられ、平面視で反時計方向に回転する円偏光144として液晶75に入射される。
従って、偏光板64aを透過した直線偏光143は、位相差板62によって1/4波長の位相差が与えられ、平面視で反時計方向に回転する円偏光144として液晶75に入射される。
液晶75に入射された円偏光144は、液晶75がオフ状態のときに、図11(a)に示すように、偏光状態が維持されたまま(位相差が付与されずに)円偏光144として位相差板63に向けて射出される。
ここで、位相差板63の遅相軸63aは、平面視でX'方向に対して、時計方向に45度の傾きを有する方向に設定されている。
ここで、位相差板63の遅相軸63aは、平面視でX'方向に対して、時計方向に45度の傾きを有する方向に設定されている。
このため、位相差板63に入射された円偏光144は、位相差板63によって1/4波長の位相差が与えられ、平面視でX'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光145として偏光板64bに向けて射出される。
偏光板64bに向けて射出された直線偏光145は、偏光軸が偏光板64bの透過軸142に対して直交しているため、偏光板64bによって吸収される。
偏光板64bに向けて射出された直線偏光145は、偏光軸が偏光板64bの透過軸142に対して直交しているため、偏光板64bによって吸収される。
他方で、液晶75がオン状態のときに、液晶75に入射された円偏光144は、図11(b)に示すように、1/2波長の位相差が与えられ、平面視で時計方向に回転する(円偏光144とは逆回転の)円偏光147として位相差板63に向けて射出される。
位相差板63に入射された円偏光147は、位相差板63によって1/4波長の位相差が与えられ、平面視でY'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光149として偏光板64bに向けて射出される。
偏光板64bに向けて射出された直線偏光149は、偏光軸が偏光板64bの透過軸142に沿っているため、偏光板64bを透過する。
位相差板63に入射された円偏光147は、位相差板63によって1/4波長の位相差が与えられ、平面視でY'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光149として偏光板64bに向けて射出される。
偏光板64bに向けて射出された直線偏光149は、偏光軸が偏光板64bの透過軸142に沿っているため、偏光板64bを透過する。
このように、画像形成パネル33では、液晶75のオン状態及びオフ状態の切り替えにより、画像の形成が制御される。
本実施形態では、液晶75がオフ状態のときに画像形成パネル33からの光の射出が遮断される所謂ノーマリーブラック(初期的に“黒表示”の状態)の表示モードが採用されている。しかしながら、表示モードは、ノーマリーブラックに限定されず、所謂ノーマリーホワイト(初期的に“白表示”の状態)も採用され得る。
本実施形態では、液晶75がオフ状態のときに画像形成パネル33からの光の射出が遮断される所謂ノーマリーブラック(初期的に“黒表示”の状態)の表示モードが採用されている。しかしながら、表示モードは、ノーマリーブラックに限定されず、所謂ノーマリーホワイト(初期的に“白表示”の状態)も採用され得る。
ここで、図5に示す液晶装置85の駆動方法について説明する。
液晶パネル駆動回路25は、図5に示すように、コントローラー161と、メモリー部163と、電圧制御回路164と、メモリー部165と、を有している。
コントローラー161には、垂直同期信号VSYNCと、水平同期信号HSYNCと、クロック信号DCLKと、画像信号DATAと、が供給される。
液晶パネル駆動回路25は、図5に示すように、コントローラー161と、メモリー部163と、電圧制御回路164と、メモリー部165と、を有している。
コントローラー161には、垂直同期信号VSYNCと、水平同期信号HSYNCと、クロック信号DCLKと、画像信号DATAと、が供給される。
メモリー部163には、1フレーム分の画像信号DATAが一時的に格納される。コントローラー161は、メモリー部163に格納された1フレーム分の画像信号DATAから、画素行88単位の画像データdataを読み出す。コントローラー161は、読み出した画像データdataをシリアルデータとして信号線駆動回路83に出力する。信号線駆動回路83には、クロック信号CLX及びイネーブル信号ENBXも、コントローラー161から入力される。
また、コントローラー161は、スタートパルスDYと、クロック信号CLYと、を走査線駆動回路81に出力する。
