JP2010170988A - 有機発光表示装置 - Google Patents

有機発光表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2010170988A
JP2010170988A JP2009258059A JP2009258059A JP2010170988A JP 2010170988 A JP2010170988 A JP 2010170988A JP 2009258059 A JP2009258059 A JP 2009258059A JP 2009258059 A JP2009258059 A JP 2009258059A JP 2010170988 A JP2010170988 A JP 2010170988A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic light
light emitting
film
common electrode
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009258059A
Other languages
English (en)
Inventor
Soon-Ryong Park
順龍 朴
Woo-Suk Jung
又碩 鄭
Hee-Seong Jeong
憙星 丁
Eun-Ah Kim
恩雅 金
Hee-Chul Jeon
熙▲チュル▼ 田
Chul-Woo Jeong
哲宇 鄭
Noh Min Kwak
魯敏 郭
Joo-Hwa Lee
柱華 李
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Mobile Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Mobile Display Co Ltd filed Critical Samsung Mobile Display Co Ltd
Publication of JP2010170988A publication Critical patent/JP2010170988A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8791Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01003Lithium [Li]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01012Magnesium [Mg]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0102Calcium [Ca]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01024Chromium [Cr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

【課題】本発明は、有機発光表示装置に関するものである。
【解決手段】本発明の実施例による有機発光表示装置は、基板部材、前記基板部材上に形成される画素電極、前記画素電極上に形成される有機発光層、前記有機発光層上に形成される第1共通電極、前記第1共通電極上に形成される透過膜、前記透過膜上に形成される第2共通電極、前記第2共通電極上に形成される選択的反射膜、前記選択的反射膜上に形成される偏光板、及び前記偏光板及び前記第2共通電極の間に配置される位相遅延板を含む。
【選択図】図2

Description

本発明は有機発光表示装置に関し、より詳しくは、外光反射を効果的に抑制して、視認性を向上させた、有機発光表示装置に関するものである。
有機発光表示装置(Organic light emitting diode display)は、正孔注入電極、有機発光層、及び電子注入電極を有する複数の有機発光素子を含む。有機発光層の内部で、電子及び正孔が結合して生成された励起子(exciton)が励起状態から基底状態に落ちる時に発生するエネルギーによって発光が行われ、有機発光表示装置は、これを利用して画像を形成する。
したがって、有機発光表示装置は自発光特性を有し、液晶表示装置とは異なって別途の光源を必要としないので、厚さ及び重量を減らすことができる。また、有機発光表示装置は、低い消費電力、高い輝度、及び高反応速度などの高品位特性を示すので、携帯用電子機器の次世代表示装置として注目されている。
一般に、有機発光表示装置が有する電極及び金属配線は、外部から流入した光を反射する。有機発光表示装置は、このような外光反射によって黒色の表現及びコントラストが不良になって、表示特性が低下する問題点がある。
本発明は、前述の背景技術の問題点を解決するためのものであって、外光反射を抑制して、視認性を向上させつつ、有機発光層から外部に放出される光の損失を最小化した、有機発光表示装置を提供する。
本発明の実施例による有機発光表示装置は、基板部材、前記基板部材上に形成される画素電極、前記画素電極上に形成される有機発光層、前記有機発光層上に形成される第1共通電極、前記第1共通電極上に形成される透過膜、前記透過膜上に形成される第2共通電極、前記第2共通電極上に形成される選択的反射膜、前記選択的反射膜上に形成される偏光板、及び前記偏光板及び前記第2共通電極の間に配置される位相遅延板を含む。
前記選択的反射膜はコレステリック液晶(cholesteric liquid crystal, CLC)膜であり、前記位相遅延板は、前記偏光板及び前記コレステリック液晶膜の間に配置される。
前記コレステリック液晶膜は、左円偏光及び右円偏光のうちのいずれか一つを通過させ、他の一つを反射させる。
前記偏光板を通過して線偏光された光は、前記位相遅延板を通過すると円偏光に変わる。
前記位相遅延板は1/4波長板であり、前記位相遅延板の光軸及び前記偏光板の偏光軸の間の交角は45度である。
前記選択的反射膜は反射型偏光フィルムであり、前記位相遅延板は、前記有機発光素子及び前記反射型偏光フィルムの間に配置される。
前記偏光板及び前記反射型偏光フィルムは互いに同一の偏光軸を有する。
前記反射型偏光フィルムを通過して線偏光された光は、前記位相遅延板を通過すると円偏光に変わる。
前記位相遅延板は1/4波長板であり、前記位相遅延板の光軸及び前記偏光板の偏光軸の間の交角は45度である。
前記第1共通電極及び前記第2共通電極のうちの一つ以上は半透過膜から形成される。
前記半透過膜は、マグネシウム(Mg)、銀(Ag)、カルシウム(Ca)、リチウム(Li)、クロム(Cr)、及びアルミニウム(Al)のうちの一つ以上の金属から形成される。
前記有機発光表示装置は、前記画素電極を露出する開口部を有して、前記基板部材上に形成される画素定義膜をさらに含み、前記画素定義膜は、黒色または灰色系の色合いを有する。
前記画素定義膜は、前記第1共通電極下に配置される。
本発明の有機発光表示装置によれば、外光反射を抑制して、向上した視認性を有しつつ、有機発光層から外部に放出される光の損失を最小化することができる。
本発明の第1実施例による有機発光表示装置の配置図である。 図1のII−II線による断面図である。 外部から図1の有機発光表示装置に流入した光の経路を示す構成図である。 図1の有機発光表示装置の有機発光素子で発生した光が外部に放出される経路を示す構成図である。 本発明の第2実施例による有機発光表示装置の断面図である。 外部から図5の有機発光表示装置に流入した光の経路を示す構成図である。 図5の有機発光表示装置の有機発光素子で発生した光が外部に放出される経路を示す構成図である。
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施例について、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明は、色々な相異した形態に具現することができ、ここで説明する実施例に限定されない。
また、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために任意に示したものであり、本発明が必ずしも図示されたものに限定されるものではない。
