JP5383912B2 - 電子線励起型発光装置 - Google Patents

Description

本発明は、電子線励起型半導体発光装置に関する。

近年、紫外領域から青色まで発光するＧａＮ系の窒化物半導体発光素子の研究開発が盛んに行われている。既に青紫色（波長４１０ｎｍ）から近紫外領域（波長３７５ｎｍ付近）までは実用化されている。窒化物半導体発光素子において、発光波長が３６０ｎｍ以下の領域では発光効率が急激に低くなり、特に深紫外線領域の２００−３００ｎｍ帯の波長では数％の発光効率しか得られておらず、実用化への課題となっていた。

窒化物半導体の紫外領域で発光効率が低い原因の１つにＡｌ組成が高いＡｌＧａＮやＡｌＮ半導体におけるｐ型の活性化率の低下がある。Ａｌ組成が数％のときのＡｌＧａＮのｐ型の活性化率は数％から数１０％程度である。しかし、Ａｌ組成が約５０％以上の場合の活性化率は０．１％以下であるのが実情である。これはＡｌ組成が高くなるとアクセプタ準位が大きくなることに起因する。

この課題を解決するものとして、電子線励起型半導体層を備えた光源装置が特許文献１に開示されている。特許文献１の図６には、電子線で励起するストライプ状半導体レーザが開示されている。特許文献１の図６において、１１は半導体基板、１２と１３はクラッド層をなす半導体層、１４は活性層をなす半導体層、１５はキャップ層をなす半導体層、１６はキャップ層１５の一部に形成されたストライプ状のリッジ部、１７は絶縁体、１８は薄膜電極をなす薄膜金属層である。半導体層１２〜１５は、半導体基板１１上にエピタキシャルに順次、積層されたものである。

特開平８−１６２７２０号公報

特許文献１の構造はリッジ部上面のみに金属膜を形成し、リッジ側面とリッジ溝底面（リッジ脇の低い面）の絶縁膜上に金属膜を形成していない。

本発明者らは、この特許文献１の電子線励起型発光装置を試作したが、電子注入効率が極めて低かった。そこで、解析した結果、リッジ側面とリッジ溝底面に絶縁膜を利用する場合には、絶縁膜にチャージアップ現象が起こり、その結果、電子注入効率が低下したものであることがわかった。

本発明の目的は、電子線励起型発光装置の電子注入効率を向上することにある。

上記課題を解決するために、本発明者は、メサ溝側面とメサ溝底面に絶縁膜を配置し、さらに、全面に渡って金属膜を形成する構造を考え出した。しかし、この構造を試作し、評価したが、電子注入効率は思ったようには向上しなかった。これは、金属膜がメサ上面およびメサ側面にもあることで、電子線源から照射された電子線レベルが、半導体層中の活性層に到達するまでの間に弱まってしまうためであると考えられる。

そこで、本発明者らは、電子線源側にある半導体層全面に金属膜を設けるのでなく、絶縁膜のない電子線を注入する領域に金属膜を設けず、半導体層上の絶縁膜がある領域のみに部分的に金属膜を設けるようにした。そして、絶縁膜および金属膜から露出した半導体領域に対して電子線が照射される位置に電子源を配置した。このような構造を採用することにより、電子注入効率の高い電子線励起型発光装置を実現することができる。

特に、ＤＢＲミラーまたはへき開面に挟み込まれた半導体層が他の領域より厚く、かつ平面パターンがストライプ状になっている構造（いわゆるリッジ型、メサ型と称される半導体共振構造）のストライプ脇に金属膜を、絶縁膜を介して形成した構造とすることが効率的である。

本発明によれば、電子線による励起で半導体層が発光する電子線励起型発光装置の高効率発光を実現することができる。

実施例１の電子線励起型レーザ装置の断面図である。 実施例１の電子線励起型レーザ装置のレーザ発光部の鳥瞰概略図である。 実施例２の電子線励起型レーザ装置の変形例の断面図である。 実施例３の電子線励起型レーザ装置の断面図である。 実施例４の電子線励起型レーザ装置のレーザ発光部の鳥瞰概略図である。 実施例５の電子線励起型レーザ装置の断面図である。 実施例６の電子線励起型レーザ装置の断面図である。 実施例７の電子線励起型レーザ装置の鳥瞰概略図である。 実施例７の電子線励起型レーザ装置の中のフォトニック結晶孔領域の概略断面図である。 窓付き真空容器に格納された電子線励起型発光装置の断面図である。

