JP2010149949A - 搬送機構、真空装置および成膜装置ならびに処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】真空チャンバ内で基板等を搬送する際に、搬送機構によるパーティクルの発生を防止する。
【解決手段】真空チャンバ２内に移動可能に配置され、被搬送物（基板２０）を支持、搬送する支持体５と、チャンバ外から支持体５に磁力を介して運動伝達する磁気運動伝達機構を備える。真空雰囲気のチャンバ内においてローラや歯車などの回転体を用いず、磁気運動伝達することができ、搬送時のパーティクルを極力少なくする効果がある。さらに、チャンバ外への無駄な設置面積を必要としない。また、磁気運動伝達機構と回転機構を併用することにより、基板の受渡し、搬送時に任意の角度を設定でき、装置設計時の自由度が大きくなる。
【選択図】図１

Description

この発明は、真空チャンバ内で被搬送物を支持、搬送する搬送機器、該搬送機器を備える真空装置、該真空装置を備える成膜装置および処理装置に関する。

真空中にて基板を搬送する方法として、特許文献１に示される成膜装置、特許文献２に示される搬送装置、特許文献３に示される導電膜形成装置等で提案されているものがある。
図１０に特許文献１で提案されている搬送系を示す。図において、１００は基板１４０を搬送するキャリアである。このキャリア１００は、図示しない駆動用モーターからの駆動力が歯車１１０からキャリア１００に接続された溝成形部１２０に伝達され、回転ロール１３０で支持されつつ搬送される。
特許文献２で提案されている搬送装置は、基板を載せた被搬送体の左右端部にレールを設け、そのレールを回転ローラ上に載置し、回転ローラの回転力によりレールが送られ、被搬送体は移動する。
特許文献３で提案されている装置は、搬送ローラ上に基板ホルダーに支持された基板を載せ、該搬送ローラの回転力により搬送させる。

また、実験機レベルにおける搬送の方法として、磁気運動伝達機構を有する導入機にて基板を搬送する方法がある。
該直進導入機を図１１を用いて説明する。
図１１は、直進導入機２０１の断面図である。真空チャンバ２００に取り付けられた直進導入機２０１は、導入棒２０２を収納する筒状の収納部２０３の外周に直線移動可能に取り付けられた大気側磁性体２０４と前記導入棒２０２に取り付けられた真空側磁性体２０５とによって磁気カップリングを構成する。この磁気カップリングにより真空チャンバ２００中の前記導入棒２０２を前進、後退運動させる。前記導入棒２０２は軸受け２０６のみの支持であり、他の搬送方法よりも接触面積を小さくでき、パーティクルの発生を抑えた搬送方法を実現できるというものである。
特開２００７−１２６７０３号公報 特開平１１−１５８６３０号公報 特開平５−２３９６４１号公報

しかしながら、前記した各特許文献に示された従来の真空中での搬送方法は、以上のように構成されているので、基板を載せる基板ホルダーなどの枠体は常にローラ、歯車などと接触する必要があり、レールとローラ、または歯車と基板ホルダー側の溝との接触などにより、パーティクルが発生するなどの問題がある。
また、磁気運動伝達機構を有する導入機の場合、比較的接触面積が小さくなるため、パーティクルの発生を抑えられるが、真空中を搬送するためのストロークと同程度のストロークを大気側へ備える必要があり、さらに搬送ストロークが長くなると、導入機の先端が垂れるなどの問題がある。

この発明は上記のような従来のものの課題を解決するためになされたもので、大気側のストローク分の設置面積を無くし、真空中での搬送ストロークの制約も少なく、かつ、基板の搬送時におけるパーティクルの発生を極力抑えた機構をもつ搬送機構、真空装置および成膜装置ならびに処理装置を提供することを目的としている。

すなわち、本発明の搬送機構のうち、第１の本発明は、真空雰囲気のチャンバ内にて被搬送物を搬送する搬送機構において、前記チャンバ内に移動可能に配置され、前記被搬送物を支持、搬送する支持体と、前記チャンバ外から前記支持体に磁力を介して運動伝達する磁気運動伝達機構とを備えることを特徴とする。

