JP2010187162A - 記憶体制御器及び復号器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は記憶体制御器及び復号器を提供する。復号器は第一乃至第四トランジスタを含む。第一乃至第四トランジスタのゲートはそれぞれ第一乃至第四制御信号に接続される。第一トランジスタの第一端と第二端はそれぞれ第一電圧と第二トランジスタの第一端に接続される。第三、第四トランジスタの第一端と第二端はそれぞれ第二トランジスタの第二端と第二電圧に接続される。第一、第二トランジスタがオフされるときは、第二制御信号の電圧が第一制御信号の電圧より小さい。これにより、ゲート誘導ドレーン漏れ電流を下げることができる。
【選択図】図2
Description
11〜13、21〜25、41、42、51、52、61、62、71〜73 トランジスタ
20、20′ 復号器
30 記憶体制御回路
40、50、60 位相反転器
70 出力ユニット
bMWL、WLRST1、WLRST2、WLDV、MWLRST、MWLRST2、MWLRST3、BNKSEL 制御信号
I1、I2 電流
VPP、VNN、NODE、VSS、VINT、WL 電圧
Claims (8)
- 復号器であって、
ゲートと第一端がそれぞれ第一制御信号と第一電圧に接続される第一トランジスタと、
ゲートと第一端がそれぞれ第二制御信号と前記第一トランジスタの第二端に接続される第二トランジスタと、
ゲート、第一端及び第二端がそれぞれ第三制御信号、前記第二トランジスタの第二端及び第二電圧に接続される第三トランジスタと、
ゲート、第一端及び第二端がそれぞれ第四制御信号、前記第二トランジスタの第二端及び前記第二電圧に接続される第四トランジスタと、
を含み、
前記第一トランジスタがオフされ、且つ、前記第二トランジスタがオフされるときは、前記第二制御信号の電圧が前記第一制御信号の電圧より小さい、
復号器。 - 前記第一トランジスタ、前記第二トランジスタ、前記第三トランジスタ及び前記第四トランジスタは、それぞれ、Pチャンネル電界効果トランジスタ、Pチャンネル電界効果トランジスタ、Nチャンネル電界効果トランジスタ及びNチャンネル電界効果トランジスタである、
請求項1に記載の復号器。 - 更に、ゲート、第一端及び第二端がそれぞれ第五制御信号、前記第二トランジスタの第二端及び前記第二電圧に接続される第五トランジスタを含む、
請求項1に記載の復号器。 - 前記第五トランジスタは、Nチャンネル電界効果トランジスタである、
請求項1に記載の復号器。 - 前記第二トランジスタの第二端は、前記復号器の出力端とされる、
請求項1に記載の復号器。 - 記憶体制御器であって、
第一制御信号を受信し、該第一制御信号に基づいて第二制御信号を生成する第一位相反転器と、
入力端が前記第一位相反転器の出力端に接続され、前記第二制御信号を受信し、前記第二制御信号に基づいて第三制御信号を出力する第二位相反転器と、
前記第二位相反転器の出力端に接続される出力ユニットであって、該出力ユニットは、ゲートが前記第三制御信号を受信し、第一端が第一電圧に接続される第一トランジスタと、ゲートが前記第三制御信号を受信し、第一端が前記第一トランジスタの第二端に接続される第二トランジスタと、ゲート、第一端及び第二端がそれぞれ第四制御信号、前記第二トランジスタの第二端及び第二電圧に接続される第三トランジスタと、を含む出力ユニットと、
を含み、
前記第二トランジスタがオフされ、且つ、前記第三トランジスタがオフされるときは、前記第四制御信号の電圧が前記第三制御信号の電圧より大きい、
記憶体制御器。 - 前記第一トランジスタ、前記第二トランジスタ及び前記第三トランジスタは、それぞれ、Pチャンネル電界効果トランジスタ、Nチャンネル電界効果トランジスタ及びNチャンネル電界効果トランジスタである、
請求項6に記載の記憶体制御器。 - 更に、入力端が前記第一位相反転器の出力端に接続され、前記第二制御信号を受信し、前記第二制御信号に基づいて第五制御信号を出力する第三位相反転器を含む、
請求項6に記載の記憶体制御器。
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JP2008022349A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Nec Electronics Corp | 半導体記憶装置 |
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