JP2010157288A - Nand型不揮発性半導体メモリ - Google Patents
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Abstract
【課題】書き込み動作時、メモリセルのチャネルを確実にカットオフさせる。
【解決手段】本発明の例に係わるNAND型不揮発性半導体メモリは、電荷蓄積層及び制御ゲート電極を有し、互いに直列接続される複数のメモリセルと、複数のメモリセルの一端とソース線との間に接続される第1のセレクトゲートトランジスタと、複数のメモリセルの他端とビット線との間に接続される第2のセレクトゲートトランジスタと、複数のメモリセルの制御ゲート電極それぞれに与える電圧を制御するドライバとを具備し、書き込み動作時、ドライバは、複数のメモリセルから選択された第1のメモリセルの制御ゲート電極に第1の電圧を印加し、第1のメモリセルからソース線側に複数個離れて並んだ3つ以上の第2のメモリセルの制御ゲート電極それぞれにメモリセルのチャネルをカットオフさせるカットオフ電圧を印加する。
【選択図】図5
【解決手段】本発明の例に係わるNAND型不揮発性半導体メモリは、電荷蓄積層及び制御ゲート電極を有し、互いに直列接続される複数のメモリセルと、複数のメモリセルの一端とソース線との間に接続される第1のセレクトゲートトランジスタと、複数のメモリセルの他端とビット線との間に接続される第2のセレクトゲートトランジスタと、複数のメモリセルの制御ゲート電極それぞれに与える電圧を制御するドライバとを具備し、書き込み動作時、ドライバは、複数のメモリセルから選択された第1のメモリセルの制御ゲート電極に第1の電圧を印加し、第1のメモリセルからソース線側に複数個離れて並んだ3つ以上の第2のメモリセルの制御ゲート電極それぞれにメモリセルのチャネルをカットオフさせるカットオフ電圧を印加する。
【選択図】図5
Description
本発明は、NAND型不揮発性半導体メモリの書き込み動作に関する。
NAND型不揮発性半導体メモリの1つの例として、NAND型フラッシュメモリがある。
NAND型フラッシュメモリの書き込み動作において、データを書き込む対象となる選択メモリセルが接続されたワード線(選択ワード線)を共有し、書き込みを行わないようにするメモリセル(書き込み禁止メモリセル)にも書き込み電圧が印加されてしまう。そのため、この書き込み禁止メモリセルに書き込みが起こらないようにする必要がある。
書き込み禁止メモリセルに書き込みが起こらないよう制御する方法として、セルフブースト(SB:Self−Boost)方式及びローカルセルフブースト(LSB:Local Self−Boost)方式(例えば、特許文献1、2及び3参照)が知られている。
セルフブースト方式は、書き込み禁止メモリセルを含むNANDストリングをフローティング状態にしておき、ワード線それぞれにパス電圧を印加する。NANDストリング内のチャネル電圧は、容量カップリングにより昇圧されるため、選択メモリセルのゲート絶縁膜に掛かる電界が低減される。そのため、書き込み禁止メモリセルの電荷蓄積層への電子の注入が制限される。
ローカルセルフブースト方式は、非選択メモリセルの数本ソース線側にあるワード線にメモリセルのチャネルをカットオフさせるカットオフ電圧を印加する点が異なり、それ以外の点は、セルフブースト方式と同じである。
この方式において、カットオフされたメモリセルよりビット線側にあるメモリセルのチャネル領域のみを部分的に昇圧すればよいため、昇圧効率が向上する。
特開2008−47278号公報
特開2007−42165号公報
特開2000−48581号公報
本発明は、書き込み動作時、メモリセルのチャネルを確実にカットオフさせる技術を提案する。
本発明の例に係るNAND型不揮発性半導体メモリは、電荷蓄積層及び制御ゲート電極を有し、互いに直列接続される複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルの一端とソース線との間に接続される第1のセレクトゲートトランジスタと、前記複数のメモリセルの他端とビット線との間に接続される第2のセレクトゲートトランジスタと、前記複数のメモリセルの制御ゲート電極それぞれに与える電圧を制御するドライバとを具備し、書き込み動作時、前記ドライバは、前記複数のメモリセルから選択された第1のメモリセルの制御ゲート電極に第1の電圧を印加し、前記第1のメモリセルから前記ソース線側に複数個離れて並んだ3つ以上の第2のメモリセルの制御ゲート電極それぞれに前記メモリセルのチャネルをカットオフさせるカットオフ電圧を印加する。
