JP2010217207A5 - - Google Patents

Description

露光装置ＥＸは、移送装置として帯状の基板ＦＢを供給する供給ローラＦＲと帯状の基板ＦＢを巻き取る巻き取りローラＷＲとを有する。供給ローラＦＲ及び巻き取りローラＷＲは矢印方向に回転することができ、帯状の基板ＦＢをＸ軸方向に移送することができる。ここで帯状の基板ＦＢはロール状に巻き取ることができる薄い樹脂フィルムである。帯状の基板ＦＢはその面積に対して厚さが十分に薄い基板であり可撓性を有する。帯状の基板ＦＢは例えばＸ軸方向に１００メートルの長さであり、Ｙ軸方向に１メートルの幅であり、厚さが１００マイクロメートルである。この帯状の基板ＦＢのマスクＭ側の片面にフォトレジストが塗布されている。帯状の基板ＦＢは、具体的には、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂を使うことができる。マスクＭは、線膨張係数が小さく、且つ、湿度による変化も小さい透光性基材、具体的にはガラスや石英が用いられ、透光性基材上に微細なマスクパターンが遮光材料で形成されている。

本実施例では、パターン生成装置としてマスクＭを用いているが、その他にも反射型または透過型の空間光変調器などが用いられる。反射型の空間光変調器としては、選択的に光透過する面積を調節できる素子、例えば、液晶材料、エレクトロクロミック材料を有する素子、或いは、選択的に光反射が調節できる素子、例えばデジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）がある。ＤＭＤとは空間光変調器の一種であり、静電界作用などによって固定軸周りに回転するマイクロミラーと呼ばれる複数の小型ミラーがＳｉ等の半導体基板にマトリクス状に配置されたデバイスである。また、透過型の空間光変調器としては、光学効果により透過光を変調する光学素子であるＰＬＺＴ素子を用いることができる。なお、ＰＬＺＴ素子とは、鉛、ランタン、ジルコン、チタンを含む酸化物セラミックスで、それぞれの元素記号の頭文字からＰＬＺＴと呼ばれているデバイスである。ＰＬＺＴ素子は、透明なセラミックで光を透過するが、電圧をかけると偏向の向きを変えることができ、偏光子と組み合わせることによって光制御装置が構成される。なお、反射型の空間光変調器にも透過型の空間光変調器にも補正装置が設けられてパターンの変形を補正することができる。

露光装置ＥＸは、パターンが形成されたマスクＭを支持するマスクステージＭＳＴと、帯状の基板ＦＢを支持する基板ステージＦＢＳとを備えている。マスクＭは石英ガラスに回路パターンなどが描画された部材である。露光装置ＥＸは、マスクＭを支持するマスクステージＭＳＴのＸ軸方向及びＹ軸方向における位置を検出する複数のレーザー干渉計ＬＭと、帯状の基板ＦＢを支持する基板ステージＦＢＳのＸ軸方向及びＹ軸方向における位置を検出する複数のレーザー干渉計ＭＭとを備えている。マスクステージＭＳＴは、不図示のリニアモータなどによって走査方向である矢印ＡＲ１方向（Ｙ軸方向）に長いストロークを移動可能でありＸ軸方向に短いストロークを移動可能である。基板ステージＦＢＳも同様に走査方向であるＡＲ１方向に長いストロークを移動可能であり、非走査方向である矢印ＡＲ２の方向にも長いストローク移動可能である。また、基板ステージＦＢＳは供給ローラＦＲと巻き取りローラＷＲとともに基板ＦＢの搬送装置を構成する。本実施形態に係る露光装置ＥＸは、図１（ａ）に描かれている矢印ＡＲ１の方向に露光光ＥＸＬに対してマスクＭと帯状の基板ＦＢとを同期移動して走査露光する走査型露光装置である。なお、図１（ｂ）ではＸ軸方向の位置を検出するレーザー干渉計ＬＭｘ及びレーザー干渉計ＭＭｘを１つずつしか描いていない。