実施例１は深紫外線領域で発光する電子線励起型レーザ装置である。これは、共振構造を備えた電子線励起型発光装置の一例である。図１は実施例１の電子線励起型レーザ装置の断面図（リッジストライプ構造５のストライプ方向における断面）である。図２は実施例１の電子線励起型レーザ装置のレーザ発光部の鳥瞰概略図である。

１はサファイア基板、２は下層にＡｌＮバッファ層を含む不純物濃度１×１０^１８ｃｍ^−３のＳｉをドーパントとする下部ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、３はｎ型Ａｌ（Ｇａ）Ｎガイド層を含むアンドープＡｌＧａＮ−量子井戸活性層、４は不純物濃度１×１０^１８ｃｍ^−３のＳｉをドーパントとする上部ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、５はリッジストライプ構造（Ｌｏｗ Ｍｅｓａ型構造）である。

下部ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２、アンドープＡｌＧａＮ−量子井戸活性層３、上部ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層４およびリッジストライプ構造（Ｌｏｗ Ｍｅｓａ型構造）５は、サファイア基板１上にＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により結晶成長することで半導体積層体を生成し、ストライプ状のマスクを用いてドライエッチングを施すことで形成した。リッジストライプ構造５の断面は、リッジ上面の幅は３μｍ、リッジ高さ３００ｎｍの矩形である。これらの半導体層は図示しないが、ＤＢＲミラーまたはへき開面に挟み込まれた構造をしている。

６は二酸化シリコンＳｉＯ_２で構成されている絶縁膜で、リッジストライプ脇に配置され、リッジストライプ側面に接している。この絶縁膜６の膜厚は、リッジ高さの半分以下の１００ｎｍである。なお、絶縁膜６はリッジストライプ構造５と同一の高さでもよい。

７は絶縁膜６の上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる３層の金属膜が積層された電極である。半導体層全面に金属膜を設けるのでなく、電子線を注入する絶縁膜のない領域に金属膜を設けず、半導体層上の絶縁膜がある領域のみに部分的に金属膜を設けるようにしたので、この電極７に絶縁膜６にチャージした電子が流れ、絶縁膜６のチャージアップが防止される。

８は４の上部ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層とオーミックコンタクトを取るためのＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕからなる４層の金属膜で構成された電極である。

９は５の下部ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層とオーミックコンタクトを取るためのＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ／ＡｕまたはＴｉ／Ａｌ／Ｍｏ／Ａｕからなる４層の金属膜で構成された電極である。

実施例１では、電極８，９には０Ｖが供給される。すなわち、電極８，９は接地されている。

電極８，９はそれぞれ半導体層にオーミック接触され接地されている。これにより電子が滞りなくリッジストライプに注入されるようになっている。尚、窒化物半導体のようなワイドギャップ半導体ではバンドギャップが大きいので半導体といえどもチャージアップする懸念もあったが、我々の試作結果では半導体にドーピングし、オーミック接触で上記電極を形成し、上記電極を接地した構造ではチャージアップしなかった。

１０は電子線源である。電子線源１０は熱電子を放出する酸化バリウムで構成されており、絶縁膜６および電極７から露出した半導体層上面から電子線が照射される位置に配置されている。

１１は真空容器であり、真空度を保つゲッタリング材料が蒸着されたガラス管で構成した。

１２は電子を加速するための電圧源である。なお、この電圧源１２からの電圧Ｖｄは−１０Ｖから−２０ｋＶの範囲で設定した。

１３は金属膜７に電圧Ｖｇを印加する電源であり、電圧はＶｄより大きく接地電圧（０Ｖ）以下の範囲で設定した。電圧Ｖｇを印加しなくても絶縁膜６のチャージアップは抑制されるが、電圧Ｖｇを印加することで絶縁膜６のチャージアップが効率的かつ安定的に抑制される。