本発明の例に係るNAND型不揮発性半導体メモリは、電荷蓄積層及び制御ゲート電極を有し、互いに直列接続される複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルの一端とソース線との間に接続される第1のセレクトゲートトランジスタと、前記複数のメモリセルの他端とビット線との間に接続される第2のセレクトゲートトランジスタと、前記複数のメモリセルの制御ゲート電極それぞれに与える電圧を制御するドライバとを具備し、書き込み動作時、前記ドライバは、前記複数のメモリセルから選択された第1のメモリセルの制御ゲート電極に第1の電圧を印加し、前記第1のメモリセルの前記ソース線側に複数個離れた第2のメモリセルの制御ゲート電極をフローティング状態にし、前記第2のメモリセルのソース線側に隣接した第3のメモリセルの制御ゲート電極に前記第1の電圧より低い第2の電圧を印加し、前記第3のメモリセルからソース線側に隣接する第4のメモリセルの制御ゲート電極にメモリセルのチャネルをカットオフさせるカットオフ電圧を印加する。
本発明の例に係るNAND型不揮発性半導体メモリは、電荷蓄積層及び制御ゲート電極を有し、互いに直列接続される複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルの一端とソース線との間に接続される第1のセレクトゲートトランジスタと、前記複数のメモリセルの他端とビット線との間に接続される第2のセレクトゲートトランジスタと、前記複数のメモリセルの制御ゲート電極それぞれに与える電圧を制御するドライバとを具備し、前記書き込み動作時、前記ドライバは、選択された第1のメモリセルの制御ゲート電極に第1の電圧を印加した後、前記第1のメモリセルのソース線側に複数個離れた第2のメモリセルの制御ゲート電極に前記第1の電圧より低い第2の電圧し、前記第2のメモリセルのソース線側に隣接する第3のメモリセルの制御ゲート電極メモリセルのチャネルをカットオフさせるカットオフ電圧を印加する。
本発明によれば、書き込み動作時、メモリセルのチャネルを確実にカットオフすることができる。
以下、図面を参照しながら、本発明の例を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
1. 概要
本発明の例において、以下に記す3つの方法でパス電圧が印加されるワード線とのカップリングによるカットオフ電圧の上昇を緩和し、リカバリー時間を減少させる。
本発明の例において、以下に記す3つの方法でパス電圧が印加されるワード線とのカップリングによるカットオフ電圧の上昇を緩和し、リカバリー時間を減少させる。
1つ目は、カットオフ電圧を印加するワード線を3本以上の複数にする方法である。この方法において、カットオフ電圧が印加されるワード線のうち、中央のワード線は、隣接するワード線がカットオフ電圧である。そのため、パス電圧とのカップリングの影響を受けにくく、パス電圧による電圧上昇を緩和することが出来る。
2つ目は、パス電圧と中間電圧との間のワード線をフローティング状態にする方法である。この方法において、中間電圧がパス電圧とのカップリングによって昇圧されてしまう影響をフローティング状態のワード線を介することで緩和させる。そのため、カットオフ電圧の電圧上昇を緩和することが出来る。
3つ目は、パス電圧が印加されるタイミングから一定時間遅れてカットオフ電圧及び中間電圧が印加されるよう制御する方法である。この方法において、パス電圧と同じタイミングで中間電圧及びカットオフ電圧を印加する場合と比較して、中間電圧およびカットオフ電圧がパス電圧とのカップリングによる電圧の上昇を緩和することが出来る。
これら3つの方法において、リカバリー時間が短縮されると共に、確実にメモリセルのチャネルをカットオフできる。そのため、チャネル領域を昇圧する時間が短縮され、書き込み時間が短縮される。
2. 実施形態
(1) NAND型不揮発性半導体メモリ
まず、NAND型不揮発性半導体メモリの概要について説明する。
(1) NAND型不揮発性半導体メモリ
まず、NAND型不揮発性半導体メモリの概要について説明する。
図1は、NAND型不揮発性半導体メモリの全体図を示している。
メモリセルアレイ11は、複数のブロックBK1,BK2,・・・BLjを有する。複数のブロックBK1,BK2,・・・BLjの各々は、NANDセルユニットを有する。
データラッチ回路12は、リード/プログラム時にデータを一時的にラッチする機能を有し、例えば、フリップフロップ回路から構成される。I/O(Input/Output)バッファ13は、データのインターフェイス回路として、アドレスバッファ14は、アドレス信号のインターフェイス回路として機能する。
アドレス信号には、ブロックアドレス信号、ロウアドレス信号及びカラムアドレス信号が含まれる。
ロウデコーダ15は、ブロックアドレス信号に基づいて、複数のブロックBK1,BK2,・・・BLjのうちの1つを選択し、ロウアドレス信号に基づいて、選択されたブロック内の複数のワード線のうちの1つを選択する。ワード線ドライバ17は、選択されたブロック内の複数のワード線を駆動する。
カラムデコーダ16は、カラムアドレス信号に基づいて、複数のビット線のうちの1つを選択する。