Ｘ軸方向計測用のＬＳＡビームは偏光ビームスプリッタ４７ａに入射する。偏光ビームスプリッタ４７ａを透過した各ビームは、反射鏡４９ａに反射してフーリエ変換レンズ５０ａを介して、視野合成ミラー５１に入射する。一方、ミラー４６ｂで反射されたＹ軸方向計測用のＬＳＡビームは偏光ビームスプリッタ４７ｂに入射する。偏光ビームスプリッタ４７ｂを透過した各ビームは、反射鏡４９ｂに反射してフーリエ変換レンズ５０ｂを介して、視野合成ミラー５１に達する。

図６はＬＳＡ用のアライメントマークＡＭを示した図である。図６（ａ）に示されるように、帯状の基板ＦＢの露光領域ＥＡの周囲には、線状ビームＡＢ−Ｘに対応するＸ軸方向計測用のアライメントマークＡＭおよび線状ビームＡＢ−Ｙに対応するＹ軸方向計測用のアライメントマークＡＭがそれぞれ格子状パターンとして形成されている。図６（ｂ）は、アライメントマークＡＭの横断面を示している。アライメントマークＡＭは、例えば、一辺４μｍの正方形形状の凸状部Ｔａからなる。この凸状部Ｔａが８μｍピッチで複数並んで設けられている。アライメントマークＡＭが線状ビームＡＢを横切ると、回折または散乱した光が発生する。図６（ｃ）は、（ａ）の点線Ｃで囲んだ部分の拡大平面図である。図６（ｃ）に示されるように、アライメントマークＡＭが線状ビームＡＢを通り過ぎる際に発生する回折光または散乱光が最大となるので、当該位置におけるレーザー干渉計ＭＭ（図１参照）の測定値からアライメントマークＡＭの座標を検出することができる。

図７は、投影光学系ＰＬの概略斜視図である。図７に示されるように投影光学系ＰＬは、直角プリズムミラー６３、６９と、レンズ６６、７０と、凹面鏡６７、７１とを介してマスクＭのパターンを基板ＦＢに投影する。直角プリズムミラー６３は一対のピエゾ素子６２ａ、６２ｂを介してプリズム台６１に固定される。ここで、ピエゾ素子６２ａ、６２ｂは数μｍのストロークを有する。また、直角プリズムミラー６３とレンズ６６との間には倍率調整に用いられるズーム光学系６４が設けられ、ズーム光学系６４の上方にはアクチュエータ６５が設けられている。アクチュエータ６５は、ズーム光学系６４のレンズの間隔を制御することで投影倍率の制御が可能である。さらに、直角プリズムミラー６３と直角プリズムミラー６９の間には視野絞り６８が設けられ、視野絞り６８は投影像ＰＩの形状が台形形状になるようにする。

直角プリズムミラー６３の上方にはシフター部として二つの平行平板ガラスＳＦ−Ｘ、ＳＦ−Ｙが設けられている。平行平板ガラスＳＦ−Ｘ、ＳＦ−Ｙは投影像ＰＩをＸ軸又はＹ軸方向に移動させる。シフター部はＸ方向シフト用の平行平板ガラスＳＦ−Ｘ及びＹ方向シフト用の平行平板ガラスＳＦ−Ｙをモータなどの駆動装置によってＸ軸又はＹ軸を中心として回転させることで、帯状の基板ＦＢに転写される投影像ＰＩをＸ方向又はＹ方向にシフトさせる。これによりＸ軸またはＹ軸のずれを補正することができる。例えば、図７に示されたように平行平板ガラスＳＦ−Ｘ、ＳＦ−Ｙにより入射光を調整する場合に、投影像ＰＩは矢印ＡＲ３のようにＸ軸方向に沿って移動してＰＩ―Ｘの位置に到達し、または矢印ＡＲ４のようにＹ軸方向に沿って移動してＰＩ―Ｙの位置に到達する。

また、プリズム台６１にピエゾ素子６２ａ、６２ｂを介して固定されている直角プリズムミラー６３が、Ｚ軸と平行な軸の回りに回転することでローテーション補正が行われる。詳しくに、ピエゾ素子６２ａ、６２ｂのどちらか一方を駆動することで、あるいは両方のピエゾ素子６２ａ、６２ｂを逆方向に駆動することで、直角プリズムミラー６３が矢印Ｄまたはその反対方向に回転する。したがって、マスクＭのパターンの投影像ＰＩは矢印ＡＲ５の回転方向またはその反対方向に回転することができる。例えば、直角プリズムミラー６３が矢印Ｄに回転する場合に、マスクＭのパターンの投影像ＰＩはＰＩ―Ｒの位置まで回転する。これにより、ローテーション補正が行われる。なお、図７の中では一対のピエゾ素子６２ａ、６２ｂを２箇所に配置しているが、３個または４個のピエゾ素子を用いて直角プリズムミラー３１を支持するようにしても良い。

