JP2010182889A - 半導体記憶装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 結晶性の良い強誘電体膜を有する半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 単半導体基板と、前記半導体基板上に形成された電界効果型トランジスタと、前記電界効果型トランジスタ及び前記半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜中に形成され、前記電界効果型トランジスタのソース/ドレイン領域のいずれか一方の領域に接続された単結晶構造を有するプラグと、前記プラグ上に形成され単結晶構造を有する下部電極と、前記下部電極上に形成された強誘電体膜と前記強誘電体膜上に形成された上部電極と、を備えることを特徴とする半導体記憶装置。
【選択図】 図1
【解決手段】 単半導体基板と、前記半導体基板上に形成された電界効果型トランジスタと、前記電界効果型トランジスタ及び前記半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜中に形成され、前記電界効果型トランジスタのソース/ドレイン領域のいずれか一方の領域に接続された単結晶構造を有するプラグと、前記プラグ上に形成され単結晶構造を有する下部電極と、前記下部電極上に形成された強誘電体膜と前記強誘電体膜上に形成された上部電極と、を備えることを特徴とする半導体記憶装置。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体記憶装置、特に強誘電体膜を用いた不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法に関する。
強誘電体を利用した不揮発性半導体記憶装置であるFeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)は高速書き込み、低消費電力及び書き換え高書き換え可能回数等の観点から盛んに開発が行われている。近年の半導体装置の微細化に伴い、FeRAMの微細化も進んできている。FeRAMは強誘電体薄膜キャパシタを有した構造であるため、微細化に伴うキャパシタの接触面積が小さくなることが問題となっている。ここで、接触面積とはキャパシタ電極と電極間に形成された強誘電体薄膜との接触面積のことである。
接触面積がある一定の大きさよりも小さくなると強誘電体薄膜と電極間の信号量が急激に減少してしまう。この信号量の減少により、微細化を進めることが困難となっている。そこで、従来のスタック構造に換えて下部電極を釣鐘状に加工し、その下部電極の上部及び側部に強誘電体薄膜を形成する構造が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。この構造を用いることによって、強誘電体薄膜と電極との接触面積を増大させ、信号量を増大させている。
ところで、強誘電体薄膜キャパシタの特性は、強誘電体薄膜の材料及びその結晶構造に密接に関連することが知られている。強誘電体薄膜は、シリコン基板のトランジスタとは異なり、結晶化していなければ強誘電体として機能しないため、その材料の選択は重要である。しかし、下部電極を釣鐘状に加工した場合、下部電極側面上の強誘電体薄膜が結晶化しない、或いは強誘電体薄膜の組成比が結晶化した際に変化してしまう等の問題があった。
本発明は、結晶性の良い強誘電体膜を有する半導体記憶装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様による半導体記憶装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された電界効果型トランジスタと、前記電界効果型トランジスタ及び前記半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜中に形成され、前記電界効果型トランジスタのソース/ドレイン領域のいずれか一方の領域に接続された単結晶構造を有するプラグと、前記プラグ上に形成され単結晶構造を有する下部電極と、前記下部電極上に形成された強誘電体膜と前記強誘電体膜上に形成された上部電極と、を備えることを特徴とする半導体記憶装置。
また、本発明の一態様による半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板上に電界効果型トランジスタを形成する工程と、前記電界効果型トランジスタ及び前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜中に前記電界効果型トランジスタのソース/ドレイン領域のいずれか一方の領域に接続された単結晶構造を有するプラグを形成する工程と、前記プラグ上に形成され単結晶構造を有する下部電極を形成する工程と、前記下部電極上に強誘電体膜を形成する工程と、前記強誘電体膜上に上部電極を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
