JP2010192820A - 液体回収システム、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】液体回収能力の低下を抑制できる液体回収システムを提供する。
【解決手段】液体回収システムは、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光に用いられる。液体回収システムは、液体を回収するための回収流路と、回収流路に面する第１面、第１面と反対側の第２面、及び第１面と第２面とを連通する複数の孔を有する第１多孔部材と、第２面に面し、第２面の少なくとも一部と接触する第３面、第３面と反対側の第４面、及び複数の開気孔を有する第２多孔部材とを備える。第２多孔部材の平均孔径は、第１多孔部材の平均孔径より小さく、第１多孔部材を介して物体上の液体を回収する。
【選択図】図２

Description

本発明は、液体回収システム、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法に関する。

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、特許文献１に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。液浸露光装置は、液体の供給動作及び回収動作を実行して、露光光の光路を液体で満たす。

米国特許出願公開第２００６／０１５２６９７号明細書

液浸露光装置において、多孔部材を介して液体を回収する場合、その多孔部材の表面特性が変化すると、液体回収能力が変化する可能性がある。例えば、液体回収能力が低下して、液体が残留したり、流出したりすると、その液体の気化熱により、基板が熱変形したり、各種計測光等の光路の温度が変動したりする可能性がある。そのような不具合が生じると、基板上に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。

本発明の態様は、液体回収能力の低下を抑制できる液体回収システムを提供することを目的とする。また本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。また本発明は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光に用いられる液体回収システムであって、液体を回収するための回収流路と、回収流路に面する第１面、第１面と反対側の第２面、及び第１面と第２面とを連通する複数の孔を有する第１多孔部材と、第２面に面し、第２面の少なくとも一部と接触する第３面、第３面と反対側の第４面、及び複数の開気孔を有する第２多孔部材と、を備え、第２多孔部材の平均孔径は、第１多孔部材の平均孔径より小さく、第１多孔部材を介して物体上の液体を回収する液体回収システムが提供される。

本発明の第２の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光に用いられる液体回収システムであって、液体を回収するための回収流路と、回収流路に面する第１面、第１面と反対側の第２面、及び第１面と第２面とを連通する複数の孔を有する第１多孔部材と、第２面に面し、第２面の少なくとも一部と接触する第３面、第３面と反対側の第４面、及び複数の開気孔を有する第２多孔部材と、を備え、第２多孔部材の気孔率は、第１多孔部材の気孔率より大きく、第１多孔部材を介して物体上の液体を回収する液体回収システムが提供される。

本実施形態の第３の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光に用いられる液体回収システムであって、液体を回収するための回収流路と、回収流路に面する第１面、第１面と反対側の第２面、及び第１面と第２面とを連通する複数の孔を有する第１多孔部材と、第２面側に配置され、第２面の乾燥を抑制する乾燥抑制部材と、を備える液体回収システムが提供される。

本発明の第４の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、第１、第２、及び第３の態様の液体回収システムを備える露光装置が提供される。

本発明の第５の態様に従えば、第４の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第６の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、露光光を射出する光学部材の射出面と、射出面と対向する基板との間の光路を液体で満たすことと、光学部材と液体とを介して基板に露光光を照射することと、第１、第２、及び第３の態様の液体回収システムを用いて、基板上の液体を回収することと、を含む露光方法が提供される。

本発明の第７の態様に従えば、第６の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明によれば、液体回収能力の低下を抑制して、露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。

本実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。 本実施形態に係る液浸部材の近傍を示す側断面図である。 本実施形態に係る第１多孔部材及び第２多孔部材の近傍を示す側断面図である。 本実施形態に係る第１多孔部材を示す平面図である。 第１多孔部材及び第２多孔部材を介して液体が回収される様子を示す模式図である。 第１多孔部材及び第２多孔部材を介して液体が回収される様子を示す模式図である。 第１多孔部材の一例を示す側断面図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、マスクステージ１及び基板ステージ２それぞれの位置情報を計測可能な干渉計システム３と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置４とを備えている。

マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板上にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成された透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材に感光膜が形成されたものを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐが、感光膜と別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。

本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。露光装置ＥＸは、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材６を備えている。液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた空間である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。

本実施形態において、液浸空間ＬＳは、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子５から射出される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように形成される。終端光学素子５は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面９を有する。液浸空間ＬＳは、終端光学素子５と、その終端光学素子５の射出面９と対向する物体との間の光路が液体ＬＱで満たされるように形成される。射出面９と対向する位置は、射出面９から射出される露光光ＥＬの照射位置を含む。