また、コントローラー161は、スタートパルスDYと、クロック信号CLYと、を走査線駆動回路81に出力する。
電圧制御回路164は、電源コントローラー166と、電源部167と、を有している。電源コントローラー166には、温度検出部84から温度情報TMPが入力される。
ここで、温度検出部84は、液晶パネル61に設けられており、表示領域67(図3)における液晶パネル61の温度を、液晶パネル61の使用環境における温度として検出する。そして、温度検出部84は、検出した温度結果を温度情報TMPとして出力する。
電源部167は、後述するデータ信号d(1)〜データ信号d(m)の電位を規定する。
ここで、温度検出部84は、液晶パネル61に設けられており、表示領域67(図3)における液晶パネル61の温度を、液晶パネル61の使用環境における温度として検出する。そして、温度検出部84は、検出した温度結果を温度情報TMPとして出力する。
電源部167は、後述するデータ信号d(1)〜データ信号d(m)の電位を規定する。
メモリー部165には、温度に対するデータ信号d(1)〜データ信号d(m)の電位を規定するデータが温度電位テーブルとして格納されている。
電源コントローラー166は、入力された温度情報TMPに基づいて、温度情報TMPに示される温度に対応する電位データを温度電位テーブルから読み込む。次いで、電源コントローラー166は、読み込んだ電位データに基づいて、電源部167を制御することによって、後述するデータ信号d(1)〜データ信号d(m)の電位を制御する。
電源コントローラー166は、入力された温度情報TMPに基づいて、温度情報TMPに示される温度に対応する電位データを温度電位テーブルから読み込む。次いで、電源コントローラー166は、読み込んだ電位データに基づいて、電源部167を制御することによって、後述するデータ信号d(1)〜データ信号d(m)の電位を制御する。
ところで、本実施形態では、1フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割するサブフィールド駆動が採用されている。サブフィールド駆動では、サブフィールド期間ごとに液晶75のオン状態及びオフ状態を制御することができる。
本実施形態では、1フレーム期間が、図12に示すように、32個のサブフィールド期間SF1〜SF32に分割される。本実施形態では、32個のサブフィールド期間SF1〜SF32は、相互に同じ長さに設定される。
本実施形態では、1フレーム期間が、図12に示すように、32個のサブフィールド期間SF1〜SF32に分割される。本実施形態では、32個のサブフィールド期間SF1〜SF32は、相互に同じ長さに設定される。
なお、以下においては、サブフィールド期間SF1〜サブフィールド期間SF32という表記と、サブフィールド期間SFという表記とが併用される。
垂直同期信号VSYNCは、フレーム期間の開始を規定する信号である。スタートパルスDYは、サブフィールド期間SFの開始を規定する信号であり、垂直同期信号VSYNCを基準としてコントローラー161(図5)によって生成される。
垂直同期信号VSYNCは、フレーム期間の開始を規定する信号である。スタートパルスDYは、サブフィールド期間SFの開始を規定する信号であり、垂直同期信号VSYNCを基準としてコントローラー161(図5)によって生成される。
走査線駆動回路81は、図13に示すように、シフトレジスター169を有している。スタートパルスDY及びクロック信号CLYは、シフトレジスター169に入力される。
シフトレジスター169からは、選択信号g(1)〜選択信号g(n)が出力される。選択信号g(1)は、図5に示すように、走査線T(1)に供給される。選択信号g(2)が走査線T(2)に供給され、選択信号g(n)が走査線T(n)に供給される。
シフトレジスター169からは、選択信号g(1)〜選択信号g(n)が出力される。選択信号g(1)は、図5に示すように、走査線T(1)に供給される。選択信号g(2)が走査線T(2)に供給され、選択信号g(n)が走査線T(n)に供給される。
選択信号g(i)は、図14に示すように、クロック信号CLYの半周期のパルス幅を有している。
選択信号g(1)は、スタートパルスDYが立ち上がってからクロック信号CLYの2番目の変化点に基づいてLoレベルからHiレベルに立ち上がる。ここで、変化点とは、パルス信号がLoレベルからHiレベルに変化する時点と、パルス信号がHiレベルからLoレベルに変化する時点とを示す。
Hiレベルに立ち上がった選択信号g(1)は、図13に示すシフトレジスター169によって、クロック信号CLYの変化点ごとに選択信号g(2),g(3),…,g(n)の順にシフトされていく。