本発明によれば、結晶性の良い強誘電体膜を有する半導体記憶装置及びその製造方法を提供することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体記憶装置の断面図及び平面図である。図1に示す半導体記憶装置は、シリコン基板1上にゲート電極2が形成されており、ゲート電極2の側壁にはゲート側壁絶縁膜3が形成されている。ゲート電極2は、例えば、多結晶シリコン膜、タングステン珪化(WSi)膜、或いはそれらの積層構造等からなるポリサイド構造を用いることができる。また、ゲート側壁絶縁膜3は、例えば、シリコン窒化膜等からなる。
ゲート電極2及びゲート側壁絶縁膜3に対して自己整合的にn型或いはp型の不純物拡散領域4が設けられている。上記のシリコン基板1上のゲート電極2、ゲート側壁絶縁膜3及び不純物拡散領域4等によりMOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタが構成されている。また、不純物拡散領域4上にはシリサイド層5が形成されている。
このMOSトランジスタ及びシリサイド層5上には表面が平坦化された層間絶縁膜6が形成されている。層間絶縁膜6は、例えば、ホウ素リンシリケートガラス(BPSG:Boron Phosphorous Silicon Glass)からなる。層間絶縁膜6中には不純物拡散領域4上に形成されたシリサイド層5と後述する強誘電体キャパシタとを電気的に接続するコンタクトプラグ7が形成されている。
本実施形態ではコンタクトプラグ7は単結晶シリコン膜で形成されている。層間絶縁膜6上には、例えば、酸化アルミニウム(Al2O3)或いはシリコン窒化膜(SiN)等からなる水素バリア膜9が形成されていても構わない。水素バリア膜8は上層に形成される強誘電体膜からのPb元素等が層間絶縁膜6へ拡散することを抑制する効果等を有している。従って、強誘電体膜としてPb元素を含まないものを用いる場合には形成しなくても構わない。
コンタクトプラグ7上及び、層間絶縁膜6上の所定の位置には、シリコン膜9が形成されている。コンタクトプラグ7を単結晶シリコン膜により形成することによって、コンタクトプラグ7の上部に形成されるシリコン膜9を単結晶シリコン膜とすることができる。すなわち、コンタクトプラグ7の単結晶シリコンをエピタキシャル成長させることによりシリコン膜9を形成することができる。
シリコン膜9上には、柱状、或いは90度よりも小さいテーパー角を有し、上部にいくにつれて径が小さくなるように形成された釣鐘状の下部電極10が形成されている。下部電極10は、ペロブスカイト構造を有する単結晶金属膜からなり、例えば、SrRuO3等からなる。
ここで、下部電極10を柱状、或いは釣鐘状に形成した場合、上部に形成される強誘電体膜11と下部電極10との接触面積を増大させることができるため望ましい。下部電極10は単一の材料から形成されている必要はなく積層構造となっていても構わない。また、シリコン膜9と下部電極10とをまとめて下部電極と呼んでも構わない。
下部電極10上には、下部電極10を覆うように強誘電体膜11が形成されている。特に、釣鐘状の下部電極10を単結晶金属膜とすることにより、釣鐘状電極側面に形成された強誘電体膜11が下部電極10と格子整合し、特性が向上するため望ましい。
強誘電体キャパシタのリーク特性やC−V特性、分極特性(分極量、飽和特性など)、インプリント特性(一方向に分極を向け保持した場合にその方向へ分極が向き易くなる現象)、疲労特性(分極反転による分極量の劣化挙動)、リテンション特性(保持された分極量の劣化挙動)などのキャパシタ特性は、電極の材料とその結晶構造に密接に関連するので、その材料の選択は重要である。
強誘電体膜として、Pb(Zrx,Ti1-x)O3(PZT)、Bi4Ti3O12(BIT)、SrBi2Ta2O9(SBT)などのペロブスカイト構造を基本とした結晶構造を有し、残留分極を有する材料が使用される場合には、下部電極としてIr,IrO2,Ptなどが使用される。強誘電体膜11の結晶性は下地となる下部電極10の結晶性に影響を受けることが知られており、下部電極10を結晶化させることにより強誘電体膜11の結晶性も良くなると考えられる。
強誘電体膜11上には、例えば、Pt,Ir,IrO2,Ru,RuO2,SrRuO3(SRO),LaNiO3(LNO),(La,Sr)CoO3(LSCO)などの貴金属、貴金属酸化物、ペロブスカイト構造に代表される導電性複合酸化物などからなる上部電極12が形成されている。下部電極10は単一の材料から形成されている必要はなく積層構造となっていても構わない。
本実施形態では、下部電極10として強誘電体膜11と同じ結晶構造を有するペロブスカイト型単結晶金属膜を用いて下部電極10を形成している。下部電極10にペロブスカイト型単結晶金属膜を用いることによって、強誘電体膜11が結晶化する際に下部電極10の結晶配列と格子整合するために強誘電体膜11の結晶性が向上する。上記した下部電極10、強誘電体薄膜11及び上部電極12により強誘電体キャパシタが構成されている。
