JP2010150602A

JP2010150602A - Ｆｅ基軟磁性薄帯およびそれを用いた高周波磁芯

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Publication number: JP2010150602A
Application number: JP2008329895A
Authority: JP
Inventors: Kenri Urata; 顕理浦田; Hiroyuki Matsumoto; 裕之松元; Shoichi Sato; 正一佐藤
Original assignee: NEC Tokin Corp
Current assignee: Tokin Corp
Priority date: 2008-12-25
Filing date: 2008-12-25
Publication date: 2010-07-08

Abstract

【課題】高い透磁率と飽和磁束密度を有し、高周波における透磁率の減衰を抑えたＦｅ基軟磁性薄帯およびそれを用いた高周波磁芯を提供すること。
【解決手段】中心線平均粗さＲａで表わされる表面粗さが０．８μｍ以上５．０μｍ以下であり、厚みが１０μｍ以上３０μｍ以下であるＦｅ基軟磁性薄帯とし、そのＦｅ基軟磁性薄帯を用いて高周波用磁芯とする。
【選択図】なし

Description

本発明はＦｅ基軟磁性薄帯およびそれを用いた高周波磁芯に関するものである。

近年の電子機器の小型、軽量、高速化はめざましく、それに伴い電子機器に用いられる磁性部品においても高い飽和磁束密度、高透磁率材料や高周波への対応が求められている。磁性部品に用いられる軟磁性材料において、パーマロイ、センダスト、珪素鋼鈑などの軟磁性合金は酸化物フェライトと比較して高い飽和磁束密度を有し、小型化には適しているが、比抵抗が低いため高周波で使うと渦電流損失が大きくなるため、透磁率が低下したり損失が劣化したりする。

軟磁性材料の中でも期待される非晶質軟磁性合金材料では２０〜３０μｍ程度の極薄の薄帯により渦電流損失を低減させているが、１００ｋＨｚ以上の周波数では透磁率が著しく低下し、特に初透磁率が５０００を超える高透磁率材で顕著である。非特許文献１には、非晶質薄帯の表面状態により磁区構造が変化し、磁気特性が変化することが開示されている。しかしながら、一般に軟磁気特性や占積率が低下するため、平滑な薄帯が求められている。

より平滑な薄帯を得るための技術として、特許文献１には、厚み３０μｍ以下という、特に厳しい板厚、特性制御が要求される金属薄帯を製造するにおいて、表面性状が滑らかで占積率の高い金属薄帯を製造するための金属薄帯製造装置が開示されている。

特許文献１に開示される金属薄帯製造装置は、金属溶湯を出湯するノズルと、そのノズルより出湯された金属溶湯を冷却し金属薄帯とするための冷却ロールを具備し、厚み３０μｍ以下、表面粗さＲａが０．７μｍ以下の金属薄帯を製造する金属薄帯製造装置であって、そのノズル先端部にはノズル開口部よりも冷却ロールに向けて突出した部位を有し、該突出部と冷却ロール間の間隔が２μｍ以上の金属薄帯製造装置である。

特許文献２には、磁芯材料に好適な単ロール法により製造されるエアポケットサイズの小さい表面性状に優れた軟磁性合金薄帯、この合金薄帯を使用した高性能な磁芯、これを用いた装置およびエアポケットサイズの小さい表面性状に優れた軟磁性合金薄帯の製造方法が開示されている。

特許文献２に開示される製造方法は、単ロール法により製造される軟磁性合金薄帯のロールと接触した面に形成されるエアポケットの幅を３５μｍ以下、エアポケットの長さを１５０μｍ以下、ロールと接触した面の中心線平均粗さＲａを０．５μｍ以下とする軟磁性合金薄帯を製造する単ロール法において、合金溶湯を出湯中の出湯圧力が２７０ｇｆ／ｃｍ²以上、冷却ロールの周速が２２ｍ／ｓ以上の製造方法を採ることによって得られるというものである。

"非晶質磁性薄帯の鉄損に及ぼすスクラッチ・部分的結晶化の効果"、成田賢仁、秦久敏、山崎二郎、福永博俊、日本応用磁気学会誌、Ｖｏｌ．６，Ｎｏ．２（１９８２），Ｐ５９特開２００２−１２６８５５号公報特開２０００−３２８２０６号公報

