JP2010192794A - 固体撮像装置とその製造方法および撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン層11の裏面側から入射光を受光して光電変換する光電変換部12と、前記シリコン層11の表面側に前記光電変換部12で生成された信号電荷を出力する画素トランジスタ部13を有し、前記シリコン層11の表面側で平面レイアウト上前記光電変換部12にオーバラップする位置に応力を有するゲッタリング層16を有する。
【選択図】図1
Description
本構造は、配線層による入射光のケラレ現象が回避されるので、入射光の量子効率を改善できる。
これに対し、裏面照射型イメージセンサでは、その構造から、配線領域を形成する層が実動作時には受光部に対して裏面(背面)側に位置する状態となり、上記適用材料の制約が完全に払拭される利点を有する。
具体的なSOI基板の構成の一例としては、ベース基板上に酸化シリコン層を介して活性層となる数μmの厚さの単結晶シリコン層が形成されたものがある。上記酸化シリコン層は、上記裏面照射型イメージセンサを形成する際に、ベース基板を除去する際の選択性が確保される。
その中でも、特にノイズ成分の低減化の要求は強く、高品位の結晶確保に加えてウエハプロセス工程における金属汚染の抑制が極めて重要な要件となっている。
よって、イメージセンサの宿命とも言える、金属汚染起因によるノイズ成分の抑制が極めて困難な状況となっている。
一般的に、ゲッタリングサイトは特性劣化を懸念して、素子が形成される活性層から離された領域に形成される。具体的にはシリコン(Si)基板の裏面、もしくは活性層から数十μm離れた基板内部等に形成される。
そして製造プロセス中の熱処理時において期待される拡散現象によって、汚染種をゲッタリングサイトに至らしめて捕獲されることが要件となる。
また、手法によってはゲッタリングサイト形成を決定する条件(汚染種、結晶欠陥)が熱処理によって拡大(再分布)する現象の考慮が不可欠となる。
SOI基板では上記制約を受け、従来構造のイメージセンサにおいて適用が可能であった。複数のゲッタリング技術が適用困難と判断されている。
また、異種膜を形成する方法がある。この方法は、シリコン(Si)基板とは異なるポリシリコンや窒化シリコン(Si3N4)膜の応力歪をゲッターシンクとする方法である。
また、イオン注入またはレーザー照射による方法がある。この方法は、イオン注入またはレーザー照射によるダメージで形成されるクラック、転位、積層欠陥等をゲッターシンクとする方法である。いわゆる、炭素ゲッターはここに分類される。
さらに、塩酸ゲッター法がある。この方法は、塩素(Cl)を含むガス中で熱処理し、ウエハ中の重金属を揮発性塩化物に変えて、ウエハ中から除去する方法である。
[固体撮像装置の構成の一例]
本発明の第1実施の形態に係る固体撮像装置の構成の一例を、図1の概略構成断面図によって説明する。
上記素子分離領域15は、例えばSTI(Shallow Trench Isolation)構造となっている。また、画素部の素子分離領域15は、P型拡散層15Pとその上部に形成された絶縁膜(例えば酸化シリコン膜)15Iで形成されている。この絶縁膜15Iの深さは、周辺回路部14に形成された素子分離領域15の深さより浅く形成されている。
このゲッタリング層16は、上記シリコン層11表面に直接形成されている。
例えば、上記ゲッタリング層16は、上記シリコン層11表面に絶縁膜31が形成されている場合には、その絶縁膜31に形成された開口部32を通して形成されている。例えば、上記絶縁膜31は、例えば、上記画素トランジスタ部13のゲート絶縁膜もしくは上記周辺回路部14のゲート絶縁膜で形成されている。または、上記画素トランジスタ部13のゲート絶縁膜もしくは上記周辺回路部14のゲート絶縁膜と、各ゲート電極の側壁にサイドウォールを形成する絶縁膜で形成されていてもよい。または、他の用途の絶縁膜、例えばトランジスタ等を被覆して保護する保護膜を含んでいてもよい。