本発明を明確に説明するために、説明に不要な部分は省略し、明細書全体を通して同一または類似した構成要素については、同一な参照符号を付けた。
また、本発明の実施例において、同一の構成を有する構成要素については、同一の符号を使用して代表的に第1実施例で説明し、その他の実施例では、第1実施例と異なる構成のみを説明することとする。
また、図面においては、色々な層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示した。明細書全体を通して類似した部分については、同一な図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」または「上部に」あるという場合、これは他の部分の真上にある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の「真上に」あるという場合、これはその中間に他の部分がないことを意味する。
また、添付図面においては、一つの画素に二つの薄膜トランジスタ(thin film transistor, TFT)及び一つの蓄電素子(capacitor)を備えた2Tr−1Cap構造の能動駆動(active matrix, AM)型有機発光表示装置を示しているが、本発明がこれに限定されるわけではない。したがって、有機発光表示装置は、一つの画素に三つ以上の薄膜トランジスタ及び二つ以上の蓄電素子を備えてもよく、別途の配線がさらに形成されて、多様な構造を有するように形成してもよい。ここで、画素は、画像を示す最小単位を言い、有機発光表示装置は、複数の画素によって画像を表示する。
以下、図1及び図2を参照して、本発明の第1実施例を説明する。
図1及び図2に示したように、本発明の第1実施例による有機発光表示装置100は、一つの画素にスイッチング薄膜トランジスタ10、駆動薄膜トランジスタ20、蓄電素子80、及び有機発光素子70を含む。そして、有機発光表示装置100は、一方向に沿って配置されるゲートライン151、ゲートライン151と絶縁交差するデータライン171、及び共通電源ライン172をさらに含む。ここで、一般に、一つの画素は、ゲートライン151、データライン171、及び共通電源ライン172を境界として定義される。しかし、画素が前述の定義にだけ限定されるわけではない。
有機発光素子70は、画素電極710と、画素電極710上に形成される有機発光層720と、有機発光層720上に形成される共通電極730とを含む。ここで、画素電極710は正孔注入電極である陽(+)極であり、共通電極730は電子注入電極である陰(−)極である。しかし、本発明による第1実施例が必ずしもこれに限定されるわけではなく、有機発光表示装置100の駆動方法によって、画素電極710が陰極となり、共通電極730が陽極となってもよい。画素電極710及び共通電極730からは、各々正孔及び電子が有機発光層720の内部に注入される。注入された正孔及び電子が結合した励起子(exciton)が励起状態から基底状態に落ちる時に発光が行われる。
蓄電素子80は、ゲート絶縁膜140を介して配置された第1蓄電板158及び第2蓄電板178を含む。
スイッチング薄膜トランジスタ10は、スイッチング半導体層131、スイッチングゲート電極152、スイッチングソース電極173、及びスイッチングドレイン電極174を含み、駆動薄膜トランジスタ20は、駆動半導体層132、駆動ゲート電極155、駆動ソース電極176、及び駆動ドレイン電極177を含む。
スイッチング薄膜トランジスタ10は、発光させようとする画素を選択するスイッチング素子として用いられる。スイッチングゲート電極152は、ゲートライン151に連結される。スイッチングソース電極173は、データライン171に連結される。スイッチングドレイン電極174は、スイッチングソース電極173から離隔配置されて、第1蓄電板158に連結される。
駆動薄膜トランジスタ20は、選択された画素内の有機発光素子70の有機発光層720を発光させるための駆動電源を画素電極710に印加する。駆動ゲート電極155は、第1蓄電板158と連結される。駆動ソース電極176及び第2蓄電板178は、各々共通電源ライン172と連結される。駆動ドレイン電極177は、コンタクトホール182を介して有機発光素子70の画素電極710と連結される。
このような構造により、スイッチング薄膜トランジスタ10は、ゲートライン151に印加されるゲート電圧で作動して、データライン171に印加されるデータ電圧を駆動薄膜トランジスタ20に伝達する役割を果たす。共通電源ライン172から駆動薄膜トランジスタ20に印加される共通電圧とスイッチング薄膜トランジスタ10から伝達されたデータ電圧との差に相当する電圧が蓄電素子80に貯められ、蓄電素子80に貯められた電圧に対応する電流が駆動薄膜トランジスタ20を介して有機発光素子70に流れて、有機発光素子70が発光するようになる。
また、有機発光表示装置100は、画素定義膜190、密封部材210、及び光学部材58をさらに含む。
画素定義膜190は、画素電極710を露出する開口部を有し、画素電極710は、画素定義膜190の開口部に対応する位置に形成される。また、画素定義膜190は、黒色または灰色系の色合いを有する。したがって、画素定義膜190は、外部から入射された光を吸収して、反射するのを抑制する役割を果たす。一方、本発明の第1実施例において、画素定義膜190は黒色または灰色系の色合いを有するが、必ずしもこれに限定されるわけではない。したがって、画素定義膜190が色を有しなくてもよい。
密封部材210は、有機発光素子70を介して基板部材111と合着密封される。密封部材210は、基板部材111上に形成される薄膜トランジスタ10、20及び有機発光素子70などを外部から密封するようにカバーして保護する。ここで、密封部材210及び光学部材58を除いた構成を表示基板110という。密封部材210としては、通常のガラスまたはプラスチックなどの素材から形成された絶縁基板が用いられる。
光学部材58は、外光反射を抑制して、有機発光表示装置100の視認性を向上させると共に、有機発光素子70から外部に放出される光の損失を最小化する役割を果たす。光学部材58は、有機発光素子70上に形成される選択的反射膜585と、選択的反射膜585上に形成される位相遅延板583と、位相遅延板583上に形成される偏光板581とを含む。また、本発明の第1実施例では、光学部材58は密封部材210上に形成されるが、これに限定されるわけではない。したがって、光学部材58が密封部材210及び有機発光素子70の間に形成されてもよい。
偏光板581は、偏光軸を有し、偏光軸方向に光を線偏光させる。具体的に、偏光板581は、偏光軸と一致する光は通過させ、偏光軸と一致しない光は吸収する。したがって、光が偏光板581を通過すれば偏光軸方向に線偏光される。
位相遅延板583は1/4波長板であり、偏光板581の偏光軸より45度程度ずれた光軸を有する。つまり、位相遅延板583の光軸及び偏光板581の偏光軸の間の交角は45度程度になる。これにより、偏光板581を通過して線偏光された光は、位相遅延板583を通過しながら円偏光に変わる。位相遅延板583の光軸及び偏光板581の偏光軸の間の交角が45度に近いほど、偏光板581を通過して線偏光された光が位相遅延板583を通過しながら円偏光に近くなる。
選択的反射膜585としては、コレステリック液晶膜が用いられる。以下、本発明の第1実施例において、選択的反射膜585はコレステリック液晶膜とする。
コレステリック液晶は、スメクチック(smectic)液晶と同様に層状構造を形成するが、長軸の分子は面内でネマチック(nematic)液晶に類似した平衡配列をなしている。具体的に、一つの平面内では細くて長い分子が長軸方向に並ぶように配列されていて、その面に垂直な方向に進むことによって分子軸の配列方位が少しずつずれている構造、つまり分子が配列された方向が螺旋状に旋回するような構造を有する。したがって、液晶全体から見ると螺旋状構造をなしている。これによって、コレステリック液晶は、旋光性、選択光散乱、円偏光2色性などの特性を有する。
したがって、コルリステリク液晶膜585は、円偏光を選択的に透過または反射させることができる。本発明の第1実施例におけるコレステリック液晶膜585は、右円偏光は透過させ、左円偏光は反射させる。
