JP2010217207A - 転写装置、転写方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】帯状の基板に設けられた区画領域に対して、精度よくパターンを転写することのできる転写装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 転写装置（ＥＸ）は、基板（ＦＢ）を保持して長手方向に移送する移送装置（ＦＲ、ＷＲ）と移送装置（ＦＲ、ＷＲ）に保持された基板（ＦＢ）の一部を保持し、基板（ＦＢ）の表面に沿って移動するステージ装置（ＦＢＳ）とを含む搬送機構と、搬送機構によって移動される基板（ＦＢ）に計測光を照射し、搬送機構による基板の移動方向に沿って基板（ＦＢ）に設けられた複数のマーク（ＡＭ）からの回折光を検出する検出装置（ＬＳＡ）と、検出装置（ＬＳＡ）の検出結果に基づいて区画領域（ＥＡ）の変形に関する情報を算出する演算装置と、演算装置の算出情報に基づいてパターンを補正する補正装置と、を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、帯状の基板に設けられた複数の区画領域にパターン部材に設けられたパターンを転写する転写装置、転写方法及びデバイス製造方法に関する。

液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）又は有機ＥＸＬといったフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）に用いられるガラス基板又は樹脂基板は、画面の大型化の要望に応じサイズが大型化する傾向にある。パターン部材の回路パターンをガラス基板又は樹脂基板に照射する露光装置は、ガラス基板又は樹脂基板の大型化に応じて大型化している。

また露光装置の中には、ＦＰＤなどの量産及び大型化に対応するために、ロール状に巻かれた帯状の基板を搬送させて照射する装置も出現している。例えば特許文献１で開示される投影露光装置は、帯状の基板を真空及び真空解除を交互に行うとともにステージ装置が搬送方向に移動することで、帯状の基板を間欠的に搬送している。この特許文献１の投影露光装置によれば、帯状の基板の位置ずれ、伸び、波うち、しわ等が生じるおそれなく、帯状の基板の搬送が行われ、パターン部材のパターンが帯状の基板に照射される。

特開２００７−１１４３８５号公報

しかし、ロール状に巻かれた帯状の基板は、一般に薄くやわらかいため、基板にかかる引張力又は熱処理によって伸縮変形しやすい。また基板に複数の加工が施されると、その変形は複雑である。このため、基板に設けられた区画領域（パターン形成領域）も複雑に変形することとなり、その区画領域に予め形成されたパターンに対して新たなパターンを精度よく重ね合わせることができないという問題があった。

本発明の態様は、帯状の基板に設けられた区画領域に対して、その変形の有無によらず精度よくパターンを転写することのできる転写装置、転写方法及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。

本実施形態の第１の態様に従えば、帯状の基板の長手方向に沿って該基板に設けられた複数の区画領域にパターン部材に設けられたパターンを転写する転写装置が提供される。該転写装置は、基板を保持して長手方向に移送する移送装置と移送装置に保持された基板の一部を保持し、基板の表面に沿って移動するステージ装置とを含む搬送機構と、搬送機構によって移動される基板に計測光を照射し、搬送機構による基板の移動方向に沿って基板に設けられた複数のマークからの回折光を検出する検出装置と、検出装置の検出結果に基づいて区画領域の変形に関する情報を算出する演算装置と、演算装置の算出情報に基づいてパターンを補正する補正装置と、を備える。

本実施形態の第２の態様に従えば、帯状の基板の区画領域にパターン部材に形成されるパターンを順次転写する転写方法が提供される。該転写方法は、帯状の基板を移送装置で移送する工程と、移送された帯状の基板をステージ装置で保持する工程と、検出装置が区画領域の周辺に形成された複数のマークにコヒーレント光を照射してマークからの回折光を検出する工程と、検出装置が検出した回折光に基づいて区画領域の伸縮を計測する工程と、計測工程の結果に基づいてパターン部材によるパターンをステージ装置に保持された基板の区画領域に転写する工程と、を備える。

本実施形態の第３の態様に従えば、第１の態様の転写装置を用いて、帯状の基板にパターンを転写する工程と、パターンが転写された基板を該パターンに基づいて加工する工程と、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の態様によれば、帯状の基板に設けられた区画領域に対して、その変形の有無によらず精度よくパターンを転写することができる。

（ａ）は本実施形態の露光装置ＥＸを示す概略平面図であり、理解を助けるため帯状の基板ＦＢより下側の主要部分が描かれている。（ｂ）は露光装置ＥＸの概略側面図である。 （ａ）は基板ステージＦＢＳの上面図であり、（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図２（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。 帯状の基板ＦＢを支持する基板ステージＦＢＳの別の実施例を示した概念図である。（ａ）は本実施形態の基板ステージＦＢＳを示す概略平面図であり、理解を助けるため帯状の基板ＦＢより下側の部分が描かれている。（ｂ）は露光装置ＥＸの概略側面図である。 アライメントセンサＬＳＡを示した図である。 ＬＳＡ用のアライメントマークＡＭを示した図である。 投影光学系ＰＬの概略斜視図である。 第１例の露光方法のフローチャートである。 第１例の露光方法の露光動作を示した概念平面図である。 第１例の露光方法の露光動作を示した概念平面図である。 投影光学系ＰＬにより投影像ＰＩを調整して露光領域ＥＡのずれを補正する説明図である。（ａ）は露光領域ＥＡが点線で示されたような変形がない理想的な形状から実線で示されたような変形形状に変形した平面図で、（ｂ）は露光領域ＥＡのＸ軸方向のずれを補正した平面図で、（ｃ）は露光領域ＥＡのＹ軸方向のずれ及びローテーションを補正した平面図である。 第２例の露光装置ＥＸを示す平面図である。 第２例の露光方法の露光動作を示した概念平面図である。 第２例の露光方法の露光動作を示した概念平面図である。 電気デバイス製造方法を示すフローチャートである。

本発明の実施形態では、露光装置を一例として転写装置について説明する。
＜露光装置の全体構成：第１例＞
以下、第１例の露光装置ＥＸについて図１を参照しながら説明する。図１（ａ）は本実施形態の露光装置ＥＸを示す概略平面図であり、理解を助けるため帯状の基板ＦＢより下側の主要部分が描かれている。図１（ｂ）は露光装置ＥＸの概略側面図である。

本実施形態に係る露光装置ＥＸは、露光光ＥＸＬに対してマスクＭと帯状の基板ＦＢとを同期走査して露光する走査型露光装置である。露光装置ＥＸは帯状の基板ＦＢの露光領域ＥＡを走査露光する。図１では露光済みの露光領域ＥＡを網目で示し、未露光の露光領域ＥＡを白く示している。なお、投影光学系ＰＬの光軸方向をＺ軸方向、Ｚ軸方向に垂直な方向でマスクＭ及び帯状の基板ＦＢの同期移動方向をＹ軸方向（走査方向）、Ｚ軸方向及びＹ軸方向と直交する方向をＸ軸方向（非走査方向）とする。