上記減圧CVD法によって成膜されたポリシリコン膜は、例えば、膜厚が500nmの場合、真性応力値が−200MPa程度となる。また、減圧CVD法によって成膜された窒化シリコン膜は、例えば、膜厚が300nmの場合、真性応力値が+1GPa程度となる。
したがって、上記ポリシリコン膜もしくは窒化シリコン膜は、引張応力もしくは圧縮応力を有する膜になる。
また、上記ゲッタリング層16は、減圧CVD法によって成膜されたアモルファスシリコン膜であってもよい。
さらには、上記ゲッタリング層16は、金属膜であってもよい。例えば、タングステン膜、タンタル膜を用いる。これらの膜は、例えば、単結晶シリコン(Si)中の拡散係数が銅やコバルト、ニッケル等よりも数桁以上低く、また、モリブデン、チタン、クロム、ニッケル、ルテニウム等の拡散係数よりも低い。したがって、タングステンやタンタルが単結晶シリコン中に拡散することはほとんどないといえる。
このように、上記ゲッタリング層16には、耐熱性に優れかつ拡散係数が小さく金属汚染の懸念を伴わない材料が適用できる。
また、図示はしていないが、例えば、リセットトランジスタ、増幅トランジスタおよび選択トランジスタの画素トランジスタ群が二つの光電変換部の共通の画素トランジスタとなっていてもよい。もしくは上記トランジスタ群が四つの光電変換部の共通の画素トランジスタとなっていてもよい。
[固体撮像装置の構成の一例]
本発明の第2実施の形態に係る固体撮像装置の構成の一例を、図2の概略構成断面図によって説明する。
上記素子分離領域15は、例えばSTI(Shallow Trench Isolation)構造となっている。また、画素部の素子分離領域15は、P型拡散層15Pとその上部に形成された絶縁膜(例えば酸化シリコン膜)15Iで形成されている。この絶縁膜15Iの深さは、周辺回路部14に形成された素子分離領域15の深さより浅く形成されている。
上記減圧CVD法によって成膜されたポリシリコン膜は、例えば、膜厚が500nmの場合、真性応力値が−200MPa程度となる。
また、上記ゲッタリング層16は、減圧CVD法によって成膜されたアモルファスシリコン膜であってもよい。
さらに、上記ゲッタリング層16は、金属膜であってもよい。例えば、周辺回路部14のゲート電極19がタングステン膜、タンタル膜等の金属膜で形成されている場合、この金属膜を用いる。これらの膜は、例えば、単結晶シリコン(Si)中の拡散係数が銅やコバルト、ニッケル等よりも数桁以上低く、また、モリブデン、チタン、クロム、ニッケル、ルテニウム等の拡散係数よりも低い。したがって、タングステンやタンタルが単結晶シリコン中に拡散することはほとんどないといえる。
このように、上記ゲッタリング層16には、耐熱性に優れかつ拡散係数が小さく金属汚染の懸念を伴わない導電性材料全てが適用できる。
また、図示はしていないが、例えば、リセットトランジスタ、増幅トランジスタおよび選択トランジスタの画素トランジスタ群が二つの光電変換部の共通の画素トランジスタとなっていてもよい。もしくは上記トランジスタ群が四つの光電変換部の共通の画素トランジスタとなっていてもよい。
[固体撮像装置の製造方法の第1例]
本発明の第3実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法の第1例を、図3および図4の製造工程断面図によって説明する。
上記、光電変換部、画素トランジスタ部、周辺回路部を形成する前に、図3(1)に示すように、シリコン基板からなるシリコン層11の表面に第1絶縁膜41を形成する。この第1絶縁膜41は、例えば酸化シリコン膜で形成され、例えばイオン注入のバッファ層である。もしくは、素子分離領域を形成する際の犠牲膜である。
次いで、上記第1絶縁膜41の上記光電変換部が形成される領域とオーバラップする位置に上記シリコン層11が露出する開口部42を形成する。
ついで、上記レジストマスクPRをエッチングマスクに用いて、上記シリコン層11に上記光電変換部、画素トランジスタ部および上記周辺回路部を分離する素子分離溝44を形成する。その後、上記レジストマスクPRを除去する。図面では、レジストマスクPRを除去する直前の状態を示した。