続いて、本発明の実施形態の一態様に係る半導体記憶装置の製造方法について説明する。図2乃至図13は本発明の実施形態の一態様に係る半導体記憶装置の製造工程を模式的に示した断面図及び平面図である。図2乃至図13を参照して本発明の実施形態の一態様に係る半導体記憶装置の製造方法について順を追って説明する。なお、ここでは、強誘電体膜12としてPZTを用いる場合について説明する。
はじめに、図2に示すように、シリコン基板などの半導体基板1の表面に、STI(Shallow Trench Isolation)法などによって所定のパターンの素子分離絶縁膜を形成する。その後、半導体基板1上の素子分離絶縁膜で囲まれる領域上にMOSトランジスタを、下記のように形成する。
たとえば、半導体基板1上にシリコン酸化膜などのゲート絶縁膜、砒素をドープしたn型多結晶シリコン膜、窒化シリコン膜などのゲートキャップ膜を順に積層させて形成した後、通常のリソグラフィ法とRIE(Reactive Ion Etching)法によって、所定の形状に加工して、積層膜からなるゲート電極2を形成する。ついで、このゲート電極2をマスクとしてイオン注入を行い、熱処理を行って、所定の導電型のソース/ドレイン領域4をゲート電極2の線幅方向両側の半導体基板1表面に形成する。
その後、シリコン窒化膜などの絶縁膜を、半導体基板1上に形成し、RIE法を用いた異方性エッチングによって、半導体基板1表面に堆積した絶縁膜を除去し、ゲート電極2の線幅方向側面にのみ絶縁膜を残すように加工して、ゲート側壁絶縁膜3を形成し、素子分離絶縁膜で囲まれる所定の領域にMOSトランジスタが形成される。
次に、ゲート電極2及び不純物拡散領域4上にNi、Ta等の金属膜を堆積した後、過熱を行うことによって、シリサイド層5を形成する。その後、シリコン基板1上全面に、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)法等を用いて層間絶縁膜6となるBPSG膜を形成した後、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法によって、その上面を平坦化する。さらに、BPSG膜6上に、ALD(Atomic Layer Deposition)法、スパッタリング法、CVD法等を用いて水素バリア膜8となる酸化アルミニウム(Al2O3)膜を形成する(図2)。
Al2O3膜8形成後、例えば、RIE(Reactive Ion Etching)法等によりAl2O3膜及びBPSG膜6を、順次、異方性エッチングし、MOSトランジスタの一方のソース/ドレイン領域4に連通するコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールの内部にエピタキシャル成長法等を用いてコンタクトプラグ7となる単結晶シリコンプラグ7を形成する。
続いて、単結晶シリコンプラグ7を核としたSEG(Selective Epitaxial Growth)法によってBPSG膜6及び単結晶シリコンプラグ7上にシリコン膜9を成長させる。シリコン膜9は単結晶シリコンプラグ7を核として成長形成されるため、単結晶シリコンプラグと同じ結晶構造を有している。次に、そのシリコン膜9上に下部電極10となるペロブスカイト型単結晶金属膜をスパッタ法等によって形成し、さらにそのペロブスカイト型単結晶金属膜10上に、第1のハードマスク13としてシリコン窒化膜を、第1のハードマスク14上に第2のハードマスク14としてシリコン酸化膜を、例えば、CVD法等によって形成する(図3)。下部電極10としてIrを用いる場合には、ヒロック形成を防止するために、300℃以上の高温でスパッタ法を用いて成膜することが望ましい。
本実施形態では、単結晶構造のシリコン膜9上に下部電極10を形成するため、単結晶構造のシリコン膜9と格子整合した単結晶の下部電極10を形成することが可能となる。
その後、シリコン酸化膜15上に、例えば、塗布法等を用いてレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィ法によってレジスト膜のパターニングを行う。パターニングされたレジスト膜をマスクとして、例えば、RIE法等により、第2のハードマスク14及び第1のハードマスク13のパターニングを行う。次に、パターニングされた第2のハードマスク14及び第1のハードマスク13をマスクとしてペロブスカイト型単結晶金属膜10及びシリコン膜9を、順次、異方性エッチングして柱状或いは釣鐘状の下部電極10を形成する。
下部電極10形成後、第2のハードマスク14及び第1のハードマスク13を除去することにより、下部電極10表面を露出させる(図4)。
その後、この下部電極10表面上にMOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition)法を用いてPZT膜11を形成する。MOCVD法で形成した膜は、膜内部の欠陥が少なく、電極界面の欠陥も少ないことから、良好な分極特性を有するとともに、疲労特性、インプリント特性、リテンション特性などに対する信頼性もよいので、成膜にMOCVD法を用いることが望ましい。ここで、BPSG膜6上にAl2O3膜8が形成されているため、PZT膜11とBPSG膜6とが反応することを抑制することができる。