本発明によれば、チャンバ外からチャンバ内の支持体に磁力を介して運動を伝達して支持体をチャンバ内で移動させることができ、被搬送物の支持、搬送をパーティクルの発生を招くことなく行うことができ、また、チャンバ外に搬送ストロークのためのスペースを要することもない。

第２の本発明の搬送機構は、前記第１の本発明において、前記支持体は、前記チャンバ内に配置した少なくとも一本の支持体軸に線運動可能に設置されていることを特徴とする。

第２の本発明によれば、支持体を支持体軸に沿って線運動させることができる。支持体軸を直線状に配置すれば支持体を直線運動させることができる。

第３の本発明の搬送機構は、前記第２の本発明において、前記支持体軸は、前記チャンバ内空間と大気側とを仕切る壁部で構成されていることを特徴とする。

第３の本発明によれば、支持体軸を真空空間と大気とを仕切る壁部で構成することにより、大気側から磁気を介して、支持体軸に設置された支持体に容易に運動伝達を行うことができる。

第４の本発明の搬送機構は、前記第２または第３の本発明において、前記磁気運動伝達機構は、前記支持体に設けられた真空側磁性体と、前記支持体軸外に配置された大気側磁性体とを有しており、前記大気側磁性体を前記チャンバ外に設けた運動機構にて線運動をさせることにより、磁力を介して前記支持体を線運動させることを特徴とする。

第４の本発明によれば、支持体軸外部に配置した大気側磁性体で、支持体に設けられた真空側磁性体に磁力を作用させつつ、大気側磁性体を支持体軸に沿って運動させることで、支持体を支持体軸に沿って運動させることができる。なお、支持体は、一部に真空側磁性を有していればよく、また、支持体全体が真空側磁性体で構成されているものであってもよい。

第５の本発明の搬送機構は、前記第２または第３の本発明において、前記支持体軸は筒状の形状を有しており、前記磁気運動伝達機構は、前記支持体に設けられた真空側磁性体と、該支持体軸穴内に軸方向に沿って移動可能に配置された大気側磁性体とを有しており、前記大気側磁性体を前記チャンバ外に設けた運動機構にて線運動をさせることにより、磁力を介して前記支持体を線運動させることを特徴とする。

第５の本発明によれば、筒状の支持体軸内に安定して大気側磁性体を配置することができる。

第６の本発明の搬送機構は、前記第５の本発明において、前記支持体軸は、前記チャンバの側壁間に架設されて軸穴が該側壁外に開口していることを特徴とする。

第６の本発明によれば、チャンバに架設された支持体軸で支持体を支持し、かつ支持体軸内の大気側にある大気側磁性体で前記支持体を磁力を介して運動させることができる。

第７の本発明の搬送機構は、前記第５または第６の本発明において、前記支持体は、前記支持体軸に移動可能に外挿される筒状のホルダーを有することを特徴とする。

第７の本発明によれば、筒状のホルダーによって支持体を支持体軸に安定して設置することができる。なお、ホルダーは、全周に亘るものでなくても良く、筒の一部をなす形状を有するものであってもよい。

第８の本発明の搬送機構は、前記第１〜第７の本発明において、前記支持体を回転させる回転機構を備えており、前記支持体は、前記チャンバへ搬送された前記被搬送物を前記チャンバ内で支持して所定の角度に回転して、該角度を維持して線運動可能であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の搬送機構。

第８の本発明によれば、支持体を回転機構により回転させることができ、これにより被搬送物を傾斜して支持したり、傾斜したまま搬送することが可能になる。

第９の本発明の搬送機構は、前記第８の本発明において、前記回転機構による回転は、前記磁気運動伝達機構により前記チャンバ外から支持体に伝達されるものであることを特徴とする。

第９の本発明によれば、支持体の回転動作によるパーティクルの発生を回避することができる。

第１０の本発明の搬送機構は、前記第７の本発明において、前記支持体軸は回転筒形状を有し、該支持体軸に前記ホルダーが回転可能に外挿され、前記大気側磁性体が該支持体軸内に線運動および回転運動可能に収納されており、該大気側磁性体を、前記チャンバ外に設けた運動機構または回転機構によって線運動または回転運動させることにより、磁力を介して前記支持体を線運動または回転運動させることを特徴とする。

