JP2010138423A - マグネトロンスパッタ装置及びマグネトロンスパッタ方法 - Google Patents
マグネトロンスパッタ装置及びマグネトロンスパッタ方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010138423A JP2010138423A JP2008313082A JP2008313082A JP2010138423A JP 2010138423 A JP2010138423 A JP 2010138423A JP 2008313082 A JP2008313082 A JP 2008313082A JP 2008313082 A JP2008313082 A JP 2008313082A JP 2010138423 A JP2010138423 A JP 2010138423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- substrate
- shield
- magnet
- orbit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明のマグネトロンスパッタ装置は、基板保持部11と、基板保持部11に対向して設けられる板状のターゲット12の被スパッタ面12aの反対面に対向しつつ回転可能に設けられ、その回転中心C1に対して偏心した位置に中心C2を有する電子の周回軌道20を被スパッタ面12aの近傍に生じさせるマグネット13と、ターゲット12と基板10との間に設けられ、基板10側からターゲット12を見た平面視で電子の周回軌道20の一部を遮蔽しつつ電子の周回軌道20との相対位置は変えずに、マグネット13と同期して回転する遮蔽体14と、を備えている。
【選択図】図1
Description
また、本発明の他の一態様によれば、基板を保持可能な基板保持部と、前記基板保持部に対向して設けられる筒状のターゲットの中心軸のまわりに回転可能に前記ターゲットの内周側に設けられ、前記ターゲットの外周面の近傍に電子の周回軌道を生じさせるマグネットと、前記ターゲットと前記基板との間に設けられ、前記基板側から前記ターゲットの外周面を見た側面視で前記電子の周回軌道の一部を遮蔽しつつ前記電子の周回との相対位置は変えずに、前記マグネットと同期して回転する遮蔽体と、を備えたことを特徴とするマグネトロンスパッタ装置が提供される。
また、本発明のさらに他の一態様によれば、基板を保持可能な基板保持部と、前記基板保持部に対向して設けられる板状のターゲットの被スパッタ面の反対面に対向しつつ直線移動可能に設けられ、前記被スパッタ面の近傍に電子の周回軌道を生じさせるマグネットと、前記ターゲットと前記基板との間に設けられ、前記基板側から前記ターゲットを見た平面視で前記電子の周回軌道の一部を遮蔽しつつ前記電子の周回軌道との相対位置は変えずに、前記マグネットと同期して直線移動する遮蔽体と、を備えたことを特徴とするマグネトロンスパッタ装置が提供される。
また、本発明のさらに他の一態様によれば、板状のターゲットの被スパッタ面に基板を対向させ、前記ターゲットにおける前記被スパッタ面の反対面にマグネットを対向させて前記被スパッタ面の近傍に電子の周回軌道を生じさせ、前記ターゲットと前記基板との間に、前記基板側から前記ターゲットを見た平面視で前記電子の周回軌道の一部を遮蔽する遮蔽体を設け、前記マグネットと前記遮蔽体とを、前記電子の周回軌道の中心に対して偏心した回転中心のまわりに同期させて回転させることで、前記遮蔽体を、前記電子の周回軌道の一部を遮蔽した状態のまま且つ前記電子の周回軌道に対する相対位置は変えずに回転させることを特徴とするマグネトロンスパッタ方法が提供される。
また、本発明のさらに他の一態様によれば、筒状のターゲットの外周面に基板を対向させ、前記筒状のターゲットの内周側に設けたマグネットによって前記ターゲットの外周面の近傍に電子の周回軌道を生じさせ、前記ターゲットと前記基板との間に、前記基板側から前記ターゲットの外周面を見た側面視で前記電子の周回軌道の一部を遮蔽する遮蔽体を設け、前記マグネットと前記遮蔽体とを、前記ターゲットの中心軸のまわりに同期させて回転させることで、前記遮蔽体を、前記電子の周回軌道の一部を遮蔽した状態のまま且つ前記電子の周回軌道に対する相対位置は変えずに回転させることを特徴とするマグネトロンスパッタ方法が提供される。
また、本発明のさらに他の一態様によれば、板状のターゲットの被スパッタ面に基板を対向させ、前記ターゲットにおける前記被スパッタ面の反対面にマグネットを対向させて前記被スパッタ面の近傍に電子の周回軌道を生じさせ、前記ターゲットと前記基板との間に、前記基板側から前記ターゲットを見た平面視で前記電子の周回軌道の一部を遮蔽する遮蔽体を設け、前記マグネットと前記遮蔽体とを同期させて直線移動させることで、前記遮蔽体を、前記電子の周回軌道の一部を遮蔽した状態のまま且つ前記電子の周回軌道に対する相対位置は変えずに直線移動させることを特徴とするマグネトロンスパッタ方法が提供される。
本実施形態に係るマグネトロンスパッタ装置は、ガス導入系を介して各種ガスを導入可能であり、また排気系を介して真空排気可能である処理室を有し、それらガス導入量と排気量の制御により、その処理室内を所望のガスによる所望の圧力下にすることが可能である。
次に、図6は本発明の第2実施形態に係るマグネトロンスパッタ装置における処理室内に設けられたターゲット31、基板34および遮蔽体32の配置関係を示す模式図である。
次に、図9(a)は、本発明の第3実施形態に係るマグネトロンスパッタ装置におけるターゲット41とマグネット42との平面配置関係を示す模式図であり、図9(b)は、同マグネトロンスパッタ装置におけるターゲット41と電子周回軌道40と遮蔽体45との平面配置関係を示す模式図である。
Claims (7)
- 基板を保持可能な基板保持部と、
前記基板保持部に対向して設けられる板状のターゲットの被スパッタ面の反対面に対向しつつ回転可能に設けられ、その回転中心に対して偏心した位置に中心を有する電子の周回軌道を前記被スパッタ面の近傍に生じさせるマグネットと、
前記ターゲットと前記基板との間に設けられ、前記基板側から前記ターゲットを見た平面視で前記電子の周回軌道の一部を遮蔽しつつ前記電子の周回軌道との相対位置は変えずに、前記マグネットと同期して回転する遮蔽体と、
を備えたことを特徴とするマグネトロンスパッタ装置。 - 基板を保持可能な基板保持部と、
前記基板保持部に対向して設けられる筒状のターゲットの中心軸のまわりに回転可能に前記ターゲットの内周側に設けられ、前記ターゲットの外周面の近傍に電子の周回軌道を生じさせるマグネットと、
前記ターゲットと前記基板との間に設けられ、前記基板側から前記ターゲットの外周面を見た側面視で前記電子の周回軌道の一部を遮蔽しつつ前記電子の周回との相対位置は変えずに、前記マグネットと同期して回転する遮蔽体と、
