JP2010160851A - 参照電圧発生回路および半導体記憶装置 - Google Patents

参照電圧発生回路および半導体記憶装置 Download PDF

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Abstract

【課題】回路面積を大きくせずに、適正な参照電圧を発生させる参照電圧発生回路を提供する。
【解決手段】参照電圧発生回路1は、第1のノードVBLと、第2のノードBと、第1のトランジスタ(第1のスイッチ)15と、第2のトランジスタ(第2のスイッチ)16と、複数のキャパシタ10〜13と、スイッチ制御部18と、電圧制御部19とを備えている。電圧制御部19により、第2のノードBの電圧を0VまたはVintのいずれかに任意に設定できるようにすれば、回路面積を大きくすることなく、参照ビット線5の電圧VBLを、図2のような低い電圧範囲と図3のような高い電圧範囲を合わせた計31通りもの電圧範囲で設定でき、メモリセル3の特性に合わせて最適な参照ビット線5の電圧を設定できる。
【選択図】図1

Description

本発明は、参照電圧を発生させる参照電圧発生回路および半導体記憶装置に関する。
強誘電体メモリ等に記憶されている情報を読み出すには、センスアンプにて、メモリセルからビット線に読み出された電圧を参照ビット線の電圧(参照電圧)と比較して、両電圧差をセンスする。例えば、センスアンプは、ビット線に読み出される電圧が参照電圧より高ければハイ、低ければロウと判定する。センス動作を正しく行うには、適正な参照電圧を発生させる回路が必要である。
非特許文献1には、キャパシタの一端側の電圧Vdcを調整することで、参照ビット線の電圧レベルを制御する参照電圧発生回路が開示されている。
しかしながら、電圧Vdcを調整するための電源回路を別に搭載する必要があり、回路面積が増大してしまうという問題がある。
D.Takashima et al., "A 76mm2 8Mb chain Ferroelectric memory", IEEE J. solid-state circuits, Vol.36, No.11, pp.1713-1720, Nov. 2001.
本発明は、回路面積を大きくせずに、適正な参照電圧を発生させる参照電圧発生回路および半導体記憶装置を提供するものである。
本発明の一態様によれば、複数の電圧レベルのいずれかである参照電圧に設定可能な第1のノードと、所定のプリチャージ電圧に設定される第2のノードと、前記第1および第2のノードの間に直列接続される第1および第2のスイッチと、それぞれの一端が前記第1および第2のスイッチの間の接続ノードに接続され、他端の電圧レベルを個別に設定可能な複数のキャパシタと、初期状態では前記第1のスイッチをオフして前記第2のスイッチをオンし、その後、前記第2のスイッチをオフした後に前記第1のスイッチをオンするスイッチ制御部18と、前記第1のスイッチがオンした後に前記複数のキャパシタの他端側電圧をそれぞれ個別に設定する電圧制御部と、を備えることを特徴とする参照電圧発生回路が提供される。
本発明によれば、回路面積を大きくせずに、適正な参照電圧を発生できる。
以下、本発明に係る参照電圧発生回路および半導体記憶装置の実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。以下では、主に、強誘電体メモリで用いられる参照電圧発生回路について説明するが、本発明に係る参照電圧発生回路は、強誘電体メモリ以外の各種の半導体記憶装置でも用いることが可能である。
(第1の実施形態)
図1は本発明の第1の実施形態に係る参照電圧発生回路1を内蔵する強誘電体メモリの概略構成を示す図である。
図1の強誘電体メモリは、参照電圧発生回路1と、センスアンプ2と、強誘電体メモリセル(以下、単にメモリセルと呼ぶ)3と、ビット線4と、参照ビット線5と、プレート線7と、ワード線8を備えている。