上記ゲッタリング形成層43上の余剰な上記第2絶縁膜45を除去して上記素子分離溝44内に残した上記第2絶縁膜45で素子分離領域15を形成する。
さらに、通常のレジストマスク(図示せず)を用いてエッチング加工によって、上記ゲッタリング形成層43を上記開口部42内に残すパターニングをしてゲッタリング層(エクストリンシックゲッタリング層)16を形成する。
また、ゲッタリング層16が素子分離領域15を形成する第2絶縁膜45を除去するときにストッパとなる。すなわち、素子分離領域15を形成する際のストッパ層をゲッタリング層16と共用することができる。
さらに、ゲッタリング層16を形成した後に、例えば、炉体を用いた不純物導入工程やアニール工程が加わるので、シリコン層11中の金属不純物の拡散によるゲッタリング効果の増大が期待できる。
本発明の第3実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法の第2例を、図5および図6の製造工程断面図によって説明する。
次に、上記シリコン層11に、入射光を受光して光電変換する光電変換部12を形成する。
さらに、上記シリコン層11に、上記光電変換部12で生成された信号電荷を出力する画素トランジスタ部、および上記光電変換部12と上記画素トランジスタ部を有する画素部の周辺に形成される周辺回路部を形成する工程を有する。
次に、上記開口部52内を含む上記ゲート絶縁膜51上に、応力を有するゲッタリング層を兼用するゲート電極形成膜53を形成する。このゲート電極形成膜53は、例えば減圧CVD法によるポリシリコン膜で形成することができる。例えば、このようなポリシリコン膜で形成することで、このポリシリコン膜は、例えば−200MPa程度の応力を有する膜となる。
また、画素トランジスタ部および周辺回路部のゲート電極形成膜53がゲッタリング層16と共通の膜で形成されることから、新たにゲッタリング層16を形成する膜が必要とならないので、工程数の増加がない。
本発明の第3実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法の第3例を、図7および図8の製造工程断面図によって説明する。
次に、上記シリコン層11に、入射光を受光して光電変換する光電変換部12を形成する。
さらに、上記シリコン層11に、上記光電変換部12で生成された信号電荷を出力する画素トランジスタ部、および上記光電変換部12と上記画素トランジスタ部を有する画素部の周辺に形成される周辺回路部を形成する工程を有する。
次に、上記開口部62底部の上記シリコン層11表面に、応力を有するゲッタリング層(エクストリンシックゲッタリング層)16を形成する。このゲッタリング層16は、例えば、上記開口部62内を含む上記サイドウォール形成膜61上に応力を有するゲッタリング形成層43を形成する。このゲッタリング形成層43は、減圧CVD法により成膜されたポリシリコン膜、減圧CVD法により成膜された窒化シリコン膜、もしくは金属膜で形成される。
一例として、上記減圧CVD法によって成膜されたポリシリコン膜は、例えば、膜厚が500nmの場合、真性応力値が−200MPa程度となる。また、減圧CVD法によって成膜された窒化シリコン膜は、例えば、膜厚が300nmの場合、真性応力値が+1GPa程度となる。
したがって、上記ポリシリコン膜もしくは窒化シリコン膜は、引張応力もしくは圧縮応力を有する膜になる。
また、上記ゲッタリング層16は、減圧CVD法によって成膜されたアモルファスシリコン膜であってもよい。
さらに、上記ゲッタリング層16は、金属膜であってもよい。例えば、タングステン膜、タンタル膜を用いる。これらの膜は、例えば、単結晶シリコン(Si)中の拡散係数が銅やコバルト、ニッケル等よりも数桁以上低く、また、モリブデン、チタン、クロム、ニッケル、ルテニウム等の拡散係数よりも低い。したがって、タングステンやタンタルが単結晶シリコン中に拡散することはほとんどないといえる。