露光装置ＥＸは、移送装置として帯状の基板ＦＢを供給する供給ローラＦＲと帯状の基板ＦＢを巻き取る巻き取りローラＷＲとを有する。供給ローラＦＲ及び巻き取りローラＷＲは矢印方向に回転することができ、帯状の基板ＦＢをＸ軸方向に移送することができる。ここで帯状の基板ＦＢはロール状に巻き取ることができる薄い樹脂フィルムである。帯状の基板ＦＢはその面積に対して厚さが十分に薄い基板であり可撓性を有する。帯状の基板ＦＢは例えばＸ軸方向に１００メートルの長さであり、Ｙ軸方向に１メートルの幅であり、厚さが１００マイクロメートルである。この帯状の基板ＦＢのマスクＭ側の片面にフォトレジストが塗布されている。帯状の基板ＦＢは、具体的には、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂を使うことができる。マスクMは、線膨張係数が小さく、且つ、湿度による変化も小さい透光性基材、具体的にはガラスや石英が用いられ、透光性基材上に微細なマスクパターンが遮光材料で形成されている。

本実施例では、パターン生成装置としてマスクMを用いているが、その他にも反射型または透過型の空間光変調器などが用いられる。反射型の空間光変調器としては、選択的に光透過する面積を調節できる素子、例えば、液晶材料、エレクトロクロミック材料を有する素子、或いは、選択的に光反射が調節できる素子、例えばデジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）がある。ＤＭＤとは空間光変調器の一種であり、静電界作用などによって固定軸周りに回転するマイクロミラーと呼ばれる複数の小型ミラーがＳｉ等の半導体基板にマトリクス状に配置されたデバイスである。また、透過型の空間光変調器としては、光学効果により透過光を変調する光学素子であるＰＬＺＴ素子を用いることができる。なお、ＰＬＺＴ素子とは、鉛、ランタン、ジルコン、チタンを含む酸化物セラミックスで、それぞれの元素記号の頭文字からＰＬＺＴと呼ばれているデバイスである。ＰＬＺＴ素子は、透明なセラミックで光を透過するが、電圧をかけると光の偏向の向きを変えることができ、偏光子と組み合わせることによって光制御装置が構成される。なお、反射型の空間光変調器にも透過型の空間光変調器にも補正装置が設けられてパターンの変形を補正することができる。

露光装置ＥＸは、パターンが形成されたマスクＭを支持するマスクステージＭＳＴと、帯状の基板ＦＢを支持する基板ステージＦＢＳとを備えている。マスクＭは石英ガラスに回路パターンなどが描画された部材である。露光装置ＥＸは、マスクＭを支持するマスクステージＭＳＴのＸ軸方向及びＹ軸方向における位置を検出する複数のレーザー干渉計ＬＭと、帯状の基板ＦＢを支持する基板ステージＦＢＳのＸ軸方向及びＹ軸方向における位置を検出する複数のレーザー干渉計ＭＭとを備えている。マスクステージＭＳＴは、不図示のリニアモータなどによって走査方向である矢印ＡＲ１方向（Ｙ軸方向）に長いストロークを移動可能でありＸ軸方向に短いストロークを移動可能である。基板ステージＦＢＳも同様に走査方向であるＡＲ１方向に長いストロークを移動可能であり、非走査方向である矢印ＡＲ２の方向にも長いストローク移動可能である。また、基板ステージＦＢＳは供給ローラＦＲと巻き取りローラＷＲとともに基板ＦＢの搬送装置を構成される。本実施形態に係る露光装置ＥＸは、図１（ａ）に描かれている矢印ＡＲ１の方向に露光光ＥＸＬに対してマスクＭと帯状の基板ＦＢとを同期移動して走査露光する走査型露光装置である。なお、図１（ｂ）ではＸ軸方向の位置を検出するレーザー干渉計ＬＭｘ及びレーザー干渉計ＭＭｘを１つずつしか描いていない。

また露光装置ＥＸは、不図示の照明光学系による露光光ＥＸＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板ステージＦＢＳに支持されている帯状の基板ＦＢに投影する投影光学系ＰＬを有している。図１（ａ）にマスクＭのパターンの投影像ＰＩが台形状に示されているように、露光装置ＥＸはＹ軸方向に２列に配置されてＸ軸方向に交互に並んだ５つの投影光学系ＰＬを有している。マスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭと基板ステージＦＢＳに支持されている帯状の基板ＦＢとは、投影光学系ＰＬを介して共役な位置関係に配置される。

露光装置ＥＸは投影光学系ＰＬに隣接して帯状の基板ＦＢに設けられているアライメントマークＡＭを検出するアライメントセンサＬＳＡ（ＬＳＡ１，ＬＳＡ２，ＬＳＡ３，ＬＳＡ４）を４つ有している。以下の説明では特に個々のアライメントセンサＬＳＡを特定するときには「ＬＳＡ１」などの数字を語尾に付け、アライメントセンサＬＳＡ１からＬＳＡ４までを区別しないときには、アライメントセンサＬＳＡと呼ぶ。また、該アライメントセンサＬＳＡはその検出結果によって露光領域ＥＡの変形に関する情報を演算する演算部ＦＰに連結されている。

図１（ａ）に示されるように、アライメントセンサＬＳＡ１、アライメントセンサＬＳＡ２及びアライメントセンサＬＳＡ４は、Ｙ軸方向に並んで配置されている。また、アライメントセンサＬＳＡ２及びアライメントセンサＬＳＡ３は、Ｘ軸方向に並んで配置されている。

アライメントセンサＬＳＡは、ドット列状に形成されたアライメントマークＡＭにレーザーを照射し、当該アライメントマークＡＭで回折または散乱した光を用いてそのマーク位置を検出するＬＳＡ（Ｌａｓｅｒ Ｓｔｅｐ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式のセンサである。アライメントマークＡＭは、帯状の基板ＦＢにおいて露光光ＥＸＬの照射領域である露光領域ＥＡの周辺にすでに複数形成されている。本実施形態において、１つの露光領域ＥＡの周辺ごとに全部で３６個のアライメントマークＡＭが形成されている。

本実施形態における４つのアライメントセンサＬＳＡはオフアクシス方式であり、アライメント処理を行うに際し、マスクＭとアライメントセンサＬＳＡとの相対位置であるベースライン量が計測される。なお、図１（ｂ）ではアライメントセンサＬＳＡを２つしか描いていない。

基板ステージＦＢＳにはＹ軸用ＬＳＡマーク１４、基板用ＬＳＡマーク１６と基板側ＡＩＳマーク１７とを有する第１基準部材１８が設けられている。また、基板ステージＦＢＳにはＸ軸用ＬＳＡマーク１５を有する第２基準部材１９が設けられている。なお、本実施例では基準部材としてＹ軸用ＬＳＡマーク１４とＸ軸用ＬＳＡマーク１５とに分けられているが、一体の基準部材に形成されてもよいし、パターンの形によって基準部材の形を変化させることができる。図１（ｂ）に示されるように、マスクＭにはベースライン計測用のマスク側ＡＩＳマーク１１が設けられており、また、マスク側ＡＩＳマーク１１は、マスクＭの特定位置（例えば中心位置）に対して所定の位置関係で設けられている。マスク側ＡＩＳマーク１１と基板側ＡＩＳマーク１７とは対応しており、マスク側ＡＩＳマーク１１及び基板側ＡＩＳマーク１７はＸ軸方向に例えば６つ並んで設けられている。６つの基板側ＡＩＳマーク１７の近傍には、それぞれＹ軸方向に伸びる６つの基板用ＬＳＡマーク１６が配置されている。