強誘電体メモリは、DRAMと原理的に動作原理が似ており、書き込み時にはワード線8を活性化して、ビット線4の電圧に応じた電荷をメモリセル3に蓄積する。読出し時には、メモリセル3に蓄積された電荷に応じてビット線4の電圧を変化させる。センスアンプ2は、読出し時のビット線4の電圧を、参照電圧発生回路1で生成した参照ビット線5の電圧と比較して、両電圧差をセンスする。
参照電圧発生回路1は、第1のノードVBLと、第2のノードBと、第1のトランジスタ(第1のスイッチ)15と、第2のトランジスタ(第2のスイッチ)16と、複数のキャパシタ10〜13と、スイッチ制御部18と、電圧制御部19とを備えている。第1のノードVBLには容量CBLの寄生容量6が寄生しているものとする。
第1のノードVBLは、複数の電圧レベルのいずれかである参照電圧に設定される参照ビット線5に対応する。第2のノードBは、所定のプリチャージ電圧に設定される。第1および第2のトランジスタ15,16は、第1および第2のノードVBL,Bの間に縦続接続される。
キャパシタ10〜13の一端はいずれも、第1および第2のトランジスタ15,16間の接続ノード(以下、第3のノード)n1に接続され、キャパシタ10〜13の他端である端子A0〜A3は電圧制御部19によりそれぞれ別個の電圧に設定可能である。図1では、4つのキャパシタ10〜13を設けて、それぞれの容量をC,2C,4C,8Cとした例を示しているが、キャパシタの数や容量には特に制限はない。
スイッチ制御部18は、第1および第2のトランジスタ15,16のオン・オフを切替制御する。より具体的には、スイッチ制御部18は、初期状態では第1のトランジスタ15をオフして第2のトランジスタ16をオンし、その後、第2のトランジスタ16をオフした後に第1のトランジスタ15をオンする。
第2のトランジスタ16の一端Bには電圧制御部19からプリチャージ電圧が供給されており、初期状態では第2のトランジスタ16がオンするため、第3のノードn1がプリチャージ電圧にプリチャージされる。電圧制御部19は、初期状態では、その出力端子A0〜A3の電圧を0Vに設定する。したがって、キャパシタ10〜13のそれぞれには、プリチャージ電圧に応じた電荷が蓄積される。
第2のトランジスタ16がオフして第1のトランジスタ15がオンした後に、電圧制御部19は、その出力端子A0〜A3の電圧を個別に設定する。これにより、キャパシタ10〜13の容量結合により、出力端子A0〜A3の電圧に応じて第3のノードn1の電圧が変化する。すなわち、電圧制御部19は、出力端子A0〜A3の電圧を制御することにより、第3のノードn1の電圧を調整することができる。
例えば、電圧制御部19は、出力端子A0〜A3,Bに与える電圧を、電圧VintまたはGND(0V)に設定可能である。スイッチ制御部18は、端子DWL,DRSTに電圧VppまたはGND(0V)を供給することにより、第1および第2のトランジスタ15,16のオン・オフを切替える。
電圧Vintおよび電圧Vppは一定の電圧であり、電圧Vppは電圧Vintに第1および第2のトランジスタ15,16の閾値電圧を加えた電圧より高いものとする。電圧Vint,Vppはメモリ内部で生成してもよいし、メモリの外部から供給を受けてもよい。例えば、Vint=1.5V、Vpp=3.3Vであるが、電圧レベルには特に依存しない。
本実施形態では、第1および第2のトランジスタ15,16がNMOSトランジスタである例を示すが、PMOSトランジスタで構成してもよいし、バイポーラトランジスタで構成してもよい。
図2は、参照電圧発生回路1の動作の一例を表す電圧波形図である。横軸は時間、縦軸は各部の電圧レベルを表している。以下、図2を用いて、本実施形態に係る参照電圧発生回路1の動作を説明する。
まず、初期状態では、第1のノードVBLの電圧VBL=0Vと仮定し、スイッチ制御部18は、DWL=0V、DRST=Vppに設定する。したがって、第2のトランジスタ16はオンし、第3のノードn1と第2のノードBは導通する。一方、第1のトランジスタ15はオフし、第3のノードn1と第1のノードVBLは遮断されている。
また、電圧制御部19は、初期状態では、Ai(i=0〜3)=0V,B=0Vに設定する。する。第2のトランジスタ16がオン状態であるため、第3のノードn1の電圧は、第2のノードBの電圧に等しく0Vである。