基板電圧制御回路18は、半導体基板の電圧を制御する。半導体基板には、半導体基板内のウェルを含むものとする。
また、電圧発生回路19は、選択されたブロック内の複数のワード線に供給する電圧、を発生する。本発明では、書き込み動作時に、書き込み電圧Vpgm,パス電圧Vpass,中間電圧Vgp及びカットオフ電圧Visoを発生する。
制御回路20は、基板電圧制御回路18及び電圧発生回路19の動作を制御する。
コントロールゲートドライバ21は、動作モードや、選択されたワード線の位置などの情報に基づいて、選択されたブロック内のワード線に供給する電圧の値を選択する。
図2は、メモリセルアレイ及びワード線ドライバの回路例を示している。
メモリセルアレイ11は、カラム方向に配置される複数のブロックBK1,BK2,・・・を有する。複数のブロックBK1,BK2,・・・の各々は、ロウ方向に配置される複数のNANDセルユニットを有する。NANDセルユニットは、直列接続される複数のメモリセルMCからなるNANDストリングと、その両端に1つずつ接続される2つのセレクトゲートトランジスタSTとを有する。
NANDセルユニットは、例えば、図3に示すようなレイアウトを有する。NANDセルユニットのカラム方向の断面構造は、例えば、図4に示すような構造となる。
NANDセルユニットの一端は、ビット線BL1,BL2,・・・BLmに接続され、他端は、ソース線SLに接続される。
メモリセルアレイ11上には、複数のワード線WL1,・・・WLn,・・・と複数のセレクトゲート線SGS1,SGD1,・・・が配置される。
例えば、ブロックBK1内には、n(nは複数)本のワード線WL1,・・・WLnと2本のセレクトゲート線SGS1,SGD1が配置される。ワード線WL1,・・・WLn及びセレクトゲート線SGS1,SGD1は、ロウ方向に延び、それぞれ、ワード線ドライバ17(DRV1)内の転送トランジスタユニット23(BK1)を介して、信号線(コントロールゲート線)CG1,・・・CGn及び信号線SGSV1,SGDV1に接続される。
信号線CG1,・・・CGn,SGSV1,SGDV1は、それぞれロウ方向に交差するカラム方向に延び、コントロールゲートドライバ21に接続される。
転送トランジスタユニット23(BK1)は、電源電圧よりも高い電圧を転送できるように、高耐圧(high voltage)タイプMISFETから構成される。
ワード線ドライバ17(DRV1)内のブースタ22は、ロウデコーダ15から出力されるデコード信号を受ける。ブースタ22は、ブロックBK1が選択されているとき、転送トランジスタユニット23(BK1)をオンにし、ブロックBK1が選択されていないとき、転送トランジスタユニット23(BK1)をオフにする。
(2) 第1の実施形態
第1の実施形態の例として、カットオフ電圧を印加するワード線の数を3本にした場合について説明する。
第1の実施形態の例として、カットオフ電圧を印加するワード線の数を3本にした場合について説明する。
図5は、書き込み動作時におけるNANDセルユニット内の電圧関係を示しており、図6は、書き込み動作時におけるワード線に印加される電圧のタイミングチャートを示している。
まず、図5及び図6を参照しつつ、NANDストリング内の中央のワード線WLk(kは、k≧7を満たす整数)を選択ワード線とする場合における、書き込み動作時のワード線への電圧の印加方法について説明する。
また、メモリセルMCk1が選択メモリセルであり、メモリセルMCk2が書き込み禁止メモリセルである場合を考える。
まず、ビット線BL1,BL2に電圧Vbl1/Vbl2を与える。電圧Vbl1は、例えば、0Vとし、電圧Vbl2は、例えば、2.5Vであるとする。
ソース側選択ゲートトランジスタST11,ST12の選択ゲート線SGSには、電圧Vsgs(例えば、0V)を与え、ビット線選択ゲートトランジスタST21,ST22の選択ゲート線SGDには、電圧Vsgd(例えば、2.5Vまでの電圧)を与える。
選択メモリセルを含まないNANDセルユニット内において、NANDストリング内のチャネル領域は、選択ゲートトランジスタを介して、電圧Vcc(例えば、0.5V程度)まで充電され、フローティング状態になる。ここで、Vccは、Vcc=Vbl2−Vtsgで表され、Vtsgは、選択ゲートトランジスタの閾値電圧であり、例えば、2.0V程度の値である。
この後、ワード線WL(k−3),WL(k−4)及びWL(k−5)には、カットオフ電圧Viso(例えば、1.0V程度)を印加し、ワード線WL(k−2)及びWL(k−6)には、中間電圧Vgp(例えば、1V以上10V未満)を印加し、その他のワード線には、パス電圧Vpass(例えば、10V程度)を印加する。
その後、書き込み禁止メモリセルを含むNANDストリング内のチャネル電圧が十分に昇圧された後、選択ワード線WLkに書き込み電圧Vpgm(例えば、20V)が印加される。
