JP2010103136A - 表面処理液及び疎水化処理方法、並びに疎水化された基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリル化剤と、炭化水素系非極性溶剤とを含有する表面処理液を用いて、基板の疎水化処理を行う。シリル化剤としてはN,N−ジメチルアミノトリメチルシラン(DMATMS)が好ましく、炭化水素系非極性溶剤としては炭素数6〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状の炭化水素系溶剤、又はテルペン系溶剤が好ましい。
【選択図】図1
Description
プロシーディングスオブエスピーアイイー(Proceedings of SPIE),第5754巻,第119−128頁(2005年)
本発明に係る表面処理液は、シリル化剤と、炭化水素系非極性溶剤とを含有するものである。以下、各成分について詳細に説明する。
本発明に係る表面処理液は、基板表面を疎水化するためのシリル化剤を含有する。
シリル化剤としては、特に限定されず、従来公知のあらゆるシリル化剤を用いることができる。具体的には、例えば下記式(1)〜(3)で表されるシリル化剤を用いることができる。
本発明に係る表面処理液は、シリル化剤を希釈するための炭化水素系非極性溶剤を含有する。シリル化剤を希釈する溶剤としてこのような炭化水素系非極性溶剤を用いることにより、基板を処理した際の疎水化の程度を高めることができる。一方、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、乳酸エチル等のカルボニル基、エステル結合、水酸基、カルボキシル基等を有する極性溶剤を用いた場合には、同じシリル化剤を用いても疎水化の程度は著しく低下する。これは、シリル化剤の反応性が高いために極性溶剤と反応してしまうためである。
炭素数6〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状の炭化水素系溶剤としては、n−ヘキサン、n−ヘプタン、n−オクタン、n−ノナン、メチルオクタン、n−デカン、n−ウンデカン、n−ドデカン等が挙げられる。
また、テルペン系溶剤としては、p−メンタン、o−メンタン、m−メンタン等のメンタン、ジフェニルメンタン、リモネン、α−テルピネン、β−テルピネン、γ−テルピネン等のテルピネン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、α−ピネン、β−ピネン等のピネン、カラン、ロンギホレン等のモノテルペン類、アビエタン等のジテルペン類、等が挙げられる。
特に、炭素数7〜10の直鎖状の炭化水素系溶剤、メンタン、及びピナンは、本発明の効果に優れるため好ましい。
これらの炭化水素系非極性溶剤は、単独で用いても2種以上混合して用いてもよい。
本発明に係る疎水化処理方法は、基板に本発明に係る表面処理液を塗布し、疎水化するものである。本発明に係る表面処理液は溶液の状態であるため、回転塗布等の簡便な方法により、基板の疎水化処理を行うことができる。また、疎水化処理が必要な部分のみ、例えば基板の外縁部のみを疎水化することも可能である。
基板に表面処理液を塗布する方法としては、特に限定されるものではないが、回転塗布が好ましい。塗布に際しては、表面処理液を基板表面に全面塗布するようにしてもよいが、前述したように、基板中心部分には通常、無機反射防止膜(無機BARC)や有機反射防止膜(有機BARC)が形成され、疎水化処理は必要ないため、外縁部のみに回転塗布することが好ましい。特にシリコンウェーハの場合には、ウェーハ端面の傾斜部(ベベル)に回転塗布することが好ましい。なお、本明細書における「外縁部」とは、基板端面(側面)と基板上面の周縁部(外周から3mm程度)との一方又は両方を示す概念である。
本発明に係る疎水化処理方法によって疎水化された基板は、液浸露光により基板上にレジストパターンを形成する際に好適である。そこで、以下では、液浸露光により基板上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法について説明する。
シリル化剤としてN,N−ジメチルアミノトリメチルシラン(DMATMS)を用い、これをn−ヘプタン、n−デカン、p−メンタン、ピナン、シクロヘキサノン、又はプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)で1質量%に希釈して、表面処理液を調製した。この表面処理液をコーターのEBR塗布ノズルにセットし、1000rpmで回転している8インチシリコンウェーハに回転塗布して、シリコンウェーハの疎水化処理を行った。そして、Dropmaster700(協和界面科学社製)を用い、塗布部分に純水液滴(2.5μL)を滴下して、その接触角を測定した。結果を表1に示す。
シリル化剤としてN,N−ジメチルアミノトリメチルシラン(DMATMS)を用い、これをレジスト塗布装置SK−W80A(大日本スクリーン製造社製)のHMDS処理ユニットにセットし、90℃−30秒間のベーパー加熱条件で、8インチシリコンウェーハの疎水化処理を行った。そして、実施例1と同様にして、純水液滴を滴下したときの接触角を測定した。結果を表1に示す。
シリル化剤としてヘキサメチルジシラザン(HMDS)を用いたほかは、実施例1〜4、比較例1,2と同様にして8インチシリコンウェーハの疎水化処理を行い、純水液滴を滴下したときの接触角を測定した。結果を表1に示す。
シリル化剤としてヘキサメチルジシラザン(HMDS)を用いたほかは、比較例3と同様にして8インチシリコンウェーハの疎水化処理を行い、純水液滴を滴下したときの接触角を測定した。結果を表1に示す。
