JP2010168247A - 光ファイバの製造方法及び光ファイバの製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】破断頻度を増大することなく、伝送損失を低減することが可能な光ファイバの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る光ファイバの製造方法は、光ファイバ母材２を加熱線引きする線引き炉１１と、当該線引き炉１１の下方に配置し、当該線引き炉１１によって線引きされた光ファイバ３の仮想温度を制御する徐冷炉２１とを用いた光ファイバの製造方法において、線引き炉１１によって線引きされた光ファイバ３を、徐冷炉２１の上端から下端へ向けて徐冷炉２１内を通過させることによって仮想温度を制御し、徐冷炉２１の下端の雰囲気のクリーン度を５００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ未満とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、徐冷線引を行う光ファイバの製造方法及び光ファイバの製造装置に関するものである。

光ファイバの製造方法として、光ファイバ母材を線引き炉において加熱線引きする方法が知られている。この光ファイバの製造方法では、線引き炉から出線された光ファイバは、数千度／ｓｅｃという高い冷却速度で冷却されるので、ＳｉＯ２ネットワークの構造緩和があまり進むことなく凍結され、１５００〜１６００度という高い仮想温度を有することとなる。ここで、光ファイバの伝送損失の支配要因はレーリー散乱であり、このレーリー散乱強度は仮想温度と相関することから、上記した光ファイバの製造方法では、光ファイバの伝送損失が大きくなってしまう。

そこで、線引き炉から出線された光ファイバを、熱処理炉を用いて光ファイバの仮想温度を制御する光ファイバの製造方法が考案されている（特許文献１〜５参照）。この光ファイバの製造方法では、熱処理炉の温度を外気温度より高く制御する。これによって、光ファイバの構造緩和を進行させることができ、光ファイバの仮想温度を制御することができる。例えば、光ファイバの仮想温度を１２００〜１４００度に低下させることができる。その結果、レーリー散乱を低減することができ、優れた損失特性を有する光ファイバを製造することが可能となる。このように、熱処理炉は、光ファイバの仮想温度を制御するために、光ファイバを徐冷することから徐冷炉と称されることがある。以下では、この熱処理炉を徐冷炉と称するが、線引き炉から出線した光ファイバを再加熱するような形態も含むものとする。

例えば、光ファイバの仮想温度を１４００度以下とすることによって、コアにＧｅを添加した光ファイバでは１５５０ｎｍの伝送損失を０．１７５ｄＢ／ｋｍ以下とすることができ、純シリカコアファイバでは１５５０ｎｍの伝送損失を０．１６５ｄＢ／ｋｍ以下とすることができる。
特開２０００−３３５９３４号公報 特開２０００−３３５９３３号公報 特開２０００−３３５９３５号公報 特開２００１−１１４５２５号公報 特開２００１−１１４５２６号公報

しかしながら、徐冷炉を用いた光ファイバの製造方法において、光ファイバの伝送損失を低減するために徐冷炉の温度を高くすると、光ファイバの破断頻度が高くなってしまうという問題があった。その結果、光ファイバの信頼性が低下してしまっていた。

そこで、本発明は、破断頻度を増大することなく、伝送損失を低減することが可能な光ファイバの製造方法及び光ファイバの製造装置を提供することを目的としている。

本願発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、徐冷炉の温度が高いときには、光ファイバの破断頻度が徐冷炉内のクリーン度に依存することが顕著であることを見出した。これより、本願発明者らは、徐冷炉の温度が高い状態でも、徐冷炉内のクリーン度を高めることによって、光ファイバの破断頻度を低減することができることを見出した。

例えば、本願発明者らの実験によれば、純シリカコアファイバにおいて、１５５０ｎｍの伝送損失を０．１６５ｄＢ／ｋｍ以下とするために、すなわち、仮想温度を１４００度以下とするために、徐冷炉の温度を千数百度に設定した場合、徐冷炉内のクリーン度を５００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ未満に高めることによって、光ファイバの破断頻度を３回／１００ｋｍ未満に低減することができた。