ステップＳ１１３においては、図１（ｂ）に示されたマスク側ＡＩＳマーク１１と図２（ｂ）で示されたように、投影光学系ＰＬを介してマスク側ＡＩＳマーク１１と基板側ＡＩＳマーク１７との相対的な位置関係が計測される。ＡＩＳ撮像素子２４でマスク側ＡＩＳマーク１１と基板側ＡＩＳマーク１７各々の像を検出する。これにより基板側ＡＩＳマーク１７の位置を基準にマスク側ＡＩＳマーク１１の像位置を計測することができる。

ステップＳ１１７において、図９（ｂ）から図９（ｃ）に示されるように基板ステージＦＢＳがＹ方向に移動する。すなわち、帯状の基板ＦＢをＹ軸方向に沿って移動しながらアライメントセンサＬＳＡ２及びアライメントセンサＬＳＡ３により帯状の基板ＦＢの露光領域ＥＡの周囲でＹ軸方向に沿って設けられたアライメントマークＡＭが検出される。同時に、レーザー干渉計ＭＭｙによりアライメントマークＡＭのＹ座標が求められる。なお、基板ステージＦＢＳが移動する際には、供給ローラＦＲと巻き取りローラＷＲとから帯状の基板ＦＢがそれぞれーＸ方向と＋Ｘ方向に送り出される。このようにして、帯状の基板ＦＢに点線Ｆに示された領域に余分な引張力が加わらないようにしている。

ステップＳ１１９において、上述のステップＳ１１８で求められた帯状の基板ＦＢの伸縮状態、Ｘ軸もしくはＹ軸方向の位置ずれ又は帯状の基板ＦＢの回転などに基づいて、投影光学系ＰＬによりマスクＭのパターンの投影像ＰＩの位置が調整される。上述のように、ステップＳ１１６及びＳ１１７にて求めたアライメントマークＡＭのＸ座標及びＹ座標を標準座標（露光領域ＥＡが変形のない理想的な形状であるときのアライメントマークＡＭの座標）と比べてみる。この結果により帯状の基板ＦＢの露光領域ＥＡがその標準位置からの伸縮量が求められる。そして、平行平板ガラスＳＦ−Ｘ、ＳＦ−Ｙ及びピエゾ素子６２ａ、６２ｂを動作させることで、マスクＭの投影像ＰＩが調整される。例えば、投影像ＰＩがＸ軸方向にずれている場合は、平行平板ガラスＳＦ−Ｘを傾けて補正を行い、投影像ＰＩがＹ軸方向にずれている場合は、平行平板ガラスＳＦ−Ｙを傾けて補正を行い、投影像ＰＩのローテーション補正が必要な場合は、ピエゾ素子６２ａ、６２ｂを伸縮することで補正される。詳しくに、図１１を参照しながら説明する。

次に、図１３（ｂ）から図１３（ｃ）を介して図１４（ｄ）に示されるように基板ステージＦＢＳがＹ方向に移動する。すなわち、帯状の基板ＦＢをＹ軸方向に沿って移動しながらアライメントセンサＬＳＡ２及びアライメントセンサＬＳＡ３により帯状の基板ＦＢの露光領域ＥＡの周囲でＹ軸方向に沿って設けられたアライメントマークＡＭが検出される。
この基板ステージＦＢＳの移動の際には、供給ローラＦＲと巻き取りローラＷＲとが基板ステージＦＢＳと同期してＹ軸方向に移動する。このため、帯状の基板ＦＢには、余分な張力がかかったりまたねじれが生じたりすることがない。

次に図１４（ｄ）から図１４（ｅ）に示されるように、基板ステージＦＢＳが移動しながらスキャン露光が行われる。つまり、基板ステージＦＢＳは−Ｙ方向に沿って移動しながら、露光領域ＥＡに対してスキャン露光が行われる。また、供給ローラＦＲと巻き取りローラＷＲとが基板ステージＦＢＳと同期してＹ軸方向に移動する。