図6で示すように、パス電圧Vpassを印加するとき、隣接ワード線同士のカップリングによってワード線に印加される電圧が昇圧されてしまう。
そのため、ワード線(k−2)に印加される中間電圧Vgpは、ワード線(k−1)に印加されるパス電圧Vpassとのカップリングによって昇圧される。更に、ワード線(k−3)に印加されるカットオフ電圧Visoは、ワード線(k−2)に印加される昇圧された中間電圧Vgpとのカップリングによって昇圧される。
しかしながら、第1の実施形態に係る例において、カットオフ電圧Visoを印加するワード線を3本にしている。そのため、ワード線WL(k−4)に印加されるカットオフ電圧Visoは、昇圧されたカットオフ電圧Visoとのカップリングによって昇圧される。そのため、ワード線WL(k−4)のカットオフ電圧Visoは、カットオフ電圧Visoを1つしか印加しない場合と比較して昇圧量が減少する。
従って、ワード線WL(k−4)の昇圧されたカットオフ電圧Visoが元の電圧まで戻るリカバリー時間が短くなると共に、メモリセルが確実にカットオフされる。
図7は、セルユニットのカラム方向における断面図を示している。また、チャネル領域の黒く塗りつぶされている領域は、ワード線にパス電圧Vpassを印加したときのチャネル電圧の大きさを示している。
ワード線WL(k−3)に印加されるカットオフ電圧Visoが中間電圧Vgpとのカップリングにより昇圧され、メモリセルのチャネルをカットオフできない場合でも、ワード線WL(k−4)に印加されるカットオフ電圧によって、メモリセルのチャネルを確実にカットオフできる。そのため、メモリセルのチャネル領域が効率的に昇圧される。その結果、選択されたメモリセルに対して書き込み電圧Vpgmを印加するタイミングを早くすることができるため、書き込み動作に掛かる時間が短縮される。
次に、k≦6のワード線WLkが選択された場合について説明する。
選択ワード線WLkがk≦6である場合、選択ワード線WLkのソース線側にカットオフすべきメモリセルが存在しない場合がある。そのため、セルフブースト方式でメモリセルのチャネル領域を昇圧する。
図8は、選択ワード線WL4である場合について示している。
まず、k≧7のワード線WLkが選択された場合と同様に、書き込み禁止メモリセルを含むNANDストリングをフローティング状態にしておき、ワード線それぞれにパス電圧Vpassを印加する。NANDストリング内のチャネル電圧は、容量カップリングにより昇圧される。その後、選択ワード線WL4に書き込み電圧Vpgmを印加し、データを書き込む。
上記の説明において、選択ワード線がk≦6の場合は、セルフブースト方式を行う場合について説明したが、ワード線WL5が選択された場合、WL1及び2にカットオフ電圧Visoを印加し、ワード線WL3に中間電圧Vgpを印加し、その他のワード線にパス電圧Vpassを印加するように制御しても良い。
更に、ワード線WL6が選択された場合も同様に、ワード線WL1、WL2、WL3にカットオフ電圧Visoを印加し、ワード線WL4に中間電圧Vgpを印加し、その他のワード線にパス電圧Vpassを印加するように制御しても良い。
尚、第1の実施形態に係る例において、カットオフ電圧を印加するワード線が3本の場合について説明したが、カットオフ電圧を印加するワード線は、3本以上であれば何本でも良い。
第1の実施形態に係る例において、パス電圧とのカップリングの影響を緩和させるため、3本のワード線にカットオフ電圧を印加する。3本のワード線のうち中央のワード線は、カットオフ電圧とのカップリングで昇圧される。そのため、中央のワード線に印加されるカットオフ電圧は、殆ど昇圧されない。
従って、ワード線の昇圧されたカットオフ電圧が元の電圧まで戻るリカバリー時間が短くなると共に、メモリセルが確実にカットオフされる。そのため、チャネル領域を昇圧する時間が短縮され、書き込み時間が短縮される。
(3) 第2の実施形態
第2の実施形態の例として、中間電圧を印加するワード線に隣接するワード線をフローティング状態にする。
第2の実施形態の例として、中間電圧を印加するワード線に隣接するワード線をフローティング状態にする。
図9は、書き込み動作時におけるNANDセルユニット内の電圧関係を示しており、図10は、書き込み動作時におけるワード線に印加される電圧のタイミングチャートを示している。
まず、図9及び図10を参照しつつ、NANDストリング内の中央のワード線WLk(kは、k≧7を満たす整数)を選択ワード線とする場合における、書き込み動作時のワード線への電圧の印加方法について説明する。
ここで、メモリセルMCk1が選択メモリセルであり、メモリセルMCk2が書き込み禁止メモリセルである場合を考える。
まず、ビット線BL1,BL2に電圧Vbl1/Vbl2を与える。電圧Vbl1は、例えば、0Vとし、電圧Vbl2は、例えば、2.5Vであるとする。