液浸部材６は、終端光学素子５の近傍に配置されている。液浸部材６は、下面７を有する。本実施形態において、射出面９と対向可能な物体は、下面７と対向可能である。物体の表面が射出面９と対向する位置に配置されたとき、下面７の少なくとも一部と物体の表面とが対向する。射出面９と物体の表面とが対向しているとき、終端光学素子５は、射出面９と物体の表面との間に液体ＬＱを保持できる。また、下面７と物体の表面とが対向しているとき、液浸部材６は、下面７と物体の表面との間に液体ＬＱを保持できる。射出面９及び下面７と物体の表面との間に保持された液体ＬＱによって、液浸空間ＬＳが形成される。

本実施形態において、射出面９及び下面７と対向可能な物体は、終端光学素子５の射出側（像面側）で移動可能な物体を含み、射出面９及び下面７と対向する位置に移動可能な物体を含む。本実施形態においては、射出面９及び下面７と対向可能な物体は、基板ステージ２、及びその基板ステージ２に保持された基板Ｐの少なくとも一方を含む。なお、以下においては、説明を簡単にするために、主に、射出面９及び下面７と基板Ｐとが対向している状態を例にして説明する。

本実施形態においては、射出面９及び下面７と対向する位置に配置された基板Ｐの表面の一部の領域（局所的な領域）が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成され、その基板Ｐの表面と下面７との間に液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧが形成される。すなわち、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、基板Ｐの露光時に、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲを含む基板Ｐ上の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳを形成する局所液浸方式を採用する。

照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。

マスクステージ１は、マスクＭをリリース可能に保持するマスク保持部１Ｈを有する。本実施形態において、マスク保持部１Ｈは、マスクＭのパターン形成面（下面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。マスクステージ１は、リニアモータ等のアクチュエータを含む第１駆動システム１Ｄの作動により、マスクＭを保持してＸＹ平面内を移動可能である。本実施形態においては、マスクステージ１は、マスク保持部１ＨでマスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。

投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子は、鏡筒ＰＫで保持される。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸは、Ｚ軸とほぼ平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

基板ステージ２は、ベース部材８のガイド面８Ｇ上を移動可能である。本実施形態においては、ガイド面８Ｇは、ＸＹ平面とほぼ平行である。基板ステージ２は、基板Ｐを保持して、ガイド面８Ｇに沿って、ＸＹ平面内を移動可能である。基板ステージ２は、終端光学素子５の射出面９と対向する位置に移動可能である。

基板ステージ２は、基板Ｐをリリース可能に保持する基板保持部２Ｈを有する。本実施形態において、基板保持部２Ｈは、基板Ｐの露光面（表面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。基板ステージ２は、リニアモータ等のアクチュエータを含む第２駆動システム２Ｄの作動により、基板Ｐを保持してＸＹ平面内を移動可能である。本実施形態においては、基板ステージ２は、基板保持部２Ｈで基板Ｐを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

基板ステージ２は、基板保持部２Ｈの周囲に配置された上面２Ｔを有する。本実施形態において、上面２Ｔは、平坦であり、ＸＹ平面とほぼ平行である。また、基板ステージ２は、凹部２Ｃを有する。基板保持部２Ｈは、凹部２Ｃの内側に配置される。本実施形態において、上面２Ｔと、基板保持部２Ｈに保持された基板Ｐの表面とは、ほぼ同一平面内に配置される（面一となる）。

干渉計システム３は、ＸＹ平面内におけるマスクステージ１及び基板ステージ２のそれぞれの位置情報を計測する。干渉計システム３は、マスクステージ１の位置情報を計測するレーザ干渉計３Ａと、基板ステージ２の位置情報を計測するレーザ干渉計３Ｂとを備えている。レーザ干渉計３Ａは、マスクステージ１に配置された反射面１Ｒに計測光を照射し、その反射面１Ｒを介した計測光を用いて、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関するマスクステージ１（マスクＭ）の位置情報を計測する。レーザ干渉計３Ｂは、基板ステージ２に配置された反射面２Ｒに計測光を照射し、その反射面２Ｒを介した計測光を用いて、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する基板ステージ２（基板Ｐ）の位置情報を計測する。

また、本実施形態においては、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面の位置情報を検出するフォーカス・レベリング検出システム（不図示）が配置されている。フォーカス・レベリング検出システムは、Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する基板Ｐの表面の位置情報を検出する。

基板Ｐの露光時、マスクステージ１の位置情報がレーザ干渉計３Ａで計測され、基板ステージ２の位置情報がレーザ干渉計３Ｂで計測され、基板Ｐの表面の位置情報がフォーカス・レベリング検出システムで検出される。制御装置４は、レーザ干渉計３Ａの計測結果に基づいて、第１駆動システム１Ｄを作動し、マスクステージ１に保持されているマスクＭの位置制御を実行する。また、制御装置４は、レーザ干渉計３Ｂの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、第２駆動システム２Ｄを作動し、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの位置制御を実行する。