第１０の本発明によれば、磁気運動伝達機構によって、支持体を回転筒形状の支持体軸の外周形状に沿って円滑に回転させることができる。

第１１の本発明の搬送機構は、前記第１〜第１０の本発明のいずれかにおいて、前記支持体は、線運動可動域の一部で、前記被搬送物を支持する支持部が前記チャンバ外に突出可能な形状を有することを特徴とする。

第１１の本発明によれば、必要に応じて、支持体の一部をチャンバ外に移動させてチャンバ外で被搬送物の移送などを行うことができる。

第１２の本発明の搬送機構は、前記第１〜第１１の本発明のいずれかにおいて、前記被搬送物が基板であることを特徴とする。

第１２の本発明によれば、基板を被搬送物として支持、搬送することができる。

第１３の真空装置は、前記第１２の本発明の搬送機構を備え、真空中にて前記基板を搬送させることを特徴する。

第１３の本発明によれば、基板を真空装置の真空雰囲気中でパーティクルを発生させることなく搬送することができる。

第１４の本発明の成膜装置は、前記第１３の本発明の真空装置を備え、前記基板を搬送させながら基板上に薄膜を形成することを特徴とする。

第１５の本発明によれば、パーティクルを発生させることなく基板を搬送しつつ、該基板上に薄膜を形成することができる。

第１５の本発明の処理装置は、前記第１３の本発明の真空装置を備え、前記基板を搬送させながら基板に薄膜形成以外の処理を行うことを特徴とする。

第１５の本発明によれば、種々の処理を行う真空装置内で、パーティクルを発生させることなく基板を搬送することができる。該処理としては、例えば、アニール装置、エッチング装置、検査装置などを挙げることができるが、本発明としては特定の処理に限定されるものではない。

以上説明したように本発明では、真空チャンバ内に移動可能に配置され、被搬送物を支持、搬送する支持体と、前記チャンバ外から前記支持体に磁力を介して運動伝達する磁気運動伝達機構とを備えるので、真空雰囲気のチャンバ内においてローラや歯車などの回転体を用いず、磁気運動伝達することができ、搬送時のパーティクルを極力少なくする効果がある。さらに、一般的な磁気運動伝達機構を有する直進導入機と異なる構成を採用することにより、チャンバ外への無駄な設置面積を必要としない。また、磁気運動伝達機構と回転機構を併用することにより、基板の受渡し、搬送時に任意の角度を設定でき、装置設計時の自由度が大きくなる。これにより、パーティクル発生量が問題となる真空装置等にも本発明の搬送装置を採用することができる。

（実施形態１）
以下に、本発明の一実施形態を図１、２に基づいて説明する。
真空装置１は、真空チャンバ２を有しており、該真空チャンバ２に搬送機構を備えている。
すなわち、真空チャンバ２の両側壁間に、回転体形状である円筒形の支持体軸３が架設されており、該支持体軸３の軸穴は、両側壁を貫通して大気開口している。なお、図中４は、支持体軸３の端部と真空チャンバ２の側壁間をシールして真空チャンバ内の真空雰囲気を保つシール部である。

前記支持体軸３には、支持体５に備える筒形状のホルダー７が直線運動可能に外挿されており、該ホルダー７に被搬送物である基板を支持する支持部６が垂下された状態で連結されて支持体５が構成されている。なお、ホルダー７の内径を支持体軸３の外径よりも僅かに大きくすれば、磁力によってホルダー７を非接触で支持することも可能である。
ホルダー７は、軸方向内側の部分に筒状の真空側磁性体８が組み込まれて構成されている。該真空側磁性体８の材料は特に限定されるものではなく、種々の強磁性体を用いることができ、また電磁石により構成することもできる。