電子線源１０からの電子ｅは、一般的に放射状に放出される。したがって、厚膜部であるリッジストライプだけでなく、薄膜部であるリッジストライプ脇（リッジ溝底面）にも電子ｅは注入される。また、リッジストライプ構造５に注入された電子ｅは２次電子を放出するためにその周りに電子ｅは散乱する。金属膜７がない場合は、リッジストライプ構造５の周りにある絶縁膜６に電子ｅが放射されるので絶縁膜６がチャージアップされてしまう。チャージアップした場合には絶縁膜６が正に帯電するため、リッジストライプ構造５に向かっていく電子ｅが曲げられてリッジストライプ構造５に正常に注入されなくなり、電子の注入効率が下がる。また、全面に金属膜７がある場合には、チャージアップの問題は発生しないが、リッジストライプ構造５自体に注入される電子の量が減少するので、結局電子注入効率が低下する。

この実施例１の半導体レーザは、室温、電子源への電圧Ｖｄ＝−１０ｋＶの条件下で、発振波長２６０ｎｍ、出力５ｍＷ、駆動電流６ｍＡという低電流レーザ発振が実現できた。また、ＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）試験において５００時間に渡り安定な動作を得た。

図３は、実施例１の変形例である電子線励起型レーザ装置のレーザ発光部の断面図（リッジストライプ構造５のストライプ方向における断面）である。実施例１との相違点としては、絶縁膜６がリッジストライプ構造５よりも高く形成されている点である。

また、実施例２では、電極７はリッジストライプの側面に接する絶縁膜６と同様に、リッジストライプ５の側面との間には隙間がない平面レイアウトとしている。これは、絶縁膜６をリッジストライプ構造５よりも高く形成されているので、電極７がリッジストライプ側面に接することがなく、電極７と半導体１−５間の電圧差に起因するリーク電流が生じないからである。

この実施例２の場合、ＶｇをＶｄと接地電圧である０Ｖの間の適切な値に設定することにより良好に電子をリッジストライプ構造５に引き込むことができた。

実施例３は深紫外線領域で発光する電子線励起型レーザである。これは、共振構造を備えた電子線励起型発光装置の一例である。図４は実施例３の電子線励起型レーザ装置の断面図（リッジストライプ構造５のストライプ方向における断面）である。図１との違いは絶縁膜６と金属膜７がリッジストライプ構造５から離れて配置されていることである。

ここで加速された電子が半導体内へ入る侵入長について議論する。物質の侵入長は経験則に基づいた定式化がＫ．Ｋａｎａｙａ ａｎｄ Ｓ．Ｏｋａｙａｍａによりなされており、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｄ： Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ．５，４３頁（１９７２年）に開示されている。平均原子量と密度から計算すると例えば−１０ｋＶの加速電圧のときＧａＮやＡｌＮにおいて電子の物質内での散乱中心深さは約０．２μｍであり、最大侵入深さは約０．６μｍであった。電子は最大侵入深さ付近まで達するが、散乱中心で最も電子正孔対ができる。リッジの高さは光を導波するために低くするのに限界がある。そこで、図４のように絶縁膜６と金属膜７をリッジストライプ構造５から離して配置しリッジ脇からも電子を注入することにより効率良く活性層で電子正孔対を発生させることができる。

さらに、この実施例３の半導体レーザでは、電極７を絶縁膜６よりもリッジストライプ構造５からさらに離して、隙間を大きくした。このことにより、電極７と半導体１−５間の電圧差が高い場合のリーク電流を減らすことができ、また作製時のプロセス余裕度が大きくなるというメリットがある。

また、この実施例３の半導体レーザは、室温、電子源への電圧Ｖｄ＝−１０ｋＶの条件下で、発振波長２５５ｎｍ、出力５ｍＷ、駆動電流３ｍＡという低電流によるレーザ発振が実現できた。また、ＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）試験において８００時間に渡り安定な動作を得た。