ソース側選択ゲートトランジスタST11,ST12の選択ゲート線SGSには、電圧Vsgs(例えば、0V)を与え、ビット線選択ゲートトランジスタST21,ST22の選択ゲート線SGDには、電圧Vsgd(例えば、2.5Vまでの電圧)を与える。
選択メモリセルを含まないNANDセルユニット内において、NANDストリング内のチャネル領域は、選択ゲートトランジスタを介して、電圧Vcc(例えば、0.5V程度)まで充電され、フローティング状態になる。ここで、Vccは、Vcc=Vbl2−Vtsgで表され、Vtsgは、選択ゲートトランジスタの閾値電圧であり、例えば、2.0V程度の値である。
この後、ワード線WL(k−4)には、カットオフ電圧Viso(例えば、1.0V程度)を印加し、ワード線WL(k−3)及びWL(k−5)には、中間電圧Vgp(例えば、1V以上10V未満)を印加し、ワード線WL(k−2)及びWL(k−6)をフローティング状態にし、その他のワード線には、パス電圧Vpass(例えば、10V程度)を印加する。
ここで、図2で示されているコントロールゲートドライバ21において、フローティング状態にしたいワード線に接続されているコントロールゲート線を全ての電圧から切り離すよう制御することでワード線をフローティング状態にしている。
その後、書き込み禁止メモリセルを含むNANDストリング内のチャネル電圧が十分に昇圧された後、選択ワード線WLkに書き込み電圧Vpgm(例えば、20V)が印加される。
図10で示すように、パス電圧Vpassを印加するとき、隣接ワード線同士のカップリングによってワード線に印加される電圧が昇圧されてしまう。
そのため、パス電圧Vpassを印加するとき、フローティング状態のワード線WL(k−2),WL(k−6)は、パス電圧Vpassとのカップリングによって昇圧される。
更にワード線WL(k−3),WL(k−5)に印加される中間電圧Vgpは、フローティング状態のワード線とのカップリングによって昇圧される。しかし、フローティング状態のワード線の電圧は、パス電圧Vpassまで上昇しないため、中間電圧Vgpの昇圧量は、パス電圧とのカップリングによる昇圧量と比較して少なくなる。
従って、WL(k−4)に印加されるカットオフ電圧Visoは、中間電圧Vgpとのカップリングによる昇圧量も少なくなり、リカバリー時間が短縮されると共に、メモリセルが確実にカットオフされる。
図11は、セルユニットのカラム方向における断面図を示している。また、チャネル領域の黒く塗りつぶされている領域は、ワード線にパス電圧Vpassを印加したときのチャネル電圧の大きさを示している。
パス電圧を印加するワード線と中間電圧を印加するワード線との間にフローティング状態のワード線を挟むことによって、中間電圧は、パス電圧とのカップリングの影響を直接受けず、昇圧量が緩和される。
その結果、カットオフ電圧の昇圧量も緩和されるため、元のカットオフ電圧まで戻るリカバリー時間が短縮されると共に、メモリセルのチャネルを確実にカットオフできる。そのため、メモリセルのチャネル領域が効率的に昇圧される。その結果、選択されたメモリセルに対して書き込み電圧Vpgmを印加するタイミングが早まり、書き込み動作に掛かる時間が短縮される。
次に、k≦6のワード線が選択された場合について説明する。
選択ワード線WLkがk≦6である場合、選択ワード線のソース線側にカットオフすべきメモリセルが存在しない場合がある。そのため、セルフブースト方式でメモリセルのチャネル領域を昇圧する。
図12は、ワード線WL4が選択された場合について示している。
まず、k≧7のワード線WLkが選択された場合と同様に、書き込み禁止メモリセルを含むNANDストリングをフローティング状態にしておき、ワード線それぞれにパス電圧Vpassを印加する。NANDストリング内のチャネル電圧は、容量カップリングにより昇圧される。その後、選択ワード線WL4に書き込み電圧Vpgmを印加し、データを書き込む。
上記の説明において、選択ワード線WLkがk≦6の場合は、セルフブースト方式を行う場合について説明したが、ワード線WL5が選択された場合、ワード線WL1,WL3にカットオフ電圧を印加し、ワード線WL2に中間電圧Vgpを印加し、ワード線WL3をフローティング状態にし、その他のワード線にパス電圧Vpassを印加するように制御しても良い。
更に、ワード線WL6が選択された場合、ワード線WL1,WL3に中間電圧を印加し、ワード線WL2にカットオフ電圧Visoを印加し、ワード線WL4をフローティング状態にし、その他のワード線にパス電圧Vpassを印加するように制御しても良い。
第2の実施形態に係る例において、パス電圧とのカップリングの影響を緩和させるため、パス電圧が印加されるワード線と中間電圧が印加されるワード線との間のワード線をフローティング状態にする。パス電圧と直接中間電圧がカップリングして昇圧されるよりもフローティングのワード線を介した場合、中間電圧の昇圧量が減少する。そのため、カットオフ電圧の昇圧量も減少する。