また、有機発光表示装置100の有機発光素子70は、共通電極730上に形成される透過膜600と、透過膜600上に形成される追加の共通電極750とをさらに含む。以下、共通電極730を第1共通電極といい、追加の共通電極750を第2共通電極という。ここで、第1共通電極730は、有機発光層720及び画素定義膜190上に形成される。
第1共通電極730及び第2共通電極750は半透過膜から形成される。しかし、本発明による第1実施例がこれに限定されるわけではない。したがって、第1共通電極730及び第2共通電極750のうちのいずれか一つのみが半透過膜から形成され、他の一つは透明に形成されてもよい。
透過膜600は、第1共通電極730及び第2共通電極750と両面で各々密着する。つまり、透過膜600と第1共通電極730及び第2共通電極750との間の各々には空気との界面が存在しない。これにより、外部から流入した光の相当量は、第1共通電極730及び第2共通電極750の間で反射による相殺干渉によって消滅する。この時、第1共通電極730及び第2共通電極750の間で光の相殺干渉が効果的に起こるためには、透過膜600が適切な屈折率及び厚さを有しなければならない。透過膜600が有する屈折率及び厚さについては、後述の式1で具体的に説明する。
このように、有機発光表示装置100は、光学部材58、及び第1共通電極730、透過膜600、第2共通電極750、画素定義膜190などによって外光反射を抑制して、視認性を向上させることができる。
次に、図2を参照して、本発明の第1実施例による有機発光表示装置100の構造について具体的に説明する。図2は、駆動薄膜トランジスタ20、有機発光素子70、及び蓄電素子80を中心に有機発光表示装置100を示している。
以下では、駆動薄膜トランジスタ20を例に挙げて薄膜トランジスタの構造について詳しく説明する。そして、スイッチング薄膜トランジスタ10については、駆動薄膜トランジスタとの差異点だけを簡略に説明する。
基板部材111は、ガラス、石英、セラミック、プラスチックなどからなる絶縁性基板から形成される。しかし、本発明がこれに限定されるわけではないので、基板部材111がステンレス鋼などからなる金属性基板から形成されてもよい。
基板部材111上にバッファー層120が形成される。バッファー層120は、不純元素の浸透を防止し、表面を平坦化する役割を果たすものであって、このような役割を果たす多様な物質から形成される。例えば、バッファー層120は、窒化ケイ素(SiNx)膜、酸化ケイ素(SiO)膜、酸窒化ケイ素(SiOxNy)膜のうちのいずれか一つが用いられる。しかし、バッファー層120は必ずしも必要なものではなく、基板部材111の種類及び工程条件によっては省略してもよい。
バッファー層120上には駆動半導体層132が形成される。駆動半導体層132は、多結晶シリコン膜から形成される。また、駆動半導体層132は、不純物がドーピングされていないチャンネル領域135と、チャンネル領域135の両側でp+ドーピングされて形成されたソース領域136及びドレイン領域137とを含む。この時、ドーピングされるイオン物質はホウ素(B)などのP型不純物であり、主にBが用いられる。ここで、このような不純物は、薄膜トランジスタの種類によって変わる。
本発明の第1実施例では、駆動薄膜トランジスタ20としてP型不純物を用いたPMOS構造の薄膜トランジスタが用いられたが、これに限定されるわけではない。したがって、駆動薄膜トランジスタ20としてNMOS構造またはCMOS構造の薄膜トランジスタも全て用いられる。
また、図2に示された駆動薄膜トランジスタ20は、多結晶シリコン膜を含む多結晶薄膜トランジスタであるが、図2に示されていないスイッチング薄膜トランジスタ10は、多結晶薄膜トランジスタであってもよく、非晶質シリコン膜を含む非晶質薄膜トランジスタであってもよい。
駆動半導体層132上には、窒化ケイ素(SiNx)または酸化ケイ素(SiO)などから形成されるゲート絶縁膜140が形成される。ゲート絶縁膜140上に駆動ゲート電極155を含むゲート配線が形成される。ゲート配線は、ゲートライン151(図1に図示)、第1蓄電板158(図1に図示)、及びその他の配線をさらに含む。そして、駆動ゲート電極155は、駆動半導体層132の少なくとも一部、特にチャンネル領域135と重なるように形成される。
ゲート絶縁膜140上には、駆動ゲート電極155を覆う層間絶縁膜160が形成される。ゲート絶縁膜140及び層間絶縁膜160は、駆動半導体層132のソース領域136及びドレイン領域137を露出する貫通孔を共に有する。層間絶縁膜160は、ゲート絶縁膜140と同様に、窒化ケイ素(SiNx)または酸化ケイ素(SiO)などから形成される。
層間絶縁膜160上には、駆動ソース電極176及び駆動ドレイン電極177を含むデータ配線が形成される。データ配線は、データライン171、共通電源ライン172、第2蓄電板178(図1に図示)、及びその他の配線をさらに含む。そして、駆動ソース電極176及び駆動ドレイン電極177は、各々貫通孔を介して駆動半導体層132のソース領域136及びドレイン領域137と連結される。
このように、駆動半導体層132、駆動ゲート電極155、駆動ソース電極176、及び駆動ドレイン電極177を含む駆動薄膜トランジスタ20が形成される。
駆動薄膜トランジスタ20の構成は前述の例に限定されず、当該技術分野の専門家が容易に実施できる公知の多様な構成に変形可能である。
層間絶縁膜160上には、データ配線171、172、176、177を覆う平坦化膜180が形成される。平坦化膜180は、その上に形成される有機発光素子70の発光効率を向上させるために、段差をなくして平坦化させる役割を果たす。また、平坦化膜180は、ドレイン電極177の一部を露出させるコンタクトホール182を有する。
平坦化膜180は、アクリル系樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ポリフェニレン系樹脂、ポリフェニレンスルフィド系樹脂、及びベンゾシクロブテンのうちの一つ以上の物質から形成される。
平坦化膜180上には、有機発光素子70の画素電極710が形成される。画素電極710は、平坦化膜180のコンタクトホール182を介してドレイン電極177と連結される。
また、平坦化膜180上には、画素電極710を露出する開口部を有する画素定義膜190が形成される。つまり、画素電極710は、画素定義膜190の開口部に対応するように配置される。
画素定義膜190は、黒色または灰色系の色合いを有する。また、画素定義膜190は、ポリアクリル系及びポリイミド系などの樹脂と、樹脂に含まれている顔料とから形成される。
画素定義膜190の開口部内において、画素電極710上には有機発光層720が形成され、画素定義膜190及び有機発光層720上には第1共通電極730が形成される。
このように、画素電極710、有機発光層720、及び第1共通電極730を含む有機発光素子70が形成される。また、本発明による第1実施例において、有機発光素子70は、透過膜600及び第2共通電極750をさらに含む。
第1共通電極730上には透過膜600が形成される。透過膜600は、有機膜または無機膜が用いられる。本発明の第1実施例による有機発光表示装置100では、透過膜600として有機膜が用いられる。そして、透過膜600は、適切な範囲内の平均の厚さを有する。この時、透過膜600の厚さは、透過膜600が有する屈折率に応じて決定される。
透過膜600上には第2共通電極750が形成される。第1共通電極730及び第2共通電極750は半透過膜から形成される。第1共通電極730及び第2共通電極750として用いられる半透過膜は、マグネシウム(Mg)、銀(Ag)、カルシウム(Ca)、リチウム(Li)、クロム(Cr)、及びアルミニウム(Al)のうちの一つ以上の金属から形成される。
また、第1共通電極730及び第2共通電極750は、有機発光素子70で発生した光を効果的に放出させ、外部から流入した光の反射を最小化するために、適切な反射率を有する。例えば、第1共通電極730は50%以下の反射率を有し、第2共通電極750は30%以下の反射率を有する。
