JP2015005743A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 誘導放出のための半導体装置であって、
   基板と、
   前記基板上に配置された光ガイド構造と、
   前記光ガイド構造内に配置された発光層と、
   誘導放出のための前記半導体装置内の過剰な電荷を放電するための放電構造と、
   を備え、
   前記放電構造は、
   ｎドープした導電層と、
   （ａ）金属薄膜、（ｂ）金属コンタクト、（ｃ）接地への接続、及び（ｄ）ｅビーム源の陽極への接続の何れかと、
   を備え、
   誘導放出のための前記半導体装置は、電子正孔対を生成するために入射電子ビームによって電気的に励起されるように構成され、それらの再結合が前記発光層で支配的に発生し、これによって光を生成し、
   前記発光層はｐ／ｎ接合内に埋め込まれず、さらに前記発光層は前記ｐ／ｎ接合を必要とせずに発光するように構成される半導体装置。
2. 前記基板が、ＡｌＮまたはＧａＮから構成されるグループから選択されるバルクの単結晶材料を含む、請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記光ガイド構造は、
   下部クラッド層と、
   前記下部クラッド層上に配置された下部導波層と、
   上部導波層と、
   を備え、
   前記発光層が前記下部導波層上に配置され、さらに前記上部導波層は前記発光層上に配置される、
   請求項１に記載の半導体装置。
4. 前記発光層が、多重量子井戸構造、２重ヘテロ構造、および均質層から構成されるグループから選択される構造を備える、請求項１に記載の半導体装置。
5. 前記半導体装置は、２００ｎｍと３６５ｎｍとの間の波長で発光するように構成される、請求項１に記載の半導体装置。