また、MOCVD法は、電極構造に対してステップカバレッジが良好であること、組成制御性に優れること、均一な高品質膜が大面積で得られること、成膜速度が速いこと、強誘電体膜(PZT膜)11の薄膜化が可能なこと(低電圧動作が可能なこと)などの利点を有することからも、強誘電体膜(PZT膜)11の形成には望ましい。
前記したように、本実施形態では、単結晶構造のシリコン膜9上に下部電極10を形成し、単結晶構造のシリコン膜9と単結晶の下部電極10を格子整合させている。従来の釣鐘状の下部電極では、側面上に形成したPZT膜を結晶化させることが困難であったが、本実施形態では下部電極をPZT膜11と同じ構造を有した単結晶構造により形成しているため、側面上に形成したPZT膜11を下部電極10に対して格子整合させ、結晶化させることが可能となる。従って、PZT膜11を下部電極10と同じ結晶構造とすることにより、PZT膜11の結晶化が促進され特性の良いキャパシタを形成することができる。
図5は本発明の実施形態の一態様に係る半導体記憶装置における各層の結晶構造を表す模式図である。図5に示すように、ペロブスカイト型単結晶金属膜10とPZT膜11の結晶構造がほぼ同じであるため、PZT膜11を容易に結晶化させることができる。
PZT膜11を形成する場合には、ソースとして液体原料が用いられるのが一般的であるが、たとえば、THF(Tetrahydrofuran)を溶媒として、Pb(dpm)2/THF、Ti(iPr)2(dpm)2/THF、Zr(iPr)2(dpm)2/THFをソース原料として用いて、成膜温度を600℃以上で、酸素を反応ガスとして成膜を行う。PZT膜11を成膜した後、400〜600℃の温度で熱処理を行うことにより、PZT膜11の結晶化を行う。
次に、PZT膜11上にPt等からなる上部電極12を形成する(図6)。上部電極12形成後、上部電極12上に層間膜15を形成した後、CMP法によって、その上面を平坦化する(図7)。
続いて、層間膜15上にレジスト、またはシリコン酸化膜からなるハードマスクによって構成される所定の形状のマスク材16を形成する。マスク材16のパターン寸法は、下部電極10を加工する際に用いたパターンよりも少し大きめのパターンを用いることが望ましい(図8)。マスク材16形成後、マスク材16をマスクとして、エッチングにより、層間膜15、上部電極12、PZT膜11を加工する(図9)。この時、図9に示すように、下部電極間の領域において強誘電体が残っていても構わない。加工後、マスク材16を除去する。この工程で加工形成された強誘電体キャパシタはコンタクトプラグ7との接続部の周囲にAl2O3などの水素バリア層8を介した構造を有することになる。
層間膜15、上部電極12、PZT膜11の加工後、図10に示すように、酸化膜等で再度層間膜15を埋め込み、CMP法によって、その上面を平坦化する。
続いて、図11に示すように、配線用のパターニングを行い、層間膜15のエッチングを行う。この時、配線層を形成する単結晶シリコンプラグ7の表面を露出させる必要がある。その後、スパッタ法により配線層17となる金属膜、例えば、W膜やCu膜を埋め込み、CMP法によって、その上面を平坦化する(図12)。続いて、再度層間膜15を埋め込み、図1の構造が形成される。
なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々に変形して実施することができる。例えば、前記実施形態では、一つのトランジスタと一つのキャパシタを並列に接続した構成を1セルとし、それを直列に接続したChain(鎖状の等価回路)構成を採っているChain−FeRAMの構造に関して述べたが、それ以外の構成でも構わない。
1 シリコン基板
2 ゲート電極
3 ゲート側壁絶縁膜
4 不純物拡散領域
5 シリサイド層
6 層間絶縁膜
7 コンタクトプラグ
8 水素バリア膜
9 シリコン膜
10 下部電極
11 強誘電体膜
12 上部電極
13 第1のハードマスク
14 第2のハードマスク
15 層間膜
16 マスク材
17 配線層
2 ゲート電極
3 ゲート側壁絶縁膜
4 不純物拡散領域
5 シリサイド層
6 層間絶縁膜
7 コンタクトプラグ
8 水素バリア膜
9 シリコン膜
10 下部電極
11 強誘電体膜
12 上部電極
13 第1のハードマスク
14 第2のハードマスク
15 層間膜
16 マスク材
17 配線層
Claims (5)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された電界効果型トランジスタと、
前記電界効果型トランジスタ及び前記半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜中に形成され、前記電界効果型トランジスタのソース/ドレイン領域のいずれか一方の領域に接続された単結晶構造を有するプラグと、
