JP2008060332A - 積層セラミック基板の製造方法及び積層セラミック基板 - Google Patents

Abstract

【課題】焼成時の収縮を抑制するための拘束層を、焼成後容易に除去することができ、基板面上に拘束層の残渣物が付着するのを防止する。
【解決手段】セラミックグリーンシートを積層して焼成する積層セラミック基板の製造方法であって、セラミックグリーンシートを積層して、上面及び下面の少なくとも一方に金属配線パターンが設けられたセラミックグリーンシート積層体を作製する工程と、セラミックグリーンシート積層体の上面及び下面にガラス層を積層し、該ガラス層の上に難焼結性無機材料からなる拘束層を積層する工程と、ガラス層及び拘束層を積層したセラミックグリーンシート積層体を焼成する工程と、焼成後、拘束層及びガラス層を除去する工程とを備え、ガラス層を除去する工程が、エッチング液によりエッチング除去する工程であり、金属配線パターンが設けられた面が露出するまでガラス層をエッチング除去する。
【選択図】図４

Description

本発明は、セラミックグリーンシートを積層して焼成する積層セラミック基板の製造方法及び積層セラミック基板に関するものである。

近年普及している携帯電話などの移動体通信機器や携帯通信端末においては、その小型化への要求から、使用される回路部品も小型化及び高性能化が求められている。

この回路基板においては、従来のプリント基板にコンデンサやインダクタを表面実装したモジュールに代わって、配線ラインやコンデンサ等の導電パターンを形成して積層し、小型化を図った積層セラミック基板が用いられるようになってきている。

この積層セラミック基板は、ガラスセラミック等のグリーンシートを積層し圧着して積層体とした後これを焼成して作製されるが、グリーンシートにスクリーン印刷法等で所定の配線パターンを形成しておくことにより、基板内部に、配線ライン、Ｌ成分、Ｃ成分等が形成される。これにより、配線を高密度化することができ、ディスクリート部品（表面実装部品ＳＭＤ）として搭載されるインダクタやコンデンサの数を減らすことができ、回路モジュールを小型化することができる。

配線パターンを形成するための導電材料として、Ａｇ等の低抵抗材料を用いる場合、１０００℃以下の低温で焼結可能な低温焼成セラミック材料を用いることが好ましい。

この低温焼成セラミック材料を含め、セラミック材料を焼成する工程においては、収縮が生じるため、この収縮のばらつきにより、寸法精度が低下するという問題があった。例えば、焼成温度が１５００℃程度のアルミナセラミックでは±０．８％、焼成温度が１０００℃またはそれ以下の低温焼成セラミック材料では±０．３％程度の寸法のばらつきが生じる。このような焼成時の収縮による寸法のばらつきが生じると、例えば、基板の上にチップを実装する際に実装するチップと配線パターンとの間で位置ずれが生じ、チップの電極と基板の電極が接触せず導通不良を生じるなどの問題が発生する。

上記の問題を解決するため、セラミックグリーンシート積層体を焼成する際に、セラミックグリーンシート積層体に、焼成温度では焼結しにくい難焼結性無機材料からなる拘束層を積層し、この状態で焼成することにより焼成時におけるセラミックグリーンシートの収縮を抑制する方法が提案されている（例えば特許文献１〜３など）。

このような方法において、焼成後不要となった拘束層は、例えばサンドブラスト加工により除去されている。特許文献２においては、ガラスと溶剤を含む密着剤層を介在させて拘束層を積層させているが、〔００５６〕に記載されているように、焼成後拘束層及び密着剤層をブラスト加工により除去している。拘束層は焼成温度で焼結しない材料であるため、焼成後においても非常に脆く、サンドブラスト処理等によって容易に除去することができる。

しかしながら、拘束層をサンドブラスト処理などによって除去した後、拘束層の残渣物が基板表面上に残り、この残渣物が基板表面にチップ等を実装する際にチップとの導通性を阻害するという問題があった。この拘束層の残渣物は、低温焼成セラミックに含まれる低融点の成分によって基板表面に強固に付着したり、配線パターンの金属材料中に埋もれるなどして、基板表面に強固に付着しており、この残渣物を取り除くためには、さらにサンドブラストや研磨等の工程を行う必要が生じる。このような工程を行うと生産工程が複雑化し、コストアップの要因になるとともに、基板の厚み不良の原因ともなる。
特開平４−２４３９７８号公報 特開２００２−９４３８号公報 特開２００１−１１９１４３号公報

