JP2010166203A - 複合基板の製造方法 - Google Patents
複合基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010166203A JP2010166203A JP2009005424A JP2009005424A JP2010166203A JP 2010166203 A JP2010166203 A JP 2010166203A JP 2009005424 A JP2009005424 A JP 2009005424A JP 2009005424 A JP2009005424 A JP 2009005424A JP 2010166203 A JP2010166203 A JP 2010166203A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- piezoelectric
- thin film
- piezoelectric thin
- peeling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】複合基板の製造方法は、パターン形成工程(S12)と接合工程(S14)と剥離工程(S15)とを含む。パターン形成工程(S12)は、支持基板3の主面に犠牲層突出部2をパターン形成する。犠牲層突出部2は支持基板3の主面から突出する。接合工程(S14)は、圧電基板1の平坦面に支持基板3を犠牲層突出部2で接合する。圧電基板1の平坦面は表面から一定距離の内部にマイクロキャビティを集積した剥離層1Cを形成している。剥離工程(S15)は、マイクロキャビティに応力を作用させて、犠牲層突出部2に接合する圧電基板1の領域から圧電薄膜4を剥離する。
【選択図】図1
Description
1C…剥離層
2…犠牲層突出部
3…支持基板
4…圧電薄膜
5…複合基板
6A…側面配線
6B…IDT電極
11…圧電基板
11C…剥離層
12A…犠牲層突出部
12B…タングステン電極
13…支持基板
14…圧電薄膜
15…複合基板
16A…薄膜保持部
16B…アルミニウム電極
Claims (6)
- 支持基板の主面に、前記主面から突出する突出部をパターン形成するパターン形成工程と、
機能性材料基板の、表面から一定距離の内部にマイクロキャビティを集積した平坦面に、前記支持基板を前記突出部で接合する接合工程と、
前記マイクロキャビティに応力を作用させて、前記突出部に接合する前記機能性材料基板の領域から機能性材料薄膜を剥離する剥離工程と、を有する、複合基板の製造方法。 - 支持基板の主面に、前記主面から突出する複数の犠牲層をパターン形成するパターン形成工程と、
圧電基板の、表面から一定距離の内部にマイクロキャビティを集積した平坦面に、前記支持基板を前記複数の犠牲層で接合する接合工程と、
前記マイクロキャビティに応力を作用させて、前記複数の犠牲層それぞれに接合する前記圧電基板の領域から複数の圧電薄膜を剥離する剥離工程と、
前記圧電薄膜を前記支持基板から中空に支持する支持部を形成する工程と、
前記複数の犠牲層を除去する工程と、
前記圧電薄膜をそれぞれ含む複数の複合基板を切り出す工程と、を有する、複合基板の製造方法。 - 前記パターン形成工程は、前記複数の犠牲層の先端が同一面内になるように、前記複数の犠牲層を平坦化する、請求項2に記載の複合基板の製造方法。
- 前記剥離工程の後、前記圧電薄膜の剥離面を平坦化する工程と、
前記平坦化した剥離面に上面電極を形成する工程と、を有し、
前記支持部を形成する工程は、前記上面電極と外部接続端子とを接続するとともに前記圧電薄膜を支持する配線を成膜する、請求項2または3に記載の複合基板の製造方法。 - 前記圧電基板にイオンを注入することで前記マイクロキャビティを形成する工程と、
前記複数の複合基板を切り出す工程よりも前に、前記圧電薄膜に再分極電界を印加する工程と、を有する、請求項2〜4のいずれかに記載の複合基板の製造方法。 - 前記イオンを注入する工程は、前記圧電基板の正または負の極性を有する主面に、同極性のイオンを注入する、請求項5に記載の複合基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009005424A JP5277975B2 (ja) | 2009-01-14 | 2009-01-14 | 複合基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009005424A JP5277975B2 (ja) | 2009-01-14 | 2009-01-14 | 複合基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010166203A true JP2010166203A (ja) | 2010-07-29 |
JP5277975B2 JP5277975B2 (ja) | 2013-08-28 |
Family
ID=42582047
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009005424A Active JP5277975B2 (ja) | 2009-01-14 | 2009-01-14 | 複合基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5277975B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013031725A1 (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-07 | 株式会社村田製作所 | 圧電バルク波装置及びその製造方法 |
WO2013031747A1 (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-07 | 株式会社村田製作所 | 圧電バルク波装置及びその製造方法 |
WO2013031748A1 (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-07 | 株式会社村田製作所 | 圧電バルク波装置及びその製造方法 |
WO2013031724A1 (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-07 | 株式会社村田製作所 | 圧電バルク波装置及びその製造方法 |
CN109768154A (zh) * | 2018-12-18 | 2019-05-17 | 中北大学 | 一种蓝宝石基可控剥离柔性pzt薄膜的制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002534886A (ja) * | 1998-12-30 | 2002-10-15 | タレス | 分子結合剤によってキャリヤ基板に結合された圧電材料の薄層中で案内される表面弾性波のためのデバイスおよび製造方法 |
JP2003017967A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
JP2006512754A (ja) * | 2002-12-24 | 2006-04-13 | コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク | 複合基板の製造方法およびこのようにして得られる構造 |