そして、透過膜600は、第1共通電極730及び第2共通電極750と両面で各々密着する。つまり、透過膜600と第1共通電極730及び第2共通電極750との間の各々には空気との界面が存在しない。
また、透過膜600は、第1共通電極730及び第2共通電極750の間で光の反射によって効果的に相殺干渉が起こるように、適切な厚さ及び屈折率を有する。
透過膜600が有する厚さ及び屈折率は、反射光の相殺干渉条件から導き出された以下の式1によって設定する。
(式1)
d=λ/4ndcosθ
ここで、dは反射される二つの面間の距離である。つまり、第1共通電極730及び第2共通電極750の間の離隔距離でもあり、透過膜600の厚さでもある。nは透過膜600の屈折率であり、θは光の入射角である。λは反射される光の波長である。
このような式1に、可視光の波長及び透過膜600として用いられた素材の屈折率を代入する。そして、平均的な外光の入射角を約30度乃至45度とすれば、透過膜600が有すべき平均的な厚さを算出することができる。つまり、透過膜600に用いられた素材の種類によって、透過膜600は適切な厚さを有するように設定される。反対に、透過膜600を所望の厚さに形成するために、適切な屈折率を有する素材で透過膜600を形成してもよい。
このような構造によれば、外部から第2共通電極750を経て第1共通電極730に向かった光は、第1共通電極730で一部が反射されて、再び第2共通電極750に向かうようになる。第2共通電極750に向かった光の一部は、第2共通電極750を通過して外部に放出され、残りはまた再び反射されて、第1共通電極730に向かうようになる。このように、外部から流入した光が透過膜600を介して第1共通電極730及び第2共通電極750の間で反射を繰り返すうちに、相殺干渉が起きて相当量は消滅する。したがって、有機発光表示装置100は、外光反射の抑制によって視認性を向上させることができる。
また、前述のように、第1共通電極730及び第2共通電極750は半透過型に形成される。しかし、本発明の第1実施例による有機発光表示装置100がこれに限定されるわけではない。したがって、第1共通電極730及び第2共通電極750のうちのいずれか一つは透過型に形成されてもよい。一方で、画素電極710は、透過型、半透過型、及び反射型のうちのいずれか一つに形成される。
有機発光表示装置100は、画素電極710、第1共通電極730、及び第2共通電極750を形成する物質の種類によって、前面発光型、背面発光型、または両面発光型に分けられる。ここで、本発明の第1実施例による有機発光表示装置100は、前面発光型に形成される。つまり、有機発光素子70は、第1共通電極730及び第2共通電極750の方向に光を放出して、画像を表示する。
透明な導電性物質としては、ITO(インジウムスズ酸化物)、IZO(インジウム亜鉛酸化物)、ZnO(酸化亜鉛)、またはIn(インジウム酸化物)などの物質を使用することができる。反射型物質としては、リチウム(Li)、カルシウム(Ca)、フッ素化リチウム/カルシウム(LiF/Ca)、フッ素化リチウム/アルミニウム(LiF/Al)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、マグネシウム(Mg)、または金(Au)などの物質を使用することができる。
有機発光層720は、低分子有機物または高分子有機物からなる。このような有機発光層720は、正孔注入層(hole−injection layer, HIL)、正孔輸送層(hole−transporting layer, HTL)、発光層、電子輸送層(eelectron−transporting layer, ETL)、及び電子注入層(electron−injection layer, EIL)を含む多重膜から形成される。つまり、正孔注入層は、陽極である画素電極710上に配置され、その上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が順に積層される。
有機発光素子70上に密封部材210が配置される。密封部材210は、基板部材111と対向配置されて、薄膜トランジスタ20及び有機発光素子70をカバーする。
密封部材210上に光学部材58が形成される。光学部材58は、密封部材210上に配列されたコレステリック液晶膜585、位相遅延板583、及び偏光板581を含む。光学部材58は、外光反射を抑制して、有機発光表示装置100の視認性を向上させると共に、有機発光層720から外部に放出される光の損失を最小化する。
以下、図3及び図4を参照して、本発明の第1実施例による有機発光表示装置100の光学部材58が、効果的に外光反射を抑制して、有機発光層720から外部に放出される光の損失を最小化する原理について説明する。
まず、図3を参照して、外部から光学部材58を通じて内部に流入する光の経路を見てみる。
外部の光は、偏光板581を通過しながら偏光板581の偏光軸方向に線偏光される。線偏光された光は、再び1/4波長板の位相遅延板583を通過しながら円偏光に変わる。この時、位相遅延板583の光軸は、偏光板581の偏光軸より45度だけずれた状態にある。つまり、位相遅延板583の光軸及び第2偏光板581の偏光軸の間の交角は45度である。
このように、線偏光された光の軸方向及び位相遅延板583の光軸方向の間の交角が45度をなすので、線偏光された光が位相遅延板583を通過しながら円偏光に変わるようになる。この時、円偏光は右円偏光である。しかし、本発明による第1実施例がこれに限定されるわけではない。したがって、位相遅延板583を通過した光が左円偏光に変わるように位相遅延板583を配置してもよい。
そして、右円偏光された光は、コレステリック液晶膜585をそのまま通過する。コレステリック液晶膜585は、右円偏光された光は通過させ、左円偏光された光は反射させる役割を果たす。しかし、本発明による第1実施例がこれに限定されるわけではない。したがって、コレステリック液晶膜585は、左円偏光された光は通過させ、右円偏光された光は反射させることもできる。しかし、この場合には、位相遅延板583を通過した光が左円偏光でなければならない。つまり、コレステリック液晶膜585は、必ず、偏光板581及び位相遅延板583を通過して円偏光された光を通過させなければならない。
コレステリック液晶膜585を通過した右円偏光された光は、第2共通電極750及び第1共通電極730の間で反射されて、前述のように相殺干渉により相当量が消滅する。そして、一部の光は、第2共通電極750、第1共通電極730、または画素電極710などで反射されて、再びコレステリック液晶膜585に向かう。この時、右円偏光されていた光が反射されて左円偏光に変わる。したがって、光は、コレステリック液晶膜585を通過することができずに反射されて、再び第2共通電極750に向かう。そして、再び第2共通電極750及び第1共通電極730の間で反射されて、相殺干渉により相当量が消滅する。
そして、また再び第2共通電極750、第1共通電極730、または画素電極710などで反射されて左円偏光されていた光は、また再び右円偏光に変わる。そして、右円偏光された光は、コレステリック液晶膜585を通過して位相遅延板583を通過しながら線偏光される。この時、線偏光された光は、偏光板581の偏光軸と実質的に同一な軸方向を有する。ここで、実質的に同一であるという表現を使用したのは、光は、波長帯域別に少しずつ異なる動きを示すためである。可視光の波長帯域に属する光は、平均的に偏光板581の偏光軸と実質的に同一な方向になる。したがって、線偏光された光は、偏光板581を通過して、外部に放出される。
このように、外部の光が光学部材58を経た後、第2共通電極750及び第1共通電極730の間で何回も反射されて、相殺干渉により相当量が消滅するので、この有機発光表示装置100は、外光反射を効果的に抑制することができる。
また、図2に示したように、黒色または灰色系の色合いを有する画素定義膜190は、光を吸収して、外光反射をより効果的に抑制することができるように助力する。
次に、図4を参照して、有機発光層720から外部に放出される光の経路を説明する。