また、本実施例では図４のように絶縁膜６はリッジストライプ構造５の高さより低い。

図５は、実施例３の変形例である電子線励起型レーザ装置のレーザ発光部の断面図（リッジストライプ構造５のストライプ方向における断面）である。実施例３との相違点としては、絶縁膜６がリッジストライプ構造５よりも高く形成されている点と、電極７が絶縁膜６からリッジストライプ５側に突出している点である。この突出は、リッジストライプ構造５と絶縁膜６との隙間でとまっている。

絶縁膜６がリッジストライプ構造５よりも高く形成されている点により、適切なＶｇを与えることにより電子を引き込み、高効率な電子注入することがというメリットがある。また、電極７がリッジストライプ構造５と絶縁膜６との隙間に突出していることにより、実施例３での効果であるリッジストライプ脇への電子注入を突出長さでコントロールできるというメリットを得ている。

実施例４では、ＶｇをＶｄと接地電圧である０Ｖの間の適切な値に設定した。このことにより、良好に電子をリッジストライプ構造５に引き込むことができている。

＜代替案＞
実施例１乃至実施例４の各層は一例であり、以下それらの代案を示す。

上述した各実施例では、窒化物半導体を結晶成長した基板として、サファイア基板１を用いたが、ＡｌＮ基板を用いても同様の効果が得られる。なお、この場合、ＡｌＮ基板は半絶縁性のものでも、ドーパントが導入された導電性のものでも良い。導電性基板の場合には基板の裏面側にも電極を形成する。

上述した各実施例では、２及び４のＡｌＧａＮクラッド層はＳｉがドーパントとしてドーピングされ、ｎ型半導体層になっているので、活性化率が電子ｅの注入により変化しにくいというメリットがあるが、必ずしも必須ではなく、窒化物半導体にＭｇをドーピングしてｐ型半導体層としてもよい。また、これらのｐ型またはｎ型のドーパントの不純物濃度は７×１０^１６〜３×１０^１９ｃｍ^−３の範囲が好ましい。

上述した各実施例では、リッジストライプ構造５の材料組成は、上部ｎ型ＡｌＧａＮクラッドと同じとしたが、メサの高さ再現性の観点からエッチング速度の異なる材料で構成されたエッジストップ層を介在させてもよい。また、上述した例では、リッジストライプ構造５の断面を矩形としたが、台形や逆台形であってもかまわない。また、リッジストライプ構造５の寸法の最適範囲は、リッジの幅が１〜３０μｍ、高さが１００〜８００ｎｍである。

絶縁膜６は、上述した各実施例のような二酸化シリコンだけでなく、他のＳｉの酸化物または窒化物、Ａｌの酸化物または窒化物、ＺｒＯ_２，ＷＯ_３，ＴｉＳｉＮ，ＨｆＯ_２を使用することができる。

上述した各実施例では、電子線源１０は、熱電子を放出する酸化バリウムで構成したが、タングステン、カーボンナノチューブを用いることができる。

上述した各実施例では、真空容器１１は、真空度を保つゲッタリング材料が蒸着されたガラス管で構成したが、金属容器で構成してもよい。

実施例５は深紫外線領域で発光する電子線励起面発光レーザである。これは、共振構造を備えた電子線励起型発光装置の一例である。図６はその発光部のみの概略断面図であり、この発光部以外の電子線源１０、真空容器１１、電源１２，１３は図１と同じ構成を備えている。

図６において１０１はｎ型ＡｌＮ基板であり、１０２はｎ型半導体ＤＢＲ層である。このＤＢＲ層は１０２ａのｎ型ＡｌＮ層と１０２ｂのｎ型ＡｌＧａＮ層がλ／４ｎの層厚で交互に積層されている。ここでλは発振波長であり、ｎはその層の屈折率である。１０３はｎ−ＩｎＧａＡｌＮスペーサ層、１０４はＩｎＧａＡｌＮ量子井戸活性層、１０５はｎ−ＩｎＧａＡｌＮスペーサ層であり、１０３〜１０５でλ／ｎの膜厚に相当する共振器構造を形成している。１０６はｎ型ＡｌＮ層であり、１０９はｎ型半導体ＤＢＲ層であり、下層部と同様にｎ型ＡｌＮ層とｎ型ＡｌＧａＮ層より構成される。１０７は絶縁膜、１０８は金属膜であり、金属膜１０８は図１のＶｇに相当する電圧に接続されている。１１０はｎ型オーミック電極層であり、０Ｖに接地されている。尚、図面では省略しているが、１０６のｎ型ＡｌＮ層も発光部から離れた位置でｎ型電極によりオーミック接触されており、０Ｖに接地されている。