＜基板ステージの構成＞
図２（ａ）は基板ステージＦＢＳの上面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。また、図３は図２（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。なお、図２（ａ）には、第１基準部材１８及び第２基準部材１９に対するアライメントセンサＬＳＡ１からＬＳＡ４の視野領域を点線で描いている。

基板ステージＦＢＳには設けられた第１基準部材１８及び第２基準部材１９は、熱膨張係数が小さく且つ光を透過する透明部材で構成されており、Ｙ軸用ＬＳＡマーク１４、Ｘ軸用ＬＳＡマーク１５、基板用ＬＳＡマーク１６、基板側ＡＩＳマーク１７はその透明部材の表面にクロムなどの金属で形成されている。なお、図２などの図面ではこれらのマークを誇張して描いてある。

第１基準部材１８は、Ｘ軸方向に伸びるＹ軸用ＬＳＡマーク１４を有している。アライメントセンサＬＳＡ２及びアライメントセンサＬＳＡ３は同時にこのＹ軸用ＬＳＡマーク１４を検出することができる。このＹ軸用ＬＳＡマーク１４により、アライメントセンサＬＳＡ２及びアライメントセンサＬＳＡ３のＹ軸方向の位置を把握することができる。

第２基準部材１９は、Ｙ軸方向に伸びるＸ軸用ＬＳＡマーク１５を有している。アライメントセンサＬＳＡ１、アライメントセンサＬＳＡ２及びアライメントセンサＬＳＡ４は同時にこのＸ軸用ＬＳＡマーク１５を検出することができる。このＸ軸用ＬＳＡマーク１５により、アライメントセンサＬＳＡ１、アライメントセンサＬＳＡ２及びアライメントセンサＬＳＡ４のＹ軸方向の位置を把握することができる。

第１基準部材１８に形成された基板側ＡＩＳマーク１７は、例えば十字状のマークであるがこれに限定されず例えばボックスマーク「□」でもよい。この基板側ＡＩＳマーク１７の下側、すなわち基板ステージＦＢＳの内部には、図２（ｂ）に示されるように、第１基準部材１８を通過した光を集光するレンズ系２３と、レンズ系２３を介した通過光を受光するＡＩＳ撮像素子２４とが埋設されている。ＡＩＳ撮像素子２４はＭＯＳ又はＣＣＤなど二次元画像素子である。

基板用ＬＳＡマーク１６と基板側ＡＩＳマーク１７とは正確に形成されており、それらはＸ軸方向に距離ＰＸ離れて形成されている。また、Ｙ軸用ＬＳＡマーク１４と基板側ＡＩＳマーク１７とは正確に形成されており、それらはＹ軸方向に距離ＰＹ離れて形成されている。なお、図２（ａ）では基板用ＬＳＡマーク１６及び基板側ＡＩＳマーク１７がＹ軸用ＬＳＡマーク１４よりマイナスＹ軸側に配置されているが、逆に基板用ＬＳＡマーク１６及び基板側ＡＩＳマーク１７がＹ軸用ＬＳＡマーク１４よりプラスＹ軸側に配置されていてもよい。

図３に示されるように、Ｙ軸用ＬＳＡマーク１４及び基板側ＡＩＳマーク１７を有する第１基準部材１８の表面は点線で示された帯状の基板ＦＢの表面高さと同等の高さ（Ｚ軸方向）に配置されている。図示されていないが、第２基準部材１９の表面高さも帯状の基板ＦＢの表面高さと同等の高さである。

さて、図２（ａ）及び図３に示されるように、基板ステージＦＢＳの表面には帯状の基板ＦＢを真空吸着する真空配管２１が配置されている。この真空配管２１は不図示の真空ポンプに接続されている。基板ステージＦＢＳは真空配管２１を介して帯状の基板ＦＢを保持する。また基板ステージＦＢＳの下側にＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の中心としたθＺ方向（回転方向）に移動させる基板ステージ移動部２８が備えられている。基板ステージ移動部２８は、Ｙ軸方向とＸ軸方向とに基板ステージＦＢＳを１ｍあまり移動させることができる。この基板ステージ移動部２８は不図示の制御装置により制御される。

基板ステージ移動部２８の上部には、３点又は４点の高さ調整部２６が載置されている。高さ調整部２６はＺ軸方向に約１０ｍｍのストロークを有している。例えば露光装置ＥＸが露光領域ＥＡを走査露光した後、帯状の基板ＦＢのみが移送され次の露光領域ＥＡが基板ステージＦＢＳの上に移動するまで、帯状の基板ＦＢと基板ステージＦＢＳとを数ｍｍの間隙を空けることが好ましい。そのため高さ調整部２６は帯状の基板ＦＢと基板ステージＦＢＳとの間隙を形成するためのストロークを有している。また、高さ調整部２６は、投影光学系ＰＬの結像面と基板ステージＦＢＳに吸着された帯状の基板ＦＢの表面とを一致させるため、基板ステージＦＢＳを光軸方向（Ｚ軸方向）に移動させる。また、３点又は４点の高さ調整部２６のうちの１点又は２点を移動させて、Ｘ軸方向を中心としたθＸ方向（回転方向）、及びＹ軸方向を中心としたθＹ方向（回転方向）に基板ステージＦＢＳを移動させることも可能となっている。

図４は、帯状の基板ＦＢを支持する基板ステージＦＢＳの別の実施例を示した概念図である。図４（ａ）は本実施形態の基板ステージＦＢＳを示す概略平面図であり、理解を助けるため帯状の基板ＦＢより下側の部分が描かれている。図４（ｂ）は露光装置ＥＸの概略側面図である。

図２及び図３では基板ステージＦＢＳは真空配管２１を備えていたが、必ずしも真空配管２１を備える必要はない。例えば図４に示されるように、露光領域ＥＡをＸ軸方向に挟むように一対の圧着固定部３０を設けても良い。圧着固定部３０は２対のピストン部３３と１対の圧着板３５とからなる。２対のピストン部３３は基板ステージＦＢＳの四隅付近に配置され、その１対のピストン部３３に１枚のＹ軸方向に伸びる圧着板３５が配置されている。但し、図４（ｂ）に描かれるように、露光領域ＥＡが平坦になるように図中左側の１枚の圧着板３５は、第２基準部材１９よりも露光領域ＥＡ側に配置されることが好ましい。