本発明の目的は、焼成時の収縮を抑制するための拘束層を、焼成後容易に除去することができ、除去後、拘束層の残渣物が付着しにくい積層セラミック基板の製造方法、及び該製造方法によって得られる、電子部品等の実装が容易な積層セラミック基板を提供することにある。

本発明の積層セラミック基板の製造方法は、セラミックグリーンシートを積層して焼成する積層セラミック基板の製造方法であって、セラミックグリーンシートを積層して、上面及び下面の少なくとも一方に金属配線パターンが設けられたセラミックグリーンシート積層体を作製する工程と、セラミックグリーンシート積層体の上面及び下面にガラス層を積層し、該ガラス層の上に難焼結性無機材料からなる拘束層を積層する工程と、ガラス層及び拘束層を積層したセラミックグリーンシート積層体を焼成する工程と、焼成後、拘束層及びガラス層を除去する工程とを備え、ガラス層を除去する工程が、エッチング液によりエッチング除去する工程であり、金属配線パターンが設けられた面において、金属配線パターンが露出するまでガラス層をエッチング除去することを特徴としている。

本発明によれば、ガラス層を介して拘束層を積層しており、焼成後、ガラス層をエッチング液により除去するため、拘束層の残渣物が基板表面上に付着するのを防止することができる。

本発明においては、拘束層を物理的に除去した後、ガラス層をエッチング液によりエッチング除去することができる。拘束層を物理的に除去した際に、ガラス層の上に拘束層の残渣物が付着しても、このガラス層をエッチング液によりエッチング除去するため、基板上には拘束層の残渣物が付着することはない。拘束層の物理的除去は、例えば、サンドブラスト加工、研磨加工、超音波加工により行うことができる。

また、本発明においては、焼成後のガラス層及び拘束層が積層された状態で、ガラス層をエッチングすることにより、拘束層とガラス層を同時に除去してもよい。

この場合には、ウェットブラストや研磨等のプロセスが不要で、セラミック基板を液に浸漬するだけでよく、工程が極めて簡素である。

本発明において、ガラス層は、エッチング液により除去することができる材料から形成される。エッチング液としては、特に限定されないが、例えば、酸またはアルカリ溶液が用いられる。従って、このような場合、ガラス層としては、酸またはアルカリ溶液でエッチング除去することができる材料が用いられる。

セラミックグリーンシートが、ガラス成分とセラミック成分を含む場合、エッチング液としては、このガラス成分を溶解しないエッチング液を用いることが好ましい。

本発明においては、セラミックグリーンシート積層体の上面及び下面にガラス層を積層し、該ガラス層の上に拘束層を積層するが、予めガラス層と拘束層を積層しておき、この積層体をセラミックグリーンシート積層体の上面及び下面に積層してもよい。

本発明において用いる拘束層は、セラミックグリーンシート積層体の焼成温度で焼結しない無機材料、すなわち、難焼結性無機材料から形成される。このような難焼結性無機材料としては、Ａｌ_２Ｏ_３及びＳｉＯ_２から選ばれる少なくとも一種が挙げられる。拘束層は、このような難焼結性無機材料に、有機バインダ、可塑剤、溶剤等を加えたスラリーを作製し、このスラリーを直接塗布するか、あるいはこのスラリーからグリーンシートを形成することにより作製することができる。

本発明において、ガラス層は、上述のように、エッチング液によって溶解し、除去することができるガラス材料から形成される。上述のように、セラミックグリーンシートが、ガラス成分とセラミック成分を含む場合、セラミックグリーンシート中のガラス成分を溶解しないエッチング液を用いることが好ましい。一般にセラミックグリーンシート中のガラス成分は、アルカリ溶液によって溶解するものが多いので、エッチング液としては酸を
用いることが好ましく、このような酸によって溶解するガラス材料からガラス層を形成することが好ましい。