本発明の解決すべき課題は、高い透磁率と飽和磁束密度を有し、高周波における透磁率の減衰を抑えたＦｅ基軟磁性薄帯およびそれを用いた高周波磁芯を提供することである。

本発明者らは、上述の課題を解決することを目的として、種々の合金組成について鋭意検討した結果、Ｆｅ−Ｂ―Ｐ−Ｃｕを含むＦｅ基合金に適切な熱処理を施し、表面粗さと薄帯厚みを限定することにより、高い透磁率と飽和磁束密度を有し、高周波における透磁率の減衰を抑えることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明の第１の発明は、中心線平均粗さＲａで表わされる表面粗さが０．８μｍ以上５μｍ以下であり、かつ、軟磁性薄帯の厚みが１０μｍ以上３０μｍ以下であるＦｅ基軟磁性薄帯である。

中心線平均粗さＲａは、本発明においては０．８μｍ以上５μｍ以下である。Ｒａを０．８μｍ以上５μｍ以下に定めたのは、Ｒａが０．８μｍを下回ると高周波における透磁率が低下し、またＲａが５μｍを上回ると低周波での透磁率と占積率が低下し、結果として高周波の透磁率も低下するためである。

薄帯の平均厚みは、１０μｍ以上３０μｍ以下である。本発明において薄帯の平均厚みを１０μｍ以上３０μｍ以下に定めたのは、平均厚みが１０μｍを下回る薄帯の製造は困難であり、また薄帯の平均厚みが３０μｍを超えると高周波の透磁率の低下が著しいためである。

本発明の第２の発明は、第１の発明からなり、組成式が（Ｆｅ_1-aＭ¹ _a）_{100-b-c-d-e-f-g}Ｍ² _bＢ_cＰ_dＣｕ_eＭ³ _fＭ⁴ _gで表され、前記組成式の構成元素のうち、Ｍ¹はＣｏ、Ｎｉの少なくともいずれか一方の元素、Ｍ²はＮｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素、Ｍ³は白金族元素、希土類元素、Ａｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｓ、Ｂａからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素、Ｍ⁴はＣ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、ａは、０≦ａ≦０．５を満たし、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇはそれぞれ原子％で表わされ、０原子％≦ｂ≦１０原子％、５原子％≦ｃ≦２５原子％、０原子％＜ｄ≦１０原子％、０原子％＜ｅ≦１．５原子％、０原子％≦ｆ≦２原子％、０原子％≦ｇ≦８原子％、７０≦１００−ｂ−ｃ−ｄ−ｅ−ｆ−ｇを満たす数値であり、白金族元素はＰｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓからなり、希土類元素はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる。

上記のＦｅ基合金において、主成分であるＦｅは磁性を担う元素であり、磁気特性を有するために必須である。

Ｍ¹は、Ｃｏ、Ｎｉの少なくともいずれか一方の元素であるが、Ｆｅと同様に磁性を担う元素であり、Ｍ¹の添加により、磁歪を調整したり、磁場中熱処理等で誘導磁気異方性を付与したりすることが容易になる。しかし、Ｍ¹の割合が前記組成式でａ＞０．５を満たす割合となると、飽和磁束密度の低下や軟磁気特性の劣化を招く可能性がある。従って、Ｍ¹の割合は前記組成式でａ≦０．５を満たす割合であるのが望ましく、ａ≦０．３を満たす割合であるのが更に望ましい。

Ｂは、非晶質形成を担う元素であり、非晶質形成能を向上させるために必須である。但し、Ｂの割合が５原子％より少ないと十分な非晶質形成能が得られない。また、Ｂの割合が２５原子％を超えると、Ｆｅ含有量が相対的に減少し、飽和磁束密度の低下を招くとともに、融点の急激な上昇、非晶質形成能の低下などにより薄帯の作製が困難になる。

