JP2010175584A - Substrate bonding apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate bonding apparatus configured so as to shorten vacuum exhaust time in an inside space between an upper chamber and a lower chamber when bonding substrates to each other. <P>SOLUTION: The substrate bonding apparatus includes: the upper chamber; the lower chamber forming a bonding space in contact with the upper chamber; an upper chuck which is arranged under the upper chamber and to which a first substrate is stuck; a lower chuck which is combined with the upper surface of the lower chamber and formed integrally with the lower chamber and to which a second substrate is stuck; a position control means arranged above the upper chamber to control the position of the first substrate; and an exhaust part arranged above the upper chamber to provide vacuum pressure between the bonding space. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板合着装置に関し、より詳しくは、平板表示パネルの製造工程で基板を合着させる平板表示パネル用基板合着装置に関する。   The present invention relates to a substrate bonding apparatus, and more particularly to a substrate bonding apparatus for a flat panel display panel for bonding substrates in a flat panel display manufacturing process.

情報化社会の発展に応じて表示装置に対する要求も多様な形態で増加されてきた。近来、LCD(Liquid Crystal Display)、PDP(Plasma Display
Pannel)、ELD(Electro Luminescent Display)等、多様な平板表示装置が研究されてきて、その一部は既に実生活に広く使われている。
With the development of the information society, the demand for display devices has increased in various forms. Recently, LCD (Liquid Crystal Display), PDP (Plasma Display)
Various flat panel displays such as Pannel) and ELD (Electro Luminescent Display) have been studied, and some of them are already widely used in real life.

そのうち、LCDの場合には、CRT(Cathode Ray Tube)に比べて画質が優秀であり、軽量、薄型、低消費電力の特徴による長所によって移動型画像表示装置の用途で広く使われている。LCDに使われる液晶表示パネルの代表的な例として、TFT-LCDパネルがある。TFT-LCDパネルは、複数のTFT(Thin Film Transistor)がマトリクス型で形成されたアレイ基板と、カラフィルタや遮光膜などが形成されたカラフィルタ基板が数μ程度の間隔を有してお互いに対向して合着され、合着前、合着中または合着後に液晶が注入されて封止されることによってパネルの製造が行われる。   Of these, LCDs have superior image quality compared to CRTs (Cathode Ray Tubes), and are widely used in mobile image display devices due to their advantages of light weight, thinness, and low power consumption. A typical example of a liquid crystal display panel used in an LCD is a TFT-LCD panel. A TFT-LCD panel has an array substrate on which a plurality of TFTs (Thin Film Transistors) are formed in a matrix type and a color filter substrate on which a color filter, a light-shielding film, etc. are formed with an interval of about several μm. The panels are manufactured by being bonded to each other and injected and sealed before, during or after bonding.

従って、LCDに使われる液晶表示パネルの製造の際においては、アレイ基板及びカラフィルタ基板を各々製造した後に両基板を合着し、その間の空間に液晶物質を注入する工程が必須的に必要であり、このうち基板を合着する工程はLCDの品質を決定する重要な工程中の一つである。   Therefore, in manufacturing a liquid crystal display panel used for an LCD, it is essential to have a process of manufacturing an array substrate and a color filter substrate, and then bonding the two substrates together and injecting a liquid crystal material into the space between them. Among them, the process of attaching the substrates is one of the important processes for determining the quality of the LCD.

一般的に、基板合着工程は、内部を真空状態で形成させることができる上部チャンバと下部チャンバで構成される基板合着装置によって遂行される。上部チャンバと下部チャンバが合着空間を形成する時、上部チャンバと下部チャンバの内部の体積は大きくなる。それによって、合着空間の真空圧形成のための真空排気時間が長くなるという問題が発生する。また、上部チャンバと下部チャンバの内部の体積が大きいため、合着空間を真空排気させる時に使われる真空ポンプの数が多くなるようになって、消費される電力が大きくなる。   In general, the substrate bonding step is performed by a substrate bonding apparatus including an upper chamber and a lower chamber that can be formed in a vacuum state. When the upper chamber and the lower chamber form a joining space, the volume inside the upper chamber and the lower chamber increases. As a result, there arises a problem that the evacuation time for forming the vacuum pressure in the bonding space becomes long. In addition, since the volumes inside the upper chamber and the lower chamber are large, the number of vacuum pumps used when the joining space is evacuated increases, and the power consumed increases.

特開2004−311934JP 2004-31934 A

本発明の目的は、基板間の合着時に上部チャンバと下部チャンバの内部の真空排気時間を短縮するようにした基板合着装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide a substrate bonding apparatus that shortens the evacuation time inside the upper chamber and the lower chamber when bonding between substrates.

本実施例による基板合着装置は、上部チャンバ、上記上部チャンバに接して合着空間を形成する下部チャンバ、上記上部チャンバの下方に配置されて第1の基板が付着される上部チャック、上記下部チャンバの上面に結合されて上記下部チャンバと一体に形成されて第2の基板が付着される下部チャック、上記上部チャンバの上方に配置されて上記第1の基板の位置を調節する位置調節手段、及び上記上部チャンバの上方に設けられて上記合着空間に真空圧を提供する排気部を含む。   The substrate bonding apparatus according to the present embodiment includes an upper chamber, a lower chamber in contact with the upper chamber to form a bonding space, an upper chuck disposed below the upper chamber to which a first substrate is attached, and the lower A lower chuck coupled to the upper surface of the chamber and integrally formed with the lower chamber to which a second substrate is attached; a position adjusting means disposed above the upper chamber to adjust the position of the first substrate; And an exhaust unit provided above the upper chamber and providing a vacuum pressure to the bonding space.