本発明の転写装置として、複数のマークからの回折光を検出する検出装置を備えた露光装置を用いて説明してきた。しかし本発明の転写装置は露光装置に限られず、凹凸を有する金型で材料を押圧するスタンパ方式（インプリント）、液状材料を吐出して液状材料を徐々に堆積させながら硬化するインクジェット・プリンターなどにも適用される。

１１ マスク側ＡＩＳマーク
１４ Ｙ軸ＬＳＡマーク、 １５ Ｘ軸ＬＳＡマーク
１６ 基板用ＬＳＡマーク、 １７ 基板側ＡＩＳマーク
１８ 第１基準部材、 １９ 第２基準部材
２１ 真空吸着孔
２３ レンズ系
２４ ＡＩＳ撮像素子
２６ 高さ調整部
２８ 基板ステージ移動部
３０ 圧着固定部
３３ ピストン部
３５ 圧着板
４１ レーザー光源、 ４２ 光アイソレータ
４３ シリンドリカルレンズ、 ４４ ビームスプリッタ
４５ａ、４５ｂ 視野絞り、 ４６ａ、４６ｂ ミラー
４７ａ、４７ｂ 偏光ビームスプリッタ、 ４８ａ、４８ｂ 光検出器
４９ａ、４９ｂ 反射鏡
５０ａ、５０ｂ フーリエ変換レンズ
５１ 視野合成ミラー、 ５２ １／４波長板、 ５３ 対物レンズ
６１ プリズム台、 ６２ａ、６２ｂ ピエゾ素子
６３ 直角プリズムミラー、 ６４ ズーム光学系、 ６５ アクチュエータ
６６ レンズ、 ６７ 凹面鏡、 ６８ 視野絞り、 ６９ 直角プリズムミラー
７０ レンズ、 ７１ 凹面鏡
ＡＢ、ＡＢ−Ｘ、ＡＢ−Ｙ 線状ビーム
ＡＭ アライメントマーク
ＥＡ 露光領域
ＥＸ 露光装置
ＥＸＬ 露光光
ＦＢ 基板
ＦＢＳ 基板ステージ
ＦＰ 演算部
ＦＲ 供給ローラ
ＬＭ，ＬＭｘ レーザー干渉計
ＬＳＡ、ＬＳＡ１、ＬＳＡ２、ＬＳＡ３、ＬＳＡ４ アライメントセンサ
Ｍ マスク
ＭＳＴ マスクステージ
ＭＭ，ＭＭｘ レーザー干渉計
ＰＩ 投影像
ＰＬ 投影光学系
Ｒ レール
ＳＦ−Ｘ、ＳＦ−Ｙ 平行平板ガラス
Ｔａ 凸状部
ＷＲ 巻き取りローラ

Claims (27)