ここで、クリーン度とは、０．３μｍ以上の粒径のパーティクルが１立方フィートあたりいくつあるかを表すものであり、クリーン度の値が小さいほどクリーン度が高いこととなる。

そこで、本発明の光ファイバの製造方法は、光ファイバ母材を加熱線引きする線引き炉と、当該線引き炉の下方に配置し、当該線引き炉によって線引きされた光ファイバの仮想温度を制御する徐冷炉とを用いた光ファイバの製造方法において、線引き炉によって線引きされた光ファイバを、徐冷炉の上端から下端へ向けて徐冷炉内を通過させることによって仮想温度を制御し、徐冷炉の下端の雰囲気のクリーン度を５００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ未満とする。

ここで、線引きされた光ファイバを上端から下端へ向けて通過させることによって仮想温度を制御する徐冷炉を用いる場合、徐冷炉の下端から徐冷炉内に外気が入り込んでしまい、徐冷炉内に上昇気流が発生してしまう。その結果、徐冷炉内、特に徐冷炉内の下部のクリーン度が低下してしまう。

しかしながら、この光ファイバの製造方法によれば、徐冷炉の下端の雰囲気のクリーン度を５００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ未満とすることによって、徐冷炉内、特に徐冷炉内の下部のクリーン度を５００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ未満と高めることができる。

その結果、徐冷炉の温度を高く設定しても、光ファイバの破断頻度を低減することができる。また、この光ファイバの製造方法によれば、徐冷炉の温度を高く設定することができるので、光ファイバの仮想温度を低減することができ、光ファイバの伝送損失を低減することができる。したがって、この光ファイバの製造方法によれば、徐冷炉を用いない場合と比較して破断頻度を増大することなく、伝送損失を低減することが可能である。

また、上記した光ファイバの製造方法は、徐冷炉内に、クリーン度が１００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ以下であるパージガスを導入することが好ましい。

この光ファイバの製造方法によれば、徐冷炉内にパージガスを導入することによって、徐冷炉の下端から徐冷炉内に外気が入り込むことを抑制することができ、徐冷炉内に上昇気流が発生することを抑制することができる。また、徐冷炉内に導入するパージガスのクリーン度を１００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ以下と高めることによって、徐冷炉内、特に徐冷炉内の下部のクリーン度を５００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ未満に保持する保持性を高めることができる。

また、上記した光ファイバの製造方法は、徐冷炉内の温度を８００℃以上としてもよい。このように、徐冷炉の温度を８００℃以上と設定することによって、光ファイバの仮想温度を低減することができ、光ファイバの伝送損失を低減することができる。

本発明の光ファイバの製造装置は、光ファイバ母材を加熱線引きする線引き炉と、線引き炉の下方に配置され、線引き炉によって線引きされた光ファイバを、上端から下端へ向けて通過させることによって、当該光ファイバの仮想温度を制御する徐冷炉と、徐冷炉の下端部を覆い、徐冷炉の下端の雰囲気のクリーン度を５００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ未満とするためのクリーンエアフードとを備える。

この光ファイバの製造装置によれば、クリーンエアフードによって、徐冷炉の下端の雰囲気のクリーン度を５００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ未満とすることができるので、徐冷炉内、特に徐冷炉内の下部のクリーン度を５００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ未満と高く保持することができる。その結果、徐冷炉の温度を高く設定しても、光ファイバの破断頻度を低減することができる。また、この光ファイバの製造装置によれば、徐冷炉の温度を高く設定することができるので、光ファイバの仮想温度を低減することができ、光ファイバの伝送損失を低減することができる。したがって、この光ファイバの製造装置によれば、徐冷炉を用いない場合と比較して破断頻度を増大することなく、伝送損失を低減することが可能である。