図４（ｂ）に描かれた状態から２対のピストン部３３がＺ軸方向に下がると、一対の圧着板３５は帯状の基板ＦＢを基板ステージＦＢＳの表面に圧着させる。後述するように基板ステージＦＢＳがＹ軸方向に移動するために、余分な張力が帯状の基板ＦＢに加わるおそれもある。これらの場合であっても、帯状の基板ＦＢがＺ軸方向に圧着板３５で基板ステージＦＢＳに押し付けられているため、帯状の基板ＦＢの位置がずれるおそれがない。

なお、基板ステージＦＢＳに設けられた真空配管２１に加えて、圧着固定部３０を設けても良い。このような構成にすれば、帯状の基板ＦＢと基板ステージＦＢＳとの位置ずれがより少なくなる。

図５は、アライメントセンサＬＳＡを示した図である。アライメントセンサＬＳＡは、レーザー光源４１を備えている。レーザー光源４１として、たとえばＨｅ−Ｎｅレーザー光源を用いることができる。レーザー光源４１から射出されたビーム（直線偏光）は、以降の光学系からの戻り光を防止するための光アイソレータ４２などを介した後、シリンドリカルレンズ４３を介して、線状ビームを形成するように整形作用および集光作用を受ける。シリンドリカルレンズ４３を介したビームは、ビームスプリッタ４４に入射し、Ｘ軸方向計測用のＬＳＡビームとＹ軸方向計測用のＬＳＡビームとに分割される。すなわち、ビームスプリッタ４４を透過したＸ軸方向計測用のＬＳＡビームは、帯状の基板ＦＢ面と共役な位置に配置された視野絞り４５ａによって所定のビーム形状に制限された後、ミラー４６ａに入射する。また、ビームスプリッタ４４で反射されたＹ軸方向計測用のＬＳＡビームは、帯状の基板ＦＢ面と共役な位置に配置された視野絞り４５ｂによって所定のビーム形状に制限された後、ミラー４６ｂに入射する。

Ｘ軸方向計測用のＬＳＡビームは偏光ビームスプリッタ４７ａに入射する。偏光ビームスプリッタ４７ａを透過した各ビームは、反射鏡４９ａに反射してフーリエ変換レンズ５０ａを介して、視野合成ミラー５１に入射する。一方、ミラー４６ｂを介して視野合成されたＹ軸方向計測用のＬＳＡビームは偏光ビームスプリッタ４７ｂに入射する。偏光ビームスプリッタ４７ｂを透過した各ビームは、反射鏡４９ｂに反射してフーリエ変換レンズ５０ｂを介して、視野合成ミラー５１に達する。

視野合成ミラー５１を介して、Ｘ軸方向計測用のＬＳＡビームとＹ軸方向計測用のＬＳＡビームとが視野合成される。視野合成ミラー５１を介して視野合成された各ビームは、１／４波長板５２を介して円偏光となった後、対物レンズ５３を介して、帯状の基板ＦＢ上に到達する。帯状の基板ＦＢ上にはＬＳＡビームＡＢが形成される。帯状の基板ＦＢ上に形成されたＬＳＡ用のアライメントマークＡＭを点線で示している。対物レンズ５３によって集光されたＸ軸方向計測用のＬＳＡビームＡＢは、帯状の基板ＦＢ上においてＹ方向に沿って延びたＸ軸方向計測用の線状ビームＡＢ−Ｘを形成する。また、対物レンズ５３によって集光されたＹ軸方向計測用のＬＳＡビームＡＢは、帯状の基板ＦＢ上においてＸ方向に沿って延びたＹ軸方向計測用の線状ビームＡＢ−Ｙを形成する。

図６はＬＳＡ用のアライメントマークＡＭを示した図である。図６（ａ）に示されるように、帯状の基板ＦＢの露光領域ＥＡの周囲には、線状ビームＡＢ−Ｘに対応するＸ軸方向計測用のアライメントマークＡＭおよび線状ビームＡＢ−Ｙに対応するＹ軸方向計測用のアライメントマークＡＭがそれぞれ格子状パターンとして形成されている。図６（ｂ）は、アライメントマークＡＭの横断面を示している。アライメントマークＡＭは、例えば、一辺４μｍの正方形形状の凸状部Ｔａからなる。この凸状部Ｔａが８μｍピッチで複数並んで設けられている。アライメントマークＡＭが線状ビームＡＢを横切ると、回折または散乱した光が発生する。図６（ｃ）は、（ａ）の点線Ｃで囲んだ部分の広大平面図である。図６（ｃ）に示されるように、アライメントマークＡＭが線状ビームＡＢを通り過ぎる際に発生する回折光または散乱光が最大となるので、当該位置におけるレーザー干渉計ＭＭ（図１参照）の測定値からアライメントマークＡＭの座標を検出することができる。

再び図５に戻り、各アライメントマークＡＭからの回折光または散乱光は、対物レンズ５３および１／４波長板５２を介して、視野合成ミラー５１に達する。Ｘ軸方向計測用のアライメントマークＡＭからの回折光は、視野合成ミラー５１の反射面で反射され、フーリエ変換レンズ５０ａを介して偏光ビームスプリッタ４７ａに入射する。偏光ビームスプリッタ４７ａで反射された回折光または散乱光は光検出器４８ａに達する。そして、光検出器４８ａにおいて、アライメントマークＡＭからの回折光または散乱光が選択的に受光される。一方、Ｙ軸方向計測用のアライメントマークＡＭからの回折光は、視野合成ミラー５１を通過し、フーリエ変換レンズ５０ｂを介して偏光ビームスプリッタ４７ｂに入射する。偏光ビームスプリッタ４７ｂで反射された回折光または散乱光は光検出器４８ｂに達する。そして、光検出器４８ｂにおいて、アライメントマークＡＭからの回折光または散乱光が選択的に受光される。その後、演算部ＦＰが該検出結果によって露光領域ＥＡの変形に関する情報を演算することができる。

なお、図１に示されたように、基板ステージＦＢＳのＸ軸方向及びＹ軸方向の移動量は、レーザー干渉計ＭＭによって常時計測されている。したがって、光検出器４８における受光光量の変化とレーザー干渉計ＭＭの出力とに基づいて、アライメントマークＡＭのＸ軸方向及びＹ軸方向の位置を検出することができる。

図７は、投影光学系ＰＬの概略斜視図である。図７に示されるように投影光学系ＰＬは、直角プリズム６３、６９と、レンズ６６、７０と、凹面鏡６７、７１とを介してマスクＭのパターンを基板ＦＢに投影する。直角プリズム６３は一対のピエゾ素子６２ａ、６２ｂを介してプリズム台６１に固定される。ここで、ピエゾ素子６２ａ、６２ｂは数ｎｍのストロークを有する。また、直角プリズム６３とレンズ６６との間には倍率調整に用いられるズーム光学系６４が設けられ、ズーム光学系６４の上方にはアクチュエータ６５が設けられている。アクチュエータ６５は、ズーム光学系６４のレンズの間隔を制御することで投影倍率の制御が可能である。さらに、直角プリズム６３と直角プリズム６９の間には視野絞り６８が設けられ、視野絞り６８は投影像ＰＩの形状が台形形状になるようにする。