酸によってエッチング除去することができるガラスとしては、ＺｎＯを含む結晶化ガラスや、ＺｎＯ−ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３系ガラスやＺｎＯ−ＳｉＯ_２系ガラスなどのＺｎＯを含む非晶質ガラスが挙げられる。従って、これらのガラス材料からガラス層を形成することが好ましい。

ガラス層は、ガラス粒子に、有機バインダ、溶剤等を加えたスラリーを調製し、このスラリーを塗布することにより形成することができる。この場合、セラミックグリーンシート積層体の上にこのようなガラススラリーを塗布してガラス層を形成してもよいし、上述のように、拘束層にこのようなガラススラリーを塗布し、拘束層とガラス層の積層体を形成し、この積層体をセラミックグリーンシートの上に積層してもよい。

本発明において、拘束層の厚みは、焼成時におけるセラミックグリーンシート積層体の収縮を抑制することができる厚みであれば特に限定されるものではないが、一般的にはセラミックグリーンシート積層体の厚みの１０％〜５０％の範囲内であることが好ましい。

または、ガラス層の厚みは、拘束層の残渣物が基板上に付着するのを防止することができる厚みであればよく、一般的には５〜５０μｍの範囲であることが好ましく、さらに好ましくは２０〜３０μｍの範囲である。

本発明におけるセラミックグリーンシートは、従来より積層セラミック基板を形成するためのセラミックグリーンシートとして用いられているものを使用することができ、特に限定されるものではない。例えば、８５０℃〜１０００℃の低温で焼結可能な低温焼成セラミック材料を用いる場合には、アルミナなどのセラミック粉末とガラス粉末から形成される。このようなガラスセラミック材料としては、硼珪酸ガラスからなるガラス成分と、アルミナからなるセラミック成分を用いたものなどが挙げられる。

また、ガラスセラミック以外の低温焼成セラミック材料として、アルミナとＣｕＯとＴｉＯ_２とＳｉＯ_２とＢｉ_２Ｏ_３とを複合したセラミック材料が挙げられる。このセラミック材料は、低温焼成アルミナセラミックとして、８０〜９８重量％のアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）にＣｕＯとＴｉＯ_２とＳｉＯ_２とＢｉ_２Ｏ_３を焼成助剤として添加したセラミック粉体に、バインダとしてポリビニルブチラールを加えて混合したセラミックグリーンシートから形成することができる。その焼成体は、上記のガラスセラミックよりも高い強度が実現できる。

本発明において、金属配線パターンは、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ等の導電性金属材料から形成することができ、これらを含むペーストをスクリーン印刷法等で印刷することにより形成することができる。

本発明の積層セラミック基板は、上面及び下面の少なくとも一方に金属配線パターンが設けられた積層セラミック基板であって、金属配線パターンが形成されている領域以外の領域にガラス層が設けられており、該ガラス層により金属配線パターンと基板面との段差が低減されていることを特徴としている。

本発明の積層セラミック基板は、上記本発明の製造方法により製造することができる。

本発明の積層セラミック基板においては、金属パターンが形成されている領域以外の領域にガラス層が設けられており、該ガラス層により金属配線パターンと基板面との段差が低減されている。このため、金属配線パターンが設けられている基板表面がよりフラットになり、チップ等を実装しやすくなる。また、金属配線パターンと基板面との段差が低減されているので、この部分に塵などが付着しにくくなり、また付着した場合にも容易に取り除くことができる。

本発明の積層セラミック基板におけるガラス層は、特に限定されるものではないが、例えば、ＺｎＯを含む結晶化ガラスや、ＺｎＯを含む非晶質ガラスなどから形成することができる。

また、本発明における積層セラミック基板は、特に限定されるものではなく、従来から知られている材料を用いて形成することができるが、例えば、硼珪酸ガラスとアルミナを複合して焼成したガラスセラミックや、アルミナとＣｕＯとＴｉＯ_２とＳｉＯ_２とＢｉ_２Ｏ_３とを複合して焼成したセラミックなどから形成することができる。