前記プラグ上に形成され単結晶構造を有する下部電極と、
前記下部電極上に形成された強誘電体膜と
前記強誘電体膜上に形成された上部電極と、
を備えることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記プラグと前記下部電極の間に前記プラグに対して格子整合する下地層が設けられていることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記下部電極は、柱状或いは釣鐘状の構造を有することを特徴とする請求項1または2記載の半導体記憶装置。
- 前記下部電極は、前記プラグ或いは前記下地層に対して格子整合したペロブスカイト構造を有する金属膜からなることを特徴とする請求項1乃至3記載の半導体記憶装置。
- 半導体基板上に電界効果型トランジスタを形成する工程と、
前記電界効果型トランジスタ及び前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜中に前記電界効果型トランジスタのソース/ドレイン領域のいずれか一方の領域に接続された単結晶構造を有するプラグを形成する工程と、
前記プラグ上に形成され単結晶構造を有する下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に強誘電体膜を形成する工程と、
前記強誘電体膜上に上部電極を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2018008609A1 (ja) * | 2016-07-06 | 2018-01-11 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体記憶素子その他の素子およびその製造方法 |
JP2018014484A (ja) * | 2016-07-06 | 2018-01-25 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体記憶素子その他の素子およびその製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Family Cites Families (5)
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JP2004335918A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2007096178A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US7626846B2 (en) * | 2007-07-16 | 2009-12-01 | Nanochip, Inc. | Method and media for improving ferroelectric domain stability in an information storage device |
-
2009
- 2009-02-05 JP JP2009025390A patent/JP2010182889A/ja active Pending
-
2010
- 2010-01-18 US US12/689,164 patent/US20100193849A1/en not_active Abandoned
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018008609A1 (ja) * | 2016-07-06 | 2018-01-11 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体記憶素子その他の素子およびその製造方法 |
JP2018014484A (ja) * | 2016-07-06 | 2018-01-25 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体記憶素子その他の素子およびその製造方法 |
US11069713B2 (en) | 2016-07-06 | 2021-07-20 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Semiconductor memory element, other elements, and their production methods |
JP7248966B2 (ja) | 2016-07-06 | 2023-03-30 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体記憶素子、電気配線、光配線、強誘電体ゲートトランジスタ及び電子回路の製造方法並びにメモリセルアレイ及びその製造方法 |
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