JP2009246132A - 半導体装置および半導体装置の試験方法 - Google Patents
半導体装置および半導体装置の試験方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】第1の電源ライン1および第2の電源ライン2には、外部から正負の電圧が供給される。論理回路3は、所定の演算を行う回路であり、第1の電源ライン1および第2の電源ライン2から供給される電源によって動作する。スイッチ4は、第1の電源ライン1から論理回路3への電源の供給をオン・オフする。電源供給手段5は、スイッチ4と並列に接続され、第1の電源ライン1の電源を論理回路3に供給する。電源供給手段5は、切断可能であり、電源供給手段5を切断することにより、電源供給手段5による第1の電源ライン1から論理回路3への電源供給をオフする。
【選択図】図1
Description
本件はこのような点に鑑みてなされたものであり、面積の増大を抑制した半導体装置および半導体装置の試験方法を提供することを目的とする。
論理回路3は、所定の演算を行う回路であり、第1の電源ライン1および第2の電源ライン2から供給される電源によって動作する。
第1の電源ライン1および第2の電源ライン2に、半導体装置の動作電圧より低い電圧の電源を供給する。スイッチ4は、動作電圧より低い電圧の電源供給によって動作しないが、第1の電源ライン1に供給された電源は、電源供給手段5を介して論理回路3に供給される。これにより、テスタプローブを破壊することなく、論理回路3の大規模ショートを試験することができる。
図2は、第1の実施の形態に係る半導体装置のブロック構成図である。図2に示すように、半導体装置は、論理回路10,20,30、I/O(Input/Output)領域11、スイッチアレイ21,31、アイソレーション回路22,32、およびスイッチ制御回路40を有している。図2の半導体装置は、パワーゲーティングの半導体装置であり、例えば、携帯電話などの携帯端末に実装される。
I/O領域11は、外部とデータのやり取りを行う領域である。I/O領域11は、論理回路10の周囲に設けられている。
スイッチアレイ21は、論理回路20への電源供給をオン・オフするスイッチアレイである。スイッチアレイ21は、スイッチ制御回路40と接続されており、スイッチ制御回路40の制御によって、論理回路20への電源供給をオン・オフする。
論理回路20は、電源ラインVDD1,VSS1を有している。電源ラインVDD1は、スイッチアレイ21を介して、電源ラインVDDと接続されるようになっている。電源ラインVSS1は、電源ラインVSSと接続されている。
スイッチ制御回路40は、外部から入力される試験信号に応じて、トランジスタTr1〜Tr3,Tr11〜Tr13のオン・オフを制御する。これにより、電源ラインVDDと論理回路20,30の電源ラインVDD1,VDD2との接続がオン・オフ制御される。
なお、図4のヒューズF1,F2は、接続された状態(未切断状態)にある。また、論理回路30は、電源ラインVDD2と電源ラインVSS2との間に、配線ショートやトランジスタTr31,Tr32の未形成などによる大規模ショートを生じているとする。
次に、中規模ショートによる不良品判断の試験について説明する。中規模ショートによる不良品判断の試験は、上記の大規模ショートによる不良品判断の試験の後に行われる。
次に、ドメイン間ショートの不良品判断の試験について説明する。ドメイン間ショートによる不良品判断の試験は、上記の中規模ショートによる不良品判断の試験の後に行われる。
図7は、プローブ試験1の試験工程のフローチャートである。以下で説明する半導体装置の試験は、ヒューズの切断前後でプローブ試験1,2と2回行われる。半導体装置の試験は、その製品種別ごとに応じて、各ステップの処理の前後に様々な試験項目が追加されることもある。
ステップS2において、半導体試験装置は、半導体装置の電源ショートチェック(大規模ショートの試験)を行う。半導体試験装置は、半導体装置の動作電圧より低い電圧を半導体装置に供給して、大規模ショートの試験を行う。
図8は、プローブ試験2の試験工程のフローチャートである。
ステップS23において、半導体試験装置は、半導体装置の大規模ショートのチェックを行う。半導体試験装置は、半導体装置の動作電圧より低い電圧を半導体装置に供給して、電源ショートチェックを行う。なお、プローブ試験2では、スイッチアレイ21,31のトランジスタTr1,Tr2,Tr11,Tr12をオフし、電源が常時供給される論理回路10のみ大規模ショートのチェックを行うようにする。
このように、切断可能なヒューズF1,F2をスイッチアレイ21,31の1つのトランジスタTr2,Tr12に並列に接続することにより、外部に論理回路20,30ごとのパッドを設けることなくショート試験ができ、半導体装置の面積の増大を抑制することができる。
次に、第2の実施の形態について説明する。