次に、スイッチ制御部18は、時刻t1でDRST=0Vに設定する。これにより、第2のトランジスタ16はオフ状態となり、第3のノードn1と第2のノードBは遮断される。その後、スイッチ制御部18は、時刻t2でDWL=Vppに設定する。これにより、第1のトランジスタ15はオン状態となり、第3のノードn1と第1のノードVBLが導通する。このとき、第3のノードn1は0Vであるため、第1のノードVBLの電圧VBLは0Vのままである。
さらに、時刻t3で、電圧制御部19は、出力端子A0〜A3のうち、任意の端子の電圧をVintに設定する。ここで、出力端子Aiの電圧をVi(i=0〜3で、Vi=0VまたはVint)とすると、電荷保存の法則により、以下の(1)式の関係が成立する。
0 = CBL*VBL + C (VBL −V0) + 2C (VBL − V1) + 4C (VBL − V2) + 8C (VBL − V3)
・・・(1)
上記(1)式を変形すると、第1のノードVBLの電圧VBLは以下の(2)式のようになる。
VBL = C (V0 + 2V1 + 4V2 + 8V3) / (CBL + 15C) ・・・(2)
第1のノードVBLの電圧VBLは、出力端子A0〜A3の電圧がすべて0Vのままのとき(V0=V1=V2=V3=0V)、最小値VBL=0Vとなり、出力端子A0〜A3の電圧がすべて電圧Vintのとき(V0=V1=V2=V3=Vint)、最大値VBL=15C*Vint/(CBL+15C)となる。
また、キャパシタ10〜13の容量の比は、1:2:4:8となっているので、(2)式の第1のノードVBLの電圧VBLが取りうる電圧は、上記最小値と最大値の間を15等分した16通りの電圧((2)式右辺の分子=0,C*Vint,2C*Vint・・・15C*Vint)である。
以上のように、電圧制御部19が、初期状態(時刻t0)でAi=0V,B=0Vとし、時刻t3で出力端子A0〜A3のうち、任意の端子の電圧を適宜選択して電圧Vintに設定することで、0〜15C*Vint/(CBL+15C)を15等分した16通りの電圧のうち任意の電圧を第1のノードVBLに発生させることができる。
図3は、参照電圧発生回路1の動作の一例を表す電圧波形図である。横軸、縦軸は図2と同様である。図2は、電圧制御部19が初期状態(時刻t0)でAi=0V,B=0Vに設定する例を示したが、図3は、電圧制御部19が初期状態でAi=0V,B=Vintに設定する例を示している。
まず、初期状態では、第1のノードVBLの電圧VBL=0Vと仮定し、スイッチ制御部18はDWL=0V、DRST=Vppに設定する。これにより、第2のトランジスタ16はオンし、第3のノードn1と第2のノードBは導通する。一方、第1のトランジスタ15はオフし、第3のノードn1と第1のノードVBLは遮断されている。
また、初期状態では、電圧制御部19は、Ai(i=0〜3)=0V、B=Vintに設定する。第2のトランジスタ16がオン状態であるため、第3のノードn1の電圧は第2のノードBの電圧と等しく、電圧Vintである。また、キャパシタ10〜13には、それぞれC*Vint,2C*Vint,4C*Vint,8C*Vintの電荷が蓄えられており、合計で15C*Vintの電荷が蓄えられている。
次に、スイッチ制御部18は、時刻t1でDRST=0Vに設定する。これにより、第2のトランジスタ16はオフ状態となり、第3のノードn1と第2のノードBは遮断される。その後、スイッチ制御部18は、時刻t2でDWL=Vppに設定する。これにより、第1のトランジスタ15はオン状態となり、第3のノードn1と第1のノードVBLが導通する。このとき、時刻t1で蓄えられた15C*Vintの電荷が、キャパシタ10〜13および寄生容量6に再分配されるので、以下の(3)式の関係が成立する。
15C*Vint = (CBL+ C + 2C + 4C + 8C) VBL ・・・(3)
よって、第1のノードVBLの電圧VBLは以下の(4)式のようになる。
VBL = 15C*Vint / (CBL + 15C) ・・・(4)