本発明は、基板間の合着時、上部チャンバと下部チャンバの内部の空間を最小化して真空排気時間を短縮することができる。また、上部チャンバと下部チャンバの内部の空間を最小化するため、真空排気のための真空ポンプの数は最小化することができる。これに伴い、工程遂行のために消費される電力を減らすことができる利点がある。   In the present invention, the space between the upper chamber and the lower chamber can be minimized at the time of bonding between the substrates to shorten the evacuation time. In addition, since the space inside the upper chamber and the lower chamber is minimized, the number of vacuum pumps for evacuation can be minimized. Along with this, there is an advantage that the power consumed for performing the process can be reduced.

本実施例による基板合着装置を示した概略断面図である。It is the schematic sectional drawing which showed the board | substrate bonding apparatus by a present Example. 本実施例による基板合着方法を示した順序図である。It is the flowchart which showed the board | substrate bonding method by a present Example. 本実施例による基板合着装置の作動状態を示した作動図である。It is the operation | movement figure which showed the operation state of the board | substrate bonding apparatus by a present Example. 本実施例による基板合着装置の作動状態を示した作動図である。It is the operation | movement figure which showed the operation state of the board | substrate bonding apparatus by a present Example. 本実施例による基板合着装置の作動状態を示した作動図である。It is the operation | movement figure which showed the operation state of the board | substrate bonding apparatus by a present Example. 本実施例による基板合着装置の作動状態を示した作動図である。It is the operation | movement figure which showed the operation state of the board | substrate bonding apparatus by a present Example. 他の実施例による基板合着装置を示した概略断面図である。It is the schematic sectional drawing which showed the board | substrate bonding apparatus by another Example.

以下では本実施例による基板合着装置を説明する。以下、相異する実施例における同一構成に対しては同一符号を付与して説明する。   Below, the board | substrate bonding apparatus by a present Example is demonstrated. Hereinafter, the same components in different embodiments will be described with the same reference numerals.

<第1の実施例>
図1は、第1の実施例による基板合着装置を示した概略断面図である。
<First embodiment>
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a substrate bonding apparatus according to a first embodiment.

図1を参照すると、基板合着装置(100)は、フレーム(200)、上部チャンバ(300)、下部チャンバ(400)、駆動部(500)及び位置調節手段(600)を含む。   Referring to FIG. 1, the substrate bonding apparatus 100 includes a frame 200, an upper chamber 300, a lower chamber 400, a driving unit 500, and a position adjusting unit 600.

フレーム(200)は、基板合着装置(100)の外形を形成して各構成部を支持、固定するためのものである。フレーム(200)は、フレーム(200)の下部を形成してベース(220)の外周面に固定される複数の柱(210)と、駆動部(500)を固定させるベース(220)を含む。各柱(210)間には各柱(210)の強度を補強するための別途のビーム(未図示)と支柱(未図示)が追加的に設けられることができる。   The frame (200) is for forming the outer shape of the substrate bonding apparatus (100) to support and fix each component. The frame (200) includes a plurality of pillars (210) that form a lower portion of the frame (200) and are fixed to the outer peripheral surface of the base (220), and a base (220) that fixes the driving unit (500). Separate beams (not shown) and struts (not shown) for reinforcing the strength of the pillars (210) may be additionally provided between the pillars (210).

各柱(210)の上部には、上部チャンバ(300)の側部と連結して固定される第1の支持バー(310)が設けられる。従って、上部チャンバ(300)は、第1の支持バー(310)により固定される。また、各柱(210)の下部には下部チャンバ(400)を支持するための第2の支持バー(410)が設けられる。従って、下部チャンバ(400)は第2の支持バー(410)により支持される。   A first support bar (310) is provided at the top of each column (210) and is connected and fixed to the side of the upper chamber (300). Accordingly, the upper chamber (300) is fixed by the first support bar (310). Further, a second support bar 410 for supporting the lower chamber 400 is provided below each pillar 210. Accordingly, the lower chamber (400) is supported by the second support bar (410).

上部チャンバ(300)はフレーム(200)の上部に固定され、上部チャンバ(300)の下面は下部チャンバ(400)と密着して合着空間を形成する。上定盤(320)は上部チャンバ(300)の下方に配置され、上定盤(320)の上面エッジ部は後述する位置調節手段(600)に付着される。上部チャック(330)は上定盤(320)の下面に付着され、上部チャック(330)の下面には第1の基板(P1)が付着される。上部チャック(330)は静電力により第1の基板(P1)を付着する静電チャック(ESC:Electrostatic Chuck)で備えられるのが望ましい。上定盤(320)は上部チャック(330)と一体に形成されることもできる。このとき、上定盤(320)は第1の基板(P1)を付着する。   The upper chamber 300 is fixed to the upper portion of the frame 200, and the lower surface of the upper chamber 300 is in close contact with the lower chamber 400 to form a bonding space. The upper surface plate (320) is disposed below the upper chamber (300), and the upper surface edge portion of the upper surface plate (320) is attached to a position adjusting means (600) described later. The upper chuck (330) is attached to the lower surface of the upper surface plate (320), and the first substrate (P1) is attached to the lower surface of the upper chuck (330). The upper chuck 330 is preferably provided with an electrostatic chuck (ESC) that attaches the first substrate P1 by electrostatic force. The upper surface plate 320 may be formed integrally with the upper chuck 330. At this time, the upper surface plate 320 attaches the first substrate P1.