を備えたことを特徴とするマグネトロンスパッタ装置。 - 基板を保持可能な基板保持部と、
前記基板保持部に対向して設けられる板状のターゲットの被スパッタ面の反対面に対向しつつ直線移動可能に設けられ、前記被スパッタ面の近傍に電子の周回軌道を生じさせるマグネットと、
前記ターゲットと前記基板との間に設けられ、前記基板側から前記ターゲットを見た平面視で前記電子の周回軌道の一部を遮蔽しつつ前記電子の周回軌道との相対位置は変えずに、前記マグネットと同期して直線移動する遮蔽体と、
を備えたことを特徴とするマグネトロンスパッタ装置。 - 前記遮蔽体は、前記電子の周回軌道との相対位置を変更可能に設けられ、
前記電子の周回軌道における前記遮蔽体によって遮蔽される箇所及び面積の少なくとも一方を変更可能であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載のマグネトロンスパッタ装置。 - 板状のターゲットの被スパッタ面に基板を対向させ、
前記ターゲットにおける前記被スパッタ面の反対面にマグネットを対向させて前記被スパッタ面の近傍に電子の周回軌道を生じさせ、
前記ターゲットと前記基板との間に、前記基板側から前記ターゲットを見た平面視で前記電子の周回軌道の一部を遮蔽する遮蔽体を設け、
前記マグネットと前記遮蔽体とを、前記電子の周回軌道の中心に対して偏心した回転中心のまわりに同期させて回転させることで、前記遮蔽体を、前記電子の周回軌道の一部を遮蔽した状態のまま且つ前記電子の周回軌道に対する相対位置は変えずに回転させることを特徴とするマグネトロンスパッタ方法。 - 筒状のターゲットの外周面に基板を対向させ、
前記筒状のターゲットの内周側に設けたマグネットによって前記ターゲットの外周面の近傍に電子の周回軌道を生じさせ、
前記ターゲットと前記基板との間に、前記基板側から前記ターゲットの外周面を見た側面視で前記電子の周回軌道の一部を遮蔽する遮蔽体を設け、
前記マグネットと前記遮蔽体とを、前記ターゲットの中心軸のまわりに同期させて回転させることで、前記遮蔽体を、前記電子の周回軌道の一部を遮蔽した状態のまま且つ前記電子の周回軌道に対する相対位置は変えずに回転させることを特徴とするマグネトロンスパッタ方法。 - 板状のターゲットの被スパッタ面に基板を対向させ、
前記ターゲットにおける前記被スパッタ面の反対面にマグネットを対向させて前記被スパッタ面の近傍に電子の周回軌道を生じさせ、
前記ターゲットと前記基板との間に、前記基板側から前記ターゲットを見た平面視で前記電子の周回軌道の一部を遮蔽する遮蔽体を設け、
前記マグネットと前記遮蔽体とを同期させて直線移動させることで、前記遮蔽体を、前記電子の周回軌道の一部を遮蔽した状態のまま且つ前記電子の周回軌道に対する相対位置は変えずに直線移動させることを特徴とするマグネトロンスパッタ方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008313082A JP5180796B2 (ja) | 2008-12-09 | 2008-12-09 | マグネトロンスパッタ装置及びマグネトロンスパッタ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008313082A JP5180796B2 (ja) | 2008-12-09 | 2008-12-09 | マグネトロンスパッタ装置及びマグネトロンスパッタ方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010138423A true JP2010138423A (ja) | 2010-06-24 |
JP5180796B2 JP5180796B2 (ja) | 2013-04-10 |
Family
ID=42348797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008313082A Active JP5180796B2 (ja) | 2008-12-09 | 2008-12-09 | マグネトロンスパッタ装置及びマグネトロンスパッタ方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5180796B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6456010B1 (ja) * | 2017-09-07 | 2019-01-23 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
WO2019049472A1 (ja) * | 2017-09-07 | 2019-03-14 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
WO2020031572A1 (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-13 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63171880A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-15 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JPH01127674A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロンスパッタ装置 |
JPH07331433A (ja) * | 1994-06-07 | 1995-12-19 | Hitachi Ltd | スパッタ装置 |
JP2002194542A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-10 | Anelva Corp | マグネトロンスパッタリング装置 |
JP2005133110A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Konica Minolta Opto Inc | スパッタリング装置 |
JP2005213587A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Konica Minolta Opto Inc | マグネトロンスパッタ装置 |
-
2008
- 2008-12-09 JP JP2008313082A patent/JP5180796B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63171880A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-15 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JPH01127674A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロンスパッタ装置 |
