JP2010123967A - フリー層およびその形成方法、磁気抵抗効果素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フリー層15は、トンネルバリア層と接する側から、第1の強磁性層21、介在層22、第2の強磁性層23、介在層24、第3の強磁性層25が順に積層された積層構造を有する。第1の強磁性層21は、例えばトンネルバリア層と接する側から、CoFeからなる第1の層と、CoFeBからなる第2の層と、コバルト鉄合金からなる第3の層とが順に積層されたものである。第2の強磁性層23は、CoFeもしくはNiFeからなる単層構造、またはCoFe\NiFe\CoFeからなる多層構造を有する。第3の強磁性層は、CoFeもしくはNiFeからなる単層構造、またはCoFe\NiFe\CoFeからなる多層構造を有する。
【選択図】図2
Description
(1)面積抵抗RAが低いこと。
(2)MR比が高いこと。
(3)フリー層における磁歪定数が小さいこと。
(4)トンネルバリア層を介した層間結合が弱いこと。
(5)ピンド層の磁化方向が強固に固定されていること。
(A)第1の強磁性層と、第1の非磁性層と、第2の強磁性層と、第2の非磁性層と、第3の強磁性層とを順に積層することにより積層膜を形成する工程。
(B)第1および第3の強磁性層がいずれも第1の方向の磁化を有すると共に、第2の強磁性層が第1の方向と反対の第2の方向の磁化を有するように磁化方向の設定処理を行う工程。
「シード層\AFM層\AP2層\結合層\AP1層\トンネルバリア層\フリー層\キャップ層」
シード層;Ta\Ru
AFM層;IrMn
AP2層\Ru層\AP1層(=ピンド層);CoFe\Ru\CoFe
トンネルバリア層;MgOx
このMTJ素子は、多層膜を成膜後、8000×103 /4π[A/m]の磁場を印加しつつ、5時間に亘って280℃の温度でアニール処理を行うことにより作製した。
Claims (22)
- 磁気抵抗効果素子に用いられるフリー層の形成方法であって、
第1の強磁性層と、第1の非磁性層と、第2の強磁性層と、第2の非磁性層と、第3の強磁性層とを順に積層することにより積層膜を形成する工程と、
前記第1および第3の強磁性層がいずれも第1の方向の磁化を有すると共に前記第2の強磁性層が前記第1の方向と反対の第2の方向の磁化を有するように磁化方向の設定処理を行う工程と
を含むことを特徴とするフリー層の形成方法。 - 前記第3の強磁性層を、5×(250/π)[A/m]以下の保磁力および−2×10-6 以上0以下の磁歪定数を有するものとする
ことを特徴とする請求項1記載のフリー層の形成方法。 - 前記第1および第2の非磁性層を、ルテニウム(Ru)を用いて形成することを特徴とする請求項1または請求項2記載のフリー層の形成方法。
- 前記第1および第2の非磁性層を、ロジウム(Rh),銅(Cu),クロム(Cr)およびイリジウム(Ir)のうちの少なくとも1種を用いて形成することを特徴とする請求項1または請求項2記載のフリー層の形成方法。
- 前記第1の強磁性層を、
コバルト鉄合金(CoFe)からなり0.2nm以上1.0nm以下の厚みの第1の層と、
コバルト鉄ボロン合金(CoFeB)からなり1.0nm以上4.0nm以下の厚みの第2の層と、
コバルト鉄合金からなり0.2nm以上1.0nm以下の厚みの第3の層と
を順に積層することにより形成する
ことを特徴とする請求項1または請求項2記載のフリー層の形成方法。 - 前記第2の強磁性層を、
CoFeもしくはNiFeからなる単層構造、またはCoFe\NiFe\CoFeからなる多層構造を有するように形成する
ことを特徴とする請求項1または請求項2記載のフリー層の形成方法。 - 前記第3の強磁性層を、
CoFeもしくはNiFeからなる単層構造、またはCoFe\NiFe\CoFeからなる多層構造を有するように形成する
ことを特徴とする請求項1または請求項2記載のフリー層の形成方法。 - 前記磁化方向の設定処理を行う工程において、
前記積層膜に対し、前記第1の方向または第2の方向に沿った外部磁場を印加しつつ加熱するようにする
ことを特徴とする請求項1または請求項2記載のフリー層の形成方法。 - 磁気抵抗効果素子に用いられるフリー層であって、
第1の強磁性層と、第1の非磁性層と、第2の強磁性層と、第2の非磁性層と、第3の強磁性層とが順に積層されてなり、