上部チャンバ(300)の上面には、第1の基板(P1)と第2の基板(P2)の相対的位置を調節するためのカメラ部(340)と、上部チャック(330)に第1の基板(P1)を付着させたり分離させるために第1の基板(P1)を吸着または加圧する基板分離装置(350)が配置される。   On the upper surface of the upper chamber (300), a camera unit (340) for adjusting the relative positions of the first substrate (P1) and the second substrate (P2), and a first chuck (330) are connected to the first chamber (300). A substrate separation device (350) that adsorbs or pressurizes the first substrate (P1) is disposed in order to attach or separate the substrate (P1).

カメラ部(340)は、上部チャンバ(300)及び上定盤(320)に形成された貫通孔(341)を介して上定盤(320)の上部チャック(330)に付着された第1の基板(P1)及び後述する第2の基板(P2)の整列状態を読み込む。   The camera unit (340) is attached to the upper chuck (330) of the upper platen (320) through a through hole (341) formed in the upper chamber (300) and the upper platen (320). The alignment state of the substrate (P1) and the second substrate (P2) described later is read.

カメラ部(340)は、第1の基板(P1)と第2の基板(P2)に備えられるアラインマーク(未図示)を重畳して観測することができるように装着され、少なくとも第1の基板(P1)と第2の基板(P2)の対角された2つのエッジ以上を重畳観測するように配置される。   The camera unit (340) is mounted such that alignment marks (not shown) provided on the first substrate (P1) and the second substrate (P2) can be superposed and observed, and at least the first substrate. Arranged so that two or more diagonal edges of (P1) and the second substrate (P2) are superposed.

基板分離装置(350)は、上部チャンバ(300)と上定盤(330)を貫通して配置される複数の分離ピン(351)と、上部チャンバ(300)の外部に配置されて分離ピン(351)を昇降させる分離ピン作動体(352)を含む。   The substrate separation apparatus 350 includes a plurality of separation pins 351 disposed through the upper chamber 300 and the upper surface plate 330, and separation pins (351) disposed outside the upper chamber 300. 351) includes a separating pin actuating body (352).

分離ピン(351)は中空管状に設けられ、分離ピン(351)は分離ピン(351)の内部に真空圧を形成して第1の基板(P1)を吸着した後、上部チャック(330)の付着力により付着させる。また、第1の基板(P1)が上部チャック(330)に付着された後、分離ピン(351)は、第1の基板(P1)と第2の基板(P2)の合着時、第1の基板(P1)を第2の基板(P2)に自由落下させるために真空圧を遮断する。従って、第1の基板(P1)は上部チャック(330)から分離される。   The separation pin (351) is provided in a hollow tubular shape. The separation pin (351) forms a vacuum pressure inside the separation pin (351) to adsorb the first substrate (P1), and then the upper chuck (330). Adhere by adhesion. In addition, after the first substrate (P1) is attached to the upper chuck (330), the separation pin (351) is connected to the first substrate (P1) and the second substrate (P2) when the first substrate (P1) is attached. The vacuum pressure is cut off in order to allow the substrate (P1) to freely drop onto the second substrate (P2). Accordingly, the first substrate (P1) is separated from the upper chuck (330).

下部チャンバ(400)は上部チャンバ(300)の下部に配置され、上部チャンバ(300)側に昇降されつつ上部チャンバ(300)に密着されて合着空間を形成する。下部チャック(420)は下部チャンバ(400)の上面に結合されて下部チャンバ(400)と一体に形成される。   The lower chamber (400) is disposed below the upper chamber (300), and is in close contact with the upper chamber (300) while moving up and down toward the upper chamber (300) to form a bonding space. The lower chuck 420 is coupled to the upper surface of the lower chamber 400 and is integrally formed with the lower chamber 400.

下部チャック(420)は、下部チャンバ(400)の上面に結合されて下部チャンバ(400)と一体に形成されるだけでなく、後述する基板昇降装置(430)により昇降される。下部チャック(420)は第2の基板(P2)を付着する。下部チャック(420)が下部チャンバ(400)の上面に結合されて下部チャンバ(400)と一体に形成されることによって、チャンバ(300、400)の内部の体積は減少するため、合着空間の真空排気時間を短縮することができる効果がある。これは、後述する位置調節手段(600)を下部チャンバ(400)でない上部チャンバ(300)の上方に設けることによって、下部チャック(420)が下部チャンバ(400)の上面に結合されて下部チャンバ(400)と一体に形成されることができるようにしたのである。また、チャンバ(300、400)の内部の体積が減少するため、合着空間の真空排気のための真空ポンプの数は減少され、それによって消費される電力を減らすことができる利点がある。また、下部チャック(420)を下部チャンバ(400)と一体に形成することによって装備の製作原価を節減することができる利点がある。   The lower chuck 420 is coupled to the upper surface of the lower chamber 400 and is integrally formed with the lower chamber 400, and is lifted and lowered by a substrate lifting device 430, which will be described later. The lower chuck (420) attaches the second substrate (P2). Since the lower chuck (420) is coupled to the upper surface of the lower chamber (400) and is integrally formed with the lower chamber (400), the internal volume of the chamber (300, 400) is reduced. There is an effect that the evacuation time can be shortened. This is because the lower chuck (420) is coupled to the upper surface of the lower chamber (400) by providing a position adjusting means (600) to be described later above the upper chamber (300) which is not the lower chamber (400). 400) can be integrally formed. In addition, since the internal volume of the chamber (300, 400) is reduced, the number of vacuum pumps for evacuation of the joining space is reduced, and there is an advantage that power consumed can be reduced. In addition, since the lower chuck (420) is integrally formed with the lower chamber (400), the manufacturing cost of the equipment can be reduced.

