JP2010192514A - セラミック配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】部品を搭載するための平面領域を含むセラミック配線基板の製造方法であって、前記セラミック配線基板の、上記平面領域を研磨加工して平坦化する工程と、前記セラミック配線基板に熱処理を施し、前記研磨加工によって破断した前記面のセラミック破砕を融着させる工程と、を具える。
【選択図】図3
Description
部品を搭載するための平面領域を含むセラミック配線基板の製造方法であって、
前記セラミック配線基板の、上記平面領域を研磨加工して平坦化する工程と、
前記セラミック配線基板に熱処理を施し、前記研磨加工によって破断した前記面のセラミック破砕を融着させる工程と、
を具えることを特徴とする、セラミック配線基板の製造方法に関する。
<グリーンシートの作製>
90重量%のAl2O3及びSiO2、MgO、CaOの合計が10重量%からなるガラス成分(焼結助剤)(融点:約900℃)からなるセラミック材料を総量で1kgとなるようにしてアルミナ製のポットに入れ、さらにアクリル樹脂バインダ120g、溶剤(MEK)及び可塑剤(DOP)を前記ポットに入れて、5時間混合し、セラミックスラリーを得た。次いで、このセラミックスラリーからドクターブレード法により厚み0.15mmのグリーンシートを得た。次いで、前記グリーンシートを1550℃で30分間焼成し、セラミック焼結体を得た。
上述のようにして得たセラミック基板の研磨面に対して粘着テープを貼付し、ピーリングテストを実施した。その結果、前記粘着テープに付着したダストの数は23個/(1mm×1mm)cm2であることが判明した。また、1000倍のSEM写真によって観察した場合に、上記研磨に起因して発生したセラミック破砕が脱落した窪みが認識できなかった(図4)。
前記熱処理温度を1000℃から1400℃に代えた以外は、実施例1と同様にしてセラミック基板を作製し、評価した。その結果、粘着テープに付着したダストの数は20個/(1mm×1mm)cm2であることが判明した。また、1000倍のSEM写真によって観察した場合に、上記研磨に起因して発生したセラミック破砕が脱落した窪みが認識できなかった。
前記熱処理温度を1000℃から1500℃に代えた以外は、実施例1と同様にしてセラミック基板を作製し、評価した。その結果、粘着テープに付着したダストの数は24個/(1mm×1mm)cm2であることが判明した。また、1000倍のSEM写真によって観察した場合に、上記研磨に起因して発生したセラミック破砕が脱落した窪みが認識できなかった。
上記熱処理を実施しない以外は、実施例1と同様にしてセラミック基板を作製し、評価した。その結果、粘着テープに付着したダストの数は667個/(1mm×1mm)cm2であることが判明した。また、1000倍のSEM写真によって観察した場合に、上記研磨に起因して発生したセラミック破砕が脱落した窪みが認識できなかった(図5の白丸の領域)。
111,112,113 グリーンシート
115 ワイヤーボンディングパッド
116 パッド
117 導体層
21 セラミック焼結体
211,212,213 セラミック層
Claims (4)
- 部品を搭載するための平面領域を含むセラミック配線基板の製造方法であって、
前記セラミック配線基板の、上記平面領域を研磨加工して平坦化する工程と、
前記セラミック配線基板に熱処理を施し、前記研磨加工によって破断した前記面のセラミック破砕を融着させる工程と、
を具えることを特徴とする、セラミック配線基板の製造方法。 - 前記熱処理は、前記セラミック配線基板を構成する焼結助剤の融点よりも50℃以上高く、前記セラミック配線基板の焼結温度よりも50℃以上低い温度で行うことを特徴とする、請求項1に記載のセラミック配線基板の製造方法。
- 前記セラミック配線基板は、アルミナを90重量%以上含むアルミナ系セラミックスからなることを特徴とする、請求項1又は2に記載のセラミック配線基板の製造方法。
- 前記部品が光学系レンズであることを特徴とする、請求項1に記載のセラミック配線基板の製造方法。
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JP2008258214A (ja) * | 2007-03-31 | 2008-10-23 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子実装用多層配線基板とその製造方法 |
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