従って、ワード線の昇圧されたカットオフ電圧が元の電圧まで戻るリカバリー時間が短くなると共に、メモリセルが確実にカットオフされる。そのため、チャネル領域を昇圧する時間が短縮され、書き込み時間が短縮される。
(4) 第2の実施形態の変形例
第2の実施形態の変形例では、第2の実施形態において、フローティング状態のワード線にタイミングを遅らせてパス電圧を印加する。
第2の実施形態の変形例では、第2の実施形態において、フローティング状態のワード線にタイミングを遅らせてパス電圧を印加する。
図13は、書き込み動作時におけるNANDセルユニット内の電圧関係を示しており、図14は、書き込み動作時におけるワード線に印加される電圧のタイミングチャートを示している。
まず、図13及び図14を参照しつつ、NANDストリング内の中央のワード線WLk(kは、k≧7を満たす整数)を選択ワード線とする場合における、書き込み動作時のワード線への電圧の印加方法について説明する。
ここで、メモリセルMCk1が選択メモリセルであり、メモリセルMCk2が書き込み禁止メモリセルである場合、パス電圧Vpassを印加するまでは、第2の実施形態と同様なので説明を省略する。更に、k≦6のワード線WLkが選択された場合についても第2の実施形態と同様なので説明を省略する。
パス電圧Vpassを印加し、一定時間経過した後、フローティング状態にあるワード線WL(k−2),WL(k−6)にパス電圧Vpassを印加する。
その後、書き込み禁止メモリセルを含むNANDストリング内のチャネル電圧が十分に昇圧された後、選択ワード線WLkに書き込み電圧Vpgm(例えば、20V)が印加される。
図14で示すように、フローティング状態にあるワード線にタイミングを遅らせてパス電圧を印加することで、最初からワード線WL(k−2),WL(k−6)にパス電圧Vpassを印加する場合と比較して、中間電圧Vpgの昇圧量が少なくて済む。
中間電圧Vpgの昇圧量が少なくて済むため、カットオフ電圧Visoの昇圧量も少なくなり、元のカットオフ電圧Visoまで戻るリカバリー時間が短縮されると共に、メモリセルが確実にカットオフされる。そのため、チャネル領域を昇圧する時間が短縮され、書き込み時間が短縮される。
(5) 第3の実施形態
第3の実施形態の例として、中間電圧及びカットオフ電圧をパス電圧と同時に印加せず、パス電圧が印加された後、一定時間遅らせて印加する。
第3の実施形態の例として、中間電圧及びカットオフ電圧をパス電圧と同時に印加せず、パス電圧が印加された後、一定時間遅らせて印加する。
図15は、書き込み動作時におけるNANDセルユニット内の電圧関係を示しており、図16は、書き込み動作時におけるワード線に印加される電圧のタイミングチャートを示している。
まず、図15及び図16を参照しつつ、NANDストリング内の中央のワード線WLk(kは、k≧7を満たす整数)を選択ワード線とする場合における、書き込み動作時のワード線への電圧の印加方法について説明する。
ここで、メモリセルMCk1が選択メモリセルであり、メモリセルMCk2が書き込み禁止メモリセルである場合を考える。
まず、ビット線BL1,BL2に電圧Vbl1/Vbl2を与える。電圧Vbl1は、例えば、0Vとし、電圧Vbl2は、例えば、2.5Vであるとする。
ソース側選択ゲートトランジスタST11,ST12の選択ゲート線SGSには、電圧Vsgs(例えば、0V)を与え、ビット線選択ゲートトランジスタST21,ST22の選択ゲート線SGDには、電圧Vsgd(例えば、2.5Vまでの電圧)を与える。
選択メモリセルを含まないNANDセルユニット内において、NANDストリング内のチャネル領域は、選択ゲートトランジスタを介して、電圧Vcc(例えば、0.5V程度)まで充電され、フローティング状態になる。ここで、Vccは、Vcc=Vbl2−Vtsgで表され、Vtsgは、選択ゲートトランジスタの閾値電圧であり、例えば、2.0V程度の値である。
この後、ワード線WL(k−2),WL(k−3),WL(k−4)を除くワード線にパス電圧Vpass(例えば、10V程度を印加する)。
その後、パス電圧Vpassが印加されてから一定の時間遅らせ、ワード線WL(k−3)に、カットオフ電圧Viso(例えば、1.0V程度)及びワード線WL(k−2)及びWL(k−4)に、中間電圧Vgp(例えば、1V以上10V未満)を印加する。
その後、書き込み禁止メモリセルを含むNANDストリング内のチャネル電圧が十分に昇圧された後、選択ワード線WLkに書き込み電圧Vpgm(例えば、20V)が印加される。
図16で示すように、パス電圧Vpassを印加するとき、隣接ワード線同士のカップリングによってワード線に印加される電圧が昇圧されてしまう。
そのため、ワード線(k−2),WL(k−4)に印加される中間電圧Vgpは、パス電圧とのカップリングによって昇圧される。