下部チャック(420)は、静電力により第2の基板(P2)を付着する静電チャック(ESC:Electrostatic Chuck)で備えられるのが望ましい。   The lower chuck (420) is preferably provided with an electrostatic chuck (ESC) that attaches the second substrate (P2) by electrostatic force.

下部チャンバ(400)の周囲には上部チャンバ(300)の下面に接触して合着空間の機密を維持するためのシーリング部材(440)が備えられる。   A sealing member (440) is provided around the lower chamber (400) to contact the lower surface of the upper chamber (300) to maintain the secret of the bonding space.

下部チャンバ(400)の下面には第2の基板(P2)を下部チャック(420)に付着させたり、下部チャック(420)に付着された第2の基板(P2)を下部チャック(420)から分離するための基板昇降装置(430)が配置される。   The second substrate (P2) is attached to the lower chuck (420) on the lower surface of the lower chamber (400), or the second substrate (P2) attached to the lower chuck (420) is attached to the lower chuck (420). A substrate lifting device (430) for separation is disposed.

基板昇降装置(430)は、下部チャンバ(400)と下部チャック(420)を貫通して配置される複数の昇降ピン(431)と、下部チャンバ(400)の外部に備えられて複数の昇降ピン(431)を昇降させる昇降ピン作動体(432)とを含む。   The substrate lifting apparatus 430 includes a plurality of lifting pins 431 disposed through the lower chamber 400 and the lower chuck 420, and a plurality of lifting pins provided outside the lower chamber 400. And a lifting pin actuating body (432) for lifting and lowering (431).

昇降ピン(431)は中空管状に設けられる。第2の基板(P2)がチャンバ(300、400)内部に搬入される場合に、昇降ピン(431)は上昇して第2の基板(P2)を支持する。それだけでなく、第1の基板(P1)と第2の基板(P2)の合着後、昇降ピン(431)は合着された基板(P1+P2)を昇降させることによって、合着された基板(P1+P2)を下部チャンバ(400)から分離させる。   The raising / lowering pin (431) is provided in a hollow tubular shape. When the second substrate (P2) is carried into the chamber (300, 400), the elevating pins (431) are raised to support the second substrate (P2). In addition, after the first substrate (P1) and the second substrate (P2) are bonded, the lift pins (431) are moved up and down to move the bonded substrate (P1 + P2). P1 + P2) is separated from the lower chamber (400).

下部排気部(450)は下部チャンバ(400)の下方に設けられる。下部排気部(450)は、上部チャンバ(300)と下部チャンバ(400)により形成される合着空間に真空圧を形成するためのものである。下部排気部(450)は、外部に別途設けられる真空ポンプ(未図示)と、上記真空ポンプと合着空間を連通させる下部排気管(451)とを含む。   The lower exhaust part (450) is provided below the lower chamber (400). The lower exhaust part (450) is for forming a vacuum pressure in a joining space formed by the upper chamber (300) and the lower chamber (400). The lower exhaust part (450) includes a vacuum pump (not shown) provided separately outside, and a lower exhaust pipe (451) that communicates the vacuum pump with the joining space.

下部排気管(451)は、合着空間の真空圧形成のための真空ポンプが連結されて真空圧を形成すると共に、合着時、必要なN2処理ガスを供給したり、合着空間の圧力を大気圧状態の圧力で形成されるように圧力気体を供給するように備えられることもできる。真空ポンプは、ドライポンプ(Dry Pump)、ターボ分子ポンプ(Turbomolecular Pump、TMP)、メカニカルブースタポンプ(Mechanical Booster Pump)などであってもよい。   The lower exhaust pipe (451) is connected to a vacuum pump for forming a vacuum pressure in the coalescing space to form a vacuum pressure, and at the time of coalescence, supplies a necessary N2 processing gas or pressure in the coalescing space. Can be provided to supply the pressure gas so that it is formed at atmospheric pressure. The vacuum pump may be a dry pump, a turbomolecular pump (TMP), a mechanical booster pump, or the like.

駆動部(500)は、フレーム(200)の下部に配置され、下部チャンバ(400)と上部チャンバ(300)が合着空間を形成するように下部チャンバ(400)を上部チャンバ(300)側に昇降させる。駆動部(500)はフレーム(200)のベース(220)の各エッジ部に設けられる。駆動部(500)は、下部チャンバ(400)を支持する昇降柱(510)と、昇降柱(510)を昇降させる昇降体(520)とを含む。   The driving unit 500 is disposed at a lower portion of the frame 200 and moves the lower chamber 400 toward the upper chamber 300 so that the lower chamber 400 and the upper chamber 300 form a joining space. Move up and down. The driving unit 500 is provided at each edge of the base 220 of the frame 200. The driving unit 500 includes a lifting column 510 that supports the lower chamber 400 and a lifting unit 520 that lifts the lifting column 510.