本発明によれば、焼成時の収縮を抑制するための拘束層を焼成後容易に除去することができ、プロセスの簡素化が実現できる。また、拘束層の残渣物等が基板表面に付着するのを防止することができるため、焼成後の洗浄工程や検査工程を簡略化できる。また、塵埃の防止により、電子部品等の実装が確実にかつ容易に行うことができるため、性能向上及び歩留りの向上に大きく寄与できる。

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

図１〜図３は、本発明の積層セラミック基板の製造工程の一実施例を示す斜視図であり、図４は模式的断面図である。

図１（ａ）に示すように、低温焼成セラミック材料のグリーンシート１の上に、スクリーン印刷法で所定の金属配線パターン２をそれぞれ形成し、これらのセラミックグリーンシート１を積層し圧着することにより、図１（ｂ）に示すセラミックグリーンシート積層体３を得る。

次に、図２（ｃ）に示すように、セラミックグリーンシート積層体３の上面３ａ及び下面３ｂの上に、ガラス粉体を含有したスラリーを塗布することにより、ガラス層４をそれぞれ形成する。

次に、図２（ｄ）に示すように、セラミックグリーンシート積層体３の上面及び下面の上に積層したガラス層４の上に、積層セラミック基板の焼成温度で焼結しないアルミナグリーンシートからなる拘束層５をそれぞれ積層して圧着する。これを９００℃〜１０００℃の範囲内の温度で焼成して、図３に示す積層セラミック基板６が得られる。拘束層５は、焼成温度で焼結されない材料から形成されているので、積層セラミック基板６は、焼結時において、面方向の収縮が抑制され、焼成時の収縮によるばらつきを低減することができる。

焼成後においては、図３に示すように、積層セラミック基板６の上面及び下面にガラス層４及び拘束層５が積層された状態である。従って、表面に金属配線パターンが露出するように、拘束層５、及びガラス層４の一部を除去する必要がある。

図４は、拘束層５、及びガラス層４の一部を除去する工程を示す模式的断面図である。図４（ａ）に示す拘束層５及びガラス層４が積層された積層セラミック基板６に対して、図４（ｂ）に示すように、機械的な力を加え、拘束層５を物理的に除去する。図４（ｂ）では、サンドブラスター１０を用い、サンドブラスト加工により、拘束層５を除去している。積層セラミック基板６の両側の拘束層５を、このようにサンドブラスト加工で除去した後、図４（ｃ）に示すように、エッチング液１１中に浸漬する。

図４（ｃ）に示すように、拘束層５はサンドブラスト加工により除去されるが、完全には除去することはできず、ガラス層４の上には拘束層５の残渣物５ａが付着した状態である。この状態でエッチング液１１に浸漬することにより、ガラス層４を溶解してガラス層４をエッチング除去して、図４（ｄ）に示す状態とする。すなわち、エッチング液１１により図４（ｄ）に示すように、金属配線パターン２が露出するまでガラス層４を除去する。以下、図６及び図７を参照してさらに詳細に説明する。

図６は、ガラス層４の上に拘束層の残渣物５ａが付着した状態を示している。この状態で、エッチング液を用いてガラス層２を除去することにより、拘束層の残渣物５ａを取り除くことができる。

図７は、エッチング液により、金属配線パターン２が露出するまで、ガラス層４を除去した後の状態を示す断面図である。図７に示すように、金属配線パターン２が形成されている領域以外の領域にガラス層４が設けられており、ガラス層４により、金属配線パターン２と基板面６ａとの段差が低減されている。

図８は、拘束層が直接積層セラミック基板６の上に設けられている、従来の場合を示しており、従来は、拘束層の残渣物５ａが、積層セラミック基板６の基板面６ａや金属配線パターン２の表面や内部に強固に付着しており、このような拘束層５ａが付着した積層セラミック基板の上に電子部品（チップ）等を実装する場合、このような残渣物５ａが障害となり、電子部品等を良好な状態で実装することができなかった。