さらに、時刻t3で、電圧制御部19は、出力端子A0〜A3のうち、任意の端子の電圧をVintに設定する。ここで、出力端子Aiの電圧をVi(i=0〜3で、Vi=0VまたはVint)とすると、第3のノードn1には上述のように合計15C*Vintの電荷が蓄えられていたので、以下の(5)式の関係が成立する。
15 C*Vint = CBL*VBL + C (VBL − V0) + 2C (VBL − V1) + 4C (VBL − V2) + 8C (VBL − V3)
・・・(5)
よって、第1のノードVBLの電圧VBLは以下の(6)式のようになる。
VBL = C(15Vint + V0 + 2V1 + 4V2 + 8V3) / (CBL + 15C) ・・・(6)
第1のノードVBLの電圧VBLは、出力端子A0〜A3の電圧がすべて0Vのままのとき(V0=V1=V2=V3=0V)、最小値VBL=15C*Vint/(CBL+15C)となり、出力端子A0〜A3の電圧がすべて電圧Vintのとき(V0=V1=V2=V3=Vint)に、最大値VBL=30C*Vint/(CBL+15C)となる。
また、キャパシタ10〜13の容量の比は、1:2:4:8となっているので、(6)式の第1のノードVBLの電圧VBLが取りうる電圧は、上記最小値と最大値の間を15等分した16通りの電圧((6)式右辺の分子=15C*Vint,16C*Vint,17C*Vint・・・30*Vint)である。
以上のように、電圧制御部19が、初期状態(時刻t0)でAi=0V,B=Vintとし、時刻t3で出力端子A0〜A3のうち、任意の端子の電圧を適宜選択して電圧Vintに設定することで、15C*Vint/(CBL+15C)〜30C*Vint/(CBL+15C)を15等分した16通りの電圧のうち任意の電圧を第1のノードVBLに発生させることができる。
なお、第2のノードBの電圧は、電圧制御部19がプリチャージ電圧を設定できるようにしてもよいし、予め定めた電圧に固定していてもよい。この場合でも、第2のノードBの電圧をVintに固定しておくと図3の動作が実現できるし、第2のノードBの電圧を0Vに固定しておくと図2の動作が実現できる。
図1において、第2のトランジスタ16がないとすると、第1のノードVBLの電圧VBLは、図2および(2)式で示した電圧範囲でしか可変調整できなくなり、電圧VBLの可変幅が小さく、かつ選択できる電圧レベルも最大で16通りしか選べない。これに対して、本実施形態のように、第2のトランジスタ16を設けると、図3のような高い電圧範囲に電圧VBLを設定できるようになる。仮に、第2のトランジスタ16を設けない場合に、図3と同様の電圧範囲を得るためには、キャパシタ10〜13の容量を大きくしなければならず、回路面積が大きくなってしまう。第2のトランジスタ16を設けることにより、回路面積を大きくすることなく、第1のノードの電圧VBLを高く設定できる。
また、電圧制御部19により、第2のノードBの電圧を0Vまたは電圧Vintのいずれかに任意に設定できるようにすれば、第1のノードVBLの電圧VBLを、図2のような低い電圧範囲と図3のような高い電圧範囲を合わせた計31通りもの電圧範囲で設定でき、メモリセル3の特性に合わせて最適な第1のノードVBLの参照電圧を設定できる。
(第2の実施形態)
第1の実施形態では、第1のノードVBLが同じ電圧レベルになるための電圧制御部19の電圧設定方法は1通りに限られていた。第2の実施形態では、初期状態においても電圧制御部19が出力端子A0〜A3の電圧を任意に設定できるようにして、第1のノードVBLが同じ電圧レベルになるための電圧制御部19の電圧設定方法を複数通り用意して冗長性を持たせたものである。
図4は、参照電圧発生回路1の動作の一例を表す電圧波形図である。横軸、縦軸は図2と同様である。図2,3は、電圧制御部19が初期状態(時刻t0)でAi=0Vに設定する例を示したが、図4は、電圧制御部19が初期状態で、Ai=0VまたはVintに設定する例を示している。
まず、初期状態では、第1のノードVBLの電圧VBL=0Vと仮定し、スイッチ制御部18はDWL=0V、DRST=Vppに設定する。これにより第2のトランジスタ16はオンし、第3のノードn1と第2のノードBは導通する。一方、第1のトランジスタ15はオフし、第3のノードn1と第1のノードVBLは遮断されている。