このような昇降体(520)は、直接下部チャンバ(400)の昇降のための動力を発生させる油圧シリンダ(未図示)で備えられたり、モータ(未図示)と、モータで発生される動力の方向を切り換えると共に、減速させる減速器(未図示)と、減速器の回転運動を直線運動に切り換えるためのスクリュ結合体(未図示)の組合せで備えられることもできる。このような昇降体(520)の構造は多様な実施例により具現されることができ、上述した構造に限定されるのではない。   Such a lifting body (520) is provided with a hydraulic cylinder (not shown) that directly generates power for raising and lowering the lower chamber (400), or a motor (not shown) and the power generated by the motor. It is also possible to provide a combination of a speed reducer (not shown) for switching the direction and a screw combination (not shown) for switching the rotational motion of the speed reducer to a linear motion. The structure of the elevating body 520 can be implemented by various embodiments, and is not limited to the above-described structure.

位置調節手段(600)は、上部チャンバ(300)の上方に配置され、第1の基板(P1)の位置を調節する。位置調節手段(600)は第1の基板(P1)を水平移動させるUVWテーブル(600)であってもよい。   The position adjusting means 600 is disposed above the upper chamber 300 and adjusts the position of the first substrate P1. The position adjusting means (600) may be a UVW table (600) that horizontally moves the first substrate (P1).

UVWテーブル(600)は、上部チャンバ(300)を貫通して第1の基板(P1)を水平移動させるUVW駆動軸(610)と、UVW駆動軸(610)の上面に付着されてUVW駆動軸(610)に駆動力を伝達するUVW駆動軸作動体(620)とを含む。   The UVW table 600 is attached to the upper surface of the UVW drive shaft 610 and the UVW drive shaft 610 that horizontally moves the first substrate P1 through the upper chamber 300, and the UVW drive shaft. (610) and a UVW drive shaft actuator (620) for transmitting a drive force.

UVW駆動軸(610)は、上部チャンバ(300)を貫通して上定盤(320)の上面エッジ部に付着される。従って、UVW駆動軸(610)は、上定盤(320)の上面エッジ部に付着されて上定盤(320)を第1の基板(P1)と共に水平移動させる。   The UVW drive shaft (610) passes through the upper chamber (300) and is attached to the upper surface edge portion of the upper surface plate (320). Accordingly, the UVW drive shaft (610) is attached to the upper surface edge portion of the upper surface plate (320) and horizontally moves the upper surface plate (320) together with the first substrate (P1).

UVW駆動軸作動体(620)の上面は後述する昇降板(630)に付着され、下面はUVW駆動軸(610)に付着される。UVW駆動軸作動体(620)は、第1の基板(P1)を水平移動させるためにUVW駆動軸(610)に駆動力を伝達する。従って、UVW駆動軸(610)に付着された上定盤(320)と上定盤(320)に付着された上部チャック(330)は、水平移動をするようになり、それによって上部チャック(330)に付着された第1の基板(P1)は第2の基板(P2)に対して水平移動をする。   The upper surface of the UVW drive shaft operating body (620) is attached to an elevating plate (630) described later, and the lower surface is attached to a UVW drive shaft (610). The UVW driving shaft operating body (620) transmits a driving force to the UVW driving shaft (610) to horizontally move the first substrate (P1). Accordingly, the upper surface plate (320) attached to the UVW drive shaft (610) and the upper chuck (330) attached to the upper surface plate (320) move horizontally, whereby the upper chuck (330 The first substrate (P1) attached to the second substrate moves horizontally with respect to the second substrate (P2).

リニアアクチュエータ(640)は、フレーム(200)の各柱(210)の上部に配置され、第1の支持バー(310)の上面に付着される。リニアアクチュエータ(640)の上面は、後述する昇降板(630)に接触されて昇降板(630)を支持する。リニアアクチュエータ(640)は昇降板(630)を昇降させ、その結果、昇降板(630)に付着されたUVWテーブル(600)は昇降される。従って、リニアアクチュエータ(640)は、UVWテーブル(600)に付着された上定盤(320)を昇降させることによって、第1の基板(P1)と第2の基板(P2)間の間隔を調節する。   The linear actuator (640) is disposed on the top of each column (210) of the frame (200) and attached to the upper surface of the first support bar (310). The upper surface of the linear actuator (640) is in contact with an elevator plate (630) described later to support the elevator plate (630). The linear actuator (640) moves the lifting plate (630) up and down, and as a result, the UVW table (600) attached to the lifting plate (630) is lifted and lowered. Accordingly, the linear actuator (640) adjusts the distance between the first substrate (P1) and the second substrate (P2) by moving the upper surface plate (320) attached to the UVW table (600) up and down. To do.

昇降板(630)は、昇降板(630)の下面エッジ部にリニアアクチュエータ(640)が付着されて上記リニアアクチュエータ(640)により支持される。また、昇降板(630)の下面にUVWテーブル(600)が付着されており、リニアアクチュエータ(640)が昇降されることによってUVWテーブル(600)も昇降される。従って、UVWテーブル(600)に付着された上定盤(320)が昇降されることによって第1の基板(P1)と第2の基板(P2)間の間隔が調節される。   The elevating plate (630) is supported by the linear actuator (640) with the linear actuator (640) attached to the lower surface edge portion of the elevating plate (630). Further, the UVW table (600) is attached to the lower surface of the lifting plate (630), and the UVW table (600) is also moved up and down by moving the linear actuator (640) up and down. Accordingly, the distance between the first substrate (P1) and the second substrate (P2) is adjusted by moving up and down the upper surface plate (320) attached to the UVW table (600).

図2は、第1の実施例による基板合着方法を示した順序図であり、図3ないし図6は、第1の実施例による基板合着装置の作動状態を示した作動図である。   FIG. 2 is a flow chart illustrating a substrate bonding method according to the first embodiment, and FIGS. 3 to 6 are operation diagrams illustrating operating states of the substrate bonding apparatus according to the first embodiment.