また、図９に示すように、従来においては、基板面６ａと金属配線パターン２との間の段差が大きいため、金属配線パターン２の周辺部に汚れ１２等が付着しやすいという問題があった。また、基板面６ａの表面に付着した汚れや残渣物等を取り除くため、綿棒１３などで基板面６ａをこすった場合、金属配線パターン２と基板面６ａとの段差部において、ひっかかりを生じ、綿糸１４などが基板面６ａ上に付着してしまうなどの問題もあった。

図１０に示すように、本発明の積層セラミック基板においては、金属配線パターン２の形成された領域以外の領域にガラス層４が設けられており、金属配線パターン２と基板面６ａとの段差が低減されている。このため、上記のように、金属配線パターン２の段差部に、基板を洗浄した際の汚れなどが溜まりにくくなり、また綿棒で基板面を清浄する際にひっかかりを少なくすることができる。このため、製造工程において不良品が発生するのを低減することかできる。また、図１１に示すように、金属配線パターン２の上に電子部品１５を実装する際に、基板面の表面での段差部が少なくなるため、容易に実装することが可能となる。

＜第１の実施例＞
セラミックグリーンシートを、ガラス成分としてのホウケイ酸ガラスを５０重量％含み、セラミック成分としてのアルミナを５０重量％含むガラスセラミック材料粉体に、バインダとしてポリビニルブチラールを１２重量％加えて混合することにより形成し、上記のようにしてセラミックグリーンシート積層体を作製する。これに、ＺｎＯを含む非晶質ガラスであるＺｎＯ−ＳｉＯ_２−Ｂｉ_２Ｏ_３系ガラス（奥野製薬社製商品名「Ｇ３−３７７９」）と有機バインダとを含むペーストを塗布し、塗布後乾燥させて、厚み２０μｍのガラス層を形成する。

なお、セラミックグリーンシート上の金属配線パターンは、Ａｇペースト（例えば、京都エレックス社製商品名「Ｎ５０１２」、粘度３００±５０ＰａＳ）を用いてスクリーン印刷法により形成する。金属配線パターンの膜厚は５〜１５μｍ程度とする。

ガラス層の形成はスクリーン印刷法により行い、その厚みは電極上で少なくとも５μｍ以上の膜厚が確保できるように、２０〜５０μｍ程度とすることが好ましい。なお、５０μｍを超えるガラス層を形成した場合、焼成前にガラス層の剥離が発生する場合がある。

次に、アルミナを、工程中に混入する微量な不純物を除いて８８重量％含むセラミック粉体に、バインダとしてポリビニルブチラールを１２重量％加えて混合し、拘束層としてのアルミナグリーンシートを作製し、これをガラス層の上に積層する。

このアルミナグリーンシートによる拘束層の厚みは、セラミックグリーンシート積層体の厚みの１０％未満であると、拘束力が不十分となり、セラミックグリーンシートを焼成した後の基板の端部に撓みが見られる場合がある。また、拘束層の厚みの上限については、いくらであっても拘束力が発揮されることを確認しているが、シートの製造の容易さを鑑みて、本実施例では、５０〜１５０μｍの厚み（両側の厚みの合計は１００〜３００μｍ）で実施している。

セラミックグリーンシート積層体の厚みは、半導体実装基板を想定した３００μｍ及び携帯電話用アンテナスイッチモジュールを想定した１０００μｍにて実験を行い、この厚みが３００μｍのときには拘束層の厚みを５０〜１５０μｍ、１０００μｍのときは拘束層の厚みを１００〜１５０μｍとして、拘束層の厚みがセラミックグリーンシート積層体の厚みの１０〜５０％の厚みとなるようにした。

上記のようにしてセラミックグリーンシート積層体の上面及び下面上に、それぞれガラス層及び拘束層を積層した積層体を、８５０〜１０００℃の温度で焼成する。焼成後、拘束層をサンドブラスト加工により除去する。拘束層をサンドブラスト加工により除去した後、積層体を、３Ｎ塩酸に浸漬し、ガラス層をエッチング除去する。