このように、上記ゲッタリング層16には、耐熱性に優れかつ拡散係数が小さく金属汚染の懸念を伴わない材料全てが適用できる。
また、上記シリコン層11が上記サイドウォール形成膜61で被覆された状態で、上記シリコン層11表面が露出された上記開口部62に、ゲッタリング層16が形成されるので、ゲッタリング層16に応力が大きい金属膜を用いることが可能になる。そして、ゲッタリング層16に金属を用いても、シリコン層11の全面がサイドウォール形成膜61で被覆されているので、シリコン層11を金属汚染することはない。また、金属膜には、
シリコン層11中の拡散係数が極めて低いタングステン膜やタンタル膜を用いることから、金属膜によってシリコン層11を汚染することはない。
[固体撮像装置の製造方法の一例]
本発明の第4実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法の一例を、図9および図10の製造工程断面図によって説明する。
次に、上記シリコン層11に、入射光を受光して光電変換する光電変換部12を形成する。
さらに、上記シリコン層11に、上記光電変換部12で生成された信号電荷を出力する画素トランジスタ部、および上記光電変換部12と上記画素トランジスタ部を有する画素部の周辺に形成される周辺回路部を形成する工程を有する。
また、上記ゲッタリング層16が上記シリコン層11上にゲート絶縁膜51を介して形成され、そのゲッタリング層16に上記電極18が接続されることから、電極18を通じてゲッタリング層16に負電位を印加することができる。このようにゲッタリング層16に負の電位が印加されると、ゲッタリング層16近傍の上記シリコン層11に正孔を電気的に集めることが可能になって、ホール蓄積層(ホールアキュミレーション層)(図示せず)が形成される。このホール蓄積層が形成されることによって、光電変換部12の白点が抑制され、また暗電流の発生が抑制される。ゲッタリング層16には、1.1V〜1.2V程度を印加すれば十分である。
特に、本発明のゲッタリング効果が熱拡散現象に依存する現象であるため、高温かつ長時間の熱処理工程が加わる工程の前に上記ゲッタリング層16が形成された場合に、特に高いゲッタリング効果が期待できる。上記いずれの製造方法でも、通常、トランジスタ形成で行われるイオン注入後の熱処理工程前に、上記ゲッタリング層16が形成されているので、十分なゲッタリング効果が得られる。
さらに、イオン注入による光電変換部12の形成工程や、イオン注入による画素分離工程時に、減圧CVD法による成膜された窒化シリコン膜もしくはポリシリコン膜が形成されている。これらの膜越しにイオン注入を実施することでノックオン起因による、汚染種の混入を防止することができ、副次的な効果も期待できる。
SOI基板を用いた本発明に係る裏面照射型の固体撮像装置の製造方法の一例を、図11の製造工程断面図によって説明する。
図11(1)に示すように、SOI基板80は、可視光領域に対する光電変換効率を考慮して、ベース基板81上に形成された酸化シリコン層82(BOX層)を介して、数μmの単結晶シリコン層83を有する。
例えば、上記単結晶シリコン層83に光電変換部を形成するには、少なくとも3μm以上の厚さが必要である。
特に長波長の感度を有する光電変換部は6μm程度のシリコン層の膜厚が必要であるので、上記単結晶シリコン層83を6μm〜8μm程度の厚さに形成することで、長波長に感度を有する光電変換部を形成することが可能になる。
次に、図11(2)に示すように、上記単結晶シリコン層83(シリコン層11に相当)に、光電変換部12、転送ゲートTGおよび周辺回路部(図示せず)を形成する。この工程で、本発明の製造方法を適用することができる。
そして上記層間絶縁膜133の表面を平坦化する。この平坦化は、例えば化学的機械研磨によって行う。これによって、上記層間絶縁膜133の表面を支持基板との貼り合せに適合した表面状態にする。
なお、上記層間絶縁膜133上に上記のように平坦化される保護膜(図示せず)を形成してもよい。