図2ないし図6を参照すると、まず第1の基板(P1)と第2の基板(P2)は基板供給装置(未図示)により上部チャンバ(300)と下部チャンバ(400)間に供給される。   2 to 6, first, the first substrate P1 and the second substrate P2 are supplied between the upper chamber 300 and the lower chamber 400 by a substrate supply device (not shown). .

第1の基板(P1)がまず供給される場合には、第1の基板(P1)が上部チャンバ(300)と下部チャンバ(400)間に進入されることによって、上部チャンバ(300)に配置された上定盤(320)の上部チャック(330)により付着される。   When the first substrate (P1) is supplied first, the first substrate (P1) is placed between the upper chamber (300) and the lower chamber (400) to be arranged in the upper chamber (300). The upper surface plate 320 is attached by the upper chuck 330.

第2の基板(P2)が供給されることによって、下部チャンバ(400)に配置された昇降ピン(431)が昇降ピン作動体(432)により下部チャンバ(400)の上部に上昇し、上昇する昇降ピン(431)により上部チャンバ(300)と下部チャンバ(400)間に位置した第2の基板(P2)が支持される。昇降ピン(431)が昇降ピン作動体(432)により下降されつつ、昇降ピン(431)に支持された第2の基板(P2)が共に下降し、第2の基板(P2)の下部に位置した下部チャック(420)の付着力により付着される(S110)(図3ご参照)。   When the second substrate (P2) is supplied, the elevating pins (431) disposed in the lower chamber (400) are raised and raised to the upper portion of the lower chamber (400) by the elevating pin operating body (432). The second substrate (P2) positioned between the upper chamber (300) and the lower chamber (400) is supported by the lift pins (431). While the elevating pin (431) is lowered by the elevating pin actuating body (432), the second substrate (P2) supported by the elevating pin (431) is lowered together and is positioned below the second substrate (P2). The lower chuck (420) is attached by the adhesion force (S110) (see FIG. 3).

第1の基板(P1)と第2の基板(P2)の付着が完了すると、駆動部(500)により下部チャンバ(400)が上部チャンバ(300)側に上昇し、下部チャンバ(400)の上面が上部チャンバ(300)の下面に密着されつつ、第1の基板(P1)と第2の基板(P2)の合着のための合着空間が形成される(S120)(図4ご参照)。   When the attachment of the first substrate (P1) and the second substrate (P2) is completed, the lower chamber (400) is raised to the upper chamber (300) side by the driving unit (500), and the upper surface of the lower chamber (400). Is in close contact with the lower surface of the upper chamber (300), and a bonding space for bonding the first substrate (P1) and the second substrate (P2) is formed (S120) (see FIG. 4). .

下部チャンバ(400)は独立的に作動可能な複数の駆動部(500)により支持されている。各駆動部(500)に配置された昇降体(520)は独立的に作動し、各昇降体(520)により昇降される昇降柱(510)により下部チャンバ(400)は上昇して上部チャンバ(300)と密着することによって、下部チャンバ(400)と上部チャンバ(300)は合着空間を形成する。このとき、上部チャンバ(300)と下部チャンバ(400)は、下部チャンバ(400)の上面の周囲に配置されたシーリング部材(440)により機密が維持される。   The lower chamber (400) is supported by a plurality of drive units (500) that can operate independently. The elevating bodies (520) disposed in the respective driving units (500) operate independently, and the lower chamber (400) is raised by the elevating columns (510) raised and lowered by the respective elevating bodies (520) to raise the upper chamber ( 300), the lower chamber 400 and the upper chamber 300 form a joining space. At this time, the upper chamber (300) and the lower chamber (400) are kept secret by a sealing member (440) disposed around the upper surface of the lower chamber (400).

合着空間が形成されると、リニアアクチュエータ(640)により第1の基板(P1)と第2の基板(P2)の間隔が調節され、また、UVWテーブル(600)により第1の基板(P1)の位置は第2の基板(P2)に対し調節(整列)される(S130)。   When the bonding space is formed, the distance between the first substrate (P1) and the second substrate (P2) is adjusted by the linear actuator (640), and the first substrate (P1) is adjusted by the UVW table (600). ) Is adjusted (aligned) with respect to the second substrate P2 (S130).

リニアアクチュエータ(640)の上面は昇降板(630)に接触されて昇降板(630)を支持する。リニアアクチュエータ(640)は昇降板(630)を昇降させ、その結果、昇降板(630)に付着されたUVWテーブル(600)は昇降される。従って、リニアアクチュエータ(640)は、UVWテーブル(600)に付着された上定盤(320)を昇降させることによって、第1の基板(P1)と第2の基板(P2)間の間隔を調節する。   The upper surface of the linear actuator (640) is in contact with the lifting plate (630) to support the lifting plate (630). The linear actuator (640) moves the lifting plate (630) up and down, and as a result, the UVW table (600) attached to the lifting plate (630) is lifted and lowered. Accordingly, the linear actuator (640) adjusts the distance between the first substrate (P1) and the second substrate (P2) by moving the upper surface plate (320) attached to the UVW table (600) up and down. To do.