直角プリズム６３の上方にはシフター部として二つの平行平板ガラスＳＦ−Ｘ、ＳＦ−Ｙが設けられている。平行平板ガラスＳＦ−Ｘ、ＳＦ−Ｙは投影像ＰＩをＸ軸又はＹ軸方向に移動させる。シフター部はＸ方向シフト用の平行平板ガラスＳＦ−Ｘ及びＹ方向シフト用の平行平板ガラスＳＦ−Ｙをモータなどの駆動装置によってＸ軸又はＹ軸を中心として回転させることで、帯状の基板ＦＢに転写される投影像ＰＩをＸ方向又はＹ方向にシフトさせる。これによりＸ軸またはＹ軸のずれを補正することができる。例えば、図７に示されたように平行平板ガラスＳＦ−Ｘ、ＳＦ−Ｙにより入射光を調整する場合に、投影像ＰＩは矢印ＡＲ３のようにＸ軸方向に沿って移動してＰＩ―Ｘの位置に到達し、または矢印ＡＲ４のようにＹ軸方向に沿って移動してＰＩ―Ｙの位置に到達する。

また、プリズム台６１にピエゾ素子６２ａ、６２ｂを介して固定されている直角プリズム６３が、光軸の回りに回転することでローテーション補正が行われる。詳しくに、ピエゾ素子６２ａ、６２ｂのどちらか一方を駆動することで、あるいは両方のピエゾ素子６２ａ、６２ｂを逆方向に駆動することで、直角プリズム６３が矢印Ｄまたはその反対方向に回転する。したがって、マスクＭのパターンの投影像ＰＩは矢印ＡＲ５の回転方向またはその反対方向に回転することができる。例えば、直角プリズム６３が矢印Ｄに回転する場合に、マスクＭのパターンの投影像ＰＩはＰＩ―Ｒの位置まで回転する。これにより、ローテーション補正が行われる。なお、図７の中では一対のピエゾ素子６２ａ、６２ｂを２箇所に配置しているが、３個または４個のピエゾ素子を用いて直角プリズム３１を支持するようにしても良い。

＜アライメント及び露光方法：第１例＞
図８は第１例の露光装置ＥＸを用いて露光する第１例の露光方法のフローチャートである。図９及び図１０は露光装置ＥＸの露光動作を示した概念平面図である。

ステップＳ１１１からステップＳ１１４までは、アライメントセンサＬＳＡ１からアライメントセンサＬＳＡ４のベースライン計測の工程である。ベースライン計測の際には、帯状の基板ＦＢが基板ステージＦＢＳに送り込まれる前に行われる。

ステップＳ１１１において、Ｘ軸ＬＳＡマーク１５によりアライメントセンサＬＳＡ１、アライメントセンサＬＳＡ２及びアライメントセンサＬＳＡ４のＸ軸方向の基準位置が計測される。まず、アライメントセンサＬＳＡ１、アライメントセンサＬＳＡ２及びアライメントセンサＬＳＡ４で同時に基板ステージＦＢＳ上のＸ軸ＬＳＡマーク１５を検出する。基板ステージＦＢＳがＸ軸方向に移動することによって、アライメントセンサＬＳＡ１、アライメントセンサＬＳＡ２及びアライメントセンサＬＳＡ４がＸ軸ＬＳＡマーク１５を検出する。図６で説明したように、基板ステージＦＢＳの位置はレーザー干渉計ＭＭで計測されている。このため、Ｘ軸ＬＳＡマーク１５の位置を基準として、アライメントセンサＬＳＡ１、アライメントセンサＬＳＡ２及びアライメントセンサＬＳＡ４のＸ軸方向の相対的な位置が把握できる。

また、アライメントセンサＬＳＡ４は基板ステージＦＢＳの第１基準部材１８の上の基板用ＬＳＡマーク１６を検出する。ここで、図２に示されたように、基板用ＬＳＡマーク１６と基板側ＡＩＳマーク１７との位置は固定されているので、アライメントセンサＬＳＡ４はＸ軸ＬＳＡマーク１５と基板側ＡＩＳマーク１７との相対位置関係を計測できる。したがって、Ｘ軸ＬＳＡマーク１５の位置を基準としてアライメントセンサＬＳＡ１、アライメントセンサＬＳＡ２及びアライメントセンサＬＳＡ４のＸ軸方向の相対的な位置を把握しているので、アライメントセンサＬＳＡ１及びアライメントセンサＬＳＡ２も、基板側ＡＩＳマーク１７との相対位置関係を計測できる。

ステップＳ１１２において、Ｙ軸ＬＳＡマーク１４によりアライメントセンサＬＳＡ２及びアライメントセンサＬＳＡ３のＹ軸方向の位置が検出される。Ｙ軸ＬＳＡマーク１４の位置を基準として、アライメントセンサＬＳＡ２及びアライメントセンサＬＳＡ３のＹ軸方向の相対的な位置が把握できる。ここで、Ｙ軸ＬＳＡマーク１４と基板側ＡＩＳマーク１７との位置は固定されているので、アライメントセンサＬＳＡ２及びアライメントセンサＬＳＡ３と基板側ＡＩＳマーク１７との相対位置関係が計測できる。したがって、基板側ＡＩＳマーク１７とアライメントセンサＬＳＡ２及びアライメントセンサＬＳＡ３との相対位置関係も計測できる。

ステップＳ１１３においては、図１（ｂ）に示されたマスク側ＡＩＳマーク１１と図２（ｂ）で示されたように、投影光学系ＰＬによるマスク側ＡＩＳマーク１１と基板側ＡＩＳマーク１７との相対的な位置関係が計測される。ＡＩＳ撮像素子２４でマスク側ＡＩＳマーク１１と基板側ＡＩＳマーク１７各々の像を検出する。これにより基板側ＡＩＳマーク１７の位置を基準にマスク側ＡＩＳマーク１１の像位置を計測することができる。

ステップＳ１１４において、上述のステップＳ１１１、Ｓ１１２及びＳ１１３の結果に基づいて、アライメントセンサＬＳＡ１からＬＳＡ４の計測基準位置とマスクＭ投影像ＰＩとのＸ軸方向及びＹ軸方向の相対位置関係が計測される。即ち、アライメントセンサＬＳＡ１からＬＳＡ４までのベースラインが計測できる。

ステップＳ１１５において、帯状の基板ＦＢと基板ステージＦＢＳとがＺ軸方向に離れた状態で、供給ローラＦＲ及び巻き取りローラＷＲによって帯状の基板ＦＢが−Ｘ方向に移送されてくる（図９（ａ）を参照）。帯状の基板ＦＢは露光領域ＥＡが基板ステージＦＢＳに位置合わせるようにラフアライメント装置（不図示）で帯状の基板ＦＢに対してラフアライメントが行われる。次に、基板ステージＦＢＳが高さ調整部２６（図３参照）によって上昇し、帯状の基板ＦＢと基板ステージＦＢＳとが接して、真空配管２１により基板ＦＢが基板ステージＦＢＳに真空吸着される。