選択信号g(1)は、スタートパルスDYが立ち上がってからクロック信号CLYの2番目の変化点に基づいてLoレベルからHiレベルに立ち上がる。ここで、変化点とは、パルス信号がLoレベルからHiレベルに変化する時点と、パルス信号がHiレベルからLoレベルに変化する時点とを示す。
Hiレベルに立ち上がった選択信号g(1)は、図13に示すシフトレジスター169によって、クロック信号CLYの変化点ごとに選択信号g(2),g(3),…,g(n)の順にシフトされていく。
選択信号g(1)がHiレベルに立ち上がってから、選択信号g(n)がLoレベルに立ち下がるまでの期間が、1垂直期間に相当している。本実施形態では、1垂直期間は、サブフィールド期間SFよりも短い長さに設定されている。
なお、本実施形態では、スタートパルスDYが立ち上がってからクロック信号CLYの1番目の変化点に基づいて、イネーブル信号ENBXがLoレベルからHiレベルに立ち上がる。
なお、本実施形態では、スタートパルスDYが立ち上がってからクロック信号CLYの1番目の変化点に基づいて、イネーブル信号ENBXがLoレベルからHiレベルに立ち上がる。
イネーブル信号ENBXの1周期は、選択信号g(i)のパルス幅と同等に設定されている。イネーブル信号ENBXは、LoレベルからHiレベルに立ち上がった後に、選択信号g(1)〜選択信号g(n)の各立ち上がりに基づいて、順次にLoレベルからHiレベルに立ち上がっていく。従って、イネーブル信号ENBXは、1つのサブフィールド期間SF内で、n+1個の立ち上がりパルスを有している。
なお、本実施形態では、イネーブル信号ENBXの1周期が1水平期間に相当している。
なお、本実施形態では、イネーブル信号ENBXの1周期が1水平期間に相当している。
信号線駆動回路83は、図15に示すように、シフトレジスター171と、第1ラッチ回路173と、第2ラッチ回路175と、レベルシフター177と、を有している。
シフトレジスター171には、イネーブル信号ENBXと、クロック信号CLXとが入力される。
第1ラッチ回路173には、シフトレジスター171からの出力信号(ラッチ信号LT(1)〜ラッチ信号LT(m))と、画像データdataとが入力される。
第2ラッチ回路175には、第1ラッチ回路173からの出力信号と、イネーブル信号ENBXとが入力される。
シフトレジスター171には、イネーブル信号ENBXと、クロック信号CLXとが入力される。
第1ラッチ回路173には、シフトレジスター171からの出力信号(ラッチ信号LT(1)〜ラッチ信号LT(m))と、画像データdataとが入力される。
第2ラッチ回路175には、第1ラッチ回路173からの出力信号と、イネーブル信号ENBXとが入力される。
レベルシフター177には、第2ラッチ回路175からの出力信号が入力される。
レベルシフター177からは、データ信号d(1)〜データ信号d(m)が出力される。データ信号d(1)は、図5に示すように、信号線S(1)に供給される。データ信号d(2)が信号線S(2)に供給され、データ信号d(m)が信号線S(m)に供給される。
シフトレジスター171は、イネーブル信号ENBXを、クロック信号CLXの変化点ごとにシフトさせながら、ラッチ信号LT(1),LT(2),LT(3),…,LT(m)として順次に出力していく。
第1ラッチ回路173は、2値信号である画像データdataを、ラッチ信号LT(j)の立ち下がりに基づいて順次にラッチしていく。
レベルシフター177からは、データ信号d(1)〜データ信号d(m)が出力される。データ信号d(1)は、図5に示すように、信号線S(1)に供給される。データ信号d(2)が信号線S(2)に供給され、データ信号d(m)が信号線S(m)に供給される。
シフトレジスター171は、イネーブル信号ENBXを、クロック信号CLXの変化点ごとにシフトさせながら、ラッチ信号LT(1),LT(2),LT(3),…,LT(m)として順次に出力していく。
第1ラッチ回路173は、2値信号である画像データdataを、ラッチ信号LT(j)の立ち下がりに基づいて順次にラッチしていく。
第2ラッチ回路175は、第1ラッチ回路173でラッチされた画像データdataのそれぞれを、イネーブル信号ENBXにもとづいて一斉にラッチする。第2ラッチ回路175でラッチされた各画像データdataは、データ信号d(1)〜データ信号d(m)として、レベルシフター177を介して、信号線S(1)〜信号線S(m)に一斉に供給される。