また、初期状態では、電圧制御部19は、出力端子Ai(i=0〜3)の電圧を個別に設定可能であり、Ai=0VまたはVint、B=Vintに設定する。第2のトランジスタ16がオン状態であるため、第3のノードn1の電圧は第2のノードBの電圧と等しく、Vintである。
初期状態での出力端子Aiの電圧をVi0(i=0〜3で、Vi0=0VまたはVint)とすると、キャパシタ10〜13には、それぞれC*(Vint−V00),2C*(Vint−V10),4C*(Vint−V20),8C*(Vint−V30)の電荷が蓄えられており、合計でC(15Vint−V00−2V10−4V20−8V30)の電荷が蓄えられている。
次に、スイッチ制御部18は、時刻t1でDRST=0Vに設定する。これにより、第2のトランジスタ16はオフ状態となり、第3のノードn1と第2のノードBは遮断される。その後、スイッチ制御部18は、時刻t2でDWL=Vppに設定する。これにより、第1のトランジスタ15はオン状態となり、第3のノードn1と第1のノードVBLが導通する。このとき、時刻t1で蓄えられたC(15Vint−V00−2V10−4V20−8V30)の電荷が、キャパシタ10〜13および寄生容量6に再分配される。このときの第1のノードVBLの電圧をVBL0とすると、以下の(7)式の関係が成立する。
C (15Vint − V00 − 2V10 − 4V20 − 8V30)
= CBL*VBL0 + C (VBL0 − V00) + 2C (VBL0 − V10) + 4C (VBL0 − V20) + 8C (VBL0 − V30)
・・・(7)
よって、第1のノードVBLの電圧VBL0は以下の(8)式のようになる。
VBL0 = 15C*Vint / (CBL + 15C) ・・・(8)
さらに、時刻t3で、電圧制御部19は、出力端子A0〜A3のうち、任意の端子の電圧を0VまたはVintに設定する。出力端子Aiの電圧をVi1(i=0〜3で、Vi1=0VまたはVint)、第1のノードVBLの電圧をVBL1とすると、第3のノードn1には上述のように合計C(15*Vint−V00−2V10−4V20−8V30)の電荷が蓄えられていたので、以下の(9)式の関係が成立する。
C (15Vint − V00 − 2V10 − 4V20 − 8V30)
= CBL*VBL1 + C (VBL1 − V01) + 2C (VBL1 − V11) + 4C (VBL1 − V21) + 8C (VBL1 − V31)
・・・(9)
よって、第1のノードVBLの電圧VBL1は以下の(10)式のようになる。
VBL1 = C {15Vint + (V01 − V00) + 2(V11 − V10) + 4(V21 − V20) + 8(V31 − V30)}
/ (CBL + 15C) ・・・(10)
第1のノードVBLの電圧VBL1は、V00=V10=V20=V20=Vint,V01=V11=V21=V31=0Vのときに、最小値VBL1=0Vとなり、V00=V10=V20=V20=0V,V01=V11=V21=V31=Vintのときに、最大値VBL1=30C*Vint/(CBL+15C)となる。
第1の実施形態では、電圧制御部19による出力端子A0〜A3の電圧設定と第1のノードVBLの電圧VBL1とは、一対一に対応しており、出力端子A0〜A3の電圧設定が変われば、第1のノードVBLの電圧も変化した。これに対して、本実施形態では、出力端子A0〜A3の電圧設定が変わっても、必ずしも、第1のノードVBLの電圧VBL1は変化しない。言い換えれば、第1のノードVBLが同じ電圧レベルになるための電圧制御部19の電圧設定方法は複数ありうる。このように、本実施形態では、電圧制御部19の電圧設定方法に冗長性を持たせている。
以下、この冗長性について詳述する。例えば、電圧制御部19が初期状態で出力端子A0〜A2を0Vに設定し(V00=V10=V20=0V)、時刻t3で出力端子A0〜A2をVintに設定し(V01=V11=V21=Vint)、出力端子A3は常に固定電圧に設定した(V30=V31=0VまたはV30=V31=Vint)とする。この場合、第1のノードVBLの電圧VBL1は、(8)および(10)式より、VBL1=VBL0+7C*Vint/(CBL+15C)になる。