図9では、プルダウンスイッチがPMOSのトランジスタとなっている。すなわち、論理回路20の電源ラインVDD1を電源ラインVSSに接続するトランジスタTr41がPMOSとなっている。また、論理回路30の電源ラインVDD2を電源ラインVSSに接続するトランジスタTr42がPMOSとなっている。
このように、プルダウンスイッチをPMOSのトランジスタで構成しても、半導体装置の面積の増大を抑制することができる。また、ドメイン間ショートを検出することができる。
図10は、第3の実施の形態に係る半導体装置の回路図である。図10において、図3と同じものには同じ符号を付し、その説明を省略する。
図10の回路動作は、図3と同様である。ただし、トランジスタTr51〜Tr54をオン・オフする信号の状態が図3のトランジスタTr1,Tr2,Tr11,Tr12と反転する。
次に、第4の実施の形態について説明する。
図11は、第4の実施の形態に係る半導体装置の回路図である。図11において、図3と同じものには同じ符号を付し、その説明を省略する。
なお、図11のトランジスタTr1,Tr2,Tr11,Tr12はPMOSであるが、NMOSのトランジスタで構成することもできる。また、トランジスタTr3,Tr13はNMOSであるが、PMOSのトランジスタで構成することもできる。
2 第2の電源ライン
3 論理回路
4 スイッチ
5 電源供給手段
Claims (10)
- 内部回路の電源供給を制御する半導体装置において、
第1の電源ラインと、
第2の電源ラインと、
前記第1の電源ラインおよび前記第2の電源ラインから供給される電源を用いて動作する論理回路と、
前記第1の電源ラインから前記論理回路への電源の供給をオン・オフするスイッチと、
前記スイッチと並列に接続され、前記第1の電源ラインの電源を前記論理回路に供給する切断可能な電源供給手段と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記論理回路の前記第1の電源ラインの電源が供給される電源ラインを前記第2の電源ラインに接続する接続スイッチを有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記電源供給手段が切断された後、一方の前記論理回路の前記スイッチをオフ、前記接続スイッチをオンし、他方の前記論理回路の前記スイッチをオン、前記接続スイッチをオフするスイッチ制御手段を有することを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 前記第1の電源ラインの電源が供給される2つの前記論理回路の前記電源ラインの電圧状態に応じて前記論理回路間のショートが判断されることを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
- 前記第1の電源ラインの電源が供給される2つの前記論理回路の前記電源ラインを論理積演算する論理積回路を有することを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
- 前記第1の電源ラインおよび前記第2の電源ラインには、当該半導体装置の動作電圧より低い電圧の電源が供給されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1の電源ラインおよび前記第2の電源ラインには、当該半導体装置の動作電圧の電源が供給されることを特徴とする請求項6記載の半導体装置。
- 前記電源供給手段を切断し、前記論理回路間のショート試験が行われることを特徴とする請求項7記載の半導体装置。
- 内部回路の電源供給を制御する半導体装置の試験方法において、
論理回路に電源を供給する第1の電源ラインと第2の電源ラインとに前記半導体装置の動作電圧より低い電圧を供給する第1の試験ステップと、
前記半導体装置に前記半導体装置の動作電圧を供給する第2の試験ステップと、
前記第1の電源ラインから前記論理回路への電源供給をオン・オフするスイッチと並列に接続された、前記第1の電源ラインの電源を前記論理回路に供給する電源供給手段を切断する切断ステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の試験方法。 - 前記論理回路間のショートを検出する検出ステップをさらに有することを特徴とする請求項9記載の半導体装置の試験方法。
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US9671455B2 (en) | 2013-07-29 | 2017-06-06 | Fujitsu Limited | Product testing system for a semiconductor device |
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