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。基板Ｐの露光時、制御装置４は、マスクステージ１及び基板ステージ２を制御して、マスクＭ及び基板Ｐを、露光光ＥＬの光路（光軸ＡＸ）と交差するＸＹ平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置４は、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。これにより、基板Ｐは露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。

次に、液浸部材６について説明する。図２は、液浸部材６の近傍を示す側断面図である。なお、以下の説明においては、終端光学素子５の射出面９及び液浸部材６の下面７と対向する位置に基板Ｐが配置されている場合を例にして説明するが、上述のように、終端光学素子５の射出面９及び液浸部材６の下面７と対向する位置には、基板ステージ２等、基板Ｐ以外の物体も配置可能である。

液浸部材６は、終端光学素子５と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。本実施形態において、液浸部材６は、環状の部材であって、露光光ＥＬの光路の周囲に配置されている。本実施形態において、液浸部材６の一部は、終端光学素子５の周囲に配置されている。本実施形態においては、液浸部材６は、終端光学素子５の周囲に配置される側板部１１と、Ｚ軸方向に関して少なくとも一部が終端光学素子５の射出面９と基板Ｐの表面との間に配置される下板部１２とを有する。

下板部１２は、射出面９と対向する位置に開口１０を有する。射出面９から射出された露光光ＥＬは、開口１０を通過可能である。例えば、基板Ｐの露光中、射出面９から射出された露光光ＥＬは、開口１０を通過し、液体ＬＱを介して基板Ｐの表面に照射される。

下板部１２は、射出面９の一部と対向する上面１３と、基板Ｐの表面と対向可能な下面１４とを有する。上面１３及び下面１４のそれぞれは、開口１０（露光光ＥＬの光路）の周囲に配置されている。

本実施形態において、液浸部材６の下面７は、下板部１２の下面１４を含む。下面１４は、基板Ｐの表面との間で液体ＬＱを保持可能である。本実施形態において、下面１４は、平坦であり、基板Ｐの表面（ＸＹ平面）とほぼ平行である。

また、液浸部材６は、液体ＬＱを供給するための供給口１５及びその供給口１５に接続された供給流路１６と、液体ＬＱを回収するための回収口１７及びその回収口１７に接続された回収流路１８とを備えている。

供給口１５は、露光光ＥＬの光路の近傍において、その光路に面する液浸部材６の所定位置に配置されている。本実施形態においては、供給口１５は、光路に対してＹ軸方向両側のそれぞれに設けられている。本実施形態においては、供給口１５は、射出面９と上面１３との間の空間に液体ＬＱを供給する。供給口１５は、液浸空間ＬＳを形成するために、露光光ＥＬの光路に液体ＬＱを供給する。

本実施形態において、回収口１７は、基板Ｐの表面と対向する液浸部材６の所定位置に配置されている。本実施形態においては、回収口１７は、下面１４（露光光ＥＬの光路）の周囲に配置されている。回収口１７は、液浸部材６の下面７と対向する物体上の液体ＬＱを回収する。

供給流路１６は、液浸部材６の内部に形成されている。供給口１５は、供給流路１６、及び供給管１９Ｐの流路１９を介して、液体供給装置２０と接続されている。液体供給装置２０は、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能である。液体供給装置２０から送出された液体ＬＱは、流路１９、及び供給流路１６を介して、供給口１５に供給される。供給口１５は、液体供給装置２０からの液体ＬＱを露光光ＥＬの光路に供給する。

回収流路１８は、液浸部材６の内部に形成されている。回収口１７は、回収流路１８、及び回収管２１Ｐの流路２１を介して、液体回収装置２２と接続されている。液体回収装置２２は、真空システムを含み、流路２１及び回収流路１８を所定の負圧に調整可能である。液体回収装置２２は、流路２１及び回収流路１８を負圧にして、液体ＬＱを吸引して回収可能である。回収口１７から回収された液体ＬＱは、回収流路１８、及び流路２１を介して、液体回収装置２２に回収される。

図３は、回収口１７の近傍を示す拡大図である。本実施形態において、回収口１７には、第１多孔部材３１と第２多孔部材３２とが配置されている。第１多孔部材３１は、回収流路１８に面する第１面４１と、第１面４１と反対側の第２面４２と、第１面４１と第２面４２とを連通する複数の孔４５とを有する。第２多孔部材３２は、第２面４２に面し、第２面４２の少なくとも一部と接触する第３面４３と、第３面４３と反対側の第４面４４と、複数の孔４６とを有する。