第1のノードVBLを、上記の電圧VBL1に設定するための電圧制御部19の設定方法は、上述した設定方法を含めて4通りある。図5はこれら4通りの電圧設定方法を示す図である。図5において、電圧VBL1は、時刻t3で7C*Vint/(CBL+15C)に相当する電荷を転送した+7番目の電圧レベルであるため、トリミングレベルが+7と記載している。また、図5では、電圧制御部19が、初期状態で0であった端子を、時刻t3でVintに設定することを「GND⇒Vint」、初期状態で電圧Vintであった端子を、時刻t3で0に設定することを「Vint⇒0」、常に固定電圧に設定することを「GNDのまま」もしくは「Vintのまま」と記載している。
このように、第2の実施形態では、初期状態においても、電圧制御部19が出力端子A0〜A3の電圧を任意に設定できるようにした。このため、第1のノードVBLを同じ電圧に設定するための電圧制御部19の電圧設定方法は必ずしも一通りではなくなり、複数通りの電圧設定方法がありうる。よって、コンデンサ10〜13の種類や容量を増やすことなく、電圧制御部19の電圧設定方法に冗長性を持たせることができる。このような冗長性を持たせることによる利点は、後述する第3の実施形態で説明する。
(第3の実施形態)
一般に、強誘電体メモリの読み出し時のビット線電圧は正の温度特性を有しており、周囲温度が高いと読み出し時のビット線電圧は高くなり、周囲温度が低いと読み出し時のビット線電圧は低くなる。このため、参照電圧発生回路1は、周囲温度が高いときは第1のノードVBLに与える参照電圧を高く、周囲温度が低いときは参照電圧を低く設定する必要がある。
第3の実施形態は、第2の実施形態で説明した、電圧制御部19の電圧設定方法の冗長性を利用して、強誘電体メモリの温度依存性を考慮して第1のノードVBLに参照電圧を発生させる参照電圧発生回路に係るものである。
図6は、本発明の第3の実施形態に係る参照電圧発生回路1を内蔵する強誘電体メモリの概略構成を示す図である。図6では、図1と共通する構成部分には同一の符号を付しており、以下では相違点を中心に説明する。
図6の電圧制御部19は、第2の実施形態と同様に、初期状態で出力端子A0〜A3の電圧を任意に設定でき、かつ第2のトランジスタ16がオフして第1のトランジスタ15がオンした後にも出力端子A0〜A3の電圧を任意に再設定することができる。
図6の参照電圧発生回路1は、図1の参照電圧発生回路1に加えて温度検知部20をさらに備えている。温度検知部20は、例えばダイオードやMOSトランジスタの温度特性を用いた温度検知回路であり、参照電圧発生回路1等と同一のチップ上に搭載されている。電圧制御部19は、温度検知部20で検知した周囲温度の検知結果(以下、温度情報)に基づいて、出力端子A0〜A3の電圧を制御する。
温度情報に応じて参照電圧を変える場合、上述した冗長な電圧設定が重要である。以下では、参照電圧発生回路1が、基準温度以上の時(高温時)にはトリミングレベル+8、基準温度以下の時(低温時)にはトリミング+7の参照電圧を発生させる場合を例に取って説明する。トリミングレベル+8、トリミングレベル+7はそれぞれ、電圧VBL0から数えて+8番目、+7番目の電圧レベルを意味している。
図7は、トリミングレベル+8を発生させるための電圧設定方法を示す図である。図7に示すように、トリミングレベル+8の参照電圧を発生させる場合、電圧制御部19による設定方法は1通りしかない。一方、図5に示すように、トリミングレベル+7の参照電圧を発生させる場合、電圧制御部19は、出力端子A0〜A3への電圧設定方法を4通りから選択できる。