なお、レベルシフター177には、電圧制御回路164の電源部167から電力が供給される。電源部167から出力される電力は、電源コントローラー166によって制御される。レベルシフター177から出力されるデータ信号d(j)の電位は、電圧制御回路164によって制御される。本実施形態では、データ信号d(j)の電位は、電源部167から出力される電力に応じて変化する。
なお、レベルシフター177には、電圧制御回路164の電源部167から電力が供給される。電源部167から出力される電力は、電源コントローラー166によって制御される。レベルシフター177から出力されるデータ信号d(j)の電位は、電圧制御回路164によって制御される。本実施形態では、データ信号d(j)の電位は、電源部167から出力される電力に応じて変化する。
ここで、本実施形態では、駆動電圧にオン電圧とオフ電圧とが含まれている。オン電圧は、液晶75をオン状態にするための駆動電圧である。オフ電圧は、液晶75をオフ状態にするための駆動電圧である。
また、本実施形態では、対向電極125と容量線Cとは、同じ電位(以下、共通電位と呼ぶ)に保たれる。本実施形態では、オン電圧とオフ電圧とで、共通電位が同じ値に設定されている。
このため、本実施形態では、オン電圧において、データ信号d(j)の電位と、共通電位とが互いに異なる値に設定される。また、オフ電圧において、データ信号d(j)の電位と、共通電位とが互いに同じ値に設定される。
また、本実施形態では、対向電極125と容量線Cとは、同じ電位(以下、共通電位と呼ぶ)に保たれる。本実施形態では、オン電圧とオフ電圧とで、共通電位が同じ値に設定されている。
このため、本実施形態では、オン電圧において、データ信号d(j)の電位と、共通電位とが互いに異なる値に設定される。また、オフ電圧において、データ信号d(j)の電位と、共通電位とが互いに同じ値に設定される。
ラッチ信号LT(j)は、図16に示すように、クロック信号CLXの半周期のパルス幅を有している。
ラッチ信号LT(1)は、イネーブル信号ENBXがLoレベルからHiレベルに立ち上がってからクロック信号CLXの3番目の変化点に基づいてLoレベルからHiレベルに立ち上がる。
Hiレベルに立ち上がったラッチ信号LT(1)は、図15に示すシフトレジスター171によって、クロック信号CLXの変化点ごとにラッチ信号LT(2),LT(3),…,LT(m)の順にシフトしながら出力されていく。
ラッチ信号LT(1)は、イネーブル信号ENBXがLoレベルからHiレベルに立ち上がってからクロック信号CLXの3番目の変化点に基づいてLoレベルからHiレベルに立ち上がる。
Hiレベルに立ち上がったラッチ信号LT(1)は、図15に示すシフトレジスター171によって、クロック信号CLXの変化点ごとにラッチ信号LT(2),LT(3),…,LT(m)の順にシフトしながら出力されていく。
このとき、図15に示す第1ラッチ回路173は、ラッチ信号LT(1)の立ち下がりに基づいて、信号線S(1)に対応する画像データdata(1)をラッチする。同様に、第1ラッチ回路173は、ラッチ信号LT(j)の立ち下がりに基づいて、信号線S(j)に対応する画像データdata(j)をラッチする。
第1ラッチ回路173から画像データdata(j)の出力を受ける第2ラッチ回路175は、次のイネーブル信号ENBXの立ち下がりに基づいて、画像データdata(j)をレベルシフター177に一斉に出力する。レベルシフター177に出力された画像データdata(j)は、電源部167からの電力に応じた電位のデータ信号d(j)として、信号線S(j)に一斉に供給される。
上述した画像データdata(j)のラッチ動作と、データ信号d(j)の出力動作とは、1つのサブフィールド期間SFにおいて、走査線T(i)の本数分だけ(本実施形態ではn回)繰り返される。これにより、1つのサブフィールド期間SFにおける画像の形成が完了する。これらの動作をサブフィールド期間SF1からサブフィールド期間SF32まで繰り返すことによって、1フレーム分の画像の形成が行われ得る。
本実施形態では、1フレーム期間において、サブフィールド期間SFごとに液晶75の駆動を選択的に制御することによって、1フレーム分の画像における階調表示が行われ得る。
本実施形態では、1フレーム期間において、サブフィールド期間SFごとに液晶75の駆動を選択的に制御することによって、1フレーム分の画像における階調表示が行われ得る。
ところで、本実施形態では、画素電極105と対向電極125との間に、図17(a)に示すように、パルス幅Tpを有するパルス状のオン電圧Von1が印加される。このとき、画像形成パネル33を透過する光の透過率は、図17(b)に示すように、応答時間Ton1をもって最大値maxに変化する。
