JP2010067900A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置1において、スイッチ回路SP、SNは、論理回路50に供給する電圧を、動作状態がアクティブ状態にてオン状態となり動作状態がアイドル状態でオフ状態となることで切り替える。スイッチ回路DB、DNは、スイッチ回路SP、SNと並列に接続され、スイッチ回路SP、SNの端子間のインピーダンスを低減させる。フューズ回路30は、フューズを有し、当該フューズを切断することによりスイッチ回路SP、SNを常にオン状態とし、スイッチ回路DB、DNをオフ状態からオン状態に切り替える。
【選択図】図1
Description
図1は、本実施形態による半導体装置1を示す概略ブロック図である。図1の半導体装置1は、リーク電流低減方式としてSCRC(Subthreshold Current Reduction Circuit)方式が適用されており、論理回路50、メイン電源線VDD、VSSと、サブ電源線VDT、VSTと、メイン電源線とサブ電源線とに接続されるPチャネル型MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)トランジスタ(以下、PMOSという)のスイッチ回路SP、DBと、Nチャネル型MOSトランジスタ(以下、NMOSという)のスイッチ回路SN、DNと、インバータ41、42と、SCRC制御回路20と、フューズ回路30と、選択回路10とを備える。半導体装置1は、例えば、DRAM(Dynamic Random Access Memory)等に適用され、論理回路50は、例えば、図示しないメモリバンク内のメモリセルから読み出したデータを増幅するセンスアンプ等に適用される回路である。
10 選択回路
20 SCRC制御回路
30 フューズ回路
41、42 インバータ
50 論理回路
VDD、VSS メイン電源線
VDT、VST サブ電源線
SP、SN スイッチ回路(第1のスイッチ回路)
DB、DN スイッチ回路(第2のスイッチ回路)
Claims (6)
- 論理回路と、
前記論理回路に供給する電圧を、動作状態がアクティブ状態にてオン状態となり前記動作状態がアイドル状態でオフ状態となることで切り替える第1のスイッチ回路と、
前記第1のスイッチ回路と並列に接続され、前記第1のスイッチ回路の端子間の電源インピーダンスを低減させる第2のスイッチ回路と、
フューズを有し、当該フューズを切断することにより前記第1のスイッチ回路を常にオン状態とし、前記第2のスイッチ回路をオフ状態からオン状態に切り替えるフューズ回路と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - メイン電源線と、
前記メイン電源線と異なる電圧を供給するサブ電源線と、
前記サブ電源線に接続される論理回路と、
フューズを有し、フューズが切断された場合に出力信号を出力するフューズ回路と、
前記メイン電源線と前記サブ電源線とに接続され、動作状態がアクティブ状態の場合、オン状態となり前記メイン電源線と前記サブ電源線とを結合状態とし、動作状態がアイドル状態の場合、オフ状態となり前記メイン電源線と前記サブ電源線とを非結合状態とし、前記出力信号に基づいて、前記動作状態に依存せず常に前記メイン電源線と前記サブ電源線とを結合する第1のスイッチ回路と、
前記メイン電源線と前記サブ電源線とに接続され、前記動作状態に依存せず前記出力信号に基づいて、オフ状態からオン状態に切り替わり、前記メイン電源線と前記サブ電源線とを結合する第2のスイッチ回路と
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記論理回路はトランジスタを含んでおり、
前記サブ電源線は、前記トランジスタのソース端子に接続される
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記動作状態がアクティブ状態の間、前記第1のスイッチ回路をオン状態とする信号を出力し、前記動作状態がアイドル状態の間、前記第1のスイッチ回路をオフ状態とする信号を出力するSCRC制御回路を備え、
前記SCRC制御回路は、
前記出力信号に基づいて、前記動作状態に依存せず前記第1のスイッチ回路を常にオン状態とする信号を出力する
ことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記第1のスイッチ回路が、常にオン状態とされた場合に、前記第1のスイッチ回路のオン抵抗と前記第2のスイッチ回路のオン抵抗を合成した電源インピーダンスが予め定められる電源インピーダンス値内となる個数分、前記第2のスイッチ回路が予め配置される
ことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記動作状態をアイドル状態とし、前記第1のスイッチ回路をオン状態として測定される前記リーク電流が予め定められる仕様電流値内の場合に、前記フューズ回路のフューズが切断される
ことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
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