有機発光層720から放出された光は、第1共通電極730、透過膜600、第2共通電極750を順に通過して、コレステリック液晶膜585に向かう。この時、光は多様な位相が混在する状態である。第2共通電極750を通過した光のうちの右円偏光成分の光は、コレステリック液晶膜585をそのまま通過して位相遅延板583に向かい、左円偏光成分の光は、反射されて、再び第2共通電極750に向かう。コレステリック液晶膜585を通過した光は、位相遅延板583を通過しながら線偏光され、線偏光された光は、偏光板581を通過して、外部に放出される。一方、第2共通電極750に向かった光は、第2共通電極750、第1共通電極730、または画素電極710などによって反射されて右円偏光に変わる。また、この光は、有機発光素子70の電極710、730、750だけでなく、その他の色々な金属配線によっても反射される。右円偏光された光は、コレステリック液晶膜585、位相遅延板583、及び偏光板581を順に通過して、外部に放出される。
このように、本発明の第1実施例による有機発光表示装置100では、外部から流入した光が反射されて再び外部に放出される場合より、有機発光素子で発生した光が外部に放出される時に損失される量が相対的に非常に少ない。
したがって、有機発光表示装置100は、外光反射を効果的に抑制して、有機発光層720から外部に放出される光の損失を最小化することができる。
以下、図5を参照して、本発明の第2実施例を説明する。
図5に示したように、本発明の第2実施例による有機発光表示装置200の光学部材59は、偏光板591、選択的反射膜592、及び位相遅延板593を含む。つまり、光学部材59は、密封部材210上に順に配列された位相遅延板593、選択的反射膜592、及び偏光板591を含む。
選択的反射膜592としては、反射型偏光フィルム(dual brightness enhancement film, DBEF)が用いられる。以下、本発明の第2実施例において、選択的反射膜592は反射型偏光フィルムとする。
反射型偏光フィルム(DBEF)592は、偏光軸と一致する光は通過させるが、偏光軸と一致しない光は反射させる。つまり、偏光板591は、偏光軸と一致しない光を吸収するという点で、反射型偏光フィルム592とは異なる。
偏光板591は、反射型偏光フィルム592と互いに同一な方向の偏光軸を有する。そして、位相遅延板593の光軸及び反射型偏光フィルム592の偏光軸の間の交角は45度である。
また、画素定義膜190は、黒色または灰色系の色合いを有する。したがって、画素定義膜190は、外部から入射された光を吸収して、反射を抑制する役割を果たす。一方で、本発明の第2実施例において、画素定義膜190は、黒色または灰色系の色合いを有するが、必ずしもこれに限定されるわけではない。したがって、画素定義膜190は色を有しなくてもよい。
このような構成により、有機発光表示装置200は、効果的に外光反射を抑制して、視認性を向上させると共に、有機発光層720から外部に放出される光の損失を最小化することができる。
以下、図6及び図7を参照して、本発明の第2実施例による有機発光表示装置200の光学部材59が、効果的に外光反射を抑制して、有機発光層720から外部に放出される光の損失を最小化する原理について説明する。
まず、図6を参照して、外部から光学部材59を通じて内部に流入する光の経路を見てみる。
外部の光は、偏光板591を通過しながら偏光板591の偏光軸方向に線偏光される。線偏光された光は、実質的な損失なくそのまま反射型偏光フィルム592を通過して、位相遅延板593に向かう。線偏光された光は、1/4波長板である位相遅延板593を通過しながら円偏光に変わる。この時、位相遅延板593の光軸は、反射型偏光フィルム592の偏光軸より45度だけずれた状態にある。つまり、位相遅延板593の光軸及び反射型偏光フィルム592の偏光軸の間の交角は45度である。
このように、線偏光された光の軸方向及び位相遅延板593の光軸方向の間の交角が45度をなすので、線偏光された光が位相遅延板593を通過しながら円偏光に変わるようになる。この時、円偏光は右円偏光である。しかし、本発明による第2実施例がこれに限定されるわけではない。したがって、位相遅延板593を通過した光が左円偏光であってもよい。
位相遅延板593を通過した右円偏光された光は、第2共通電極750及び第1共通電極730の間で反射されて、前述のように相殺干渉により相当量が消滅する。そして、一部の光は、第2共通電極750、第1共通電極730、または画素電極710などで反射されて、再び位相遅延板593に向かう。この時、右円偏光されていた光は、反射されて左円偏光に変わる。そして、左円偏光された光は、位相遅延板593を通過しながら線偏光され、この時、線偏光された光の軸方向は、反射型偏光フィルム592の偏光軸と交差する方向となる。したがって、光は、反射型偏光フィルム592を通過することができずに反射されて、再び位相遅延板593を通過して第2共通電極750に向かうようになる。また、線偏光された光は、位相遅延板593を通過しながら左円偏光に変わる。そして、再び第2共通電極750及び第1共通電極730の間で反射されて、相殺干渉により相当量が消滅する。
左円偏光されていた光は、また再び第2共通電極750、第1共通電極730、または画素電極710などで反射されてまた右円偏光に変わる。そして、右円偏光された光は、位相遅延板593を通過しながら線偏光される。この時、線偏光された光の軸方向は、反射型偏光フィルム592の偏光軸と実質的に同一な方向となる。ここで、実質的に同一であるというのは、光は、波長帯域別に少しずつ異なる動きを示すためである。可視光の波長帯域に属する光は、平均的に反射型偏光フィルム592の偏光軸と実質的に同一な方向になる。したがって、線偏光された光は、反射型偏光フィルム592及び偏光板591を順に通過して、外部に放出される。
このように、外部の光が光学部材59を経た後、第2共通電極750及び第1共通電極730の間で何回も反射されて、相殺干渉により相当量が消滅するので、有機発光表示装置200は、外光反射を効果的に抑制することができる。
また、図5に示したように、黒色または灰色系の色合いを有する画素定義膜190は、光を吸収して、外光反射をより効果的に抑制することができるように助力する。
次に、図7を参照して、有機発光層720から外部に放出される光の経路を見てみる。
有機発光層720から放出された光は、第1共通電極730、透過膜600、第2共通電極750、そして位相遅延板593を順に通過して、反射型偏光フィルム592に向かう。この時、光は多様な位相が混在する状態である。
位相遅延板593を通過した光のうちの反射型偏光フィルム592の偏光軸と同一な成分の光は反射型偏光フィルム592を通過し、残りは反射されて、再び位相遅延板593に向かう。ここで、反射型偏光フィルム592を通過した光は線偏光される。そして、線偏光された光は、偏光板591を実質的な損失なくそのまま通過して、外部に放出される。一方で、反射型偏光フィルム592で反射された光は、位相遅延板593を通過して第2共通電極750に向かう。この時、光は、位相遅延板593を通過しながら相当量が左円偏光される。そして、第2共通電極750に向かう左円偏光された光は、第2共通電極750、第1共通電極730、または画素電極710などによって反射されて右円偏光に変わる。また、光は、有機発光素子70の電極710、730、750だけでなく、その他の色々な金属配線によっても反射される。右円偏光された光は、位相遅延板593、反射型偏光フィルム592、及び偏光板591を順に通過して、外部に放出される。
このように、本発明の第2実施例による有機発光表示装置200の場合、外部から流入した光が反射されて再び外部に放出される場合より、有機発光素子70で発生した光が外部に放出される場合に損失される量が相対的に非常に少ない。
したがって、有機発光表示装置200は、外光反射を効果的に抑制すると共に、有機発光層720から外部に放出される光の損失を最小化することができる。
以上で、本発明を前述の望ましい実施例を通じて説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野に携わる者であれば、本発明の特許請求の範囲の概念及び範囲を超えない限り、多様な修正及び変形が可能であることを簡単に理解することができるであろう。
10 薄膜トランジスタ
20 駆動薄膜トランジスタ
58、59 光学部材
70 有機発光素子
80 蓄電素子
100、200 有機発光表示装置