第１多孔部材３１は、複数の小さい孔４５が形成された薄いプレート部材である。第１多孔部材３１は、薄いプレート部材を加工して、複数の孔４５を形成した部材であり、メッシュプレートとも呼ばれる。本実施形態において、第１多孔部材３１は、チタンで形成されている。なお、第１多孔部材３１が、ステンレスで形成されてもよい。

本実施形態において、第１面４１と第２面４２とは、ほぼ平行である。本実施形態において、第１面４１と第２面４２とは、基板Ｐの表面（ＸＹ平面）とほぼ平行である。

孔４５は、第１面４１と第２面４２との間に形成され、第１面４１と第２面４２とを貫通するように形成されている。本実施形態において、孔４５は、第１面４１と第２面４２との間を、Ｚ軸方向とほぼ平行に貫通する。液体ＬＱは、孔４５を流通可能である。第１面４１及び第２面４２の一方に配置された孔４５の開口に流入した液体ＬＱは、他方に配置された孔４５の開口より流出可能である。

図４は、第１多孔部材３１の一部を拡大した平面図である。本実施形態において、ＸＹ平面内における孔（開口）４５の形状は、円形である。また、第１面４１における孔（開口）４５の大きさと、第２面４２における孔（開口）４５の大きさとはほぼ等しい。また、複数の孔４５それぞれの大きさは、ほぼ等しい。また、複数の孔４５は、ＸＹ平面内において、ほぼ等間隔に配置されている。なお、ＸＹ平面内における孔４５の形状は、円形以外の形状、例えば５角形、６角形等の多角形でもよい。

図３に示すように、第２多孔部材３２は、複数の小さい孔４６が形成された薄いフィルム部材である。すなわち、本実施形態において、第２多孔部材３２は、多孔膜を含む。本実施形態において、第２多孔部材３２は、スポンジ状の部材である。例えば、第２多孔部材３２は、合成樹脂製のスポンジである。

なお、第２多孔部材３２が、不織布等、繊維を含むものでもよい。また、第２多孔部材３２が、複数の孔（pore）が形成された焼結部材（例えば、焼結金属）、発泡部材（例えば、発泡金属）等でもよい。焼結部材、発泡部材の材料として、例えばセラミックスを用いることができる。また焼結部材、発泡部材（焼結金属、発泡金属）の材料として、例えばチタン、銅、ニッケル、及びステンレス等を用いることができる。

本実施形態において、第２多孔部材３２の孔４６は、開気孔（open pore）を含む。開気孔は、外気と接続された気孔（pore）である。開気孔は、流入した液体ＬＱを、保持可能である。なお、第２多孔部材３２が、閉気孔（closed pore）を含んでもよい。

本実施形態において、第３面４３と第４面４４とは、ほぼ平行である。本実施形態において、第３面４３と第４面４４とは、基板Ｐの表面（ＸＹ平面）とほぼ平行である。第４面４４は、基板Ｐの表面と対向する。

本実施形態において、液浸部材６の下面７は、第４面４４を含む。また、本実施形態においては、下板部１２の下面１４と第４面４４とは、ほぼ同一平面内に配置されている（ほぼ面一である）。

第１多孔部材３１の第２面４２と、第２多孔部材３２の第３面４３とは、接触している。本実施形態において、ＸＹ平面内における第１多孔部材３１の大きさと、第２多孔部材３２の大きさとはほぼ同じであり、第２面４２のほぼ全域と、第３面４３のほぼ全域とが接触している。

また、ＸＹ平面内における第１多孔部材３１及び第２多孔部材３２の形状は、回収口１７に応じて、環状である。すなわち、第１多孔部材３１及び第２多孔部材３２は、露光光ＥＬの光路（開口１６）及び下面１４の周囲に配置されている。

また、第２多孔部材３２の孔４６は、第３面４３と第４面４４とを連通する。本実施形態において、孔４６は、第２多孔部材３２の内部において互いに接続された複数の開気孔を含む。液体ＬＱは、孔４６を流通可能である。第３面４３及び第４面４４の一方に配置された孔（開気孔）４６の開口に流入した液体ＬＱは、他方に配置された孔（開気孔）４６の開口より流出可能である。

したがって、基板Ｐ上の液体ＬＱは、第２多孔部材３２の孔４６の少なくとも一部、及び第１多孔部材３１の孔４５を介して、回収流路１８に流入可能である。回収流路１８は、第４面４４と対向する基板Ｐ上の液体ＬＱを回収可能である。