次に、図11(3)に示すように、上記配線層131上に支持基板114を張り合わせる。上記支持基板114には、シリコン基板を用いる。もしくはガラス基板もしくは樹脂基板を用いることもできる。
このときの接合には、耐熱性樹脂での接着やプラズマ処理による接着を用いる。
次に、図11(4)に示すように、上記SOI基板80の母体であるベース基板81(2点鎖線で示す)を機械的研磨法により薄化する。
続いて、化学的処理(例えば、エッチング)によって、残っていたベース基板81を除去し、SOI基板80を構成していた酸化シリコン層82(2点鎖線で示す)を除去する。
その結果、光電変換領域となる単結晶シリコン層83(活性層)表面が露出され、裏面照射型とする。
次に、図11(5)に示すように、上記単結晶シリコン層83側から上記配線層131に電極取り出しの開口部116を形成する。
上記光電変換部12に入射される光の光路上で上記単結晶シリコン層83上にカラーフィルター141を形成する。
さらに上記カラーフィルター141上に入射光を上記光電変換部12に導くマイクロレンズ151を形成する。
このようにして、積層型全開口CMOSセンサの固体撮像装置1、2が形成される。
次に、エピタキシャル成長基板を用いた裏面照射型の固体撮像装置の製造方法の一例を、図12の製造工程断面図によって説明する。
図12(1)に示すように、シリコン基板111を用意する。
次いで、上記シリコン基板111上にシリコンエピタキシャル成長層112(シリコン層11に相当)を形成する。
上記エピタキシャル成長は、例えば基板温度を1100℃にして、例えば約8μmのシリコンエピタキシャル成長層を形成する。このシリコンエピタキシャル成長層112の膜厚は、適宜選択される。
例えば、上記シリコンエピタキシャル成長層112に光電変換部を形成するには、少なくとも3μm以上の厚さが必要である。特に長波長の感度を有する光電変換部は6μm程度のシリコン層の膜厚が必要であるので、上記シリコンエピタキシャル成長層112を6μm〜8μm程度の厚さに形成することで、長波長に感度を有する光電変換部を形成することが可能になる。
次に、図12(2)に示すように、上記シリコンエピタキシャル成長層112に、光電変換部12、転送ゲートTGおよび周辺回路部(図示せず)を形成する。この工程で、本発明の製造方法を適用することができる。
そして上記層間絶縁膜133の表面を平坦化する。この平坦化は、例えば化学的機械研磨によって行う。
これによって、上記層間絶縁膜133の表面を支持基板との貼り合せに適合した表面状態にする。なお、上記層間絶縁膜133上に上記のように平坦化される保護膜(図示せず)を形成してもよい。
次に、図12(3)に示すように、イオン注入によって上記シリコン基板111中にスプリット層113を形成する。例えば、このスプリット層113は、シリコン基板111側より例えば0.1μm〜1μm程度の範囲内で後の工程におけるシリコン基板111の剥離ができるように形成される。
上記イオン注入では、水素イオンを注入することにより、スプリット面となる脆弱な上記スプリット層13が形成される。
例えば、水素を数百keVのエネルギーで、その投影飛程Rp(Project Range)が1μm弱となるように、上記イオン注入条件を設定する。
上記イオン注入では、水素以外の不純物を用いることも可能である。例えば、ヘリウム(He)等の不活性元素を用いることができる。
また、上記注入エネルギーは、可視光、特に長波長域に対する光電変換効率を考慮して、例えば、1MeV以下が本発明の対象領域となる。その際、シリコン基板111を剥離した後の支持基板側に残されるシリコン基板111からなるシリコン層の表面を研磨する研磨代を考慮しておくことが必要である。
次に、図12(4)に示すように、上記配線層131上に支持基板114を張り合わせる。
上記支持基板114には、シリコン基板を用いる。もしくはガラス基板もしくは樹脂基板を用いることもできる。
このときの接合には、耐熱性樹脂での接着やプラズマ処理による接着を用いる。