110 表示基板
111 基板部材
120 バッファー層
131 スイッチング半導体層
132 駆動半導体層
135 チャンネル領域
136 ソース領域
137 ドレイン領域
140 ゲート絶縁膜
151 ゲートライン
152 ゲート電極
155 駆動ゲート電極
158 第1蓄電板
160 層間絶縁膜
171 データライン
172 共通電源ライン
173 スイッチングソース電極
174 スイッチングドレイン電極
176 駆動ソース電極
177 駆動ドレイン電極
178 第2蓄電板
180 平坦化膜
182 コンタクトホール
190 画素定義膜
210 密封部材
581、591 偏光板
583、593 位相遅延板
585、592 選択的反射膜
600 透過膜
710 画素電極
720 有機発光層
730、750 共通電極

Claims (13)

  1. 基板部材;
    前記基板部材上に形成される画素電極;
    前記画素電極上に形成される有機発光層;
    前記有機発光層上に形成される第1共通電極;
    前記第1共通電極上に形成される透過膜;
    前記透過膜上に形成される第2共通電極;
    前記第2共通電極上に形成される選択的反射膜;
    前記選択的反射膜上に形成される偏光板;及び
    前記偏光板及び前記第2共通電極の間に配置される位相遅延板;
    を含む、有機発光表示装置。
  2. 前記選択的反射膜はコレステリック液晶(cholesteric liquid crystal, CLC)膜であり、
    前記位相遅延板は、前記偏光板及び前記コレステリック液晶膜の間に配置される、請求項1に記載の有機発光表示装置。
  3. 前記コレステリック液晶膜は、左円偏光及び右円偏光のうちのいずれか一つは通過させ、他の一つは反射させる、請求項2に記載の有機発光表示装置。
  4. 前記偏光板を通過して線偏光された光は、前記位相遅延板を通過すると円偏光に変わる、請求項3に記載の有機発光表示装置。
  5. 前記位相遅延板は1/4波長板であり、
    前記位相遅延板の光軸及び前記偏光板の偏光軸の間の交角は45度である、請求項4に記載の有機発光表示装置。
  6. 前記選択的反射膜は反射型偏光フィルムであり、
    前記位相遅延板は、前記有機発光素子及び前記反射型偏光フィルムの間に配置される、請求項1に記載の有機発光表示装置。
  7. 前記偏光板及び前記反射型偏光フィルムは互いに同一の偏光軸を有する、請求項6に記載の有機発光表示装置。
  8. 前記反射型偏光フィルムを通過して線偏光された光は、前記位相遅延板を通過すると円偏光に変わる、請求項7に記載の有機発光表示装置。
  9. 前記位相遅延板は1/4波長板であり、
    前記位相遅延板の光軸及び前記偏光板の偏光軸の間の交角は45度である、請求項8に記載の有機発光表示装置。
  10. 前記第1共通電極及び前記第2共通電極のうちの一つ以上は半透過膜から形成される、請求項1に記載の有機発光表示装置。
  11. 前記半透過膜は、マグネシウム(Mg)、銀(Ag)、カルシウム(Ca)、リチウム(Li)、クロム(Cr)、及びアルミニウム(Al)のうちの一つ以上の金属から形成される、請求項2に記載の有機発光表示装置。
  12. 前記画素電極を露出する開口部を有して、前記基板部材上に形成される画素定義膜をさらに含み、
    前記画素定義膜は、黒色または灰色系の色合いを有する、請求項1乃至11のうちのいずれか一つに記載の有機発光表示装置。
  13. 前記画素定義膜は、前記第1共通電極下に配置される、請求項12に記載の有機発光表示装置。
JP2009258059A 2009-01-21 2009-11-11 有機発光表示装置 Pending JP2010170988A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090005168A KR100995067B1 (ko) 2009-01-21 2009-01-21 유기 발광 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010170988A true JP2010170988A (ja) 2010-08-05

Family

ID=42173877

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009258059A Pending JP2010170988A (ja) 2009-01-21 2009-11-11 有機発光表示装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8125143B2 (ja)
EP (1) EP2211397A3 (ja)
JP (1) JP2010170988A (ja)
KR (1) KR100995067B1 (ja)
CN (1) CN101783360B (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011040365A (ja) * 2009-08-13 2011-02-24 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置
TWI468793B (zh) * 2011-06-22 2015-01-11 Lg Display Co Ltd 有機發光顯示裝置
US9159958B2 (en) 2011-06-22 2015-10-13 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
JP2016524290A (ja) * 2013-06-06 2016-08-12 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 反射防止oled構成体
JP2023518514A (ja) * 2020-03-25 2023-05-01 華為技術有限公司 表示素子及び表示装置
JP7522192B2 (ja) 2020-03-24 2024-07-24 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 ディスプレイデバイスおよびディスプレイ装置
JP7537017B2 (ja) 2020-09-14 2024-08-20 華為技術有限公司 Oled表示モジュール及び表示装置
JP7573123B2 (ja) 2021-12-16 2024-10-24 合肥維信諾科技有限公司 表示パネル及び表示装置

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110024970A (ko) * 2009-09-03 2011-03-09 삼성전자주식회사 입체영상 표시 장치
KR101780250B1 (ko) * 2010-09-24 2017-09-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR101784994B1 (ko) * 2011-03-31 2017-10-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20120127085A (ko) * 2011-05-13 2012-11-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR101885698B1 (ko) 2011-06-27 2018-08-07 삼성디스플레이 주식회사 광투과율 제어가 가능한 표시장치
KR101883848B1 (ko) * 2011-12-28 2018-08-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101472806B1 (ko) * 2012-01-30 2014-12-15 삼성디스플레이 주식회사 터치 패널 및 터치 패널을 포함하는 표시 장치
TW201340773A (zh) * 2012-03-16 2013-10-01 Au Optronics Corp 鏡面可切換有機發光顯示器及鏡面可切換顯示器