本実施形態において、第２多孔部材３２の平均孔径は、第１多孔部材３１の平均孔径より小さい。本実施形態において、第２多孔部材３２の平均孔径は、第１多孔部材３１の平均孔径の、例えば１％〜２５％程度である。

第１多孔部材３１の平均孔径は、第１多孔部材３１の所定の計測面における孔４５（開口）の大きさの平均値である。本実施形態において、第１多孔部材３１の計測面は、第１面４１及び第２面４２を含む。本実施形態においては、その計測面における複数の孔４５（開口）の大きさがそれぞれ計測され、その計測結果に基づいて、第１多孔部材３１の平均孔径が求められる。

第２多孔部材３２の平均孔径は、第２多孔部材３２の所定の計測面における孔（開気孔）４６（開口）の大きさの平均値である。本実施形態において、第２多孔部材３２の計測面は、第３面４３、第４面４４、及び第２多孔部材３２の所定部位を切断したときの切断面を含む。本実施形態においては、その計測面における複数の孔４６（開口）の大きさがそれぞれ計測され、その計測結果に基づいて、第２多孔部材３２の平均孔径が求められる。

また、本実施形態において、第２多孔部材３２の気孔率は、第１多孔部材３１の気孔率より大きい。気孔率は、第１、第２多孔部材３１、３２の幾何学的（外形的）な容積に対する気孔の容積の割合である。換言すれば、気孔率は、単位体積当たりの気孔の含有率である。本実施形態において、気孔率は、開気孔の気孔率（開気孔率）である。開気孔率は、アルキメデス法、水銀ポロシメータ法等により求めることができる。

本実施形態においては、第２多孔部材３２の平均孔径は、第１多孔部材３１の平均孔径より小さく、計測面における単位面積当たりの第２多孔部材３２の孔４６の数は、第１多孔部材３１の孔４５の数より多い。また、計測面における単位面積当たりの第２多孔部材３２の孔４６の密度は、第１多孔部材３１の孔４５の密度より大きい。また、計測面における第２多孔部材３２の開口率は、第１多孔部材３１の開口率より大きい。開口率は、計測面の単位面積当たりの孔の割合、換言すれば、計測面の単位面積当たりの孔の総面積の割合である。開口率は、計測面における単位面積当たりの孔の数（計測面における孔の密度）を調整することによって、調整可能である。

第２多孔部材３２の平均孔径が小さく、気孔率が大きいので、第２多孔部材３２は、液体ＬＱを良好に保持することができる。本実施形態においては、第２多孔部材３２の平均孔径が第１多孔部材３１の平均孔径より小さく、第２多孔部材３２の気孔率が第１多孔部材３１の気孔率より大きいので、第２多孔部材３２は、第１多孔部材３１より、液体ＬＱを保持し続けることができる。したがって、液体ＬＱとの接触後、第２多孔部材３２のほうが、第１多孔部材３１より、乾燥し難い。すなわち、第２多孔部材３２のほうが、第１多孔部材３１より、保湿力が高い。

また、本実施形態においては、第２多孔部材３２は、第１多孔部材３１より薄い。本実施形態において、第２多孔部材３２の厚みＤ２は、第１多孔部材３１の厚みＤ１の１／２〜１／１０程度である。これにより、第１多孔部材３１の強度を維持できるとともに、第１多孔部材３１及び第２多孔部材３２を介した液体回収動作を円滑に実行することができる。

また、第２多孔部材３２は、第１多孔部材３１より、吸水力（吸液力）が高い。吸水力（吸液力）は、吸水速度（吸液速度）を含む。第２多孔部材３２は、毛管現象により、液体ＬＱを素早く吸水（吸液）することができる。

本実施形態においては、基板Ｐの表面と対向する位置に、吸液速度が高い第２多孔部材３２が配置されているので、第４面４４と基板Ｐ上の液体ＬＱとが接触したとき、高い応答速度で、その基板Ｐ上の液体ＬＱを回収することができる。例えば、図５に示すように、第４面４４と基板Ｐ上の液体ＬＱとが接触することによって、基板Ｐ上の液体ＬＱは、高い吸液速度で、第２多孔部材３２に吸収され、保持される。その後、図６に示すように、第２多孔部材３２に保持された液体ＬＱは、第１多孔部材３１の孔４５を介して、回収流路１８に回収される。