仮に、電圧制御部19が図5(a)に示す電圧設定方法を選択した場合、参照電圧発生回路1は、低温時にはキャパシタ10〜12(容量C,2C,4C)に蓄えられる電荷を再配分してトリミングレベル+7(+1+2+4)の参照電圧を発生させる。また、参照電圧発生回路1は、高温時にはキャパシタ13(容量8C)に蓄えられる電荷を再配分してトリミングレベル+8の参照電圧を発生させる。このため、製造プロセスのばらつき等に起因して、キャパシタ10〜12の容量の総計がキャパシタ13の容量より大きい場合、トリミングレベル+7と+8の電圧レベルが逆転し、低温時に発生させる参照電圧が、高温時に発生させる参照電圧より高くなってしまうおそれがある。
一方、電圧制御部19が図5(b)に示す電圧設定方法を選択した場合、参照電圧発生回路1は、低温時はキャパシタ10,13(容量C,8C)に蓄えられる電荷を再配分してトリミングレベル+7(−1+8)の参照電圧を発生させる。このときのトリミングレベル+7は、キャパシタ13によってトリミングレベルを+8とし、キャパシタ10によって−1として生成されるため、トリミングレベル+7の電圧レベルは、トリミングレベル+8の電圧レベルより必ず低くなる。すなわち、トリミングレベル+7もトリミングレベル+8も、キャパシタ13を用いて生成するため、トリミングレベル+7とトリミングレベル+8の電圧レベルが逆転することはありえない。よって、参照電圧発生回路1は、確実に高温時には低温時より高い参照電圧を発生することができる。
以上に説明したとおり、温度情報に基づいてトリミングレベルを切り替える場合、高温時と低温時で参照電圧が逆転しないよう、電圧制御部19が適切な電圧設定方法を選択することで、参照電圧発生回路1は確実に温度依存性を考慮した参照電圧を発生させることができる。
電圧制御部19による出力端子A0〜A3へ設定する電圧の制御法は種々考え得るが、例えば、温度検知部20から得られる温度情報に応じたルックアップテーブル方式とすることができる。図8は、ルックアップテーブル方式により、電圧制御部19が出力端子A0〜A3に電圧を設定する手法を示す図である。温度検知部20から得られる温度情報が、周囲の温度が基準温度以下であることを示す場合、トリミングレベル+7の電圧を発生させるため、電圧制御部19は、V00=Vint,V01=GND,V10=V10=GND,V20=V21=GND,V30=GND,V31=Vintを出力端子A0〜A3へ設定する。また、温度情報が基準温度以上であることを示す場合、トリミングレベル+8の電圧を発生させるため、電圧制御部19は、V00=V01=GND,V10=V10=GND,V20=V21=GND,V30=GND,V31=Vintを出力端子A0〜A3へ設定する。
図8はルックアップテーブルの一例に過ぎず、例えば温度に応じてより細かく、電圧制御部19が出力端子A0〜A3に設定する電圧を切り替えてもよい。またルックアップテーブルを用いる以外の手法により電圧制御部19が出力端子Aiに電圧を設定してもよい。
本実施形態では、高温時と低温時とでトリミングレベルを切り替える例を示したが、参照電圧の切り替えは、この2段階に限られるものではない。例えば、温度が10度変化する毎にトリミングレベルを切り替えることにしてもよい。
このように、第3の実施形態では、第1のノードVBLの参照電圧レベルを設定するための電圧制御部19の電圧設定方法に冗長性を持たせて、温度検知部20から得られる温度情報に基づいて、電圧制御部19が最適な電圧設定方法を選択するため、参照電源発生回路1は、メモリセル3の温度依存性を考慮に入れて適切な参照電圧を発生させることができる。
上述した各実施形態では、強誘電体メモリ等の半導体記憶装置の参照ビット線を設定するための参照電圧発生回路について説明したが、本発明に係る参照電圧発生回路は、参照ビット線の設定以外の目的にも適用可能である。例えば、本発明は、基準となる参照電圧を利用する種々の装置にも用いることができ、必ずしも半導体記憶装置に用いられるわけではない。
本発明に係る参照電圧発生回路は、回路全体を同一の半導体基板上に形成してもよいし、回路の一部を別の半導体基板上に形成してもよい。また、本発明に係る参照電圧発生回路は、プリント基板等にディスクリート部品を用いて実装してもよい。
上記の記載に基づいて、当業者であれば、本発明の追加の効果や種々の変形を想到できるかもしれないが、本発明の態様は、上述した個々の実施形態には限定されるものではない。特許請求の範囲に規定された内容およびその均等物から導き出される本発明の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更および部分的削除が可能である。
本発明の第1の実施形態に係る参照電圧発生回路1を内蔵する強誘電体メモリの概略構成を示す図。 参照電圧発生回路1の動作の一例を表す電圧波形図。 参照電圧発生回路1の動作の一例を表す電圧波形図。 参照電圧発生回路1の動作の一例を表す電圧波形図。 BL0+7C*Vint/(CBL+15C)を発生させるための4通りの電圧設定方法を示す図。 本発明の第3の実施形態に係る参照電圧発生回路1を内蔵する強誘電体メモリの概略構成を示す図。 トリミングレベル+8を発生させるための電圧設定方法を示す図。 ルックアップテーブルを用いて、電圧制御部19が出力端子A0〜A3に電圧を設定する手法を示す図。
1 参照電圧発生回路
5 参照ビット線
10〜13 キャパシタ
15 NMOSトランジスタ(第1のスイッチ)
16 NMOSトランジスタ(第2のスイッチ)
18 スイッチ制御部
19 電圧制御部
20 温度検知部

Claims (5)

  1. 複数の電圧レベルのいずれかである参照電圧に設定可能な第1のノードと、
    所定のプリチャージ電圧に設定される第2のノードと、
    前記第1および第2のノードの間に直列接続される第1および第2のスイッチと、
    それぞれの一端が前記第1および第2のスイッチの間の接続ノードに接続され、他端の電圧レベルを個別に設定可能な複数のキャパシタと、
    初期状態では前記第1のスイッチをオフして前記第2のスイッチをオンし、その後、前記第2のスイッチをオフした後に前記第1のスイッチをオンするスイッチ制御部と、
    前記第1のスイッチがオンした後に前記複数のキャパシタの他端側電圧をそれぞれ個別に設定する電圧制御部と、を備えることを特徴とする参照電圧発生回路。
  2. 前記電圧制御部は、初期状態では前記複数のキャパシタの他端をいずれも同一電圧レベルの初期電圧に設定し、前記第1のスイッチがオンした後に前記複数のキャパシタの他端側電圧をそれぞれ個別に設定することを特徴とする請求項1に記載の参照電圧発生回路。
  3. 前記電圧制御部は、初期状態では前記複数のキャパシタの他端側電圧をそれぞれ個別に設定し、前記第1のスイッチがオンした後に前記複数のキャパシタの他端側電圧をそれぞれ個別に再設定することを特徴とする請求項1に記載の参照電圧発生回路。
  4. 周囲温度を検知する温度検知部を備え、
    前記電圧制御部は、前記温度検知部による検知結果に基づいて、前記複数のキャパシタの他端側電圧をそれぞれ設定することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の参照電圧発生回路。
  5. メモリセルと、
    前記メモリセルに接続されたビット線と、
    参照ビット線と、
    前記参照ビット線に供給される参照電圧を発生させる参照電圧発生回路と、
    前記ビット線の電圧と前記参照電圧とを比較して、前記メモリセルから前記ビット線を介して読出したデータをセンスするセンスアンプと、を備え、
    前記参照電圧発生回路は、
    複数の電圧レベルのいずれかである参照電圧に設定可能な第1のノードと、
    所定のプリチャージ電圧に設定される第2のノードと、
    前記第1および第2のノードの間に直列接続される第1および第2のスイッチと、
    それぞれの一端が前記第1および第2のスイッチの間の接続ノードに接続され、他端の電圧レベルを個別に設定可能な複数のキャパシタと、
    初期状態では前記第1のスイッチをオフして前記第2のスイッチをオンし、その後、前記第2のスイッチをオフした後に前記第1のスイッチをオンするスイッチ制御部と、
    前記第1のスイッチがオンした後に前記複数のキャパシタの他端側電圧をそれぞれ個別に設定する電圧制御部と、を備えることを特徴とする半導体記憶装置。
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