しかしながら、パス電圧Vpassを印加するタイミングより遅らせて中間電圧Vgp及びカットオフ電圧Visoを印加することで、中間電圧Vgpの昇圧量は、最初から中間電圧Vgpを印加する場合と比較して減少する。従って、ワード線WL(k−3)に印加されるカットオフ電圧Visoの昇圧量も減少し、リカバリーに掛かる時間が減少すると共にメモリセルは確実にカットオフされる。
図17は、セルユニットのカラム方向における断面図を示しており、チャネル領域の黒く塗りつぶされている領域は、ワード線にパス電圧Vpassを印加したときのチャネル電圧の大きさを示している。
パス電圧を印加するタイミングから遅れて中間電圧及びカットオフ電圧を印加する事で、中間電圧は、パス電圧とのカップリングによる昇圧量が減少するため、カットオフ電圧の昇圧量も減少する。
その結果、元のカットオフ電圧まで戻るリカバリー時間が短縮されると共に、メモリセルのチャネルを確実にカットオフできる。そのため、メモリセルのチャネル領域が効率的に昇圧される。その結果、選択されたメモリセルに対して書き込み電圧Vpgmを印加するタイミングが早まり、書き込み動作に掛かる時間が短縮される。
次に、k≦4のメモリセルが選択された場合について説明する。
選択メモリセルがk≦4である場合、選択されたメモリセルのソース線側にカットオフすべきメモリセルが存在しない場合がある。そのため、セルフブースト方式でメモリセルのチャネル領域を昇圧する。
図18は、選択されたメモリセルがk=4である場合について示している。
まず、k≧7が選択された場合と同様に、書き込み禁止メモリセルを含むNANDストリングをフローティング状態にしておき、ワード線それぞれにパス電圧Vpassを印加する。NANDストリング内のチャネル電圧は、容量カップリングにより昇圧される。その後、選択ワード線WL4に書き込み電圧Vpgmを印加し、データを書き込む。
上記の説明において、選択されたメモリセルがk≦4の場合は、セルフブースト方式を行う場合について説明したが、選択されたメモリセルがk=4の場合、ワード線WL1,WL2を除いたワード線にパス電圧Vpassを印加し、パス電圧Vpassが印加されてから一定の時間経過後、ワード線WL1にカットオフ電圧を印加し、ワード線WL2に中間電圧Vgpを印加するように制御しても良い。
第3の実施形態に係る例において、パス電圧とのカップリングの影響を緩和させるため、パス電圧が印加された後、中間電圧とカットオフ電圧を印加する。最初から中間電圧とカットオフ電圧を印加する場合と比較して、中間電圧がパス電圧とのカップリングによって昇圧される量が減少する。そのため、カットオフ電圧の昇圧量も減少する。
従って、ワード線の昇圧されたカットオフ電圧が元の電圧まで戻るリカバリー時間が短くなると共に、メモリセルが確実にカットオフされる。そのため、チャネル領域を昇圧する時間が短縮され、書き込み時間が短縮される。
3. 適用例
上述の実施形態では、メモリセルは、フローティングゲート電極及びコントロールゲート電極を有するスタックゲート構造を前提としたが、メモリセル構造は、これに限られない。そのため、MONOS構造のメモリセルにも適用することが出来る。
上述の実施形態では、メモリセルは、フローティングゲート電極及びコントロールゲート電極を有するスタックゲート構造を前提としたが、メモリセル構造は、これに限られない。そのため、MONOS構造のメモリセルにも適用することが出来る。
本発明のNAND型不揮発性半導体メモリが適用されるシステムの例を説明する。
図19は、メモリシステムの一例を示している。
このシステムは、例えば、メモリカード、USBメモリなどである。
パッケージ31内には、回路基板32、複数の半導体チップ33,34,35が配置される。回路基板32と半導体チップ33,34,35とは、ボンディングワイヤ36により電気的に接続される。半導体チップ33,34,35のうちの1つが、本発明に係わるNAND型不揮発性半導体メモリとして適用できる。
4. むすび
本発明によれば、書き込み動作時、メモリセルのチャネルを確実にカットオフさせることができる。
本発明によれば、書き込み動作時、メモリセルのチャネルを確実にカットオフさせることができる。
本発明の例は、上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、各構成要素を変形して具体化できる。また、上述の実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を構成できる。例えば、上述の実施形態に開示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよいし、異なる実施形態の構成要素を適宜組み合わせてもよい。
11: メモリセルアレイ、 12: データラッチ回路、 13: I/Oバッファ、 14: アドレスバッファ、 15: ロウデコーダ、 16: カラムデコーダ、 17: ワード線ドライバ、 18: 基板電圧制御回路、 19: 電圧発生回路、 20: 制御回路、 21: コントロールゲートドライバ、 22: ブースタ、 23: 転送トランジスタユニット、 31: パッケージ、 32: 回路基板、 33,34,35,40: 半導体チップ、 36: ボンディングワイヤ、 41A,41B: メモリセルアレイ、 42: パッドエリア、 43: ページバッファ、 44: ロウデコーダ、 45: 周辺回路。