図２に示すように、本実施形態においては、基板Ｐ上の液体ＬＱを回収するとき、回収流路１８が液体ＬＱで満たされ、第１面４１は、回収流路１８に存在する液体ＬＱと接触する。また、本実施形態において、制御装置４は、液体回収装置２２を制御して、回収流路１８を所定の負圧に調整する。本実施形態においては、露光装置ＥＸは、チャンバ装置（不図示）の内部空間に配置されており、チャンバ装置は、その内部空間をほぼ大気圧に調整する。したがって、本実施形態において、第２面４２と基板Ｐとの間の圧力は、ほぼ大気圧である。制御装置４は、回収流路１８の圧力が、大気圧より低くなるように調整する。

制御装置４は、真空システムを含む液体回収装置２２を作動して、回収流路１８を負圧にして、第１面４１と第２面４２との間に圧力差を発生させることによって、基板Ｐ上の液体ＬＱの少なくとも一部を、第２多孔部材３２及び第１多孔部材３１を介して回収する。第４面４４と接触した基板Ｐ上の液体ＬＱは、第２多孔部材３２の孔４６及び第１多孔部材３１の孔４５を介して、回収流路１８に回収される。回収流路１８に回収された液体ＬＱは、流路２１を介して、液体回収装置２２に回収される。

本実施形態において、制御装置４は、第１多孔部材３１を介して回収流路１８に気体が流入しないように、すなわち、回収口１７から液体ＬＱのみが回収されるように、回収流路１８の圧力を調整して、第１面４１と第２面４２との圧力差を調整する。

制御装置４は、液体ＬＱ、及び第１多孔部材３１に応じて、回収流路１８の圧力を調整する。例えば、第１多孔部材３１の孔径、第１多孔部材３１（孔４５の内側面）の液体ＬＱとの接触角θ、及び液体ＬＱの表面張力γ等に応じて、回収流路１８の圧力を調整することによって、回収口１７から、液体ＬＱのみを回収することができる。なお、多孔部材を介して液体ＬＱのみを回収する液体回収動作の原理の例が、例えば国際公開第２００６／１０６９０７号パンフレット等に開示されている。

次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを液浸露光する方法について説明する。

液浸空間ＬＳを形成するために、制御装置４は、供給口１５を用いて、光路に液体ＬＱを供給する。液体ＬＱを供給するときには、制御装置４は、射出面９及び下面７と対向する位置に、基板Ｐ（基板ステージ２）等の物体を配置する。液体供給装置２０から送出された液体ＬＱは、流路１９及び供給流路１６を介して供給口１５に供給される。供給口１５は、射出面９と上面１３との間の空間に液体ＬＱを供給する。液体ＬＱは、射出面９と上面１３との間の空間を流れ、開口１０を介して、液浸部材９の下面７と基板Ｐの表面との間の空間に流入し、その下面７と基板Ｐの表面との間に保持される。これにより、終端光学素子５の射出面９と基板Ｐの表面との間の光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。

また、本実施形態においては、制御装置４は、供給口１５による液体供給動作と並行して、回収口１７による液体回収動作を実行することによって、液浸空間ＬＳを形成する。回収口１７に配置されている第２多孔部材３２の第４面４４と接触した液体ＬＱの少なくとも一部は、第２多孔部材３２の孔４６及び第１多孔部材３１の孔４５を介して回収される。

液浸空間ＬＳが形成され、第２多孔部材３２と基板Ｐ上の液体ＬＱとが接触することによって、毛管現象により、液体ＬＱが第２多孔部材３２の孔４６に流入（浸入）し、孔４６に保持される。これにより、第２多孔部材３２は、液体ＬＱを保持する。

液浸空間ＬＳが形成された後、制御装置４は、基板Ｐの露光を開始する。制御装置４は、射出面９及び下面７と基板Ｐの表面との間に液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成した状態で、終端光学素子５及び液浸部材６に対して、基板ＰをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液体ＬＱとを介して露光光ＥＬを基板Ｐに照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影され、基板Ｐは露光光ＥＬで露光される。

また、制御装置４は、例えば基板Ｐ上の第１のショット領域の露光が終了した後、第２のショット領域の露光を開始するために、液浸空間ＬＳを形成した状態で、基板ＰをＸ軸方向（あるいはＸＹ平面内においてＸ軸方向に対して傾斜する方向）に移動するステッピング動作を実行する。

液浸空間ＬＳが形成された状態で、終端光学素子５及び液浸部材６に対して基板ＰがＸＹ方向に移動することによって、液浸空間ＬＳの界面ＬＧが移動する。これにより、第２多孔部材３２の一部分は、液体ＬＱと接触する第１状態と接触しない第２状態とで変化する。