Ｃｕは、必須元素であり、ナノ結晶の粒径を微細化する作用があると考えられる。また、Ｐと同時に添加することにより、非晶質形成能を向上させる作用を有する。但し、Ｃｕの割合が１．５原子％を超えると非晶質形成能が低下するため、１．５原子％以下とするのが望ましい。

Ｐは、Ｂと同様に非晶質の形成を担う元素であり、非晶質形成能を向上させるために必須である。但し、Ｐの割合が１０原子％を超えると、磁性を担うＦｅ含有量が相対的に減少し、飽和磁束密度の低下を招くとともに、熱処理後にＦｅ−Ｐの化合物が析出して、軟磁気特性の低下の一因となる。従って、Ｐの割合は１０原子％以下とすることが望ましい。

Ｍ²は、非晶質形成能を高めるのに有効な元素であり、薄帯や粉末の作製を容易にする。またナノ結晶合金においても結晶粒の成長を抑制する効果も持ち合わせている。しかし、Ｍ²の割合が１０原子％を超えるとＦｅ濃度が低下し飽和磁束密度が低下するため、Ｍ²の割合は１０原子％以下であるのが望ましい。また、非晶質組織として高飽和磁束密度を得るためには５原子％以下が望ましく、更に熱処理により５０ｎｍ以下の結晶粒を得るためには、結晶粒の成長を抑制するために１原子％以上が望ましく、また非晶質形成能や飽和磁束密度の低下、またＦｅ−Ｍ²化合物が析出しやすくなることにより軟磁気特性の低下を招くため１０原子％以下が望ましい。

Ｍ³は、熱処理により析出した結晶相の結晶粒径を微細化する効果がある。しかし、Ｍ³の割合が２原子％を超えると非晶質形成能が低下し、またＦｅ量が相対的に減少して飽和磁束密度が低下する。従って、Ｍ³の割合は２原子％以下であることが望ましい。

Ｍ⁴は、ＢやＰと共に添加することにより、非晶質形成能の向上を促進すると同時に、磁歪の調整、耐食性の向上等の作用も有する。しかし、Ｍ⁴の割合が８原子％を超えると、非晶質形成能が低下すると同時に、熱処理によりナノ結晶化させた場合、化合物が析出し、軟磁気特性の低下の一因となる。また、Ｆｅ量が相対的に減少して飽和磁束密度が低下する。従って、Ｍ⁴の割合は８原子％以下であるのが望ましい。

本発明の第３の発明は、第１又は第２の発明からなり、熱処理することにより平均粒径５０ｎｍ以下のＦｅのｂｃｃ相を主たる相とするＦｅ基軟磁性薄帯である。本発明のＦｅ基軟磁性薄帯は微細な結晶を析出させることにより、高い透磁率と飽和磁束密度とを両立させることが可能である。なおＦｅを主たる相とする微結晶の平均結晶粒径が５０ｎｍを超えると軟磁気特性の低下を招く。従って、結晶粒の平均粒径は５０ｎｍ以下であることが望ましく、更には、３０ｎｍ以下であることが望ましい。

本発明の第４の発明は、第１乃至第３の発明からなる高周波磁芯である。磁芯は、巻磁芯または積層磁芯である。組成と微細組織さらに表面粗さと平均厚みを限定することにより、高い透磁率と飽和磁束密度を両立させ、高周波でも透磁率の減衰の小さい巻磁芯又は積層磁芯が可能となる。

本発明によるＦｅ基軟磁性薄帯およびそれを用いた磁芯は、組成と微細組織さらに表面粗さと平均厚みを限定することにより、高い透磁率と飽和磁束密度を両立させ、高周波でも透磁率の減衰の小さい巻磁芯又は積層磁芯が可能となる。

以下に本発明の実施の形態を具体的な実施例を用いて説明する。本発明のＦｅ基軟磁性薄帯の特徴とするところは、薄帯の表面粗さと平均厚みおよび高い透磁率と飽和磁束密度が得られる組成範囲、およびＦｅ基軟磁性薄帯を用いてなる部材およびそれを用いた装置にあるので、その作製にあたっては従来の一般的な高周波加熱装置や溶解冷却装置、熱処理装置などをそのまま利用可能である。溶解冷却装置を例に挙げるならば単ロール装置もしくは双ロール装置などがある。また熱処理工程を例に挙げるならば、雰囲気調整が可能で、７００℃程度まで温度制御が可能な電気炉であれば、どのようなものでもとくに問題なく使用することができる。

高周波加熱装置を用いて本発明におけるＦｅ基軟磁性薄帯を作製する場合、まず原料となる金属材料をそれぞれ秤量し、高周波加熱装置にて溶融し均一な母合金を作製する。さらに溶解冷却装置を用いて得られた母合金を再溶解し、結晶が析出することのない一定の以上の速度で冷却することで、Ｆｅ基軟磁性薄帯を得ることができる。さらにこのＦｅ基軟磁性薄帯を用いて巻磁芯や積層磁芯を得ることができる。溶解冷却装置は、溶解した母合金から結晶化することなく非晶質単相を得られるものであればどのような方法でもよく、単ロール法もしくは双ロール法などが適用可能である。

本発明で特に重要となるＦｅ基軟磁性薄帯の表面粗さの制御は、例えば単ロール法を用いる場合には、冷却ロールの周速（回転数）や溶解した母合金を射出する圧力、ノズルと冷却ロールとのギャップ、雰囲気ガス等を適正に調整することで可能となる。他の方法においても、同様に制御可能である。

次いで、得られたＦｅ基軟磁性薄帯を用いた部材である巻磁芯、積層磁芯に対して熱処理を実施する。この熱処理は非晶質合金が凝固した時に蓄積された熱歪みや、薄帯を巻磁芯にした時や打ち抜いた時に発生する応力を緩和させることができる。さらに結晶化温度以上で熱処理することによりＦｅのｂｃｃ相を主たる相とする微細な結晶を析出させ、高い透磁率と飽和磁束密度を両立させることが可能になる。

ただし熱処理温度が７００度を超えると平均結晶粒径が５０ｎｍを超え、軟磁気特性が低下する。熱処理は例えば真空、アルゴン、窒素などの雰囲気下で行われるが、大気中で行ってもよい。なお、熱処理時間は例えば５分から１００分程度である。更に、磁場を印加した状態で熱処理を行ってもよい。

なお、本発明においてＲａの評価は、単ロール液体急冷法にて作製した幅約５ｍｍ、長さ約１０ｍの幅広連続薄帯を用い、薄帯の幅方向についてレーザー顕微鏡により行った。

以下に本発明の具体的な実施例について、複数の実施例を参照しながら更に詳細に説明する。

（実施例１〜９、比較例１〜５）
Ｆｅ、Ｓｉ、Ｂ、Ｆｅ₇₅Ｐ₂₅、Ｎｂ、の原料をそれぞれＦｅ_81.45Ｓｉ₂Ｂ₉Ｐ₂Ｎｂ_5.5Ｃｕ_0.05となるように秤量し、アルミナ坩堝の中に入れて高周波誘導加熱装置の真空チャンバー内に配置して真空引きを行い、その後、減圧アルゴン雰囲気中で高周波誘導加熱により溶解して母合金を作製した。この母合金を単ロール液体急冷法にて処理し、ロールの回転数と射出圧力を変化させながら幅５ｍｍの平均厚みとＲａの異なる薄帯を作製した。

この作製したＦｅ基軟磁性薄帯を用いて外径１８ｍｍ、内径１２ｍｍ、高さ５ｍｍ形状の巻磁芯を作製し、５５０℃で３０分間アルゴン雰囲気中にて熱処理を行った。また比較例４、５に従来材料の非晶質組成として低ロス材のＦｅ₇₈Ｓｉ₉Ｂ₁₃と零磁歪材のＣｏ₆₆Ｆｅ₄Ｓｉ₁₇Ｂ₁₃となるように秤量し、アルミナ坩堝の中に入れて高周波誘導加熱装置の真空チャンバー内に配置して真空引きを行い、その後、減圧アルゴン雰囲気中で高周波誘導加熱により溶解して母合金を作製した。この母合金を単ロール液体急冷法にて処理しながら幅５ｍｍの薄帯を作製した。