また、駆動電圧がオン電圧Von1からオフ電圧Voffに切り替わると、画像形成パネル33を透過する光の透過率は、応答時間Toff1をもって最小値minに変化する。
また、駆動電圧がオン電圧Von1からオフ電圧Voffに切り替わると、画像形成パネル33を透過する光の透過率は、応答時間Toff1をもって最小値minに変化する。
これらの過渡現象は、液晶75の応答特性に起因するものである。
なお、透過率の最大値max及び最小値minは、それぞれ、画像形成パネル33で白表示及び黒表示のそれぞれを行うときの透過率を示している。このため、画像形成パネル33での透過率の最大値max及び最小値minは、それぞれ、画像形成パネル33での輝度の最大値及び最小値のそれぞれとは異なることがある。
また、以下において、図17(b)に示す透過率の変化例は、変化例(1)と呼ばれる。
なお、透過率の最大値max及び最小値minは、それぞれ、画像形成パネル33で白表示及び黒表示のそれぞれを行うときの透過率を示している。このため、画像形成パネル33での透過率の最大値max及び最小値minは、それぞれ、画像形成パネル33での輝度の最大値及び最小値のそれぞれとは異なることがある。
また、以下において、図17(b)に示す透過率の変化例は、変化例(1)と呼ばれる。
液晶75の応答特性は、使用環境の温度に大きく影響を受ける。使用環境の温度が低くなると、画像形成パネル33を透過する光の透過率は、図17(c)に示すように、パルス幅Tp内で最大値maxに到達できなくなることがある。また、駆動電圧がオン電圧Von1からオフ電圧Voffに切り替わったとき、透過率が最小値minに到達するまでの応答時間Toff2は、応答時間Toff1よりも長くなる。
なお、以下において、図17(c)に示す透過率の変化例は、変化例(2)と呼ばれる。
なお、以下において、図17(c)に示す透過率の変化例は、変化例(2)と呼ばれる。
変化例(2)に対し、本実施形態では、電圧制御回路164が温度情報TMPに基づいてオン電圧を制御する。本実施形態では、電圧制御回路164は、温度情報TMPに基づいて、使用環境の温度が低いときにオン電圧を上昇させる。これによって、駆動電圧は、図17(d)に示すように、オン電圧Von1がオン電圧Von2まで上昇する。
オン電圧Von2によって、画像形成パネル33を透過する光の透過率は、図17(e)に示すように、応答時間Ton2をもって最大値maxに変化し得る。応答時間Ton2は、応答時間Ton1よりも長く、且つパルス幅Tpよりも短い。
他方で、駆動電圧がオン電圧Von2からオフ電圧Voffに切り替わったとき、透過率が最小値minに到達するまでの応答時間Toff3は、図17(c)に示す応答時間Toff2と略同等である。
これは、液晶75の応答特性のうち、オフ状態からオン状態への応答では、応答時間が駆動電圧の上昇に応じて短くなる傾向を有するのに対し、オン状態からオフ状態への応答では、応答時間が駆動電圧の上昇によらずに略温度だけに影響を受けるためである。
なお、以下において、図17(e)に示す透過率の変化例は、変化例(3)と呼ばれる。
他方で、駆動電圧がオン電圧Von2からオフ電圧Voffに切り替わったとき、透過率が最小値minに到達するまでの応答時間Toff3は、図17(c)に示す応答時間Toff2と略同等である。
これは、液晶75の応答特性のうち、オフ状態からオン状態への応答では、応答時間が駆動電圧の上昇に応じて短くなる傾向を有するのに対し、オン状態からオフ状態への応答では、応答時間が駆動電圧の上昇によらずに略温度だけに影響を受けるためである。
なお、以下において、図17(e)に示す透過率の変化例は、変化例(3)と呼ばれる。
オン電圧Von2の設定方法としては、例えば、透過率の温度特性を実験的に把握することによって設定する方法が採用され得る。
例えば、図17(b)に示す変化例(1)を常温(25℃)の使用環境での例とする。そして、常温よりも低い温度での透過率の変化例として図17(e)に示す変化例(3)が得られたとする。
このとき、変化例(1)と変化例(3)とを重畳すると、図18に示すように、駆動電圧がオン電圧からオフ電圧に切り替わったタイミング以降において、変化例(3)と変化例(1)とによって囲まれた領域191が見出される。
例えば、図17(b)に示す変化例(1)を常温(25℃)の使用環境での例とする。そして、常温よりも低い温度での透過率の変化例として図17(e)に示す変化例(3)が得られたとする。
このとき、変化例(1)と変化例(3)とを重畳すると、図18に示すように、駆動電圧がオン電圧からオフ電圧に切り替わったタイミング以降において、変化例(3)と変化例(1)とによって囲まれた領域191が見出される。