次に、図12(5)に示すように、上記スプリット層113(前記図12(3)参照)で上記シリコン基板111(前記図12(3)参照)側を剥離する。
この結果、支持基板114側のシリコンエピタキシャル成長層112上にシリコン基板111からなるシリコン膜115が形成される。
上記シリコン基板111の剥離は、例えば、400℃未満の熱処理による熱衝撃により行う。または、窒素(N2)ブロー、もしくは、純水ジェット流を用いた物理的衝撃の付与にて行う。
このように、400℃以下での処理が可能となる。
そして、イオン注入による注入イオンの体積膨張により形成されるスプリット層113は、脆弱な層となっていることから、スプリット層113でのシリコン基板111の剥離が容易になっている。
次に、図12(6)に示すように、上記シリコン膜115(前記図1(5)参照)の表面(スプリット面)を平坦化処理する。この平坦化処理は、例えば、水素アニールと研磨によって行なう。この研磨は、例えば、化学的機械研磨(CMP)を用いる。
このとき、図示したように、シリコン膜115を除去し、シリコンエピタキシャル成長層112表面を露出させる。
このようにして、シリコンエピタキシャル成長層112(シリコン層11)の表面の粗さを改善する加工を行い、受光面とする。
次に、図12(7)に示すように、上記シリコンエピタキシャル成長層112側から上記配線層131に電極取り出しの開口部116を形成する。上記光電変換部12に入射される光の光路上で上記シリコンエピタキシャル成長層112上にカラーフィルター層141を形成する。
さらに上記カラーフィルター141上に入射光を上記光電変換部12に導くマイクロレンズ151を形成する。
このようにして、積層型全開口CMOSセンサの固体撮像装置1、2が形成される。
[撮像装置の構成の一例]
本発明の第5実施の形態に係る撮像装置の構成の一例を、図15のブロック図によって説明する。
Claims (9)
- シリコン層の裏面側から入射光を受光して光電変換する光電変換部と、
前記シリコン層の表面側に前記光電変換部で生成された信号電荷を出力する画素トランジスタ部を有し、
前記シリコン層の表面側で平面レイアウト上前記光電変換部にオーバラップする位置に応力を有するゲッタリング層を有する
固体撮像装置。 - 前記ゲッタリング層は、前記シリコン層表面に直接形成されている
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記ゲッタリング層は、前記シリコン層との間にゲート絶縁膜を介して形成され、
前記ゲッタリング層に負電位が印加される
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記ゲート絶縁膜は、前記画素トランジスタ部のトランジスタのゲート絶縁膜、もしくは前記光電変換部と前記画素トランジスタ部を有する画素部の周囲に形成される周辺回路部のトランジスタのゲート絶縁膜のいずれかのゲート絶縁膜と同一層のゲート絶縁膜で形成されている
請求項3記載の固体撮像装置。 - シリコン層に、入射光を受光して光電変換する光電変換部、前記光電変換部で生成された信号電荷を出力する画素トランジスタ部、および前記光電変換部と前記画素トランジスタ部を有する画素部の周辺に形成される周辺回路部を形成する工程を有し、
前記工程の前に、前記シリコン層の表面に第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜の前記光電変換部が形成される領域とオーバラップする位置に前記シリコン層が露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部内を含む前記第1絶縁膜上に応力を有するゲッタリング形成層を形成する工程と、
前記シリコン層に前記光電変換部、前記画素トランジスタ部および前記周辺回路部を分離する素子分離溝を形成した後、前記素子分離溝が埋め込まれる第2絶縁膜を前記ゲッタリング層上に形成する工程と、
前記ゲッタリング層上の余剰な上記第2絶縁膜を除去して前記素子分離溝内に残した前記第2絶縁膜で素子分離領域を形成する工程と、