上述のように、第２多孔部材３２は、第１多孔部材３１より保湿力が高く、第１状態の後、第２状態になった場合でも、液体ＬＱを保持し続けることができる。本実施形態においては、回収口１７から液体ＬＱのみを回収するように調整されており、回収流路１８が負圧になっても、第２多孔部材３２の孔４６に保持された液体ＬＱが、回収流路１８に流入することが抑制されている。これにより、第２多孔部材３２は、液体ＬＱを保持し続けることができる。

第２多孔部材３２に保持された液体ＬＱによって、第１多孔部材３１の第２面４２の乾燥が抑制される。第２多孔部材３２は、第１状態の後、第２状態になった場合でも、第１多孔部材３１の第２面４２の乾燥を抑制することができる。また、第２多孔部材３２は、液体ＬＱを良好に保持できるので、第１状態の後、第２状態になった場合でも、第２多孔部材３２から基板Ｐに液体ＬＱが滴り落ちることが抑制されている。

例えば、第２多孔部材３２が存在しない場合において、第１多孔部材３１が第１状態から第２状態に変化すると、乾燥する確率が高くなる。第１多孔部材３１が第１状態から第２状態に変化した後、乾燥すると、その第１多孔部材３１の表面特性が変化する可能性がある。例えば、第２面４２が第１状態から第２状態に変化した後、その第２状態の期間が長くなると、第２面４２の液体ＬＱに対する親和性が変化する現象が生じる可能性がある。例えば、第２面４２の液体ＬＱに対する親液性が低下し、撥液性になる現象が生じる可能性がある。すなわち、第１状態から第２状態に変化した後の第２面４２を、第２状態のまま放置しておくと、その第２面４２の液体ＬＱに対する接触角が高くなる現象が生じる可能性がある。また、孔４５の内側面の液体ＬＱに対する接触角も変化する可能性がある。その結果、第１多孔部材３１が基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持することが困難となったり、孔４５を介して液体ＬＱを円滑に回収することが困難となったりする等、第１多孔部材３１が配置された回収口１７の液体回収能力が低下する可能性がある。

本実施形態においては、第１多孔部材３１の第２面４２及び孔４５の乾燥を抑制する乾燥抑制部材として機能する第２多孔部材３２が第２面４２側に配置されているので、第２面４２及び孔４５の内側面の乾燥に起因する液体回収能力の低下を抑制することができる。

以上説明したように、本実施形態によれば、第１多孔部材３１を介して実行される液体回収能力の低下を抑制することができる。したがって、露光不良が発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。

なお、上述の実施形態において、第２多孔部材３２が、第１多孔部材３１より薄いメッシュプレートでもよい。薄いプレート部材を加工して、複数の孔４６を形成することによって、メッシュプレートからなる第２多孔部材３２を形成することができる。第２多孔部材３２は、第１多孔部材３１より薄いので、孔径が小さい孔４６を円滑に形成することができる。

なお、上述の実施形態において、第１多孔部材３１としては、メッシュプレートに限られず、複数の孔が形成された部材を複数組み合わせて、網目状又はハニカム状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタでもよい。また、第１多孔部材３１として、多数の孔（pore）が形成された焼結部材（例えば、焼結金属）、発泡部材（例えば、発泡金属）等を用いてもよい。

なお、図７に示すように、第１多孔部材４１Ｂの第２面４２Ｂに凹凸部５０を形成することによって、その第２面４２Ｂの乾燥を抑制することができる。凹凸部５０は、第２面４２Ｂを粗面処理することで形成可能である。凹凸部５０を形成することにより、第２面４２Ｂの表面積が増大し、第２面４２Ｂの液体保持能力を高めることができる。したがって、第１状態から第２状態に変化した後においても、凹凸部５０によって、第２面４２Ｂの乾燥を抑制することができる。このように、乾燥抑制部材として、凹凸部５０を設けることによって、第２多孔部材３２を省略することができる。

なお、上述の各実施形態において、投影光学系ＰＬは、終端光学素子５の射出側（像面側）の光路を液体ＬＱで満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子５の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たす投影光学系を採用することもできる。

なお、上述の実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系、あるいは基板の表面を形成する感光材（フォトレジスト）の膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル、セダー油等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。

なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、例えば対応米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。

また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６４００４４１号明細書、米国特許第６５４９２６９号明細書、米国特許第６５９０６３４号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。

更に、例えば対応米国特許第６８９７９６３号明細書等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。計測ステージが終端光学素子の射出面及び液浸部材の下面と対向する位置に配置されることによって、終端光学素子及び液浸部材は、計測ステージとの間で液浸空間を形成することができる。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計３Ａ、３Ｂを含む干渉計システム３を用いてマスクステージ１及び基板ステージ２の各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージ１、２に設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとしてもよい。