この作製したＦｅ基軟磁性薄帯を用いて同形状の巻磁芯を作製し、４５０℃で３０分間アルゴン雰囲気中にて熱処理を行った。得られた巻磁芯を１ｋＨｚから１ＭＨｚまでインピーダンスアナライザーにより初透磁率の評価を行った。さらに直流ＢＨトレーサーにより８００Ａ／ｍを印加した時の磁束密度の評価を行った。本発明の実施例１〜９と比較例１〜５における薄帯の中心線平均粗さＲａ、平均厚みおよび巻き磁芯の１ｋＨｚと１００ｋＨｚにおける初透磁率と磁場を８００Ａ／ｍ印加した時の磁束密度を表１に示す。

表１に示されるように、実施例１〜９のＦｅ基軟磁性薄帯を用いた巻磁芯は、１００ｋＨｚにおける初透磁率および８００Ａ／ｍにおける磁束密度が従来材料である比較例４と５の磁束密度１．０４、初透磁率９５００以上である。

ここで、表１に掲げられた実施例１〜５、比較例１、２にかかるものは、軟磁性薄帯において中心線平均粗さＲａが０．６２〜５．５０μｍまで変化させた場合に相当する。このうち実施例１〜５の場合は１００ｋＨｚの初透磁率が９５００以上、８００Ａ／ｍの磁束密度が１．０４Ｔ以上の条件を満たしており、この場合の０．８〜５．０μｍの範囲が本発明におけるＲａの条件範囲となる。Ｒａ＝０．６２μｍである比較例１は高周波で初透磁率の低下が著しく、上掲の条件を満たしていない。またＲａ＝０．５５μｍである比較例２は初透磁率および磁束密度が低く、上掲の条件を満たしていない。

ここで、表１に掲げられた実施例６〜９、比較例３にかかるものは、軟磁性薄帯において厚みが１４〜４５μｍまで変化させた場合に相当する。このうち実施例６〜９の場合は１００ｋＨｚの初透磁率が９５００以上、８００Ａ／ｍの磁束密度が１．０４Ｔ以上の条件を満たしており、この場合の３０μｍ以下の範囲が本発明における薄帯厚みの条件範囲となる。薄帯厚みが４５μｍである比較例３は高周波で初透磁率の低下が著しく、上掲の条件を満たしていない。

（実施例１０〜１４、比較例６）
Ｆｅ、Ｓｉ、Ｂ、Ｆｅ₇₅Ｐ₂₅、Ｎｂの原料をそれぞれＦｅ_81.45Ｓｉ₂Ｂ₉Ｐ₂Ｎｂ_5.5Ｃｕ_0.05となるように秤量し、アルミナ坩堝の中に入れて高周波誘導加熱装置の真空チャンバー内に配置して真空引きを行い、その後、減圧アルゴン雰囲気中で高周波誘導加熱により溶解して母合金を作製した。この母合金を単ロール液体急冷法にて処理し、幅５ｍｍの平均厚み２２μｍ、Ｒａ１．２２μｍの薄帯を作製した。この作製したＦｅ基軟磁性薄帯を用いて外径１８ｍｍ、内径１２ｍｍ、高さ５ｍｍ形状の巻磁芯を作製し、５２５℃〜６５０℃で３０分間アルゴン雰囲気中にて熱処理を行った。

比較例７、８に従来材料の非晶質組成として低ロス材のＦｅ₇₈Ｓｉ₉Ｂ₁₃と零磁歪材のＣｏ₆₆Ｆｅ₄Ｓｉ₁₇Ｂ₁₃となるように秤量し、アルミナ坩堝の中に入れて高周波誘導加熱装置の真空チャンバー内に配置して真空引きを行い、その後、減圧アルゴン雰囲気中で高周波誘導加熱により溶解して母合金を作製した。この母合金を単ロール液体急冷法にて処理しながら幅５ｍｍの薄帯を作製した。

