JP2010199231A - 磁性発振素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の磁性発振素子は、磁化方向が可変の磁気フリー層1と、磁化方向が不変の磁気ピンド層3と、両者間に配置されるスペーサー層2と、磁気フリー層1に外部磁場を与える磁場発生部7とを備える。磁気フリー層1は、一軸磁気異方性を有し、それに発振閾値電流よりも大きな電流が流れることにより磁化振動を行う。磁場発生部7は、磁化振動による反磁場に起因する発振周波数のシフト量と磁気フリー層1の一軸磁気異方性による磁場に起因する発振周波数のシフト量とを相殺する方向に外部磁場の大きさ及び方向を制御する。磁気フリー層1の磁化振動の中心となる方向と磁気ピンド層3の磁化方向とのなす角度θは、0°≦θ≦70°及び110°≦θ≦180°の範囲内にある。
【選択図】図2
Description
まず、磁性発振素子は、磁気抵抗効果素子から構成されるものとし、かつ、磁気抵抗効果素子の磁気フリー層及び磁気ピンド層は、それぞれ面内磁化(in-plane magnetization)を有するものとする。
(1) 第一実施形態
図1及び図2は、第一実施形態に係る磁性発振素子を示している。
図1のAは、鳥瞰図、図1のBは、断面図、図1のCは、投射図を表している。図2は、磁性発振素子と磁場発生部との位置関係の例を表している。
aJ・M1 × (M1×M2) …(2)
但し、×は、ベクトル積であり、aJは、磁気フリー層に通電する電流に比例する実数である。(2)式は、面内磁化フリー層の磁化M1、面内磁化ピンド層の磁化M2に対しcosθに比例するため、θ≒90°のときに極々小さくなるような量である。そのため、θ≒90°の場合には、aJ、即ち、磁気フリー層に通電する電流の電流密度を非常に大きくしないと、磁気フリー層の磁化M1の磁化振動を励起するようなスピントルクを発生させることができない。
図9は、第二実施形態に係わる磁性発振素子を示している。
図11は、第三実施形態に係わる磁性発振素子を示している。
R = R0+ΔR(1−cos2(θ/2)) …(3)
図12は、式(3)をプロットしたものである。
次に、本発明の例に係わる磁性発振素子から高周波信号を取り出すシステムの例について説明する。
磁性発振素子の製造方法と材料例について、図14を参照しながら説明する。
この場合、強磁性層20は、例えば、反強磁性層21/強磁性層22/非磁性層23/強磁性層24の積層構造から構成される。
本発明の例に係わる磁性発振素子は、磁気抵抗効果素子から構成される。
本発明によれば、高出力及び長寿命であり、発振周波数が安定な磁性発振素子を実現できる。
Claims (5)
- 磁化方向が可変の磁気フリー層と、
磁化方向が不変の磁気ピンド層と、
前記磁気フリー層及び前記磁気ピンド層間に配置されるスペーサー層と、
前記磁気フリー層に外部磁場を与える磁場発生部とを具備し、
前記磁気フリー層及び前記磁気ピンド層は、磁化方向がそれらと前記スペーサー層との接合面に対して平行であり、
前記磁気フリー層は、一軸磁気異方性を有し、それに発振閾値電流よりも大きな電流が流れることにより磁化振動を行い、
前記磁場発生部は、前記磁化振動による反磁場に起因する発振周波数のシフト量と前記一軸磁気異方性による磁場に起因する前記発振周波数のシフト量とを相殺する方向に前記外部磁場の大きさ及び方向を制御し、
前記磁気フリー層の磁化振動の中心となる方向と前記磁気ピンド層の磁化方向とのなす角度θは、0°≦θ≦70°及び110°≦θ≦180°の範囲内にある
ことを特徴とする磁性発振素子。 - 前記磁気フリー層の磁化振動の中心となる方向は、前記一軸磁気異方性の方向に対して45°よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の磁性発振素子。
- 前記磁気ピンド層の磁化方向は、前記一軸磁気異方性の方向に対して20°よりも大きいことを特徴とする請求項1又は2に記載の磁性発振素子。
- 前記磁気フリー層の平面形状は、前記一軸磁気異方性の方向を長軸とする楕円形であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁性発振素子。
- 前記発振周波数は、半導体集積回路のリファレンスクロックの周波数となることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の磁性発振素子。
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