上記した光ファイバの製造装置は、クリーンエアフード内にパージガスを導入するガス導入部を更に備えることが好ましい。

この構成によれば、クリーンエアフード内、すなわち、徐冷炉の下端の雰囲気のクリーン度を５００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ未満とすることができる。

上記した徐冷炉は、上端から下端へ向けて一列に配置されており、それぞれ独立に温度制御可能である複数の部分徐冷炉を有し、上記した徐冷炉は、上端から下端へ向けて一列に配置されており、それぞれ独立に温度制御可能である複数の部分徐冷炉を有し、複数の部分徐冷炉は、そのうちの少なくとも１つの部分徐冷炉の下端に、当該部分徐冷炉の下端の開口より小さい開口を有するシャッターを更に備えることが好ましい。

この構成によれば、シャッターによって、徐冷炉の下端から徐冷炉内に外気が入り込むことを抑制することができ、徐冷炉内に上昇気流が発生することを抑制することができる。したがって、徐冷炉内、特に徐冷炉内の下部のクリーン度を５００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ未満に保持する保持性を高めることができる。また、シャッターによって、徐冷炉の温度保持性を高めることができる。

本発明によれば、破断頻度を増大することなく、伝送損失を低減することが可能な光ファイバを製造することが可能である。その結果、高い信頼性を有する低損失な光ファイバを得ることが可能となる。

以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

まず、図１を参照しながら、本発明による光ファイバの製造方法及びこの製造方法に用いられる線引き装置の実施形態を説明する。

線引き装置１は石英系光ファイバの線引き装置であって、線引き炉１１、徐冷炉（熱処理炉）２１、強制冷却装置３１、樹脂コーティングダイス４１及び樹脂硬化部５１を有する。線引き炉１１、徐冷炉２１、強制冷却装置３１、樹脂コーティングダイス４１及び樹脂硬化部５１は、光ファイバ母材２を線引きする方向（図１において、上から下）に、線引き炉１１、徐冷炉２１、強制冷却装置３１、樹脂コーティングダイス４１、樹脂硬化部５１の順で配設されている。母材供給装置（図示せず）に保持された光ファイバ母材２を線引き炉１１に供給し、線引き炉１１内のヒータ１２で光ファイバ母材２の下端を加熱・軟化させ、光ファイバ３を線引きする。線引き炉１１の炉心管１３内には、パージガスが導入され、ガスパージが行われる。加熱線引きされた光ファイバ３は、炉心管１３内のパージガスなどにより冷却され、徐冷炉２１に出線される。

なお、線引き炉１１の炉心管１３内のパージガスとしては、Ｎ_２、希ガス（不活性ガス）などが用いられる。

徐冷炉２１は、光ファイバ母材２を線引きする方向に一列に配置された３つの部分徐冷炉（部分熱処理炉）２１ａ，２１ｂ，２１ｃを有している。部分徐冷炉２１ａ，２１ｂ，２１ｃ内には、徐冷炉２１から出線された光ファイバ３を、徐冷炉２１の上端から下端へ向けて通過させる炉心管２３が配置されている。部分徐冷炉２１ａ，２１ｂ，２１ｃは、それぞれ、ヒータを有しており、独立に温度制御可能となっている。例えば、部分徐冷炉２１ａ，２１ｂ，２１ｃの温度は順次に低くなるように制御されており、光ファイバ３を所定の冷却速度にて徐冷する。この際、部分徐冷炉２１ａ，２１ｂ，２１ｃの設定温度は、ガラス構造緩和の進行状態に合わせて次第に低く設定されることが好ましい。これによって、光ファイバ３の仮想温度を所望の値まで低減することができ、光ファイバ３の伝送損失を所望の値まで低減することができる。なお、炉心管２３の材料には、徐冷炉２１の温度に応じて、カーボン、ＳｉＣ、アルミナ、石英ガラスなどが用いられる。