1. 帯状の基板の長手方向に沿って該基板に設けられた複数の区画領域にパターン部材に形成されたパターンを転写する転写装置において、
   前記基板を前記長手方向に移送する移送装置と、前記移送装置で移送される前記基板の一部を保持し、前記基板の表面に沿って移動するステージ装置と、を含む搬送機構と、
   前記搬送機構によって移動される前記基板に計測光を照射し、前記搬送機構による前記基板の移動方向に沿って前記基板に設けられた複数のマークからの回折光を検出する検出装置と、
   前記検出装置の検出結果に基づいて前記区画領域の変形に関する情報を算出する演算装置と、
   を備えることを特徴とする転写装置。
2. 前記演算装置の算出情報に基づいて前記パターンを補正する補正装置をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の転写装置。
3. 前記区画領域は前記長手方向の両側に前記複数のマークが形成されるとともに、短手方向の両側に前記複数のマークが形成され、
   前記検出装置は前記短手方向に少なくとも３つ配置され、前記長手方向に２つ配置され、そのうちの１つの検出装置が前記短手方向と前記長手方向とを兼用していることを特徴とする請求項１に記載の転写装置。
4. 前記ステージ装置は、前記基板の一部を保持して該基板の短手方向に移動し、
   前記検出装置は、前記ステージ装置によって前記短手方向に移動している際に前記基板に前記計測光を照射し、前記短手方向に沿って前記基板に設けられた複数の前記マークからの回折光を検出することを特徴とする請求項１または２のいずれか一項に記載の転写装置。
5. 前記ステージ装置は、前記基板の一部を保持して前記長手方向に移動し、
   前記検出装置は、前記ステージ装置によって前記長手方向に移動している際に前記基板に前記計測光を照射し、前記長手方向に沿って前記基板に設けられた複数の前記マークからの回折光を検出することを特徴とする請求項１または２のいずれか一項に記載の転写装置。
6. 前記移送装置は、前記ステージ装置による前記基板の前記短手方向への移動に同期して前記基板を前記短手方向へ移動することを特徴とする請求項３に記載の転写装置。
7. 前記検出装置は、前記基板のうち前記区画領域の近傍に設けられた複数の前記マークからの回折光を検出することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の転写装置。
8. 前記ステージ装置と前記検出装置との相対位置に関する情報を検出するため、前記ステージ装置は前記長手方向に沿って第１基準パターンが設けられた第１基準部材と、前記基板の短手方向に沿って第２基準パターンが設けられた第２基準部材とを有することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の転写装置。
9. 前記ステージ装置と前記パターンとの相対位置に関する情報を検出するため、前記ステージ装置は位置検出部を有することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の転写装置。
10. 前記ステージ装置上の前記区画領域に前記パターンを投影する複数の投影光学系を備え、
    前記補正装置は、前記投影光学系に設けられ、前記演算装置の算出情報に基づいて前記投影光学系の光学特性を補正することを特徴とする請求項２Ａ〜８のいずれか一項に記載の転写装置。
11. 前記パターンに対応するパターン情報に基づいて原画パターンを前記パターン部材に生成するパターン生成装置と、
    前記ステージ装置上の前記区画領域に前記原画パターンの像を前記パターンとして投影する投影光学系と、を備え、
    前記補正装置は、前記パターン生成装置に設けられ、前記演算装置の算出情報に基づいて前記パターン情報を補正することを特徴とする請求項２Ａ〜８のいずれか一項に記載の転写装置。
12. 前記投影光学系は、前記パターン部材に形成される前記パターンを台形形状の照射領域を介して前記区画領域に投影し、
    前記複数の投影光学系の台形形状の隣り合う前記照射領域が重複する領域に前記位置検出部が配置されることを特徴とする請求項９または１０のいずれか一項に記載の転写装置。
13. 前記検出装置は、前記位置検出部を検出し、
    前記位置検出部は、前記投影光学系を介して前記パターン部材の位置を検出することを特徴とする請求項１１に記載の転写装置。
14. 前記ステージ装置は、前記基板の法線方向に移動する高さ調整部を有する請求項１から請求項１２Ａのいずれか一項に記載の転写装置。
15. 帯状の基板の区画領域にパターン部材に形成されるパターンを順次転写する転写方法において、
    前記基板を移送装置で移送する工程と、
    移送された前記基板をステージ装置で保持する工程と、
    検出装置が前記区画領域の周辺に形成された複数のマークにコヒーレント光を照射して前記マークからの回折光を検出する工程と、
    前記検出装置が検出した回折光に基づいて前記区画領域の変形を計測する工程と、
    、
    を備えることを特徴とする転写方法。
16. 前記計測工程の結果に基づいて前記パターン部材による前記パターンを補正し、補正された前記パターンを前記ステージ装置に保持された前記基板の前記区画領域に転写する工程を備えることを特徴とする請求項１３に記載の転写方法。
17. 前記移送装置が長手方向に沿って前記基板を移送するとともに、前記ステージ装置が前記長手方向に沿って同期に移動可能であり、
    前記基板が前記長手方向に移動している際に、前記検出装置が前記マークからの回折光を検出することを特徴とする請求項１３に記載の転写方法。
18. 前記移送装置及び前記ステージ装置が前記基板を前記長手方向と交差する短手方向に同期して移動し、
    前記移送装置及び前記ステージ装置が前記短手方向に移動している際に、前記検出装置が前記マークからの回折光を検出することを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載の転写方法。
19. 前記ステージ装置が前記基板を該基板の短手方向に移動し、
    前記ステージ装置の前記短手方向の移動に伴って前記移送装置が前記基板を移送し、
    前記ステージ装置が前記短手方向に移動している際に、前記検出装置が前記マークからの回折光を検出することを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載の転写方法。
20. 前記長手方向に沿って第１基準パターンが設けられた第１基準部材と前記短手方向に沿って第２基準パターンが設けられた第２基準部材とを使って、前記ステージ装置と前記検出装置との相対位置に関する情報を検出することを特徴とする請求項１５又は請求項１６に記載の転写方法。
21. 位置検出部を使って、前記ステージ装置と前記パターン部材との相対位置に関する情報を検出することを特徴とする請求項１３から請求項１７のいずれか一項に記載の転写方法。
22. 前記検出装置が前記位置検出部を検出し、前記パターン部材と前記検出装置との位置関係を測定することを特徴とする請求項１８に記載の転写方法。
23. 演算装置の演算結果に基づいて、前記区画領域に前記パターンを投影する投影光学系の光学特性を補正することを特徴とする請求項１８又は請求項１９に記載の転写方法。
24. 前記転写する工程は、前記投影光学系をつかって前記パターン部材に形成されるパターンを台形形状の照射領域に分割して前記区画領域に投影
    することを特徴とする請求項２０に記載の転写方法。
25. 請求項１〜１２Ｂのいずれか一項に記載の転写装置を用いて、帯状の基板にパターンを転写する工程と、
    前記パターンが転写された前記基板を該パターンに基づいて加工する工程と、
    を含むデバイス製造方法。
26. 帯状の薄い基板の長手方向に沿った複数の区画領域の各々に表示パネル用のパターンを転写する転写装置において、
    前記基板の各区画領域に所定のパターンを転写する為の転写機構と、
    前記区画領域の周囲の複数位置の各々にマークが形成された薄い基板を前記転写機構に対して前記長手方向に移送する移送機構と、
    該移送装置で移送される前記基板のうち前記マークと前記区画領域とを含む特定部分をほぼ平坦に保持する共に、該平坦に保持された特定部分を前記長手方向と直交する幅方向と前記長手方向とに移動させるステージ機構と、
    前記転写機構に対して予め定められた複数の位置に配置され、前記区画領域の周囲で前記長手方向に離間して形成された複数のマークと、前記区画領域の周囲で前記幅方向に離間して形成された複数のマークとに計測光を照射すると共に、各マークからの反射光を検出する複数のマーク検出センサーと、
    該複数のマーク検出センサーに対して前記ステージ機構を前記フィルム基板の長手方向と前記幅方向に移動させて、前記区画領域の周囲に形成された複数のマークの各位置を計測し、該計測結果に基づいて前記区画領域の変形に関する情報を算出する演算装置と、
    該算出された変形に関する情報に基づいて、前記転写機構による所定パターンの転写状態を調整する調整機構と、
    を備えることを特徴とする転写装置。
    