また、上述の各実施形態では、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第７０２３６１０号明細書に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。

なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。

上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。

また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図８に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

２…基板ステージ、４…制御装置、６…液浸部材、１７…回収口、１８…回収流路、２２…液体回収装置、３１…第１多孔部材、３２…第２多孔部材、４１…第１面、４２…第２面、４３…第３面、４４…第４面、４５…孔、４６…孔、５０…凹凸部、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＬＱ…液体、ＬＳ…液浸空間、Ｐ…基板

Claims (21)

1. 液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光に用いられる液体回収システムであって、
   前記液体を回収するための回収流路と、
   前記回収流路に面する第１面、前記第１面と反対側の第２面、及び前記第１面と前記第２面とを連通する複数の孔を有する第１多孔部材と、
   前記第２面に面し、前記第２面の少なくとも一部と接触する第３面、前記第３面と反対側の第４面、及び複数の開気孔を有する第２多孔部材と、を備え、
   前記第２多孔部材の平均孔径は、前記第１多孔部材の平均孔径より小さく、
   前記第１多孔部材を介して物体上の液体を回収する液体回収システム。
2. 前記第２多孔部材の気孔率は、前記第１多孔部材の気孔率より大きい請求項１記載の液体回収システム。
3. 液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光に用いられる液体回収システムであって、
   前記液体を回収するための回収流路と、
   前記回収流路に面する第１面、前記第１面と反対側の第２面、及び前記第１面と前記第２面とを連通する複数の孔を有する第１多孔部材と、
   前記第２面に面し、前記第２面の少なくとも一部と接触する第３面、前記第３面と反対側の第４面、及び複数の開気孔を有する第２多孔部材と、を備え、
   前記第２多孔部材の気孔率は、前記第１多孔部材の気孔率より大きく、
   前記第１多孔部材を介して物体上の液体を回収する液体回収システム。
4. 前記第２多孔部材は、多孔膜を含み、
   前記第２多孔部材は、前記第１多孔部材より薄い請求項１〜３のいずれか一項記載の液体回収システム。
5. 前記第２多孔部材の孔は、前記第３面と前記第４面とを連通する請求項１〜４のいずれか一項記載の液体回収システム。
6. 前記第１多孔部材の孔及び前記第２多孔部材の孔を介して、前記物体上の液体が回収される請求項１〜５のいずれか一項記載の液体回収システム。
7. 前記第２多孔部材の前記第４面と対向する物体上の液体を回収する請求項６記載の液体回収システム。
8. 前記第２多孔部材に保持された液体によって、前記第２面の乾燥を抑制する請求項１〜７のいずれか一項記載の液体回収システム。
9. 液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光に用いられる液体回収システムであって、
   前記液体を回収するための回収流路と、
   前記回収流路に面する第１面、前記第１面と反対側の第２面、及び前記第１面と前記第２面とを連通する複数の孔を有する第１多孔部材と、
   前記第２面側に配置され、前記第２面の乾燥を抑制する乾燥抑制部材と、を備える液体回収システム。
10. 前記乾燥抑制部材は、前記第２面の少なくとも一部と接触するように配置され、複数の開気孔を有する第２多孔部材を含む請求項９記載の液体回収システム。
11. 前記第２多孔部材の平均孔径は、前記第１多孔部材の平均孔径より小さい請求項１０記載の液体回収システム。
12. 前記第２多孔部材の気孔率は、前記第１多孔部材の気孔率より大きい請求項１０又は１１記載の液体回収システム。
13. 前記乾燥抑制部材は、前記第２面の少なくとも一部に形成された凹凸部を含む請求項９〜１２のいずれか一項記載の液体回収システム。
14. 前記第１面は、前記回収流路に存在する液体と接触する請求項１〜１３のいずれか一項記載の液体回収システム。
15. 前記回収流路を負圧を調整する圧力調整装置を備える請求項１〜１４のいずれか一項記載の液体回収システム。
16. 前記物体は、前記基板を含む請求項１〜１５のいずれか一項記載の液体回収システム。
17. 液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
    請求項１〜１６のいずれか一項記載の液体回収システムを備える露光装置。
18. 前記第１多孔部材は、前記光路の周囲に配置される請求項１７記載の露光装置。
19. 請求項１７又は１８記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
20. 液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
    前記露光光を射出する光学部材の射出面と、前記射出面と対向する前記基板との間の光路を液体で満たすことと、
    前記光学部材と前記液体とを介して前記基板に露光光を照射することと、
    請求項１〜１６のいずれか一項記載の液体回収システムを用いて、前記基板上の液体を回収することと、を含む露光方法。
21. 請求項２０記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
    露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。

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