これらの作製した軟磁性薄帯を用いて同形状の巻磁芯を作製し、４５０℃で３０分間アルゴン雰囲気中にて熱処理を行った。得られた巻磁芯を１ｋＨｚから１ＭＨｚまでインピーダンスアナライザーにより初透磁率の評価を行った。さらに直流ＢＨトレーサーにより８００Ａ／ｍ印加した時の磁束密度の評価を行った。またＴＥＭにより熱処理後に析出した結晶の平均粒径を評価した。本発明の実施例１０〜１４と比較例６〜８における薄帯の結晶粒径および巻き磁芯の１ｋＨｚと１００ｋＨｚにおける初透磁率と磁場を８００Ａ／ｍ印加した時の磁束密度を表２に示す。

表２に示されるように、実施例１０〜１４の軟磁性薄帯を用いた巻磁芯は、１００ｋＨｚにおける初透磁率および８００Ａ／ｍにおける磁束密度が従来材料である比較例４の磁束密度１．０４Ｔ、比較例５の初透磁率９５００以上である。

ここで、表２に掲げられた実施例１０〜１４、比較例６にかかるものは、平均粒径が９〜５８ｎｍまで変化させた場合に相当する。このうち実施例１０〜１４の場合は１００ｋＨｚの初透磁率が９５００以上、８００Ａ／ｍの磁束密度が１．０４Ｔ以上の条件を満たしており、この場合の５０ｎｍ以下の範囲が本発明における平均粒径の条件範囲となる。平均粒径が５８ｎｍである比較例６は初透磁率の低下が著しく、上掲の条件を満たしていない。

以上示したように、本発明の実施の形態に基づくＦｅ基軟磁性薄帯及びそれを用いた磁芯はそのＦｅ基軟磁性薄帯の中心線平均粗さＲａと平均厚みの範囲に規定することにより高周波においても初透磁率の減衰を抑制することができ、また薄帯の組成と微細組織を限定することにより高い初透磁率と磁束密度を両立することが可能になる。これにより１００ｋＨｚを超える高周波領域においても高い透磁率を有する巻磁芯や積層磁芯などを作製することができる。

従って磁性部品の特性向上、小型・低背・軽量化に大きく寄与すると考えられ、特に実装効率の向上は、省エネルギーについての寄与が大きいと言えるもので、環境問題の上からも有用である。

上記各実施例の説明は、本発明の実施の形態に係る場合の効果について説明するためのものであって、これによって特許請求の範囲に記載の発明を限定し、あるいは請求の範囲を減縮するものではない。また、本発明の各部構成は上記の実施の形態に限らず、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である。

Claims

中心線平均粗さＲａで表わされる表面粗さが０．８μｍ以上５．０μｍ以下であり、厚みが１０μｍ以上３０μｍ以下であることを特徴とするＦｅ基軟磁性薄帯。
下記組成式に示される組成の成分を有することを特徴とする請求項１に記載のＦｅ基軟磁性薄帯。
（Ｆｅ_1-aＭ¹ _a）_{100-b-c-d-e-f-g}Ｍ² _bＢ_cＰ_dＣｕ_eＭ³ _fＭ⁴ _g
ここで、Ｍ¹はＣｏ、Ｎｉの少なくともいずれか一方の元素、Ｍ²はＮｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素、Ｍ³は白金族元素、希土類元素、Ａｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｓ、Ｂａからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素、Ｍ⁴はＣ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、ａは、０≦ａ≦０．５を満たし、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇはそれぞれ原子％で表わされ、０原子％≦ｂ≦１０原子％、５原子％≦ｃ≦２５原子％、０原子％＜ｄ≦１０原子％、０原子％＜ｅ≦１．５原子％、０原子％≦ｆ≦２原子％、０原子％≦ｇ≦８原子％、７０≦１００−ｂ−ｃ−ｄ−ｅ−ｆ−ｇを満たす数値であり、白金族元素はＰｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓからなり、希土類元素はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる。
熱処理することにより平均粒径５０ｎｍ以下のＦｅのｂｃｃ相を主たる相とすることを特徴とする請求項１ないし２のいずれか一項に記載のＦｅ基軟磁性薄帯。
請求項１ないし３のいずれか一項に記載のＦｅ基軟磁性薄帯からなる高周波磁芯。