また、支持体軸３の軸穴内には、スライド可能に円柱状の大気側磁性体９が収容されている。該大気側磁性体９の材料も特に限定されるものではなく、種々の強磁性体で構成することができ、また、電磁石により構成することもできる。この大気側磁性体９と前記真空側磁性体８とによって磁気カップリングが構成される。
該大気側磁性体９は、図示しない運動機構により軸穴に沿って直線運動可能であり、この形態では、ベルト１０を介して運動力が伝えられて前後進するように構成されている。
なお、前記大気側磁性体９の直進運動には、前記ベルト１０もしくはそれに類似するものを使用せず、空圧による動力など、直進運動を実現させる機構であれば制限はない。

次に、上記搬送機構の動作を説明する。
図示しない運動機構によって駆動されるベルト１０を介して、前記大気側磁性体９を支持体軸３の軸穴に沿って直進運動させる。この大気側磁性体９の運動に伴って大気側磁性体９と磁気カップリングを構成する真空側磁性体８が連動して前記ホルダー７の直進運動を実施する。支持体５の支持部６に、基板２０または基板２０をセットした図示しない基板ホルダを載せることで基板２０の搬送を実現する。このとき、前記ホルダー７と前記支持体軸３は、非接触または、接触面積が非常に少ない状態で直進運動を実施するため、前記基板２０の搬送をパーティクルの少ない状態で実施できる。さらに、前記した導入棒のような片持支持ではなく、支持体軸による両端支持となるため、ストロークの制限がなくなり、安定的な搬送が実現できる。

なお、上記形態では、一本の支持体軸による搬送であるが、支持体軸が一本に限定されるものではなく、複数の支持体軸による搬送も可能である。さらに、磁性体を組み込まない支持体軸を採用し、搬送の安定性を確保することもできる。

（実施形態２）
次に、他の実施形態を図３に基づいて説明する。なお、前記実施形態と同様の構成については同一の符号を付してその説明を省略または簡略化する。
上記実施形態では、支持部６をホルダー７に対し、垂下した状態で連結しており、この支持部６で基板２０を支持、搬送している。
該支持部６は、図３に示すように、ホルダー７に対して横方向に位置するように連結し、支持部６の支持面を略水平にして基板２０を支持、搬送することができる。また、この他に、支持部６が傾斜した状態でホルダー７に連結されて、直線運動するものであってもよい。

（実施形態３）
さらに、他の実施形態を図４に基づいて説明する。なお、前記実施形態と同様の構成については同一の符号を付してその説明を省略または簡略化する。
この実施形態では、前記ホルダー７は、筒状の支持体軸３に直線運動および回転可能に外挿したものとし、大気側磁性体９を支持体軸３の軸穴内に、直線運動および回転可能に収容しておく。
図示しない回転機構によって大気側磁性体９を回転させると、これに連動して真空側磁性体、すなわちホルダー７が回転する。この回転量を調整することで、基板２０を支持部６によって所望の角度で支持することができる。すなわち、上記大気側磁性体９、支持体軸３、真空側磁性体７は、支持体３の回転において、磁気運動伝達機構を構成している。
この形態では、支持体５を直線運動させ、停止した後、支持体５を所定角度に回転させ、適宜の処理を行うものであってもよく、また、支持体５を所定角度に回転させて維持した状態で、さらに支持体５を直線運動させるものであってもよい。
なお、上記各実施形態では、支持体軸を両側壁に架設する際に、図では側壁の幅方向中央付近に設置した状態で記載しているが、架設位置が特に限定されるものではなく、側壁に沿って配置したものであってもよい。

（実施形態４）
上記各実施形態では、真空チャンバの側壁間に支持体軸を架設したものについて説明を行ったが、図５に示すように、支持体軸１３を真空チャンバ１２の一つの側壁に沿って配置して円筒状の支持体軸１３の側壁が大気開放されているものであってもよい。この形態では、支持体軸１３の軸穴内に柱状の大気側磁性体１９が直線運動可能に収容され、支持体軸１３の外周側に、支持体１５の筒状のホルダー１７が直線運動可能に外挿される。ホルダー１７には、支持部１６が連結されて支持体１５が構成される。