このとき、カメラ部(340)は、第1の基板(P1)と第2の基板(P2)のアラインマーク(未図示)を撮影して第1の基板(P1)と第2の基板(P2)のアライン状態を確認する。また、UVWテーブル(600)は、上定盤(320)の位置を調節することによって、第2の基板(P2)に対して第1の基板(P1)の位置を調節(整列)する。即ち、UVWテーブル(600)は、上定盤(320)及び上部チャック(330)を第1の基板(P1)と共に水平移動させる。   At this time, the camera unit 340 captures an alignment mark (not shown) of the first substrate (P1) and the second substrate (P2) to capture the first substrate (P1) and the second substrate (P2). ) Check the alignment status. Further, the UVW table 600 adjusts (aligns) the position of the first substrate (P1) with respect to the second substrate (P2) by adjusting the position of the upper surface plate (320). That is, the UVW table 600 horizontally moves the upper surface plate 320 and the upper chuck 330 together with the first substrate P1.

間隔調節及び位置調節が完了すると、合着空間に真空圧を形成し、上部チャック(330)に付着された第1の基板(P1)を第2の基板(P2)の上部に自由落下させて第1の基板(P1)と第2の基板(P2)を仮接合する。その後、仮接合された第1の基板(P1)と第2の基板(P2)の外部にN2処理ガスを供給して圧力を加えることによって、第1の基板(P1)と第2の基板(P2)は堅固に付着されて合着される(S140)(図5ご参照)。即ち、合着空間の圧力を上昇させることによって、仮接合された第1の基板(P1)と第2の基板(P2)の内部と外部の圧力差によって第1の基板(P1)と第2の基板(P2)は合着される。   When the distance adjustment and the position adjustment are completed, a vacuum pressure is formed in the bonding space, and the first substrate (P1) attached to the upper chuck (330) is freely dropped onto the second substrate (P2). The first substrate (P1) and the second substrate (P2) are temporarily joined. Thereafter, an N2 processing gas is supplied to the outside of the temporarily bonded first substrate (P1) and second substrate (P2) and pressure is applied, whereby the first substrate (P1) and the second substrate ( P2) is firmly attached and bonded (S140) (see FIG. 5). That is, by increasing the pressure in the bonding space, the first substrate (P1) and the second substrate are caused by the pressure difference between the inside and the outside of the temporarily bonded first substrate (P1) and the second substrate (P2). The substrate (P2) is bonded.

第1の基板(P1)と第2の基板(P2)の合着が完了すると、合着空間の圧力を大気圧状態に復元し、合着された基板を基板合着装置(100)の外部に搬出する(S150)(図6ご参照)。このとき、大気圧状態に復元する理由は、圧力の制御が容易であり、以後に行われる基板搬出作業が大気圧状態で行われるため、これ以上の工程が不必要であるためである。   When the bonding of the first substrate (P1) and the second substrate (P2) is completed, the pressure in the bonding space is restored to the atmospheric pressure state, and the bonded substrate is removed from the substrate bonding apparatus (100). (S150) (see FIG. 6). At this time, the reason why the pressure is restored to the atmospheric pressure state is that control of the pressure is easy, and the subsequent substrate carrying-out work is performed in the atmospheric pressure state, so that no further steps are necessary.

一方、図7は、他の実施例による基板合着装置を示した概略断面図である。図7の説明で上述した実施例と同じ構成に対する説明は省略する。図7に示したように、本実施例の排気部は上部チャンバ(300)に連結した上部排気部(360)で備えられる。   On the other hand, FIG. 7 is a schematic sectional view showing a substrate bonding apparatus according to another embodiment. The description of the same configuration as that of the embodiment described above with reference to FIG. As shown in FIG. 7, the exhaust part of the present embodiment is provided with an upper exhaust part (360) connected to the upper chamber (300).

上部排気部(360)は上部チャンバ(300)の上方に設けられる。上部排気部(360)は、上部チャンバ(300)と後述する下部チャンバ(400)により形成される合着空間に真空圧を形成するためのものである。上部排気部(360)は外部に別途設けられる真空ポンプ(未図示)と、上記真空ポンプと合着空間を連通させる上部排気管(361)とを含む。   The upper exhaust part (360) is provided above the upper chamber (300). The upper exhaust part (360) is for forming a vacuum pressure in a joining space formed by the upper chamber (300) and a lower chamber (400) described later. The upper exhaust part (360) includes a vacuum pump (not shown) provided separately outside, and an upper exhaust pipe (361) that communicates the vacuum pump with the joining space.

上部排気管(361)は、合着空間の真空圧形成のための真空ポンプが連結して真空圧を形成すると共に、合着時、必要なN2処理ガスを供給したり、合着空間の圧力を大気圧状態の圧力で形成されるように圧力気体を供給するように備えられることもできる。真空ポンプは、ドライポンプ(Dry Pump)、ターボ分子ポンプ(Turbomolecular Pump、TMP)、メカニカルブースタポンプ(Mechanical Booster Pump)などであってもよい。   The upper exhaust pipe (361) is connected to a vacuum pump for forming a vacuum pressure in the coalescing space to form a vacuum pressure, and at the time of coalescence, supplies a necessary N2 processing gas, or pressure in the coalescing space. Can be provided to supply the pressure gas so that it is formed at atmospheric pressure. The vacuum pump may be a dry pump, a turbomolecular pump (TMP), a mechanical booster pump, or the like.

以上、考察した通り、本発明の望ましい実施例に対して詳細に記述したが、本発明の属する技術分野において通常の知識を有した者であれば、添付された請求範囲に定義された本発明の精神及び範囲を外れることなく、本発明を多様に変形して実施することができる。従って、今後、本発明の実施例の変更は本発明の技術を外れないことができない。   As described above, the preferred embodiments of the present invention have been described in detail. However, those skilled in the art to which the present invention pertains have ordinary knowledge, and the present invention defined in the appended claims. The present invention can be variously modified and implemented without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, future modifications of the embodiments of the present invention cannot deviate from the technology of the present invention.