実施例５でも実施例１と同様に図６の基板上部のｎ型ＡｌＮ層１０６が露出している領域に電子を注入することにより活性層１０４に容易に電子が到達するため、効率良く面発光レーザは発振することができる。さらに、絶縁膜１０６により電流領域が規定され、１０８により絶縁膜のチャージアップが抑制できるため、チャージアップによるレーザ特性の劣化は抑制することができる。

実施例５では、−５ｋＶの電圧で加速された電子を注入することにより、０．５ｍＡのしきい電流にて面発光レーザは発振した。この時の発振波長は２９０ｎｍであった。

尚、ＡｌＮ基板１０１の下部のみ真空容器から出ており、ｎ電極１１０の中央部は開いており、この開口部からレーザ光を取りだすことができる。

実施例６は深紫外線領域で発光する電子線励起埋め込み型レーザである。これは、共振構造を備えた電子線励起型発光装置の一例である。図７はその発光部のみの概略断面図であり、図１で描かれている電子線源１０、真空容器１１、電源１２，１３は実施例１と同等のものを用いれば良い。図７において１６はＡｌＮ基板であり、２はＡｌＮバッファ層を含む下部ＡｌＧａＮクラッド層、３はＡｌ（Ｇａ）Ｎガイド層を含むＡｌＧａＮ−量子井戸活性層、４は上部ＡｌＧａＮクラッド層である。実施例１と同様に上下のＡｌＧａＮクラッド層はｎ型にドーピングされている。６と７はＡｌＧａＮクラッド層を開口部とする絶縁層と金属膜層であり、実施例１と同様に金属膜層は電源に接続されＶｇの電圧に保たれている。１４は半絶縁性のＡｌＮ埋め込み層であり、１５はｎ型オーミック電極である。上部からの電子は上部クラッド４に照射されるが、その周りの領域はＶｇの電圧に保たれた金属膜層７で覆われているためにチャージアップせずに上部クラッド４に安定して電子が注入される。

実施例６による半導体レーザは室温にて電子源への電圧−２０ｋＶにおいて２０ｍＡの低い電流にてレーザ発振を確認した。発振波長２７８ｎｍであり、３ｍＷのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）試験において２００時間に渡り安定な動作を得た。

実施例７は深紫外領域で発光するＬＥＤである。これは、共振構造を備えた電子線励起型発光装置の一例である。図８はその鳥瞰概略図であり、図９はその中のフォトニック結晶孔領域の断面図である。図８，９はその発光部のみの概略図であり、図１で描かれている電子線源１０、真空容器１１、電源１２，１３は実施例１と同等のものを用いれば良い。図８、９において１はサファイア基板で２はＡｌＮバッファ層を含む下部ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、３はＡｌ（Ｇａ）Ｎガイド層を含むＡｌＧａＮ−量子井戸活性層、４は上部ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層である。

１１１はアンドープＡｌＮ層とアンドープＡｌＧａＮ層からなるアンドープの半導体ＤＢＲ層である。

１１２はフォトニック結晶孔が開口されている金属膜層であり、１１３はフォトニック結晶構造の開口部分である。

実施例１と同様に上部ｎ型クラッド層と下部ｎ型クラッド層は電子線注入部から離れた場所でオーミック接触電極を用いて０Ｖに接地されている。電子は基板の上方から来てフォトニック結晶の孔を通って半導体層３，４に注入される。