前記第1および第3の強磁性層がいずれも第1の方向の磁化を有し、前記第2の強磁性層が前記第1の方向と反対の第2の方向の磁化を有する
ことを特徴とするフリー層。 - 前記第3の強磁性層は、5×(250/π)[A/m]以下の保磁力および−2×10-6 以上0以下の磁歪定数を有する
ことを特徴とする請求項9記載のフリー層。 - 前記第1および第2の非磁性層はルテニウム(Ru)からなることを特徴とする請求項9または請求項10記載のフリー層。
- 前記第1および第2の非磁性層は、ロジウム(Rh),銅(Cu),クロム(Cr)およびイリジウム(Ir)のうちの少なくとも1種を含んでなることを特徴とする請求項9または請求項10記載のフリー層。
- 前記第1の強磁性層は、
コバルト鉄合金(CoFe)からなり0.2nm以上1.0nm以下の厚みの第1の層と、
コバルト鉄ボロン合金(CoFeB)からなり1.0nm以上4.0nm以下の厚みの第2の層と、
コバルト鉄合金からなり0.2nm以上1.0nm以下の厚みの第3の層と
が順に積層されたものである
ことを特徴とする請求項9または請求項10記載のフリー層。 - 前記第2の強磁性層は、
CoFeもしくはNiFeからなる単層構造、またはCoFe\NiFe\CoFeからなる多層構造を有する
ことを特徴とする請求項9または請求項10記載のフリー層。 - 前記第3の強磁性層は、
CoFeもしくはNiFeからなる単層構造、またはCoFe\NiFe\CoFeからなる多層構造を有する
ことを特徴とする請求項9または請求項10記載のフリー層。 - 反強磁性層と、ピンド層と、遷移層と、フリー層と、キャップ層とを順に備え、
前記フリー層は、第1の強磁性層と、第1の非磁性層と、第2の強磁性層と、第2の非磁性層と、第3の強磁性層とが順に積層されてなり、
前記第1および第3の強磁性層がいずれも第1の方向の磁化を有し、前記第2の強磁性層が前記第1の方向と反対の第2の方向の磁化を有する
ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 前記第3の強磁性層は、5×(250/π)[A/m]以下の保磁力および−2×10-6 以上0以下の磁歪定数を有する
ことを特徴とする請求項16記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記遷移層は銅からなり、全体としてCIP−GMR構造またはCPP−GMR構造を有することを特徴とする請求項16または請求項17記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記遷移層はトンネルバリア層であり、MgO,MgZnO,ZnO,Al2 O3 ,TiOx ,AlTiO,HfOx ,ZrOx およびそれらの混合物のうちの少なくとも1種によって構成され、全体としてMTJ構造を有する
ことを特徴とする請求項16または請求項17記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記第1および第2の非磁性層は、ルテニウム(Ru),ロジウム(Rh),銅(Cu),クロム(Cr)およびイリジウム(Ir)のうちの少なくとも1種を含んでなることを特徴とする請求項16から請求項19のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記第1の強磁性層は、
コバルト鉄合金(CoFe)からなり0.2nm以上1.0nm以下の厚みの第1の層と、
コバルト鉄ボロン合金(CoFeB)からなり1.0nm以上4.0nm以下の厚みの第2の層と、
コバルト鉄合金からなり0.2nm以上1.0nm以下の厚みの第3の層と
が順に積層されたものである
ことを特徴とする請求項16から請求項19のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記第2および第3の強磁性層は、
CoFeもしくはNiFeからなる単層構造、またはCoFe\NiFe\CoFeからなる多層構造を有する
ことを特徴とする請求項16から請求項19のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。
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