ステップＳ１１６において、図９（ａ）から図９（ｂ）に示されるように基板ステージＦＢＳが移動する。すなわち、帯状の基板ＦＢがＸ軸方向に沿って移動されながらアライメントセンサＬＳＡ１及びアライメントセンサＬＳＡ２は帯状の基板ＦＢの露光領域ＥＡの周囲でＸ軸方向に沿って設けられたアライメントマークＡＭを検出する。同時に、レーザー干渉計ＭＭｘ（図１参照）によりアライメントマークＡＭのＸ座標が求められる。

ステップＳ１１７において、図９（ｂ）から図９（ｃ）に示されるように基板ステージＦＢＳが移動する。すなわち、帯状の基板ＦＢをＹ軸方向に沿って移動しながらアライメントセンサＬＳＡ２及びアライメントセンサＬＳＡ３により帯状の基板ＦＢの露光領域ＥＡの周囲でＹ軸方向に沿って設けられたアライメントマークＡＭが検出される。同時に、レーザー干渉計ＭＭｙによりアライメントマークＡＭのＹ座標が求められる。なお、基板ステージＦＢＳが移動する際には、供給ローラＦＲと巻き取りローラＷＲとから帯状の基板ＦＢがそれぞれーＸ方向と＋Ｘ方向に送り出される。このようにして、帯状の基板ＦＢに点線Ｆに示された領域に余分な引張力が加わらないようにしている。

ステップＳ１１８において、図９（ｃ）の位置まで基板ステージＦＢＳが移動するとちょうど基板ステージＦＢＳは露光スタートの位置になる。またこのとき、ステップＳ１１４において求めたベースライン計測結果をアライメントマークＡＭの計測座標に対して補正する。その一方で、ステップＳ１１４、ステップＳ１１６及びステップＳ１１７の結果に基づいて、帯状の基板ＦＢの伸縮状態、Ｘ軸もしくはＹ軸方向の位置ずれ又は帯状の基板ＦＢの回転（Ｚ軸を中心とした回転）状態が求められる。

ステップＳ１１９において、上述のステップＳ１１８で求められた帯状の基板ＦＢの伸縮状態、Ｘ軸もしくはＹ軸方向の位置ずれ又は帯状の基板ＦＢの回転などに基づいて、投影光学系ＰＬによりマスクＭのパターンの投影像ＰＩの位置が調整される。上述のように、ステップＳ１１６及びＳ１１７にて求めたアライメントマークＡＭのＸ座標及びＹ座標を標準座標（露光領域ＥＡが変形のない理想的な形状であるときのアライメントマークＡＭの座標）と比べてみる。この結果により帯状の基板ＦＢの露光領域ＥＡがその標準位置からの伸縮量が求められる。そして、平行平板ガラスＳＦ−Ｘ、ＳＦ−Ｙ及びピエゾ素子６２ａ、６２ｂを動作させることで、マスクＭの投影像ＰＩが調整される。例えば、Ｘ軸方向においてずれていると平行平板ガラスＳＦ−Ｘを回転させて補正され、Ｙ軸方向においてずれていると平行平板ガラスＳＦ−Ｙを回転させて補正され、ローテーション補正が必要すればピエゾ素子６２ａ、６２ｂを伸縮することで補正される。詳しくに、図１１を参照しながら説明する。

図１１は、投影光学系ＰＬにより投影像ＰＩを調整して露光領域ＥＡのずれを補正する説明図である。（ａ）は露光領域ＥＡが点線で示されたような変形がない理想的な形状から実線で示されたような変形形状に変形された平面図で、（ｂ）は平行平板ガラスＳＦ−Ｘにより露光領域ＥＡのＸ軸方向のずれを補正した平面図で、（ｃ）は平行平板ガラスＳＦ−Ｙにより露光領域ＥＡのＹ軸方向のずれを補正し、ピエゾ素子６２ａ、６２ｂにより露光領域ＥＡのローテーションを補正した平面図である。

図１１（ａ）において、露光領域ＥＡは点線で示されたような変形がない理想的な形状から変形されている状態である。その変形形状は、ステップＳ１１４、ステップＳ１１６及びステップＳ１１７にて求めたアライメントマークＡＭのＸ座標及びＹ座標とに基づいて研鑽できる。図１１（ａ）では、露光領域ＥＡは＋Ｘ方向に伸ばしている。また、＋Ｘ方向の短辺がＹ方向に伸張されている。逆に−Ｘ方向の短辺は短縮されている状態である。このため、変形がない理想的な露光領域ＥＡの形状に応じて、配置されている投影光学系ＰＬの投影像ＰＩの全体の長さは露光領域ＥＡの長辺より短くになっている。

このため、まず図１１（ｂ）に示されたように投影像ＰＩの全体の長さが露光領域ＥＡの長辺より長くなるように各投影光学系ＰＬのズーム光学系６４及びアクチュエータ６５により投影像ＰＩを大きくする。さらに、平行平板ガラスＳＦ−Ｘを回転することで各投影像ＰＩをＸ＋方向に沿って移動させる。

そして、図１１（ｃ）に示されたように、投影像ＰＩ１及びＰＩ４はピエゾ素子６２ａ、６２ｂを伸縮することで回転され、投影光学系ＰＬの平行平板ガラスＳＦ−Ｙを回転することでＹ＋方向に沿って移動する。また、投影像ＰＩ２はピエゾ素子６２ａ、６２ｂを伸縮することで回転する。さらに、投影像ＰＩ３及びＰＩ５はピエゾ素子６２ａ、６２ｂを伸縮することで回転され、投影光学系ＰＬの平行平板ガラスＳＦ−Ｙを回転することでＹ−方向に沿って移動する。これにより、投影像ＰＩの位置は変形されている露光領域ＥＡの形状に応じて調整される。

再び図８に戻り、ステップＳ１２０において、基板ステージＦＢＳが図９（ｃ）から図１０（ｄ）へ移動しながらスキャン露光が行われる。つまり、基板ステージＦＢＳは−Ｙ方向に沿って移動しながら、露光領域ＥＡに対してスキャン露光が行われる。

ステップＳ１２１において、露光が終了した後、基板ＦＢと基板ステージＦＢＳとの真空吸着が終了し、基板ステージＦＢＳが高さ調整部２６によって下降される。したがって、基板ＦＢと基板ステージＦＢＳとが離れる。そして、基板ステージＦＢＳは図１０（ｅ）に示された未露光領域の露光領域ＥＡへ進む。図１０（ｅ）で示される基板ステージＦＢＳの状態は、ステップＳ１１１で説明した基板ステージＦＢＳの位置、すなわち図９（ａ）と同じ状態に戻る。

＜露光装置の全体構成：第２例＞
図１２は、第２例の露光装置ＥＸを示す平面図である。
図１２に示されたように、第２例の露光装置ＥＸは、供給ローラＦＲと巻き取りローラＷＲとの下方にレールＲがそれぞれ設けられ、供給ローラＦＲと巻き取りローラＷＲとが基板ステージＦＢＳと同期してＹ軸方向で自由に移動することができる。