図１２は、２０℃で３Ｎ塩酸を用いてエッチングしたときのエッチング量を示す図である。また、図１３は、２０℃で３Ｎ硫酸を用いてエッチングしたときのエッチング量を示す図である。図１２及び図１３においては、Ｇ３−３７７９（ＺｎＯ−ＳｉＯ_２−Ｂｉ_２Ｏ_３系非晶質ガラス）及びＧＡ６３（ＺｎＯを含む結晶化ガラス）を用いて作製したガラス層のエッチング量を示している。なお、ＧＡ６３は、日本電気硝子社製商品名「ＧＡ６３」であり、ＳｉＯ_２−ＺｎＯ−ＣａＯ−ＭｇＯを含んでいる。

図１２に示すグラフから、３Ｎ塩酸を用い２０℃でエッチングしたときのエッチング速度が算出されるので、このエッチング速度を基準にして金属配線パターンの厚みと残存するガラス層の厚みがほぼ同じ厚みとなるエッチング液中での浸漬時間を算出し、エッチング処理を行う。

以上のようにして、ガラス層をエッチング処理することにより、基板面に拘束層の残渣物が付着していない本実施例の積層セラミック基板が得られる。このときの焼成収縮率は０．９％であり、拘束層及びガラス層を用いずに焼成した場合の収縮率１２〜１４％と比較して収縮率の低減が認められた。

＜第２の実施例＞
ガラス層を形成するガラスとして、ＺｎＯを含む結晶化ガラス（日本電気硝子社製商品名「ＧＡ６３」）を用いる以外は、第１の実施例と同様にしてセラミック基板を作製する。

第１の実施例と同様に、拘束層をサンドブラスト加工により除去した後、図１２に示すＧＡ６３のエッチング速度から、金属配線パターンの厚みと残存するガラス層の厚みがほぼ同じになる浸漬時間を算出し、算出した浸漬時間で、３Ｎ塩酸をエッチング液としてエッチングする。

以上のようにして、ガラス層をエッチングすることにより、基板面に拘束層の残渣物が付着していない本実施例の積層セラミック基板を得る。

結晶化ガラスは非晶質ガラスよりも強度が高く、拘束層の残渣物のかみ込みを低減できる。このときの基板収縮率も１％以下であることを確認した。

＜第３の実施例＞
低温焼成アルミナセラミックとして、８０〜９８重量％のアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）にＣｕＯとＴｉＯ_２とＳｉＯ_２とＢｉ_２Ｏ_３を焼成助剤として添加したセラミック粉体に、バインダとしてポリビニルブチラールを加えて混合したセラミックグリーンシートとしたものを用いる。この材料を用い、セラミックグリーンシートを作製する以外は、上記第１の実施例と同様にしてガラス層及び拘束層を積層した積層体を作製し、これを上記第１の実施例と同様にして焼成し、焼成後拘束層をサンドブラスト加工で取り除いた後、上記第１の実施例と同様にして３Ｎ塩酸をエッチング液として用いてガラス層をエッチング除去し、基板面に拘束層の残渣物が付着していない本実施例の積層セラミック基板を得る。基板収縮率は１％以下であった。

＜第４の実施例＞
低温焼成アルミナセラミックとして、８０〜９８重量％のアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）にＣｕＯとＴｉＯ_２とＳｉＯ_２とＢｉ_２Ｏ_３を焼成助剤として添加したセラミック粉体に、バインダとしてポリビニルブチラールを加えて混合したセラミックグリーンシートとしたものを用いる。この材料を用い、セラミックグリーンシートを作製する以外は、上記第２の実施例と同様にしてガラス層及び拘束層を積層した積層体を作製し、これを上記第２の実施例と同様にして焼成し、焼成後拘束層をサンドブラスト加工で取り除いた後、上記第２の実施例と同様にして３Ｎ塩酸をエッチング液として用いてガラス層をエッチング除去し、基板面に拘束層の残渣物が付着していない本実施例の積層セラミック基板を得る。基板収縮率は１％以下であった。

上記の実施例においては、セラミックグリーンシート積層体の上にガラス層を形成した後、その上に拘束層を積層させているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、拘束層の上にガラス層を形成し、拘束層とガラス層を積層したものを、セラミックグリーンシート積層体の上に積層してもよい。

図１４は、上記の方法を説明するための断面図である。図１４（ａ）に示すように、例えばアルミナシートなどの拘束層５の上に、ガラスペーストを塗布することにより、ガラス層４を形成する。