ここで１１２は電源に接続されＶｇの電圧に保たれているのでフォトニック結晶部とＤＢＲ層部はチャージアップせず安定した高効率の動作をすることができる。

活性層からの光はフォトニック結晶部とＤＢＲ層部で下方に反射され、サファイア基板側に放射される。

本実施例のＬＥＤは中心波長２４５ｎｍで発光し、その最大光出力は２４ｍＷであった。１２ｍＷの一定光出力での信頼性試験では４０００時間以上で安定した特性が得られた。本実施例ではＤＢＲ層１１１はアンドープとしたが、ｎ型にドーピングしたＤＢＲ層を用いて金属膜層との間にλ／４ｎの膜厚相当の誘電体膜を挿入した構造でも同様の効果が得られる。また、ＤＢＲ層を誘電体膜で形成しても同様の効果が得られる。

（共通事項）
実施例１から７はすべて半導体として窒化物半導体について記述したが、他の半導体、例えばＩｎＰ基板上に成長できるＩｎＧａＡｓＰやＩｎＧａＡｌＡｓ等、或いはＧａＡｓ上に成長できるＩｎＧａＡｌＰやＡｌＧａＡｓ等でも同様に適用できることは言うまでもない。また、ＺｅＳｅ系やＣｄＺｎＳｅ等のＩＩ−ＶＩ族半導体でも同様に適用できる。

また、実施例１，２，４は端面発光のレーザの例について記述しているが、端面の片面のみに高反射コート膜を施し、反対側のストライプ導波路にカーブをつけて曲げ、反射率を低減し、さらに無反射コート膜を施したスーパールミネッセンスダイオードに同様に適用することができる。

図１０は、窓付き真空容器に格納された電子線励起型発光装置の断面図である。実施例１乃至４、６の場合には図１０に示すように真空容器の一部に１１５の紫外線透過窓を形成して紫外光を真空容器１１外に出す必要がある。図１０において１１４は実施例１乃至４、６で述べた発光部である半導体レーザを示している。

１…サファイア基板
２…ＡｌＮバッファ層を含む下部ＡｌＧａＮクラッド層
３…Ａｌ（Ｇａ）Ｎガイド層を含むＡｌＧａＮ−量子井戸活性層
４…上部ＡｌＧａＮクラッド層
５…リッジ構造
６…絶縁層
７…金属膜層
８…上部クラッド層へのオーミック電極層
９…下部クラッド層へのオーミック電極層
１０…電子線源
１１…真空容器
１２…電源
１３…電源
１４…半絶縁ＡｌＮ埋め込み層
１５…ｎ型オーミック電極層

Claims (9)

1. 活性層を含む半導体積層体と、
   前記半導体積層体上に開口部があるように部分的に設けられた絶縁膜と、
   前記絶縁膜上に設けられた金属膜と、
   前記金属膜から露出している半導体積層体に電子線を照射する電子線源とを有し、
   前記半導体積層体は、前記活性層を挟み込むｎ型導電性半導体層を有することを特徴とする電子線励起型発光装置。
2. 請求項１において、
   前記ｎ型導電性半導体層に接地されたオーミック電極が設けられていることを特徴とする電子線励起型発光装置。
3. 請求項１において、
   前記半導体積層体は、断面が部分的に凸形状であるメサを備え、そのメサが前記絶縁膜の開口に位置し、
   前記メサ上面に電子が照射されることを特徴とする電子線励起型発光装置。
4. 請求項３において、
   前記メサの脇に、間隔を空けて前記金属膜が形成されていることを特徴とする電子線励起型発光装置。
5. 請求項３において、
   前記メサは、活性層よりも上層にある半導体積層体で構成されていることを特徴とする電子線励起型発光装置。
6. 請求項３において、
   前記メサ構造は、第１の方向に長いストライプの平面パターンを備え、
   前記第１の方向に共振するように構成されていることを特徴とする電子線励起型発光装置。
7. 請求項１において、
   前記半導体積層体の一部が窒化物半導体であることを特徴とする電子線励起型発光装置。
8. 請求項１において、
   前記半導体積層体は前記活性層が上下の反射鏡で挟まれた面発光レーザであることを特徴とする電子線励起型発光装置。
9. 請求項１において、
   活性層上部にＤＢＲ反射鏡と前記ＤＢＲ反射鏡に形成されたフォトニック結晶構造を備えたことを特徴とする電子線励起型発光装置。
   

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