この形態においても、大気側磁性体１９を図示しない運動機構で移動させると、ホルダー１７が連動して、支持部１６に載せた基板を搬送することができる。また、ホルダー１７を支持体軸１３に対し回転可能にすることで、支持部１６を回転させて基板を支持することができ、回転を維持したままで直線運動を行うことも可能になる。
なお、支持体軸１３は、真空チャンバ１２の側壁全幅に亘り、軸穴が側壁を貫通するものであってもよく、また、側壁幅の一部に亘り、軸穴が塞がれたものであってもよい。

（実施形態５）
次に、上記搬送機構を備える成膜装置を図６、７に基づいて説明する。なお、前記実施形態と同様の構成については同一の符号を付してその説明を省略または簡略化する。
成膜装置であるインライン式スパッタ装置では、真空チャンバ３０を備えており、該真空チャンバ３０には前記実施形態１〜３と同様の搬送機構が備えられている。該搬送機構の構成は前記実施形態１〜３と同様であるので、同一の符号を付してその説明をする。

前記真空チャンバ３０は内部を真空状態に保てるよう気密性を有する空間を備えており、排気機構として図示しない真空排気ポンプ（ロータリー、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ等）を有している。またガスの導入が可能な図示しないガス導入ラインを備えており、Ａｒガスの導入が可能である。また成膜処理に際し、Ｏ_２、Ｎ_２等の反応性ガスの導入も可能な構造となっている。またガス圧力のコントロール用に圧力調整器を備えるか、ガス導入量を変化させて調整を行うことができる。
また、スパッタ装置では、真空チャンバ３０の他に搬入チャンバ３１、図示しないプラズマ源を備え、搬送チャンバ３１には、水平とした基板２０を搬送チャンバ３１から前記真空チャンバ３０内に搬送して、任意の角度に前記基板２０を回転させることができるロボットアーム３２を備えている。
すなわち、前記基板２０は前記真空チャンバ３０とバルブによって仕切られている前記搬送チャンバ３１から前記真空チャンバ３０に搬送される。このとき、前記基板２０は搬送用のトレイに載せて搬送することもできる。

前記基板２０は、前記ロボットアーム３２によって前記真空チャンバ３０に搬送され、支持体５の支持部６に載せられる。該支持部６は、真空側磁性体８を組み込んだ前記ホルダー７に連結され、支持体軸３を介して、大気側磁性体９と磁気カップリングを形成している。
このとき、前記支持部６は、図７（ａ）のように図示しない回転機構で大気側磁性体９を回転させることで、これと連動するホルダー７とともに、水平位置まで回転されている。前記支持体５は、前記基板２０を保持した後、回転機構により、図７（ｂ）に示すように任意の角度まで回転する。
任意の角度は、前記支持体５の形状および前記回転機構により、前記基板２０を水平、垂直、反転まで設定できる。本実施例のようなスパッタ装置の場合、前記基板２０を垂直もしくは垂直に近い角度、あるいは反転させることにより、パーティクル対策の一つを実現できる。

また、前記大気側磁性体９は、ベルト１０もしくはそれに類似するものと連結され、図示しない運動機構により直進運動を実施する。前記大気側磁性体９の直進運動により、前記ホルダー７が連動して直進運動を実施し、前記基板２０の搬送を実現する。このとき、前記ホルダー７と前記支持体軸３は、非接触または、接触面積が非常に少ない状態で直進運動を実施するため、前記基板２０の搬送におけるパーティクルの発生を極力抑えることができる。さらに、一般的な磁気運動伝達機構と異なる構成であるため、前記真空チャンバ外での不要な設置面積が不要となり、フットプリントの低減ができる。
また、前記磁気運動伝達機構を複数もしくは大型化することにより、基板サイズ、搬送ストロークに制約が小さくなり、大型基板にも適用できる。

なお、この実施形態では、支持体を直線運動させる磁気運動伝達機構を利用して、チャンバ外部の回転力を支持体に伝達するものとして説明したが、上記の機構とは別に運動伝達機構を設けたり、回転機構のみをチャンバ内に設置することも可能である。

なお、この実施形態では、前記真空チャンバ３０は、図示しないプラズマ源を備えたインライン式スパッタ装置に係るものとしたが、本発明は、真空内での搬送を必要とする他の用途（ＣＶＤ装置スパッタ以外のＰＶＤ装置、エッチング装置など）にも適用できる。