次に、図１４（ｂ）に示すように、ガラス層４を下にして拘束層５とガラス層４の積層体をセラミックグリーンシート積層体の上に積層する。このようにして積層することにより、拘束層とガラス層４の界面部分における凹凸の発生を少なくすることができる。

また、上記の実施例においては、拘束層をブラスト加工などにより取り除いた後に、ガラス層をエッチング除去しているが、例えば、図５に示すように、拘束層をブラスト加工で除去せずに、ガラス層及び拘束層を積層した積層セラミック基板をエッチング液に浸漬し、ガラス層４をエッチング除去することにより、拘束層５とガラス層４を同時に除去してもよい。このような方法によれば、拘束層５を除去する工程を省略することができ、製造工程をより簡易にすることができる。

本発明に従う製造工程の一実施例を示す斜視図。 本発明に従う製造工程の一実施例を示す斜視図。 本発明に従う製造工程の一実施例を示す斜視図。 本発明に従う製造工程の一実施例を示す模式的断面図。 本発明に従う他の実施例における製造工程を示す模式的断面図。 本発明の製造工程に従う一実施例を示す模式的断面図。 本発明の製造工程に従う一実施例を示す模式的断面図。 従来の製造工程を示す模式的断面図。 従来の製造工程により得られた積層セラミック基板を示す模式的断面図。 本発明の製造方法に従う一実施例において得られた積層セラミック基板を示す模式的断面図。 図１０に示す本実施例の積層セラミック基板の上に電子部品を実装する際の状態を示す模式的断面図。 ガラス層のエッチング液中の浸漬時間とエッチング量を示す図。 ガラス層のエッチング液中の浸漬時間とエッチング量を示す図。 本発明に従うさらに他の実施例の製造工程を説明するための模式的断面図。

符号の説明

１…セラミックグリーンシート
２…金属配線パターン
３…セラミックグリーンシート積層体
４…ガラス層
５…拘束層
６…積層セラミック基板
１０…サンドブラスター
１１…エッチング液

Claims (7)

1. セラミックグリーンシートを積層して焼成する積層セラミック基板の製造方法であって、
   前記セラミックグリーンシートを積層して、上面及び下面の少なくとも一方に金属配線パターンが設けられたセラミックグリーンシート積層体を作製する工程と、
   前記セラミックグリーンシート積層体の上面及び下面にガラス層を積層し、該ガラス層の上に難焼結性無機材料からなる拘束層を積層する工程と、
   前記ガラス層及び前記拘束層を積層した前記セラミックグリーンシート積層体を焼成する工程と、
   焼成後、前記拘束層及び前記ガラス層を除去する工程とを備え、
   前記ガラス層を除去する工程が、エッチング液によりエッチング除去する工程であり、前記金属配線パターンが設けられた面において、前記金属配線パターンが露出するまで前記ガラス層をエッチング除去することを特徴とする積層セラミック基板の製造方法。
2. 前記拘束層を物理的に除去した後、前記ガラス層をエッチング液によりエッチング除去することを特徴とする請求項１に記載の積層セラミック基板の製造方法。
3. 前記ガラス層をエッチング除去することにより、前記拘束層と前記ガラス層を同時に除去することを特徴とする請求項１に記載の積層セラミック基板の製造方法。
4. 前記ガラス層と前記拘束層を予め積層した積層体を作製し、これを前記セラミックグリーンシート積層体の上面及び下面に積層することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の積層セラミック基板の製造方法。
5. 上面及び下面の少なくとも一方に金属配線パターンが設けられた積層セラミック基板であって、
   前記金属配線パターンが形成されている領域以外の領域にガラス層が設けられており、該ガラス層により前記金属配線パターンと基板面との段差が低減されていることを特徴とする積層セラミック基板。
6. 前記ガラス層が、ＺｎＯを含む結晶化ガラスから形成されていることを特徴とする請求項５に記載の積層セラミック基板。
7. 前記ガラス層が、ＺｎＯを含む非晶質ガラスから形成されていることを特徴とする請求項５に記載の積層セラミック基板。

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