前記ゲッタリング形成層を前記開口部内に残すパターニングをしてゲッタリング層を形成する工程を有する
固体撮像装置の製造方法。 - シリコン層に、入射光を光電変換して信号電荷を得る光電変換部を形成する工程と、
前記シリコン層に、前記光電変換部で生成された信号電荷を出力する画素トランジスタ部、および前記光電変換部と前記画素トランジスタ部を有する画素部の周辺に形成される周辺回路部を形成する工程を有し、
前記画素トランジスタ部のトランジスタもしくは前記周辺回路部のトランジスタのいずれかのゲート絶縁膜を前記シリコン層の表面に形成した後、
前記ゲート絶縁膜の前記光電変換部が形成される領域とオーバラップする位置に前記シリコン層が露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部内を含む前記ゲート絶縁膜上に応力を有するゲッタリング層を兼用するゲート電極形成膜を形成する工程と、
前記ゲート電極形成膜で前記画素トランジスタ部および前記周辺回路部の少なくとも一方のゲート電極を形成するともに、前記ゲート電極形成膜を前記開口部内に残すパターニングをしてゲッタリング層を形成する工程を有する
固体撮像装置の製造方法。 - シリコン層に、入射光を光電変換して信号電荷を得る光電変換部を形成する工程と、
前記シリコン層に、前記光電変換部で生成された信号電荷を出力する画素トランジスタ部、および前記光電変換部と前記画素トランジスタ部を有する画素部の周辺に形成される周辺回路部を形成する工程を有し、
前記シリコン層上に、ゲート絶縁膜を介して、前記画素トランジスタ部のトランジスタおよび前記周辺回路部のトランジスタのゲート電極を形成する工程の後、前記ゲート電極の側壁にサイドウォールを形成する工程は、
前記シリコン層上に前記ゲート電極を被覆するサイドウォール形成膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜および前記サイドウォール形成膜の前記光電変換部が形成される領域とオーバラップする位置に前記シリコン層が露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部底部の前記シリコン層表面に、応力を有するゲッタリング層を形成する工程を有する
固体撮像装置の製造方法。 - シリコン層に、入射光を光電変換して信号電荷を得る光電変換部を形成する工程と、
前記シリコン層に、前記光電変換部で生成された信号電荷を出力する画素トランジスタ部、および前記光電変換部と前記画素トランジスタ部を有する画素部の周辺に形成される周辺回路部を形成する工程を有し、
前記シリコン層上に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極形成膜で、前記画素トランジスタ部のトランジスタおよび前記周辺回路部のトランジスタのゲート電極を形成する工程で、前記光電変換部が形成される領域とオーバラップする前記ゲート絶縁膜上の位置に前記ゲート電極形成膜で応力を有するゲッタリング層を形成し、
その後、前記ゲート電極および前記ゲッタリング層を被覆する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を貫通して前記ゲート電極および前記ゲッタリング層に通じる電極を形成する工程を有する
固体撮像装置の製造方法。 - 入射光を集光する集光光学部と、
前記集光光学部で集光した光を受光して光電変換する固体撮像装置を有する撮像部と、
光電変換された信号を処理する信号処理部を有し、
前記固体撮像装置は、
シリコン層の裏面側から入射光を受光して光電変換する光電変換部と、
前記シリコン層の表面側に前記光電変換部で生成された信号電荷を出力する画素トランジスタ部を有し、
前記シリコン層の表面側で平面レイアウト上前記光電変換部にオーバラップする位置に応力を有するゲッタリング層を有する
撮像装置。
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