27. 帯状の薄い基板の長手方向に沿った複数の区画領域の各々に表示パネル用のパターンを転写する転写装置において、
    前記基板の各区画領域に所定のパターンを転写する為の転写機構と、
    前記区画領域の周囲の複数位置の各々にマークが形成された薄い基板を前記転写機構に対して前記長手方向に移送する移送機構と、
    該移送装置で移送される前記基板のうち前記マークと前記区画領域とを含む特定部分をほぼ平坦に保持する共に、該平坦に保持された特定部分を前記長手方向と直交する幅方向と前記長手方向とに移動させるステージ機構と、
    前記転写機構に対して予め定められた複数の位置に配置され、前記区画領域の周囲に形成された複数のマークを光学的に検出する複数のマーク検出センサーと、
    該複数のマーク検出センサーに対して前記ステージ機構を前記幅方向の一方向に移動させて、前記区画領域の周囲に形成された複数のマークの各位置を順次計測して、前記区画領域の変形に関する情報を算出する演算装置と、
    前記ステージ機構を前記幅方向の他方向に移動させながら、前記転写機構により所定パターンを前記区画領域に転写する際、前記算出された変形に関する情報に基づいて前記転写機構による所定パターンの転写状態を調整する調整機構と、
    を備えることを特徴とする転写装置。