例えば、本発明に他の付加的な機能を有した構成要素を追加したり、または他の構成要素に交替して実施することができる。然しながら、変形された他の実施例が、本発明の必須構成要素を含むならば、本発明の技術的範ちゅうに含まれると見なすべきである。   For example, components having other additional functions can be added to the present invention, or replaced with other components. However, if other modified embodiments include the essential components of the present invention, they should be considered within the technical scope of the present invention.

100 基板合着装置
200 フレーム
210 柱
220 ベース
300 上部チャンバ
310 第1の支持バー
320 上定盤
330 上部チャック
340 カメラ部
341 貫通孔
350 基板分離装置
351 分離ピン
352 分離ピン作動体
360 上部排気部
361 上部排気管
400 下部チャンバ
410 第2の支持バー
420 下部チャック
430 基板昇降装置
431 昇降ピン
432 昇降ピン作動体
450 下部排気部
451 下部排気管
500 駆動部
510 昇降柱
520 昇降体
600 位置調節手段
600 UVWテーブル
610 UVW駆動軸
620 UVW駆動軸作動体
630 昇降板
540 リニアアクチュエータ
P1 第1の基板
P2 第2の基板
100 Substrate bonding apparatus 200 Frame 210 Column 220 Base 300 Upper chamber 310 First support bar 320 Upper surface plate 330 Upper chuck 340 Camera unit 341 Through-hole 350 Substrate separating apparatus 351 Separating pin 352 Separating pin operating body 360 Upper exhaust section 361 Upper exhaust pipe 400 Lower chamber 410 Second support bar 420 Lower chuck 430 Substrate elevating device 431 Elevating pin 432 Elevating pin operating body 450 Lower exhaust part 451 Lower exhaust pipe 500 Driving part 510 Elevating column 520 Elevating body 600 Position adjusting means 600 UVW Table 610 UVW drive shaft 620 UVW drive shaft actuator 630 Lift plate 540 Linear actuator P1 First substrate P2 Second substrate

Claims (8)

上部チャンバ;
上記上部チャンバに接して合着空間を形成する下部チャンバ;
上記上部チャンバの下方に配置され、第1の基板が付着される上部チャック;
上記下部チャンバの上面に結合されて上記下部チャンバと一体に形成され、第2の基板が付着される下部チャック;及び、
上記上部チャンバの上方に配置され、上記第1の基板の位置を調節する位置調節手段を含むことを特徴とする基板合着装置。
Upper chamber;
A lower chamber that forms an attachment space in contact with the upper chamber;
An upper chuck disposed below the upper chamber and to which the first substrate is deposited;
A lower chuck coupled to an upper surface of the lower chamber and integrally formed with the lower chamber, to which a second substrate is attached; and
A substrate bonding apparatus, comprising: a position adjusting means which is disposed above the upper chamber and adjusts the position of the first substrate.
請求項1において、
上記下部チャックは、静電力により上記第2の基板を付着する静電チャック(ESC:Electrostatic Chuck)を含むことを特徴とする基板合着装置。
In claim 1,
The substrate bonding apparatus, wherein the lower chuck includes an electrostatic chuck (ESC) that adheres the second substrate by electrostatic force.
請求項1において、
上記位置調節手段は、上記第1の基板を水平移動させるUVWテーブルであることを特徴とする基板合着装置。
In claim 1,
The substrate bonding apparatus, wherein the position adjusting means is a UVW table that horizontally moves the first substrate.
請求項3において、
上記UVWテーブルは、上記上部チャンバを貫通して上記第1の基板を水平移動させるUVW駆動軸と、上記UVW駆動軸の上面に付着されて上記UVW駆動軸に駆動力を伝達するUVW駆動軸作動体を含むことを特徴とする基板合着装置。
In claim 3,
The UVW table includes a UVW driving shaft that horizontally moves the first substrate through the upper chamber, and a UVW driving shaft operation that is attached to the upper surface of the UVW driving shaft and transmits a driving force to the UVW driving shaft. A substrate bonding apparatus comprising a body.
請求項1において、
上記上部チャンバの上方に設けられて上記合着空間に真空圧を提供する上部排気部を含む基板合着装置。
In claim 1,
A substrate bonding apparatus including an upper exhaust unit provided above the upper chamber and providing a vacuum pressure to the bonding space.
請求項1において、
上記排気部は、外部に別途に設けられる真空ポンプと、上記真空ポンプと上記合着空間を連通させる上部排気管を含むことを特徴とする基板合着装置。
In claim 1,
The substrate bonding apparatus, wherein the exhaust section includes a vacuum pump provided separately outside, and an upper exhaust pipe for communicating the vacuum pump and the bonding space.
請求項1において、
上記下部チャンバの下方に設けられて上記合着空間に真空圧を提供する下部排気部を含む基板合着装置。
In claim 1,
A substrate bonding apparatus including a lower exhaust unit provided below the lower chamber and providing a vacuum pressure to the bonding space.
請求項7において、
上記下部排気部は、外部に別途に設けられる真空ポンプと、上記真空ポンプと上記合着空間を連通させる下部排気管を含むことを特徴とする基板合着装置。
In claim 7,
The substrate lowering unit includes a vacuum pump provided separately outside, and a lower exhaust pipe for communicating the vacuum pump and the bonding space.
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