徐冷炉２１の炉心管２３内には、パージガスを導入することができ、ガスパージを行うことができるようになっている。徐冷炉２１の炉心管２３内には、クリーン度が１００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ以下であるパージガスを導入することが好ましい。徐冷炉２１の炉心管２３内のパージガスとしては、Ｎ_２、希ガス（不活性ガス）、空気などが用いられる。

徐冷炉２１から出線された光ファイバ３は、強制冷却装置３１によって強制冷却された後に、樹脂コーティングダイス４１によってＵＶ樹脂を塗布される。なお、強制冷却装置は仮想温度を高止まりにする可能性があるので、高温すぎて樹脂塗布ができないなどの場合に、必要に応じて使用する。その後、樹脂硬化部５１におけるＵＶランプによってＵＶ樹脂が硬化され、光ファイバ素線４が生成される。光ファイバ素線４は、ガイドローラ６１を経て、ドラム７１により巻き取られる。なお、樹脂コーティングダイス４１及び樹脂硬化部５１は、熱硬化樹脂を塗布し、加熱炉により硬化させるように構成してもよい。

上記した徐冷炉２１の下端部は、クリーンエアフード８１によって囲われている。クリーンエアフード８１は、徐冷炉２１の下端部から樹脂コーティングダイス４１までの強制冷却装置３１を含む光ファイバ３のパスラインを囲っている。クリーンエアフード８１には、クリーンエアジェネレータ（パージガス導入部）９１が設けられており、クリーンエアジェネレータ９１は、パージガスをクリーンエアフード８１内に導入する。これによって、強制冷却装置３１内のクリーン度を５００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ未満とすると共に、徐冷炉２１の下端部のクリーン度を５００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ未満とする。なお、クリーンエアフード８１内のパージガスとしては、Ｎ_２、希ガス（不活性ガス）、空気などが用いられる。

徐冷炉２１の下端、すなわち、部分徐冷炉２１ｃの下端には、シャッター１０１が設けられている。シャッター１０１は、部分徐冷炉２１ｃの下端の開口より小さい開口を有している。

ところで、線引き装置１において、クリーンエアフード８１及びクリーンエアジェネレータ９１、並びにシャッター１０１を備えない線引き装置を用いた場合、徐冷炉２１の下端から徐冷炉２１の炉心管２３内に外気が入り込んでしまい、徐冷炉２１の炉心管２３内に上昇気流が発生してしまう。その結果、徐冷炉２１の炉心管２３内、特に徐冷炉２１の炉心管２３内の下部のクリーン度が低下してしまう。

しかしながら、上記した線引き装置１を用いると、クリーンエアフード８１及びクリーンエアジェネレータ９１によって、徐冷炉２１の下端の雰囲気のクリーン度を５００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ未満とすることができるので、徐冷炉２１の炉心管２３内、特に徐冷炉２１の炉心管２３内の下部のクリーン度を５００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ未満と高く保持することができる（後述する手段１の作用）。

更に、シャッター１０１によって、徐冷炉２１の下端から徐冷炉２１の炉心管２３内に外気が入り込むことを抑制することができ、徐冷炉２１の炉心管２３内に上昇気流が発生することを抑制することができる。したがって、徐冷炉２１の炉心管２３内、特に徐冷炉２１の炉心管２３内の下部のクリーン度を５００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ未満に保持する保持性を高めることができる。また、シャッター１０１によって、徐冷炉２１の温度保持性を高めることができる（後述する手段２の作用）。

更に、徐冷炉２１の炉心管２３内にパージガスを導入することによって、徐冷炉２１の下端から徐冷炉２１の炉心管２３内に外気が入り込むことを抑制することができ、徐冷炉２１の炉心管２３内に上昇気流が発生することを抑制することができる。また、徐冷炉２１の炉心管２３内に導入するパージガスのクリーン度を１００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ以下と高めることによって、徐冷炉２１の炉心管２３内、特に徐冷炉２１の炉心管２３内の下部のクリーン度を５００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ未満に保持する保持性を高めることができる（後述する手段３の作用）。