また、パルス幅Tpの期間において、変化例(1)と変化例(3)とによって囲まれた領域193が見出される。
ここで、変化例(1)と変化例(3)とで階調度を同等にするには、領域191の面積と、領域193の面積とを同等にすればよい。
前述したように、液晶75の応答特性のうち、オフ状態からオン状態への応答では、応答時間が駆動電圧の上昇に応じて短くなる傾向を有するのに対し、オン状態からオフ状態への応答では、応答時間が駆動電圧の上昇によらずに略温度だけに影響を受ける。
このため、本実施形態では、まず、領域191の面積を把握し、領域193の面積が領域191の面積と略同等になるように駆動電圧を変化させることによって、オン電圧の最適値を見出しやすい。
ここで、変化例(1)と変化例(3)とで階調度を同等にするには、領域191の面積と、領域193の面積とを同等にすればよい。
前述したように、液晶75の応答特性のうち、オフ状態からオン状態への応答では、応答時間が駆動電圧の上昇に応じて短くなる傾向を有するのに対し、オン状態からオフ状態への応答では、応答時間が駆動電圧の上昇によらずに略温度だけに影響を受ける。
このため、本実施形態では、まず、領域191の面積を把握し、領域193の面積が領域191の面積と略同等になるように駆動電圧を変化させることによって、オン電圧の最適値を見出しやすい。
そして、温度変化に応じたオン電圧の最適値は、温度に対するデータ信号d(j)の電位を規定する温度電位テーブルとして、図5に示すメモリー部165に格納される。
これにより、画像形成パネル33において、使用環境の温度による階調の差異を軽減することができる。また、本実施形態では、サブフィールド期間SF1〜SF32を変化させる必要がないので、各サブフィールド期間SF1〜SF32内に実施されるべき種々の処理にかかる速度を変化させる必要がない。このため、例えば、サブフィールド期間SF1〜SF32を変化させる構成に比較して、種々の処理にかかる負担を軽減しやすくすることができる。
なお、本実施形態において、画素電極105が第1電極に対応し、対向電極125が第2電極に対応し、データ信号d(j)が画像信号に対応している。
これにより、画像形成パネル33において、使用環境の温度による階調の差異を軽減することができる。また、本実施形態では、サブフィールド期間SF1〜SF32を変化させる必要がないので、各サブフィールド期間SF1〜SF32内に実施されるべき種々の処理にかかる速度を変化させる必要がない。このため、例えば、サブフィールド期間SF1〜SF32を変化させる構成に比較して、種々の処理にかかる負担を軽減しやすくすることができる。
なお、本実施形態において、画素電極105が第1電極に対応し、対向電極125が第2電極に対応し、データ信号d(j)が画像信号に対応している。
なお、本実施形態では、ライトバルブとして、透過型の液晶パネル61を有する画像形成パネル33が採用されている。しかしながら、液晶パネル61は、透過型に限定されず、反射型も採用され得る。
また、本実施形態では、液晶装置85をプロジェクター1に適用した例を説明したが、液晶装置85の適用はプロジェクター1に限定されない。液晶装置85は、例えば、ディスプレイなどの表示装置にも適用され得る。
また、本実施形態では、1フレーム期間の少なくとも一部を32個のサブフィールド期間SF1〜SF32に分割する例が示されている。しかしながら、サブフィールド期間の個数は、32個に限定されず、2以上の任意の個数が採用され得る。
また、本実施形態では、液晶75の駆動方式としてVA型の駆動方式が採用されているが、駆動方式はこれに限定されない。液晶75の駆動方式は、TN(Twisted Nematic)型、IPS(In Plane Switching)型、FFS(Fringe Field Switching)型等の種々の方式も採用され得る。
また、本実施形態では、液晶装置85をプロジェクター1に適用した例を説明したが、液晶装置85の適用はプロジェクター1に限定されない。液晶装置85は、例えば、ディスプレイなどの表示装置にも適用され得る。
また、本実施形態では、1フレーム期間の少なくとも一部を32個のサブフィールド期間SF1〜SF32に分割する例が示されている。しかしながら、サブフィールド期間の個数は、32個に限定されず、2以上の任意の個数が採用され得る。
また、本実施形態では、液晶75の駆動方式としてVA型の駆動方式が採用されているが、駆動方式はこれに限定されない。液晶75の駆動方式は、TN(Twisted Nematic)型、IPS(In Plane Switching)型、FFS(Fringe Field Switching)型等の種々の方式も採用され得る。