図９（ｃ）に示されたように第１例の露光装置ＥＸで基板ＦＢを露光するとき、基板ステージＦＢＳがＹ軸方向に移動する際には帯状の基板ＦＢに引張力が加わり易く、また帯状の基板ＦＢがねじれて、点線Ｆに示される領域にしわが生じてしまう。この場合に対応して、第２例の露光装置ＥＸでは供給ローラＦＲと巻き取りローラＷＲとが基板ステージＦＢＳと同期にＹ軸方向で自由に移動する。第２例では、帯状の基板ＦＢに生じる上述のしわを防止することができる。

なお、第２例の露光装置ＥＸにおいてレールＲの以外の構成は第１例の露光装置ＥＸと同じので、ここでは説明を省略する。

＜アライメント及び露光方法：第２例＞
図１３及び図１４は、第２例の露光装置ＥＸにより帯状の基板ＦＢを露光する露光動作を示した平面図である。ここで、第１例のアライメント及び露光方法との差異点は、帯状の基板ＦＢを載置している基板ステージＦＢＳがＹ軸方向に沿って移動する際、供給ローラＦＲと巻き取りローラＷＲとも同時に移動する点である。

まず、第１例のアライメント及び露光方法のステップＳ１１１からステップＳ１１４までに示されたようにベースライン量を測定する。
そして図１３（ａ）では、帯状の基板ＦＢと基板ステージＦＢＳとがＺ軸方向に離れた状態で、供給ローラＦＲ及び巻き取りローラＷＲによって帯状の基板ＦＢが−Ｘ方向に移送されてくる。帯状の基板ＦＢは露光領域ＥＡが基板ステージＦＢＳに位置合わせるようにラフアライメント装置（不図示）で帯状の基板ＦＢに対してラフアライメントが行われる。そして、基板ステージＦＢＳが高さ調整部２６によって上昇し、帯状の基板ＦＢと基板ステージＦＢＳとが接する。その後、真空配管２１（図３参照）により基板ＦＢは基板ステージＦＢＳに真空吸着される。

次に、図１３（ａ）から図１３（ｂ）に示されるように基板ステージＦＢＳが−Ｘ軸方向に移動する。すなわち、帯状の基板ＦＢがＸ軸方向に沿って移動されながらアライメントセンサＬＳＡ１及びアライメントセンサＬＳＡ２は帯状の基板ＦＢの露光領域ＥＡの周囲でＸ軸方向に沿って設けられたアライメントマークＡＭを検出する。同時に、レーザー干渉計ＭＭｘ（図１参照）によりアライメントマークＡＭのＸ座標が求められる。

次に、図１３（ｂ）から図１３（ｃ）を介して図１４（ｄ）に示されるように基板ステージＦＢＳが移動する。すなわち、帯状の基板ＦＢをＹ軸方向に沿って移動しながらアライメントセンサＬＳＡ２及びアライメントセンサＬＳＡ３により帯状の基板ＦＢの露光領域ＥＡの周囲でＹ軸方向に沿って設けられたアライメントマークＡＭが検出される。
この基板ステージＦＢＳの移動の際には、供給ローラＦＲと巻き取りローラＷＲとが基板ステージＦＢＳと同期してＹ軸方向に移動する。このため、帯状の基板ＦＢには、余分な張力がかかったりまたねじれが生じたりすることがない。

次に図１４（ｄ）から図１４（ｅ）に示されるように、基板ステージＦＢＳはが移動しながらスキャン露光が行われる。つまり、基板ステージＦＢＳは−Ｙ方向に沿って移動しながら、露光領域ＥＡに対してスキャン露光が行われる。また、供給ローラＦＲと巻き取りローラＷＲとが基板ステージＦＢＳと同期してＹ軸方向に移動する。

最後に図１４（ｆ）に示されるように、露光が終了した後、帯状の基板ＦＢと基板ステージＦＢＳとの真空吸着が終了し、基板ステージＦＢＳが高さ調整部２６によって下降して基板ＦＢと離れて最初位置に戻る。

＜デバイス製造方法＞
図１５は、電気デバイス製造方法を示すフローチャートである。
図１５に示されたように、電気デバイスは、デバイスの機能・性能・パターン設計を行うステップＳ２１１と、ステップＳ２１１に基づいてマスクＭを制作するステップＳ２１２と、感光剤が塗布された帯状の基板ＦＢを制作するステップＳ２１３とを有している。
また第１例又は第２例で説明された露光方法によってマスクＭのパターンを帯状の基板ＦＢに露光する（ステップＳ２１４）。その後、帯状の基板ＦＢの感光剤が現像され（ステップＳ２１５）、帯状の基板ＦＢにマスクＭのパターンに対応する凹凸形状を有した転写パーン層が形成される（ステップＳ２１６）。転写パターン層を介して基板を加工されて（ステップＳ２１７）、デバイスが組み合わせる（ステップＳ２１８）。このようにして電気デバイスが製造される。

以上、本発明の最適な実施例について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施例に様々な変更・変形を加えて実施することができる。

本発明の転写装置として、複数のマークからの回折光を検出する検出装置を備えた露光装置を用いて説明してきた。しかし本発明の転写装置は露光装置に限られず、凹凸を有する金型で材料を押圧するスタンパ、液状材料を吐出して液状材料を徐々に堆積させながら硬化するインクジェットなどにも適用される。

１１ マスク側ＡＩＳマーク
１４ Ｙ軸ＬＳＡマーク、 １５ Ｘ軸ＬＳＡマーク
１６ 基板用ＬＳＡマーク、 １７ 基板側ＡＩＳマーク
１８ 第１基準部材、 １９ 第２基準部材
２１ 真空吸着孔
２３ レンズ系
２４ ＡＩＳ撮像素子
２６ 高さ調整部
２８ 基板ステージ移動部
３０ 圧着固定部
３３ ピストン部
３５ 圧着板
４１ レーザー光源、 ４２ 光アイソレータ
４３ シリンドリカルレンズ、 ４４ ビームスプリッタ
４５ａ、４５ｂ 視野絞り、 ４６ａ、４６ｂ ミラー
４７ａ、４７ｂ 偏光ビームスプリッタ、 ４８ａ、４８ｂ 光検出器
４９ａ、４９ｂ 反射鏡
５０ａ、５０ｂ フーリエ変換レンズ
５１ 視野合成ミラー、 ５２ １／４波長板、 ５３ 対物レンズ
６１ プリズム台、 ６２ａ、６２ｂ ピエゾ素子
６３ 直角プリズム、 ６４ ズーム光学系、 ６５ アクチュエータ
６６ レンズ、 ６７ 凹面鏡、 ６８ 視野絞り、 ６９ 直角プリズム
７０ レンズ、 ７１ 凹面鏡
ＡＢ、ＡＢ−Ｘ、ＡＢ−Ｙ 線状ビーム
ＡＭ アライメントマーク
ＥＡ 露光領域
ＥＸ 露光装置
ＥＸＬ 露光光
ＦＢ 基板
ＦＢＳ 基板ステージ
ＦＰ 演算部
ＦＲ 供給ローラ
ＬＭ，ＬＭｘ レーザー干渉計
ＬＳＡ、ＬＳＡ１、ＬＳＡ２、ＬＳＡ３、ＬＳＡ４ アライメントセンサ
Ｍ マスク
ＭＳＴ マスクステージ
ＭＭ，ＭＭｘ レーザー干渉計
ＰＩ 投影像
ＰＬ 投影光学系
Ｒ レール
ＳＦ−Ｘ、ＳＦ−Ｙ 平行平板ガラス
Ｔａ 凸状部
ＷＲ 巻き取りローラ