ここで、光ファイバの伝送損失の支配要因はレーリー散乱であり、このレーリー散乱強度は仮想温度と相関することから、光ファイバの伝送損失を低減するためには、光ファイバの仮想温度を低下する必要がある。光ファイバの仮想温度を低下するためには、光ファイバの冷却速度を制御し、光ファイバの構造緩和を進行させることが考えられる。そのために、線引き装置１では、徐冷炉２１の温度を外気温度より高く設定する必要がある。しかしながら、徐冷炉２１の炉心管２３内のクリーン度が低い状態で、徐冷炉２１の温度を高くすると、光ファイバ３の破断頻度が高くなってしまう。

そこで、本実施形態の線引き装置１及びこの線引き装置１を用いた光ファイバの製造方法によれば、徐冷炉２１の炉心管２３内のクリーン度を５００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ未満と高めることによって、徐冷炉２１の温度を高く設定しても、光ファイバ３の破断頻度を低減することができる。また、徐冷炉２１の温度を高く設定することができるので、光ファイバ３の仮想温度を低減することができ、光ファイバ３の伝送損失を低減することができる。したがって、この光ファイバの製造方法によれば、徐冷炉を用いない場合と比較して破断頻度を増大することなく、伝送損失を低減することが可能である。

以下では、これらの作用効果を、線引き装置１を用いて行った実験によって検証する。この実験では、Φ１００ｍｍの光ファイバ母材２を線引き速度３００ｍ／ｍｉｎで線引きし、光ファイバ３としてΦ１２５ｍｍの純シリカコアファイバを得た。徐冷炉２１には、高純度アルミナからなる内径Φ４０ｍｍの炉心管２３を使用し、部分徐冷炉２１ａ，２１ｂ，２１ｃ各々のヒータには、カンタルスーパー（登録商標）を使用した。部分徐冷炉２１ａ，２１ｂ，２１ｃ各々の長さは２ｍとした。なお、炉心管２３は、気密性を高めて、カーボン炉心管、カーボンヒーターの炉としてもよい。また、特に徐冷炉の温度を１５００℃以上とする場合には、カーボン系の構成とするのが好ましい。

ところで、純シリカコアファイバにおいて１５５０ｎｍの伝送損失を０．１６５ｄＢ／ｋｍ以下に低減するためには、光ファイバのレーリー散乱を低減する必要があり、そのためには、光ファイバの仮想温度を１４００度以下に低下する必要がある。そのためには、徐冷炉２１における部分徐冷炉２１ａ，２１ｂ，２１ｃの温度を、例えば、それぞれ１４００度程度、１３５０度程度、１３００度程度に設定する。

ここで、図２に、徐冷炉（熱処理炉）の温度に対する光ファイバの破断頻度の実験結果を示す。図２では、最長１００ｋｍの光ファイバのサンプルを２％のスクリーニング試験で評価を行った。徐冷炉の温度は、部分徐冷炉２１ａ，２１ｂ，２１ｃ各々の温度を示している。すなわち、図２では、部分徐冷炉２１ａ，２１ｂ，２１ｃの温度は同一となるように制御されている。徐冷炉２１の炉心管２３内のクリーン度、及び、徐冷炉２１の下端の雰囲気のクリーン度は１５０００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦである。

図２に示すように、徐冷炉２１の温度が８００度以下では、光ファイバ３の破断頻度は小さい。しかしながら、徐冷炉２１の温度が８００度を超えると、光ファイバ３の破断頻度が大きくなってしまう。例えば、本実験では、徐冷炉２１の温度が１１００度では光ファイバ３の破断頻度が３５０回／１００ｋｍであり、徐冷炉２１の温度が１４００度では光ファイバ３の破断頻度が６００回／１００ｋｍであった。