上述した液晶装置85は、例えば、図19に示す電子機器500の表示部510にも適用され得る。この電子機器500は、携帯電話機である。この電子機器500は、操作ボタン511を有している。表示部510は、操作ボタン511で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器500では、表示部510に液晶装置85が適用されているので、表示部510において、使用環境の温度による階調の差異を軽減することができる。
なお、電子機器500としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピューター、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。
なお、電子機器500としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピューター、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。
1…プロジェクター、21…制御部、25…液晶パネル駆動回路、33…画像形成パネル、61…液晶パネル、65…画素、67…表示領域、69…表示面、71…素子基板、73…対向基板、75…液晶、81…走査線駆動回路、83…信号線駆動回路、84…温度検出部、85…液晶装置、105…画素電極、125…対向電極、161…コントローラー、163…メモリー部、164…電圧制御回路、165…メモリー部、166…電源コントローラー、167…電源部、177…レベルシフター、191…領域、193…領域、500…電子機器、510…表示部、511…操作ボタン。
Claims (7)
- 1フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割され、前記サブフィールド期間ごとにオン状態及びオフ状態のいずれか一方の状態に制御される液晶と、
前記液晶の前記オン状態及び前記オフ状態を制御するための駆動電圧を、使用環境における温度を示す情報である温度情報に基づいて変化させる電圧制御回路と、を有する、
ことを特徴とする液晶装置。 - 前記温度を検出し、検出した結果を前記温度情報として前記電圧制御回路に出力する温度検出部を有する、ことを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。
- 前記駆動電圧は、前記液晶を前記オン状態にするための前記駆動電圧であるオン電圧と、前記液晶を前記オフ状態にするための前記駆動電圧であるオフ電圧とを含み、
前記電圧制御回路は、前記温度情報に基づいて、前記オン電圧を変化させる、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶装置。 - 前記電圧制御回路は、前記温度の低下に応じて前記オン電圧の絶対値が大きくなる方向に前記オン電圧を変化させる、ことを特徴とする請求項3に記載の液晶装置。
- 前記駆動電圧が印加される第1電極及び第2電極を有し、
前記液晶は、複数の画素の前記画素ごとに前記オン状態及び前記オフ状態が制御され、
前記第1電極は、前記画素ごとに個別に設けられており、
前記第2電極は、複数の前記画素間にまたがって設けられており、且つ前記複数の画素間で共通の電位に保たれ、
前記第1電極には、前記サブフィールド期間ごとに、前記液晶を前記オン状態又は前記オフ状態にすることを指示する画像信号が供給され、
前記電圧制御回路は、前記画像信号の電位を変化させることによって、前記駆動電圧を変化させる、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の液晶装置。 - 1フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、前記サブフィールド期間ごとに液晶をオン状態及びオフ状態のいずれか一方の状態に制御する液晶装置の駆動方法であって、
前記液晶の前記オン状態及び前記オフ状態を制御するための駆動電圧を、使用環境における温度を示す情報である温度情報に基づいて変化させる、
ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。 - 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の液晶装置を有することを特徴とする電子機器。
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2009
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