（実施形態６）
次に、他の実施形態の成膜装置を図８、９に基づいて説明する。なお、前記実施形態と同様の構成については同一の符号を付してその説明を省略または簡略化する。
前記搬送機構を備える真空チャンバ４０は、基板２０を任意の角度に固定し、前記真空チャンバ４０内を搬送させる構成を有している。
前記真空チャンバ４０は、前記実施形態と同様に、内部を真空状態に保てるよう気密性を有する空間を備えており、排気機構として図示しない真空排気ポンプ（ロータリー、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ等）を有している。
またガスの導入が可能な図示しないガス導入ラインを備えており、Ａｒガスの導入が可能である。また成膜処理に際し、Ｏ_２、Ｎ_２等の反応性ガスの導入も可能な構造となっている。またガス圧力のコントロール用に圧力調整器を備えるか、ガス導入量を変化させて調整を行うことができる。
前記基板２０は、前記真空チャンバ４０とバルブによって仕切られているロードロックチャンバ４１から前記真空チャンバ４０に搬送される。このとき、前記基板２０は搬送用のトレイに載って搬送されることもできる。

支持体２５は、前記各実施形態１〜３と同様に筒状のホルダー７によって支持体軸３に直線運動および回転可能に取り付けられており、ホルダー７には、大気側磁性体８と磁気カップリングを構成する真空側磁性体８が組み込まれている。ホルダー７には、軸方向に沿ってロードロックチャンバ４１側に伸長するエクステンションバー２７が連結されており、該エクステンションバー２７の先端側に支持部２６が取り付けられている。これにより、支持体２５の可動域内で、支持部２６を真空チャンバ４０外に位置させることが可能になる。

前記基板２０は、前記ロードロックチャンバ４１内にて図示しない基板ホルダーに任意の角度でセットされている。図示しない前記基板ホルダーへの前記基板２０のセット方法は、手動、自動を問わない。
図９は、前記基板２０を前記真空チャンバ４０へ移動させるために、前記大気側磁性体９を図示しない運動機構でベルト１０を介して前記ロードロックチャンバ４１側へ移動させ、磁気カップリングによってホルダー７を連動させて支持体２５の支持部２６をロードロックチャンバ４１側へ導入した状態である。

前記基板２０は前記ロードロックチャンバ４１内にて前記支持部２６に保持される。その後再び、第８図のように前記大気側磁性体９を図示しない運動機構で前記ロードロックチャンバ４１側から後進させて、磁気カップリングによってホルダー７を連動させて支持体２５の支持部２６を前記真空チャンバ４０内に戻すことで基板２０の搬送が実施される。
このとき、前記支持部２６は、前記実施形態で説明したように、図示しない回転機構で大気側磁性体９を回転させることで、これと連動するホルダー７とともに、水平位置まで回転される。前記支持体２５は、前記基板２０を保持した後、前記回転機構により、任意の角度まで回転する。
任意の角度は、本実施例のようなスパッタ装置の場合、前記基板２０を垂直もしくは垂直に近い角度に設定する方が、パーティクル対策としては望ましいが、垂直にもしくは垂直に近い角度に限定されるものではない。

上記基板搬送においても、前記ホルダー７と前記支持体軸３は、非接触または、接触面積が非常に少ない状態で直進運動を実施するため、前記基板２０の搬送におけるパーティクルの発生を極力抑えることができる。さらに、一般的な磁気運動伝達機構と異なる構成であるため、前記真空チャンバ外での不要な設置面積が不要となり、フットプリントの低減ができる。
また、前記磁気運動伝達機構を複数もしくは大型化することにより、基板サイズ、搬送ストロークに制約が小さくなり、大型基板にも適用できる。
以上、本発明について上記各実施形態に基づいて説明を行ったが、本発明は、上記実施形態の内容に限定されるものではなく、当然に本発明を逸脱しない限りは適宜の変更が可能である。