このように、徐冷炉２１の炉心管２３内のクリーン度が１５０００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦと低い状態では、光ファイバ３の伝送損失を低減するために、すなわち、光ファイバ３の仮想温度を１４００度以下とするために、徐冷炉２１の温度を８００度より高くすると、光ファイバ３の破断頻度が高くなってしまうことがわかる。

次に、図３に、徐冷炉（熱処理炉）内のクリーン度に対する光ファイバの破断頻度の実験結果を示す。図３では、徐冷炉２１における部分徐冷炉２１ａ，２１ｂ，２１ｃの温度を、それぞれ１４００度、１３５０度、１３００度に設定し、クリーンエアフード８１内のクリーン度を変更することによって徐冷炉２１の下端の雰囲気のクリーン度を変更し、更に、徐冷炉２１の炉心管２３内へのパージガスの導入量を変更して、徐冷炉２１の炉心管２３内のクリーン度を変更した。

図３に示すように、徐冷炉２１の炉心管２３内へパージガスを導入せず、徐冷炉２１の下端の雰囲気のクリーン度を１５０００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦとすると、徐冷炉２１の炉心管２３内のクリーン度が１５０００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦとなり、光ファイバ３の破断頻度が４５０回／１００ｋｍであった。

次に、徐冷炉２１の炉心管２３内へパージガスを導入せず、徐冷炉２１の下端の雰囲気のクリーン度を１５００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦとすると、徐冷炉２１の炉心管２３内のクリーン度が１０００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦとなり、光ファイバ３の破断頻度が８０回／１００ｋｍであった。

次に、徐冷炉２１の炉心管２３内へパージガスを導入せず、徐冷炉２１の下端の雰囲気のクリーン度を５００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦとすると、徐冷炉２１の炉心管２３内のクリーン度が５００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦとなり、光ファイバ３の破断頻度が３回／１００ｋｍであった。

次に、徐冷炉２１の炉心管２３内へ０．３μｍのパーティクルサイズにおいてクリーン度１００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦのクリーンエア（パージガス）を５Ｌ／ｍｉｎガスパージしている状態で、徐冷炉２１の下端の雰囲気のクリーン度を１００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦとすると、徐冷炉２１の炉心管２３内のクリーン度が１５０ｃｏｕｎｔ／１ＣＦとなり、光ファイバ３の破断頻度が１回／１００ｋｍであった。

このように、徐冷炉２１の温度が１３００度以上の場合には、光ファイバ３の破断頻度が徐冷炉２１の炉心管２３内のクリーン度に依存することが顕著であることがわかる。

そして、徐冷炉２１の炉心管２３内のクリーン度を５００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ未満と高めることによって、徐冷炉２１の温度を１３００度以上と高く設定しても、光ファイバ３の破断頻度を３回／１００ｋｍ未満に低減することができることがわかる。

また、徐冷炉２１の温度を１３００度以上と高く設定することができるので、光ファイバ３の仮想温度を低減することができ、光ファイバ３の伝送損失を低減することができることがわかる。本実験では、仮想温度１３００度、レーリー散乱係数０．７９ｄＢ／ｋｍ／μｍ^４、１５５０μｍ伝送損失０．１６０ｄＢ／ｋｍの純シリカコアファイバである光ファイバ３が得られた。

なお、仮想温度Ｔ_ｆ［Ｋ］は、赤外分光分析（反射法）を行い、１１２０ｃｍ^−１付近のＳｉ−Ｏ伸縮に帰属されるピークの波数ν_１１２０［ｃｍ^−１］に基づく下式から求めた。
Ｔ_ｆ＝（1132.4−ν_１１２０）／0.0068
測定は、Φ＝１００μｍで行った。

なお、本発明は上記した本実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。例えば、線引き装置１では、徐冷炉２１が３つの部分徐冷炉２１ａ，２１ｂ，２１ｃを有していたが、徐冷炉２１は、光ファイバ母材２を線引きする方向に一列に配置された２つ以上の部分徐冷炉を有している態様であってもよい。