Claims (22)

1. 帯状の基板の長手方向に沿って該基板に設けられた複数の区画領域にパターンを転写する転写装置において、
   前記基板を保持して前記長手方向に移送する移送装置と、前記移送装置に保持された前記基板の一部を保持し、前記基板の表面に沿って移動するステージ装置と、を含む搬送機構と、
   前記搬送機構によって移動される前記基板に計測光を照射し、前記搬送機構による前記基板の移動方向に沿って前記基板に設けられた複数のマークからの回折光を検出する検出装置と、
   前記検出装置の検出結果に基づいて前記区画領域の変形に関する情報を算出する演算装置と、
   前記演算装置の算出情報に基づいて前記パターンを補正する補正装置と、
   を備えることを特徴とする転写装置。
2. 前記区画領域は前記長手方向の両側に前記複数のマークが形成されるとともに、短手方向の両側に前記複数のマークが形成され、
   前記検出装置は前記短手方向に少なくとも３つ配置され、前記長手方向に２つ配置され、そのうちの１つの検出装置が前記短手方向と前記長手方向とを兼用していることを特徴とする請求項１に記載の転写装置。
3. 前記ステージ装置は、前記基板の一部を保持して該基板の短手方向に移動し、
   前記検出装置は、前記ステージ装置によって前記短手方向に移動される前記基板に前記計測光を照射し、前記短手方向に沿って前記基板に設けられた複数の前記マークからの回折光を検出することを特徴とする請求項１または２のいずれか一項に記載の転写装置。
4. 前記ステージ装置は、前記基板の一部を保持して前記長手方向に移動し、
   前記検出装置は、前記ステージ装置によって前記長手方向に移動される前記基板に前記計測光を照射し、前記長手方向に沿って前記基板に設けられた複数の前記マークからの回折光を検出することを特徴とする請求項１または２のいずれか一項に記載の転写装置。
5. 前記移送装置は、前記ステージ装置による前記基板の前記短手方向への移動に同期して前記基板を前記短手方向へ移動させることを特徴とする請求項３に記載の転写装置。
6. 前記検出装置は、前記基板のうち前記区画領域の近傍に設けられた複数の前記マークからの回折光を検出することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の転写装置。
7. 前記ステージ装置と前記検出装置との相対位置に関する情報を検出するため、前記ステージ装置は前記長手方向に沿って第１基準パターンが設けられた第１基準部材と、前記基板の短手方向に沿って第２基準パターンが設けられた第２基準部材とを有することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の転写装置。
8. 前記ステージ装置と前記パターンとの相対位置に関する情報を検出するため、前記ステージ装置は位置検出部を有することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の転写装置。
9. 前記ステージ装置上の前記区画領域に前記パターンを投影する複数の投影光学系を備え、
   前記補正装置は、前記投影光学系に設けられ、前記演算装置の算出情報に基づいて前記投影光学系の光学特性を補正することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の転写装置。
10. 前記パターンに対応するパターン情報に基づいて原画パターンを生成するパターン生成装置と、
    前記ステージ装置上の前記区画領域に前記原画パターンの像を前記パターンとして投影する投影光学系と、を備え、
    前記補正装置は、前記パターン生成装置に設けられ、前記演算装置の算出情報に基づいて前記パターン情報を補正することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の転写装置。
11. 前記投影光学系は、前記パターン部材に形成される前記パターンを台形形状の照射領域を介して前記区画領域に投影し、
    前記複数の投影光学系の台形形状の隣り合う前記照射領域が重複する領域に前記位置検出部が配置されることを特徴とする請求項９または１０のいずれか一項に記載の転写装置。
12. 前記検出装置は、前記位置検出部を検出し、
    前記位置検出部は、前記投影光学系を介して前記パターン部材の位置を検出することを特徴とする請求項１１に記載の転写装置。
13. 帯状の基板の区画領域にパターン部材に形成されるパターンを順次転写する転写方法において、
    前記基板を移送装置で移送する工程と、
    移送された前記基板をステージ装置で保持する工程と、
    検出装置が前記区画領域の周辺に形成された複数のマークにコヒーレント光を照射して前記マークからの回折光を検出する工程と、
    前記検出装置が検出した回折光に基づいて前記区画領域の変形を計測する工程と、
    前記計測工程の結果に基づいて前記パターン部材によるパターンを前記ステージ装置に保持された前記基板の前記区画領域に転写する工程と、
    を備えることを特徴とする転写方法。
14. 前記移送装置が長手方向に沿って前記基板を移送するとともに、前記ステージ装置が前記長手方向に沿って同期に移動可能であり、
    前記基板が前記長手方向に移動している際に、前記検出装置が前記マークからの回折光を検出することを特徴とする請求項１３に記載の転写方法。
15. 前記移送装置及び前記ステージ装置が前記基板を前記長手方向と交差する短手方向に同期して移動し、
    前記移送装置及び前記ステージ装置が前記短手方向に移動している際に、前記検出装置が前記マークからの回折光を検出することを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載の転写方法。
16. 前記ステージ装置が前記基板を該基板の短手方向に移動し、
    前記ステージ装置の前記短手方向の移動に伴って前記移送装置が前記基板を移送し、
    前記ステージ装置が前記短手方向に移動している際に、前記検出装置が前記マークからの回折光を検出することを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載の転写方法。
17. 前記長手方向に沿って第１基準パターンが設けられた第１基準部材と前記短手方向に沿って第２基準パターンが設けられた第２基準部材とを使って、前記ステージ装置と前記検出装置との相対位置に関する情報を検出することを特徴とする請求項１５又は請求項１６に記載の転写方法。
18. 位置検出部を使って、前記ステージ装置と前記パターン部材との相対位置に関する情報を検出することを特徴とする請求項１３から請求項１７のいずれか一項に記載の転写方法。
19. 前記検出装置が前記位置検出部を検出し、前記パターン部材と前記検出装置との位置関係を測定することを特徴とする請求項１８に記載の転写方法。
20. 演算装置の演算結果に基づいて投影光学系の光学特性を補正することを特徴とする請求項１８又は請求項１９に記載の転写方法。
21. 前記転写する工程は、前記パターン部材に形成されるパターンを台形形状の照射領域に分割して前記区画領域に投影し、
    前記台形形状の隣り合う照射領域が重複する領域に前記位置検出部が配置されることを特徴とする請求項２０に記載の転写方法。
22. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載の転写装置を用いて、帯状の基板にパターンを転写する工程と、
    前記パターンが転写された前記基板を該パターンに基づいて加工する工程と、
    を含むデバイス製造方法。