KR101480928B1 (ko) * 2012-08-07 2015-01-09 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR102034050B1 (ko) * 2012-12-27 2019-10-18 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광 표시장치
KR102132464B1 (ko) * 2013-06-07 2020-07-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN103500752A (zh) * 2013-09-27 2014-01-08 京东方科技集团股份有限公司 一种oled像素结构和oled显示装置
KR102203100B1 (ko) 2013-10-30 2021-01-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102086805B1 (ko) * 2013-11-19 2020-03-09 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR102111502B1 (ko) * 2013-12-30 2020-05-15 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
CN103811532B (zh) * 2014-01-28 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其制作方法
KR102227476B1 (ko) * 2014-06-23 2021-03-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN104319282B (zh) * 2014-09-23 2018-02-27 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管显示面板
KR102382005B1 (ko) * 2015-05-13 2022-04-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN105118400B (zh) * 2015-09-29 2018-09-11 京东方科技集团股份有限公司 一种透明显示装置
KR102472607B1 (ko) * 2016-02-03 2022-11-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102473084B1 (ko) * 2016-04-04 2022-12-01 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 표시 장치
KR102646213B1 (ko) * 2016-06-30 2024-03-08 엘지디스플레이 주식회사 휘도 향상을 위한 광학부재 및 이를 구비한 유기전계발광 표시장치
KR102608418B1 (ko) * 2016-07-13 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN106098742A (zh) * 2016-08-18 2016-11-09 信利(惠州)智能显示有限公司 有机发光显示装置及制造方法
CN107978689A (zh) * 2016-10-24 2018-05-01 上海和辉光电有限公司 有机发光显示面板、显示装置及显示面板制作方法
US10520782B2 (en) 2017-02-02 2019-12-31 James David Busch Display devices, systems and methods capable of single-sided, dual-sided, and transparent mixed reality applications
KR102568756B1 (ko) * 2018-06-20 2023-08-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10598838B2 (en) * 2018-06-29 2020-03-24 Intel Corporation Pixel level polarizer for flexible display panels
CN109445164B (zh) * 2018-09-30 2022-06-10 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110426859B (zh) * 2019-07-31 2022-09-09 京东方科技集团股份有限公司 一种光学膜片、显示组件以及显示装置
KR20210025957A (ko) * 2019-08-28 2021-03-10 엘지이노텍 주식회사 광학 기기
KR20210028855A (ko) * 2019-09-05 2021-03-15 엘지디스플레이 주식회사 투과부와 발광부를 포함한 표시 장치
WO2021102663A1 (zh) * 2019-11-26 2021-06-03 重庆康佳光电技术研究院有限公司 显示组件、显示组件的制作方法、以及电子设备
CN111429812B (zh) * 2019-12-19 2022-05-24 錼创显示科技股份有限公司 显示装置
US20240206296A1 (en) * 2021-08-30 2024-06-20 Boe Technology Group Co., Ltd. Display Substrate and Display Device
WO2023028828A1 (zh) * 2021-08-31 2023-03-09 华为技术有限公司 光学叠层结构、显示模组、终端及相关制备方法
CN114284320A (zh) * 2021-12-16 2022-04-05 合肥维信诺科技有限公司 显示面板以及显示装置
WO2024010221A1 (ko) * 2022-07-05 2024-01-11 삼성전자주식회사 디스플레이 패널을 포함하는 웨어러블 장치
WO2024031670A1 (en) * 2022-08-12 2024-02-15 Intel Corporation Power efficient micro-led architectures

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002033198A (ja) * 2000-05-08 2002-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法
JP2002151251A (ja) * 2000-11-09 2002-05-24 Sharp Corp 発光素子
JP2002215067A (ja) * 2001-01-15 2002-07-31 Hitachi Ltd 発光素子、及び表示装置
JP2005216582A (ja) * 2004-01-28 2005-08-11 Nippon Seiki Co Ltd 有機elパネル
JP2007095518A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2007109645A (ja) * 2005-10-08 2007-04-26 Samsung Electronics Co Ltd 表示装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001357979A (ja) * 2000-06-15 2001-12-26 Toshiba Corp El素子
US6879618B2 (en) * 2001-04-11 2005-04-12 Eastman Kodak Company Incoherent light-emitting device apparatus for driving vertical laser cavity
JP3748406B2 (ja) * 2001-12-18 2006-02-22 株式会社日立製作所 表示装置