JPH07331433A (ja) * | 1994-06-07 | 1995-12-19 | Hitachi Ltd | スパッタ装置 |
JP2002194542A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-10 | Anelva Corp | マグネトロンスパッタリング装置 |
JP2005133110A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Konica Minolta Opto Inc | スパッタリング装置 |
JP2005213587A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Konica Minolta Opto Inc | マグネトロンスパッタ装置 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6456010B1 (ja) * | 2017-09-07 | 2019-01-23 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
WO2019049472A1 (ja) * | 2017-09-07 | 2019-03-14 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
KR20200044892A (ko) * | 2017-09-07 | 2020-04-29 | 가부시키가이샤 알박 | 스퍼터링 장치 |
KR102273512B1 (ko) * | 2017-09-07 | 2021-07-06 | 가부시키가이샤 알박 | 스퍼터링 장치 |
US11286554B2 (en) | 2017-09-07 | 2022-03-29 | Ulvac, Inc. | Sputtering apparatus |
WO2020031572A1 (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-13 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
CN112154227A (zh) * | 2018-08-10 | 2020-12-29 | 株式会社爱发科 | 溅射装置 |
JPWO2020031572A1 (ja) * | 2018-08-10 | 2021-03-18 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
JP7044887B2 (ja) | 2018-08-10 | 2022-03-30 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5180796B2 (ja) | 2013-04-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3397799B2 (ja) | 真空被覆設備に用いられる定置のマグネトロンスパッタリング陰極 | |
US20090277779A1 (en) | Magnetic field generating apparatus, magnetic field generating method, sputtering apparatus, and method of manufacturing device | |
US7575662B2 (en) | Method for operating a sputter cathode with a target | |
US20140332369A1 (en) | Multidirectional racetrack rotary cathode for pvd array applications | |
JP5180796B2 (ja) | マグネトロンスパッタ装置及びマグネトロンスパッタ方法 | |
JP2011190530A (ja) | シャッター装置及び真空処理装置 | |
KR101471269B1 (ko) | 성막 속도가 빠른 아크식 증발원, 이 아크식 증발원을 사용한 피막의 제조 방법 및 성막 장치 | |
JP5390796B2 (ja) | マグネトロンスパッタ方法及びマグネトロンスパッタ装置 | |
JP5730077B2 (ja) | 磁石ユニットおよびマグネトロンスパッタリング装置 | |
JP2008214709A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
JP4702530B2 (ja) | プラネタリー方式のスパッタリング装置 | |
JPH11158625A (ja) | マグネトロンスパッタ成膜装置 | |
JP4246546B2 (ja) | スパッタ源、スパッタリング装置、及びスパッタリング方法 | |
JP6396367B2 (ja) | Pvdアレイ用の多方向レーストラック回転カソード | |
JP5231962B2 (ja) | シートプラズマ成膜装置 | |
WO2013099059A1 (ja) | 成膜装置 | |
TWI576455B (zh) | 磁控管源及製造方法 | |
JP2001288566A (ja) | スパッタリング装置および成膜方法 | |
JP4339562B2 (ja) | イオンプレーティング方法およびその装置 | |
JP2020200520A (ja) | 成膜装置、スパッタリングターゲット機構及び成膜方法 | |
JPH10287977A (ja) | スパッタ装置 | |
US9558921B2 (en) | Magnetron sputtering apparatus | |
JP2009167492A (ja) | 成膜源、スパッタリング装置 | |
JP6113841B2 (ja) | 基板上にスパッタリングされた材料の層をコーティングするための装置及び堆積システム | |
JP7320828B2 (ja) | スパッタリングカソード、スパッタリング装置、及び成膜体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111208 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130111 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5180796 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |