JP2010166096A5

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Publication number: JP2010166096A5
Application number: JP2010103139A
Authority: JP
Filing date: 2010-04-28
Publication date: 2011-01-06
Anticipated expiration: 2025-02-09

Claims

半導体レーザ装置と、
第１の電源と、
第２の電源とを備え、
前記半導体レーザ装置は、
一方電極および他方電極を有し、第１の波長の光を出射する第１の半導体レーザ素子と、
一方電極および他方電極を有し、前記第１の半導体レーザ素子よりも長い第２の波長の光を出射する第２の半導体レーザ素子と、
前記第１および第２の半導体レーザ素子を収容する導電性のパッケージとを備え、
前記第１の半導体レーザ素子の一方電極および他方電極が前記パッケージから絶縁され、
前記第１の電源により前記第２の半導体レーザ素子が駆動され、
前記第１の電源により前記第１の半導体レーザ素子の他方電極に一極性の電位が与えられるとともに、
前記第２の電源により前記第１の半導体レーザ素子の一方電極に前記一極性と逆極性の電位が与えられることを特徴とする光装置。
前記第１の半導体レーザ素子は、第１の発振開始電圧を有し、
前記第２の半導体レーザ素子は、前記第１の発振開始電圧よりも低い第２の発振開始電圧を有することを特徴とする請求項１に記載の光装置。
前記第１の半導体レーザ素子は、窒化物半導体を含む材料からなり、
前記第２の半導体レーザ素子は、窒化物半導体を含まない材料からなることを特徴とする請求項１または２に記載の光装置。
半導体レーザ装置と、
第１の電源と、
第２の電源とを備え、
前記半導体レーザ装置は、
一方電極および他方電極を有し、第１の発振開始電圧を有する第１の半導体レーザ素子と、
一方電極および他方電極を有し、前記第１の発振開始電圧よりも低い第２の発振開始電圧を有する第２の半導体レーザ素子と、
前記第１および第２の半導体レーザ素子を収容する導電性のパッケージとを備え、
前記第１の半導体レーザ素子の一方電極および他方電極が前記パッケージから絶縁され、
前記第１の電源により前記第２の半導体レーザ素子が駆動され、
前記第１の電源により前記第１の半導体レーザ素子の他方電極に一極性の電位が与えられるとともに、
前記第２の電源により前記第１の半導体レーザ素子の一方電極に前記一極性と逆極性の電位が与えられることを特徴とする光装置。
半導体レーザ装置と、
第１の電源と、
第２の電源とを備え、
前記半導体レーザ装置は、
一方電極および他方電極を有し、窒化物半導体を含む材料からなる第１の半導体レーザ素子と、
一方電極および他方電極を有し、窒化物半導体を含まない材料からなる第２の半導体レーザ素子と、
前記第１および第２の半導体レーザ素子を収容する導電性のパッケージとを備え、
前記第１の半導体レーザ素子の一方電極および他方電極が前記パッケージから絶縁され、
前記第１の電源により前記第２の半導体レーザ素子が駆動され、
前記第１の電源により前記第１の半導体レーザ素子の他方電極に一極性の電位が与えられるとともに、
前記第２の電源により前記第１の半導体レーザ素子の一方電極に前記一極性と逆極性の電位が与えられることを特徴とする光装置。
一方電極および他方電極を有する第１の半導体レーザ素子と、
一方電極および他方電極を有する第２の半導体レーザ素子と、
一方電極および他方電極を有する第３の半導体レーザ素子と、
前記第１、第２および第３の半導体レーザ素子を収容する導電性のパッケージと、
前記パッケージに設けられた第１の給電ピンと、
前記パッケージに設けられた第２の給電ピンと、
前記パッケージに設けられた第３の給電ピンと、
副基板とを備え、
前記副基板上には第１の金属層と第２の金属層と第３の金属層とが、互いに間隙を設けて形成され、
前記第１の半導体レーザ素子は、前記第１の半導体レーザ素子の前記一方電極側が前記第１の金属層に電気的に接続されて、前記第１の金属層上に配置され、
前記第２の半導体レーザ素子は、前記第２の半導体レーザ素子の前記一方電極側が前記第２の金属層に電気的に接続されて、前記第２の金属層上に配置され、
前記第３の半導体レーザ素子は、前記第３の半導体レーザ素子の前記一方電極側が前記第３の金属層に電気的に接続されて、前記第３の金属層上に配置され、
前記第１の半導体レーザ素子は、前記第２の半導体レーザ素子と前記第３の半導体レーザ素子の間に配置され、
前記第１、第２および第３の給電ピンは、前記パッケージから電気的に絶縁され、
前記第１の半導体レーザ素子の前記一方電極、前記第２の半導体レーザ素子の前記一方電極および前記第３の半導体レーザ素子の前記一方電極は、それぞれ前記第１、第２および第３の給電ピンに電気的に接続されると共に、前記副基板によって前記パッケージから電気的に絶縁され、
前記第２の半装置レーザ素子の前記他方電極および前記第３の半装置レーザ素子の前記他方電極は、前記パッケージに電気的に接続されることを特徴とする半導体レーザ装置。
前記第１の給電ピンは、前記副基板の上面上に位置し、前記第２の給電ピンは、前記副基板の上面側から見て、前記第２の半導体レーザ素子側に位置し、前記第３の給電ピンは、前記副基板の上面側から見て、前記第３の半導体レーザ素子側に位置することを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザ装置。
前記第１の半導体レーザ素子の前記一方電極は、第１のワイヤーにより、前記第１の給電ピンに電気的に接続され、
前記第２の半導体レーザ素子の前記一方電極は、第２のワイヤーにより、前記第２の給電ピンに電気的に接続され、
前記第３の半導体レーザ素子の前記一方電極は、第３のワイヤーにより、前記第３の給電ピンに電気的に接続され、
前記第２の半装置レーザ素子および前記第３の半装置レーザ素子の前記他方電極は、それぞれ第４のワイヤーおよび第５のワイヤーにより、前記パッケージに電気的に接続され、
前記第４のワイヤーおよび前記第５のワイヤーは、前記第１のワイヤー、前記第２のワイヤーおよび前記第３のワイヤーよりレーザ光が出射される側に位置することを特徴とする請求項６または７に記載の半導体レーザ装置。
前記第１の金属層の前記第１の半導体レーザ素子の後端面から延びる部分において、前記第１のワイヤーにより、前記第１の半導体レーザ素子の前記一方電極と前記第１の給電ピンが接続されていることを特徴とする請求項６〜８にいずれかに記載の半導体レーザ装置。