JP4085846B2 (ja) 2002-06-24 2008-05-14 セイコーエプソン株式会社 表示装置及びこれを備えた電子機器
TWI266907B (en) * 2002-07-24 2006-11-21 Nitto Denko Corp Polarizing device, optical thin film using the same, and image display device using the same
JP4676678B2 (ja) * 2003-03-07 2011-04-27 日東電工株式会社 高輝度偏光板
JP4184189B2 (ja) * 2003-08-13 2008-11-19 株式会社 日立ディスプレイズ 発光型表示装置
WO2005041155A1 (ja) * 2003-10-24 2005-05-06 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. 表示装置
KR20060006572A (ko) 2004-07-16 2006-01-19 서은숙 절첩식 의자
JP4346087B2 (ja) * 2004-10-21 2009-10-14 日東電工株式会社 帯電防止性光学フィルム、帯電防止性粘着型光学フィルム、それらの製造方法および画像表示装置
US8217572B2 (en) * 2005-10-18 2012-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with prism layer
US7800295B2 (en) * 2006-09-15 2010-09-21 Universal Display Corporation Organic light emitting device having a microcavity
US8058783B2 (en) * 2008-07-25 2011-11-15 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display for suppressing reflection of external light
KR101002663B1 (ko) * 2008-12-11 2010-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002033198A (ja) * 2000-05-08 2002-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法
JP2002151251A (ja) * 2000-11-09 2002-05-24 Sharp Corp 発光素子
JP2002215067A (ja) * 2001-01-15 2002-07-31 Hitachi Ltd 発光素子、及び表示装置
JP2005216582A (ja) * 2004-01-28 2005-08-11 Nippon Seiki Co Ltd 有機elパネル
JP2007095518A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2007109645A (ja) * 2005-10-08 2007-04-26 Samsung Electronics Co Ltd 表示装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011040365A (ja) * 2009-08-13 2011-02-24 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置
TWI468793B (zh) * 2011-06-22 2015-01-11 Lg Display Co Ltd 有機發光顯示裝置
US9159958B2 (en) 2011-06-22 2015-10-13 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
JP2016524290A (ja) * 2013-06-06 2016-08-12 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 反射防止oled構成体
JP7522192B2 (ja) 2020-03-24 2024-07-24 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 ディスプレイデバイスおよびディスプレイ装置
JP2023518514A (ja) * 2020-03-25 2023-05-01 華為技術有限公司 表示素子及び表示装置
JP7537017B2 (ja) 2020-09-14 2024-08-20 華為技術有限公司 Oled表示モジュール及び表示装置
JP7573123B2 (ja) 2021-12-16 2024-10-24 合肥維信諾科技有限公司 表示パネル及び表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20100182552A1 (en) 2010-07-22
KR100995067B1 (ko) 2010-11-18
EP2211397A2 (en) 2010-07-28
CN101783360B (zh) 2012-03-21
CN101783360A (zh) 2010-07-21
KR20100085732A (ko) 2010-07-29
EP2211397A3 (en) 2014-06-25
US8125143B2 (en) 2012-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010170988A (ja) 有機発光表示装置
JP4912437B2 (ja) 有機発光表示装置
US9448437B2 (en) Display apparatus for controlling optical transmissivity
JP5161165B2 (ja) 有機発光表示装置
US8098008B2 (en) Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same
US9391127B2 (en) Display device for controlling light transmittance
JP6381878B2 (ja) 有機発光表示装置
JP4971404B2 (ja) 有機発光表示装置
JP4621925B2 (ja) 有機発光表示装置
KR102118920B1 (ko) 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR101002662B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP4976515B2 (ja) 有機発光表示装置
JP2012054245A (ja) 有機発光表示装置
KR101571091B1 (ko) 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US20110204388A1 (en) Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
KR101513882B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20120041949A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR100989132B1 (ko) 유기 발광 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110616

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110628

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110928

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120403