また、線引き装置１では、徐冷炉２１の下端、すなわち、複数の部分徐冷炉の最下段の部分徐冷炉２１ｃにシャッター１０１が設けられたが、シャッター１０１は、複数の部分徐冷炉のうちの少なくとも１つの部分徐冷炉の下端に設けられる態様であってもよい。

また、線引き装置１では、徐冷炉２１の炉心管２３内にパージガスを独立に導入したが、徐冷炉２１の炉心管２３が線引き炉１１の炉心管１３と直結し、徐冷炉２１の炉心管２３内に、線引き炉１１の炉心管１３内のパージガスが導入されてもよい。

また、線引き装置１では、手段１：クリーンエアフード８１及びクリーンエアジェネレータ９１、手段２：シャッター１０１、手段３：徐冷炉２１の炉心管２３内にパージガスを導入、の全ての手段を備えたが、手段１〜３のうちの何れか１つの手段を備えるだけでも、上記した手段１〜３各々の作用によって、徐冷炉２１の炉心管２３内、特に徐冷炉２１の炉心管２３内の下部のクリーン度を十分に５００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ未満と高く保持することが可能である。

本発明の実施形態に係る光ファイバの製造方法及び光ファイバの製造装置を示す図である。 徐冷炉（熱処理炉）の温度に対する光ファイバの破断頻度の実験結果を示す図である。 徐冷炉（熱処理炉）内のクリーン度に対する光ファイバの破断頻度の実験結果を示す。

１…線引き装置（光ファイバの製造装置）、２…光ファイバ母材、３…光ファイバ、４…光ファイバ素線、１１…線引き炉、１２…ヒータ、１３…炉心管、２１…徐冷炉（熱処理炉）、２１ａ，２１ｂ，２１ｃ…部分徐冷炉（部分熱処理炉）、２３…炉心管、３１…強制冷却装置、４１…樹脂コーティングダイス、５１…樹脂硬化部、６１…ガイドローラ、７１…ドラム、８１…クリーンエアフード、９１…クリーンエアジェネレータ（パージガス導入部）、１０１…シャッター。

Claims (6)

1. 光ファイバ母材を加熱線引きする線引き炉と、当該線引き炉の下方に配置し、当該線引き炉によって線引きされた光ファイバの仮想温度を制御する熱処理炉とを用いた光ファイバの製造方法において、
   前記線引き炉によって線引きされた光ファイバを、前記熱処理炉の上端から下端へ向けて前記熱処理炉内を通過させることによって仮想温度を制御し、
   前記熱処理炉の下端の雰囲気のクリーン度を５００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ未満とする、
   光ファイバの製造方法。
2. 前記熱処理炉内に、クリーン度が１００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ以下であるパージガスを導入する、
   請求項１に記載の光ファイバの製造方法。
3. 前記熱処理炉内の温度を８００℃以上とする、
   請求項１又は２に記載の光ファイバの製造方法。
4. 光ファイバ母材を加熱線引きする線引き炉と、
   前記線引き炉の下方に配置され、前記線引き炉によって線引きされた光ファイバを、上端から下端へ向けて通過させることによって、当該光ファイバの仮想温度を制御する熱処理炉と、
   前記熱処理炉の下端部を覆い、前記熱処理炉の下端の雰囲気のクリーン度を５００ｃｏｕｎｔ／１ＣＦ未満とするためのクリーンエアフードと、
   を備える、
   光ファイバの製造装置。
5. 前記クリーンエアフード内にパージガスを導入するガス導入部を更に備える、請求項４に記載の光ファイバの製造装置。
6. 前記熱処理炉は、上端から下端へ向けて一列に配置されており、それぞれ独立に温度制御可能である複数の部分熱処理炉を有し、
   前記複数の部分熱処理炉のうちの少なくとも１つの部分熱処理炉の下端に設けられ、当該部分熱処理炉の下端の開口より小さい開口を有するシャッターを更に備える、
   請求項４又は５に記載の光ファイバの製造装置。

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