シリル化剤としてトリメチルシリルオキシ−3−ペンテン−2−オン(TMSP)を用いたほかは、実施例1〜4、比較例1,2と同様にして8インチシリコンウェーハの疎水化処理を行い、純水液滴を滴下したときの接触角を測定した。結果を表1に示す。
シリル化剤としてトリメチルシリルオキシ−3−ペンテン−2−オン(TMSP)を用いたほかは、比較例3と同様にして8インチシリコンウェーハの疎水化処理を行い、純水液滴を滴下したときの接触角を測定した。結果を表1に示す。
疎水化処理を行っていない8インチシリコンウェーハについて、純水液滴を滴下したときの接触角を測定した。結果を表1に示す。
10 塗布ノズル
11 配管
12 レジスト材料供給源
20 塗布ノズル
21 配管
22 表面処理液供給源
30 スピンチャック
31 モータ軸
32 モータ
33 カップ
W 基板
Claims (7)
- 基板の疎水化処理に用いられる表面処理液であって、
シリル化剤と、炭化水素系非極性溶剤とを含有する表面処理液。 - 前記シリル化剤の含有量が0.1〜50質量%である請求項1記載の表面処理液。
- 前記炭化水素系非極性溶剤が炭素数6〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状の炭化水素系溶剤、又はテルペン系溶剤である請求項1又は2記載の表面処理液。
- 前記シリル化剤がN,N−ジメチルアミノトリメチルシラン(DMATMS)である請求項1から3のいずれか1項記載の表面処理液。
- 基板に請求項1から4のいずれか1項記載の表面処理液を塗布し、疎水化する疎水化処理方法。
- 前記基板の外縁部にのみ前記表面処理液を塗布する請求項5記載の疎水化処理方法。
- 請求項5又は6記載の疎水化処理方法によって疎水化された基板。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014069494A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 積層体の製造方法および積層体 |
JP2015079992A (ja) * | 2014-12-22 | 2015-04-23 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
WO2016181753A1 (ja) * | 2015-05-13 | 2016-11-17 | 富士フイルム株式会社 | プレリンス液、プレリンス処理方法、及び、パターン形成方法 |
JP2018146686A (ja) * | 2017-03-02 | 2018-09-20 | 東京応化工業株式会社 | 表面処理方法及び表面処理液 |
WO2019193967A1 (ja) * | 2018-04-05 | 2019-10-10 | セントラル硝子株式会社 | ウェハの表面処理方法及び該方法に用いる組成物 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005114973A (ja) * | 2003-10-07 | 2005-04-28 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 微細レジストパターンの形成方法 |
JP2008235542A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 液浸リソグラフィ用ウェハおよびその製造方法 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005114973A (ja) * | 2003-10-07 | 2005-04-28 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 微細レジストパターンの形成方法 |
JP2008235542A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 液浸リソグラフィ用ウェハおよびその製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014069494A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 積層体の製造方法および積層体 |
JP2015079992A (ja) * | 2014-12-22 | 2015-04-23 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
WO2016181753A1 (ja) * | 2015-05-13 | 2016-11-17 | 富士フイルム株式会社 | プレリンス液、プレリンス処理方法、及び、パターン形成方法 |
JPWO2016181753A1 (ja) * | 2015-05-13 | 2018-02-22 | 富士フイルム株式会社 | プレリンス液、プレリンス処理方法、及び、パターン形成方法 |
JP2018146686A (ja) * | 2017-03-02 | 2018-09-20 | 東京応化工業株式会社 | 表面処理方法及び表面処理液 |
WO2019193967A1 (ja) * | 2018-04-05 | 2019-10-10 | セントラル硝子株式会社 | ウェハの表面処理方法及び該方法に用いる組成物 |
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JPWO2019193967A1 (ja) * | 2018-04-05 | 2021-06-24 | セントラル硝子株式会社 | ウェハの表面処理方法及び該方法に用いる組成物 |
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