Claims (5)
- 電荷蓄積層及び制御ゲート電極を有し、互いに直列接続される複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルの一端とソース線との間に接続される第1のセレクトゲートトランジスタと、前記複数のメモリセルの他端とビット線との間に接続される第2のセレクトゲートトランジスタと、前記複数のメモリセルの制御ゲート電極それぞれに与える電圧を制御するドライバとを具備し、
書き込み動作時、前記ドライバは、前記複数のメモリセルから選択された第1のメモリセルの制御ゲート電極に第1の電圧を印加し、前記第1のメモリセルから前記ソース線側に複数個離れて並んだ3つ以上の第2のメモリセルの制御ゲート電極それぞれに前記メモリセルのチャネルをカットオフさせるカットオフ電圧を印加することを特徴とするNAND型不揮発性半導体メモリ。 - 前記メモリセルに対するデータの書き込み時、前記ドライバは、前記第2のメモリセルのビット線側に隣接する第3のメモリセルの制御ゲート電極に前記第1の電圧より低い第2の電圧を印加することを特徴とする請求項1に記載のNAND型不揮発性半導体メモリ。
- 電荷蓄積層及び制御ゲート電極を有し、互いに直列接続される複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルの一端とソース線との間に接続される第1のセレクトゲートトランジスタと、前記複数のメモリセルの他端とビット線との間に接続される第2のセレクトゲートトランジスタと、前記複数のメモリセルの制御ゲート電極それぞれに与える電圧を制御するドライバとを具備し、
書き込み動作時、前記ドライバは、前記複数のメモリセルから選択された第1のメモリセルの制御ゲート電極に第1の電圧を印加し、前記第1のメモリセルの前記ソース線側に複数個離れた第2のメモリセルの制御ゲート電極をフローティング状態にし、前記第2のメモリセルのソース線側に隣接した第3のメモリセルの制御ゲート電極に前記第1の電圧より低い第2の電圧を印加し、前記第3のメモリセルからソース線側に隣接する第4のメモリセルの制御ゲート電極にメモリセルのチャネルをカットオフさせるカットオフ電圧を印加することを特徴とするNAND型不揮発性半導体メモリ。 - 前記ドライバは、前記第1、第2の電圧及びチャネル電圧が印加された後に前記第2のメモリセルの制御ゲート電極に前記第1の電圧を印加することを特徴とする請求項3に記載のNAND型不揮発性半導体メモリ。
- 電荷蓄積層及び制御ゲート電極を有し、互いに直列接続される複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルの一端とソース線との間に接続される第1のセレクトゲートトランジスタと、前記複数のメモリセルの他端とビット線との間に接続される第2のセレクトゲートトランジスタと、前記複数のメモリセルの制御ゲート電極それぞれに与える電圧を制御するドライバとを具備し、
書き込み動作時、前記ドライバは、選択された第1のメモリセルの制御ゲート電極に第1の電圧を印加した後、前記第1のメモリセルのソース線側に複数個離れた第2のメモリセルの制御ゲート電極に前記第1の電圧より低い第2の電圧を印加し、前記第2のメモリセルのソース線側に隣接する第3のメモリセルの制御ゲート電極にメモリセルのチャネルをカットオフさせるカットオフ電圧を印加することを特徴とするNAND型不揮発性半導体メモリ。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013143165A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-07-22 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US8755228B2 (en) | 2012-08-09 | 2014-06-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Writing method of nonvolatile semiconductor memory device |
JP2014049144A (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-17 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
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