本発明の一実施形態における搬送機構および真空装置を示す模式図である。 同じく、図１のII−II線断面図である。 本発明の他の実施形態における搬送機構および真空装置を示す断面図である。 さらに他の実施形態における搬送機構および真空装置を示す断面図である。 さらに他の実施形態における搬送機構および真空装置を示す模式図である。 さらに他の実施形態における成膜装置を示す模式図である。 同じく、図６のVII−VII線断面図である。 さらに他の実施形態における成膜装置を示す模式図である。 同じく、動作の一部を示す模式図である。 従来のインライン式スパッタ装置を示す模式側面および正面図である。 一般的な直進導入機を示す模式図である。

符号の説明

１ 真空装置
２ 真空チャンバ
３ 支持体軸
５ 支持体
６ 支持部
７ ホルダー
８ 真空側磁性体
９ 大気側磁性体
１０ ベルト
１５ 支持体
１６ 支持部
２５ 支持体
２６ 支持部
２０ 基板
３０ 真空チャンバ
３１ 搬送チャンバ
３２ ロボットアーム
４０ 真空チャンバ
４１ ロードロックチャンバ

Claims (15)

1. 真空雰囲気のチャンバ内にて被搬送物を搬送する搬送機構において、
   前記チャンバ内に移動可能に配置され、前記被搬送物を支持、搬送する支持体と、前記チャンバ外から前記支持体に磁力を介して運動伝達する磁気運動伝達機構とを備えることを特徴とする搬送機構。
2. 前記支持体は、前記チャンバ内に配置した少なくとも一本の支持体軸に線運動可能に設置されていることを特徴とする請求項１記載の搬送機構。
3. 前記支持体軸は、前記チャンバ内空間と大気側とを仕切る壁部で構成されていることを特徴とする請求項２記載の搬送機構。
4. 前記磁気運動伝達機構は、前記支持体に設けられた真空側磁性体と、前記支持体軸外に配置された大気側磁性体とを有しており、前記大気側磁性体を前記チャンバ外に設けた運動機構にて線運動をさせることにより、磁力を介して前記支持体を線運動させることを特徴とする請求項２または３に記載の搬送機構。
5. 前記支持体軸は筒状の形状を有しており、前記磁気運動伝達機構は、前記支持体に設けられた真空側磁性体と、該支持体軸穴内に軸方向に沿って移動可能に配置された大気側磁性体とを有しており、前記大気側磁性体を前記チャンバ外に設けた運動機構にて線運動をさせることにより、磁力を介して前記支持体を線運動させることを特徴とする請求項２または３に記載の搬送機構。
6. 前記支持体軸は、前記チャンバの側壁間に架設されて軸穴が該側壁外に開口していることを特徴とする請求項５記載の搬送機構。
7. 前記支持体は、前記支持体軸に移動可能に外挿される筒状のホルダーを有することを特徴とする請求項５または６に記載の搬送機構。
8. 前記支持体を回転させる回転機構を備えており、前記支持体は、前記チャンバへ搬送された前記被搬送物を前記チャンバ内で支持して所定の角度に回転して、該角度を維持して線運動可能であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の搬送機構。
9. 前記回転機構による回転は、前記磁気運動伝達機構により前記チャンバ外から支持体に伝達されるものであることを特徴とする請求項８記載の搬送機構。
10. 前記支持体軸は回転筒形状を有し、該支持体軸に前記ホルダーが回転可能に外挿され、前記大気側磁性体が該支持体軸内に線運動および回転運動可能に収納されており、該大気側磁性体を、前記チャンバ外に設けた運動機構または回転機構によって線運動または回転運動させることにより、磁力を介して前記支持体を線運動または回転運動させることを特徴とする請求項７記載の搬送機構。
11. 前記支持体は、線運動可動域の一部で、前記被搬送物を支持する支持部が前記チャンバ外に突出可能な形状を有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の搬送機構。
12. 前記被搬送物が基板であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の搬送機構。
13. 請求項１２記載の搬送機構を備え、真空中にて前記基板を搬送させることを特徴する真空装置。
14. 請求項１３記載の真空装置を備え、前記基板を搬送させながら基板上に薄膜を形成することを特徴とする成膜装置。
15. 請求項１３記載の真空装置を備え、前記基板を搬送させながら基板に薄膜形成以外の処理を行うことを特徴とする処理装置。

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