JP2008300571A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Soiウェーハの製造方法 |
-
2009
- 2009-01-14 JP JP2009005424A patent/JP5277975B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002534886A (ja) * | 1998-12-30 | 2002-10-15 | タレス | 分子結合剤によってキャリヤ基板に結合された圧電材料の薄層中で案内される表面弾性波のためのデバイスおよび製造方法 |
JP2003017967A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
JP2006512754A (ja) * | 2002-12-24 | 2006-04-13 | コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク | 複合基板の製造方法およびこのようにして得られる構造 |
JP2008300571A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Soiウェーハの製造方法 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013031725A1 (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-07 | 株式会社村田製作所 | 圧電バルク波装置及びその製造方法 |
WO2013031747A1 (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-07 | 株式会社村田製作所 | 圧電バルク波装置及びその製造方法 |
WO2013031748A1 (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-07 | 株式会社村田製作所 | 圧電バルク波装置及びその製造方法 |
WO2013031724A1 (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-07 | 株式会社村田製作所 | 圧電バルク波装置及びその製造方法 |
CN103765770A (zh) * | 2011-09-01 | 2014-04-30 | 株式会社村田制作所 | 压电体波装置及其制造方法 |
CN103765771A (zh) * | 2011-09-01 | 2014-04-30 | 株式会社村田制作所 | 压电体波装置及其制造方法 |
JPWO2013031724A1 (ja) * | 2011-09-01 | 2015-03-23 | 株式会社村田製作所 | 圧電バルク波装置及びその製造方法 |
JPWO2013031748A1 (ja) * | 2011-09-01 | 2015-03-23 | 株式会社村田製作所 | 圧電バルク波装置及びその製造方法 |
JPWO2013031747A1 (ja) * | 2011-09-01 | 2015-03-23 | 株式会社村田製作所 | 圧電バルク波装置及びその製造方法 |
JPWO2013031725A1 (ja) * | 2011-09-01 | 2015-03-23 | 株式会社村田製作所 | 圧電バルク波装置及びその製造方法 |
US9530956B2 (en) | 2011-09-01 | 2016-12-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric bulk wave device, and method of manufacturing the piezoelectric bulk wave device |
US9780292B2 (en) | 2011-09-01 | 2017-10-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric bulk wave device, and method of manufacturing the piezoelectric bulk wave device |
US9837598B2 (en) | 2011-09-01 | 2017-12-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric bulk wave device, and method of manufacturing the piezoelectric bulk wave device |
CN109768154A (zh) * | 2018-12-18 | 2019-05-17 | 中北大学 | 一种蓝宝石基可控剥离柔性pzt薄膜的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5277975B2 (ja) | 2013-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4821834B2 (ja) | 圧電性複合基板の製造方法 | |
US9385301B2 (en) | Method for manufacturing composite piezoelectric substrate | |
US9508918B2 (en) | Method for manufacturing piezoelectric device with a composite piezoelectric substrate | |
JP5353897B2 (ja) | 圧電性複合基板の製造方法、および圧電素子の製造方法 | |
WO2017163722A1 (ja) | 接合方法 | |
KR20180101482A (ko) | 접합 방법 | |
JP2010056736A (ja) | 電子部品及び電子部品の製造方法 | |
JP5277975B2 (ja) | 複合基板の製造方法 | |
US8764998B2 (en) | Method for manufacturing composite substrate | |
WO2012043616A1 (ja) | 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法 | |
JP2011120241A (ja) | Fbarタイプのバルク波の音響共振器を製作する方法 | |
JP5359615B2 (ja) | 複合基板の製造方法 | |
JP5277999B2 (ja) | 複合基板の製造方法 | |
JP2011029526A (ja) | 複合基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111130 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130328 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130423 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130506 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5277975 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |