CN113711130A - 用于在处理具有50nm或更小的线距尺寸的图案化材料时避免图案塌陷的包含氨活化硅氧烷的组合物 - Google Patents
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Abstract
一种非水性组合物，其包含：(a)有机质子溶剂，(b)氨，和(c)至少一种式I或II的添加剂，其中：R1为H；R2选自H、C1‑C10烷基、C1‑C10烷氧基、C6‑C10芳基和C6‑C10芳氧基；R3选自R2；R4选自C1‑C10烷基、C1‑C10烷氧基、C6‑C10芳基和C6‑C10芳氧基；R10、R12独立地选自C1‑C10烷基和C1‑C10烷氧基；m为1、2或3；n为0或1‑100的整数。
Description
本发明涉及一种用于抗图案塌陷处理的组合物，其用于制造集成电路器件、光学器件、微机械和机械精密器件的用途和方法。
发明背景
在制造具有LSI、VLSI和ULSI的IC的工艺中，通过光刻技术产生图案化材料层，例如图案化光致抗蚀剂层、包含氮化钛、钽或氮化钽或由其组成的图案化阻挡材料层、包含例如交替的多晶硅和二氧化硅或氮化硅层的叠层或由其组成的图案化多叠层材料层，以及包含二氧化硅或低k或超低k介电材料或由其组成的图案化介电材料层。现今，该图案化材料层包括尺寸甚至低于22nm且具有高纵横比的结构。
然而，不管曝光技术如何，小图案的湿化学处理都涉及多个问题。随着技术进步和尺寸要求变得越来越严格，要求图案在衬底上包括相对薄和高的结构或器件结构的特征，即具有高纵横比的特征。这些结构可能遭受弯曲和/或塌陷，特别是在旋转干燥工艺期间，由于化学漂洗和旋转干燥工艺中剩余的并被设置在相邻的图案化结构之间的漂洗溶液体去离子水的液体或溶液的过度毛细管力而遭受弯曲和/或塌陷。
由于尺寸的缩小，为了获得无缺陷的图案化结构而移除颗粒和等离子体蚀刻残留物也成为关键因素。这不仅适用于光致抗蚀剂图案，而且适用于在光学器件、微机械和机械精密器件的制造期间产生的其他图案化材料层。
WO 2012/027667A2公开了一种通过使高纵横比特征的表面与添加剂组合物接触以产生改性表面来改性高纵横比特征的表面的方法，其中当漂洗溶液与改性表面接触时，作用于高纵横比特征的力被充分地最小化，以至少在移除漂洗溶液期间或至少在干燥高纵横比特征期间防止高纵横比特征的弯曲或塌陷。改性表面的接触角应为约70-约110度。除了许多其他类型的酸、碱、非离子表面活性剂、阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂和两性离子表面活性剂以外，还公开了一些硅氧烷型表面活性剂。描述了各种溶剂，包括乙二醇、异丙醇、乙酸1-甲氧基-2-丙酯、乙酸异丙酯、碳酸乙酯、二甲亚砜和己烷。
WO 2014/091363A1公开了一种水基组合物，其包含疏水剂与表面张力为10-35mN/m的表面活性剂的组合，该表面活性剂除了其他类型的表面活性剂以外，还可为硅氧烷型表面活性剂。所述水基组合物优选不含有机溶剂。
WO 2019/086374公开了一种包含硅氧烷型添加剂的水基抗图案塌陷溶液。
US 2018/0254182中公开了在使用具有由聚氯乙烯制成的构件的液体接触部的期间进行处理目标如无机图案和树脂图案的表面处理时，能够使处理目标的表面高度疏水化(甲硅烷基化)且同时抑制聚氯乙烯的劣化的表面处理用组合物中使用硅烷如六甲基二硅氮烷。
然而，这些组合物在亚50nm结构中仍然遭受高的图案塌陷。
本发明的目的是提供一种制造50nm及更小节点，特别是32nm及更小节点，尤其是22nm及更小节点的集成电路的方法，该方法不再显示出现有技术制造方法的缺点。
特别地，本发明的化合物将允许化学漂洗包含具有高纵横比和50nm及更小，特别是32nm及更小，尤其是22nm及更小的线距(line-space)尺寸的图案化材料层，而不引起图案塌陷。
发明概述
本发明通过使用包含有机溶剂与本文所述的硅氧烷型非离子添加剂的组合的非水性组合物完全避免了现有技术的所有缺点。
本发明的第一个实施方案是一种非水性组合物，其包含：
(a)有机质子溶剂，
(b)氨，和
(c)至少一种式I或II的添加剂：
其中：
R1为H；
R2选自H、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、C6-C10芳基和C6-C10芳氧基；
R3选自R2；
R4选自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、C6-C10芳基和C6-C10芳氧基；
R10、R12独立地选自C1-C10烷基和C1-C10烷氧基；
m为1、2或3；
n为0或1-100的整数。
令人惊讶地发现，当用于清洁时，本发明的包含至少一个与Si原子键合的H原子的添加剂提供了比完全取代的添加剂更好的图案塌陷率。
本发明的另一个实施方案是一种成套包装，其包含(a)溶解在有机质子溶剂中的氨，和(b)至少一种如本文所定义的式I添加剂。
本发明的又一个实施方案是本文所述的组合物用于处理具有图案化材料层的衬底的用途，所述图案化材料层具有50nm或更小的线距尺寸、大于或等于4的纵横比，或其组合。
本发明的又一个实施方案是一种制造集成电路器件、光学器件、微机械和机械精密器件的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)提供具有图案化材料层的衬底，所述图案化材料层具有50nm或更小的线距尺寸、大于或等于4的纵横比，或其组合，
(2)使所述衬底与根据权利要求1-10中任一项所述的组合物接触至少一次，和
(3)从与所述衬底的接触中移除所述非水性组合物。
包含有机质子溶剂(优选醇)和已被氨活化的H-硅烷的组合的组合物特别适用于抗图案塌陷处理包含具有50nm或更小，特别是32nm或更小，最特别是22nm或更小的线距尺寸的图案的衬底。此外，本发明的组合物特别适用于大于或等于4的纵横比而不引起图案塌陷。最后但并非最不重要的，由于使用质子有机溶剂和任选的烷烃作为溶剂，该组合物与包含聚氯乙烯的衬底具有优异的相容性。
必须指出的是，包含有机极性溶剂与被氨活化的H-硅烷的组合的清洁或漂洗溶液通常可用于避免光致抗蚀剂结构以及具有高纵横比堆叠(HARS)的非光致抗蚀剂图案(特别是包含具有交替多晶硅和二氧化硅或氮化硅层的堆叠或由其组成的图案化多堆叠材料层)的图案塌陷。
发明详述
本发明涉及一种组合物，其特别适于制造包含亚50nm尺寸特征的图案化材料，所述特征例如为集成电路(IC)器件、光学器件、微机械和机械精密器件，特别是IC器件。
任何用于制造IC器件、光学器件、微机械和机械精密器件的常规和已知的衬底都可以用于本发明的方法中。优选地，衬底是半导体衬底，更优选是硅晶片，该晶片通常用于制造IC器件，特别是包括具有LSI、VLSI和ULSI的IC的器件。
所述组合物特别适于处理具有图案化材料层的衬底，所述图案化材料层具有50nm及更小，特别是32nm及更小，尤其是22nm及更小的线距尺寸，即用于亚22nm技术节点的图案化材料层。所述图案化材料层优选具有大于4，优选大于5，更优选大于6，甚至更优选大于8，甚至更优选大于10，甚至更优选大于12，甚至更优选大于15，甚至更优选大于20的纵横比。线距尺寸越小和纵横比越高，则使用本文所述的组合物就越有利。
本发明的组合物可用于任何图案化材料的衬底，只要结构由于其几何形状而趋于塌陷。
例如，所述图案化材料层可为：
(a)图案化的氧化硅或氮化硅涂覆的Si层，
(b)图案化的阻挡材料层，其包含钌、钴、氮化钛、钽或氮化钽或由其组成，
(c)图案化的多堆叠材料层，其包含至少两种不同材料的层或由其组成，所述至少两种不同材料选自硅、多晶硅、二氧化硅、SiGe、低k和超低k材料、高k材料、除硅和多晶硅以外的半导体，以及金属，和
(d)图案化的介电材料层，其包含二氧化硅或低k或超低k介电材料或由其组成。
溶剂
所述非水性抗图案塌陷组合物包含极性质子有机溶剂。由于其亲水性，有机质子溶剂通常是吸湿性的，并且除非通过干燥移除，否则具有相当高的残余水含量。因此，优选在用于抗图案塌陷组合物之前干燥有机质子溶剂。
本文所用的“非水性”意指组合物可仅包含至多约1重量％的低量水。优选地，所述非水性组合物包含小于0.5重量％，更优选小于0.2重量％，甚至更优选小于0.1重量％，甚至更优选小于0.05重量％，甚至更优选小于0.02重量％，甚至更优选小于0.01重量％，甚至更优选小于0.001重量％的水。最优选地，在所述组合物中基本上不存在水。此处，“基本上”意指存在于组合物中的水对于添加剂在非水性溶液中就待处理衬底的图案塌陷的性能而言不具有显著影响。
所述有机溶剂必须具有足够低的沸点以通过加热移除，而不会不利地影响用所述组合物处理的衬底。对于典型的底物，有机溶剂的沸点应为150℃或更低，优选100℃或更低。
在优选的实施方案中，所述溶剂基本上由一种或多种有机质子溶剂，优选单极性质子有机溶剂组成。
在另一个优选的实施方案中，所述溶剂基本上由一种或多种有机质子溶剂和一种或多种非极性C5-C12烷烃溶剂组成。优选的是一种或多种烷烃溶剂，最优选的是单一烷烃溶剂。
本文所用的“极性质子有机溶剂”是包含酸性氢(即，可贡献氢离子)的有机溶剂。
典型的极性质子有机溶剂是，但不限于，(a)C1-C10醇，(b)伯胺或仲胺，羧酸，例如但不限于甲酸或乙酸，或(c)伯或仲酰胺，例如但不限于甲酰胺。
优选的质子有机溶剂是直链、支化或环状C1-C10脂族烷醇，特别是直链或支化C1-C6烷醇，其包含至少一个羟基。优选的烷醇是甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇(异丙醇)或丁醇。最优选的烷醇是异丙醇。
优选的C5-C12烷烃溶剂选自直链、支化或环状己烷、庚烷、辛烷、壬烷和癸烷。特别优选的C5-C12烷烃溶剂选自直链或支化己烷、庚烷或辛烷。最优选的C5-C12烷烃溶剂是直链或支化庚烷，特别是直链庚烷。
式I或II的添加剂
在第一实施方案中，本发明的非离子H-硅烷添加剂(也称为添加剂或更具体地硅烷或硅氧烷)可选自式I或II：
此处，R1为H，即本发明的添加剂为H-硅烷或H-硅氧烷。与其他硅烷或硅氧烷如原硅酸四乙酯相比，H-硅烷或H-硅氧烷显示出好得多的性能。
在式I和II中，R2可选自H、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、C6-C12芳基和C6-C10芳氧基。优选地，R2可选自C1-C8烷基、C1-C8烷氧基。更优选地，R2可选自C1-C6烷基和C1-C6烷氧基。最优选地，R2可选自C1-C4烷基和C1-C4烷氧基。最优选地，基团R2可选自甲基、乙基、甲氧基和乙氧基。
R3可选自H、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、C6-C10芳基和C6-C10芳氧基。优选地，R3可选自H、C1-C8烷基、C1-C8烷氧基。更优选地，R3可选自H、C1-C6烷基和C1-C6烷氧基。甚至更优选地，R3可选自H、C1-C4烷基和C1-C4烷氧基。最优选地，基团R3可选自H、甲基、乙基、甲氧基和乙氧基。
R4可选自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、C6-C10芳基和C6-C10芳氧基。优选地，R4可选自C1-C8烷基、C1-C8烷氧基。更优选地，R4可选自C1-C6烷基和C1-C6烷氧基。最优选地，R4可选自C1-C4烷基和C1-C4烷氧基。最优选地，基团R4可选自甲基、乙基、甲氧基和乙氧基。
R10、R12可独立地选自C1-C10烷基和C1-C10烷氧基。优选地，R10、R12和R4可选自C1-C8烷基、C1-C8烷氧基。更优选地，R10和R12可选自C1-C6烷基和C1-C6烷氧基。最优选地，R10和R12可选自C1-C4烷基和C1-C4烷氧基。最优选地，基团R4可选自甲基、乙基、甲氧基和乙氧基。
在式I中，n可为0或1-100的整数，优选为0或1-50的整数，甚至更优选为0或1-20的整数，最优选为0。在式II中，m可为1、2或3，优选为1。
优选R2、R4、R10和R12独立地选自甲基、甲氧基、乙基、乙氧基、丙基和丙氧基。
在特别优选的实施方案中，所述添加剂选自三甲氧基硅烷、三乙氧基硅烷、三甲基硅烷和三乙基硅烷。
浓度应该足够高以适当地防止图案塌陷，但出于经济原因应尽可能低。所述非水性溶液中的式I或II添加剂的浓度通常可为约0.00005-约15重量％。优选地，添加剂的浓度为约0.001-约12重量％，更优选为约0.005-约12重量％，甚至更优选为约0.05-约10重量％，最优选为0.1-5重量％，所述重量百分比基于组合物的总重量。
所述组合物中可存在一种或多种添加剂，然而优选仅使用一种式I或II的添加剂。
氨活化
需要通过加入氨来活化上述H-硅烷添加剂。该活化通常可通过向溶液中加入约0.05-约8重量％的氨来实现。低于0.05重量％时，则活化不足；使用超过约8重量％，则由于氨在质子有机溶剂中的溶解度有限，因此难以实现。优选0.2-6重量％，更优选0.3-4重量％，最优选0.5-2重量％用于活化。
其他添加剂
本发明的清洁溶液中可以存在其他添加剂。该类添加剂可为：
(I)用于pH调节的缓冲组分，例如但不限于(NH4)2CO3/NH4OH、Na2CO3/NaHCO3、三羟甲基氨基甲烷/HCl、Na2HPO4/NaH2PO4或有机酸如乙酸等、甲磺酸，
(II)一种或多种其他添加剂，其为非离子的或阴离子的，用于改善混合物的表面张力和溶解度，或
(III)分散剂，用于防止移除的污垢或聚合物颗粒重新附着到表面上。
漂洗溶液
优选地，所述非水性组合物基本上由有机质子溶剂、任选的C5-C12烷烃、所述至少一种式I或II的添加剂、氨及其反应产物组成。
优选地，氨在其使用前原位加入。因此，有利的是作为双组分成套包装提供组合物，其包含(a)溶解在有机质子溶剂中的氨和任选的C5-C12烷烃，和(b)至少一种如本文所述的式I或II添加剂。
应用
本文所述的组合物可用于处理具有图案化材料层的衬底，所述图案化材料层具有50nm或更小的线距尺寸、大于或等于4的纵横比，或其组合。
本文所述的组合物可用于制造集成电路器件、光学器件、微机械和机械精密器件的方法中，所述方法包括以下步骤：
(1)提供具有图案化材料层的衬底，所述图案化材料层具有50nm及更小的线距尺寸和大于或等于4的纵横比，
(2)使所述衬底与包含至少一种如本文所述的硅氧烷添加剂的非水性溶液接触至少一次，和
(3)从与所述衬底的接触中移除所述非水性组合物。
优选地，所述衬底通过包括以下步骤的光刻工艺提供：
(i)提供具有浸没式光致抗蚀剂、EUV光致抗蚀剂或电子束光致抗蚀剂层的衬底，
(ii)在有或没有浸液的情况下通过掩模将光致抗蚀剂层曝光于光化辐射，
(iii)用显影剂溶液显影曝光的光致抗蚀剂层以获得具有32nm及更小的线距尺寸和10或更大的纵横比的图案，
(iv)将本文所述的非水性组合物施加至显影的图案化光致抗蚀剂层，和
(v)在施加所述非水性组合物之后，旋转干燥所述半导体衬底。
可使用任何常规和已知的浸没式光致抗蚀剂、EUV光致抗蚀剂或电子束光致抗蚀剂。浸没式光致抗蚀剂可以已经包含至少一种硅氧烷添加剂或其组合。此外，浸没式光致抗蚀剂可包含其他非离子添加剂。合适的非离子添加剂描述于例如US 2008/0299487A1第6页第[0078]段中。最优选地，浸没式光致抗蚀剂是正性光致抗蚀剂。
除了电子束曝光或约13.5nm的极紫外辐射以外，优选将193nm波长的UV辐射用作光化辐射。
在浸没式光刻的情况下，优选使用超纯水作为浸液。
可使用任何常规和已知的显影剂溶液来使曝光的光致抗蚀剂层显影。优选使用包含四甲基氢氧化铵(TMAH)的显影剂水溶液。
优选地，将化学漂洗溶液以胶泥形式施加到曝光和显影的光致抗蚀剂层上。
在所述方法的第三步骤中，从与衬底的接触中移除非水性溶液。可使用任何已知的通常用于从固体表面移除液体的方法。
对于根据本发明方法的光刻工艺，化学漂洗溶液含有至少一种硅氧烷添加剂是必要的。
可使用通常用于半导体工业的常规和已知的设备来根据本发明的方法进行光刻工艺。
实施例
实施例1
使用具有圆形纳米柱图案的图案化硅晶片来测定干燥期间配制剂的图案塌陷性能。用于测试的AR 20柱(纵横比)的高度为600nm，直径为30nm。间距尺寸为90nm。1×1cm晶片碎片，其中以以下顺序处理而在其间不进行干燥：
■50s稀氢氟酸(DHF)0.9％浸泡，
■60s超纯水(UPW)浸泡，
■60s异丙醇(IPA)浸泡，
■60s相应氨活化的添加剂在溶剂中的溶液在室温下浸泡，所述溶剂为质子有机溶剂或质子和非极性有机溶剂的混合物，
■60s IPA浸泡，
■N2吹干。
通过将各添加剂加入到1重量％氨在溶剂中的溶液中而原位活化添加剂。溶剂的水含量低于0.01重量％。
在实施例中使用表1.1的组合物。
表1
表1.2示出了实施例1.1至1.9的用自上而下SEM分析的干燥硅晶片和塌陷统计数据。
簇的尺寸对应于各个簇所包括的未塌陷柱的数量。例如，如果处理前的晶片包含4×4个柱且8个保持未塌陷，4个塌陷为包含2个柱的两个簇且4个柱塌陷为包含4个柱的一个簇，则比例将为8/11单簇、2/11双簇和1/11具有四个柱的簇。
表1.2
表1.2表明，与没有任何添加剂的溶液相比，添加剂1.1至1.9对图案塌陷程度具有有益的影响。烷烃的加入进一步提高了未塌陷结构的比例。
实施例2
使用具有圆形纳米柱图案的图案化硅晶片来测定干燥期间配制剂的图案塌陷性能。用于测试的AR 20柱(纵横比)的高度为600nm，直径为30nm。间距尺寸为90nm。1×1cm晶片碎片，其中以以下顺序处理而在其间不进行干燥：
■40秒SC1浸泡(NH4OH(28％)/H2O2(31％)/超纯水(UPA)，重量比为1/8/60)
■60s超纯水(UPW)浸泡，
■60s异丙醇(IPA)浸泡，
■60s相应氨活化的添加剂在溶剂中的溶液在室温下浸泡，该溶剂为质子有机溶剂或质子和非极性有机溶剂的混合物，
■60s IPA浸泡，
■N2吹干。
通过将各添加剂加入到1重量％氨在溶剂中的溶液中而原位活化添加剂。溶剂的水含量低于0.01重量％。
将表2.1的组合物用于实施例中。
表2.1
表2.2示出了实施例2.1至2.9的用自上而下SEM分析的干燥硅晶片和未塌陷结构的量。
表2.2
| 实施例 | 未塌陷的结构[％] |
| 对比例2.1 | 0.35 |
| 2.2 | 22.15 |
| 2.3 | 59.3 |
| 2.4 | 50.7 |
| 2.5 | 70.1 |
| 2.6 | 82.25 |
| 2.7 | 88.7 |
| 2.8 | 89.65 |
| 2.9 | 92.7 |
用自上而下的SEM分析干燥的硅晶片。
表2.2表明，与没有任何添加剂的溶液相比，添加剂对图案塌陷程度具有有益的影响。
实施例3
使用具有圆形纳米柱图案的图案化硅晶片来测定干燥期间配制剂的图案塌陷性能。用于测试的AR 20柱(纵横比)的高度为600nm，直径为30nm。间距尺寸为90nm。1×1cm晶片碎片，其中以以下顺序处理而在其间不进行干燥：
■50s稀氢氟酸(DHF)0.9％浸泡，
■60s超纯水(UPW)浸泡，
■60s异丙醇(IPA)浸泡，
■60相应氨活化的添加剂在溶剂中的溶液在室温下浸泡，该溶剂为质子有机溶剂或质子和非极性有机溶剂的混合物，
■60s IPA浸泡，
■N2吹干。
通过将各添加剂加入到1重量％氨在溶剂中的溶液中而原位活化添加剂。溶剂的水含量低于0.01重量％。
表1示出了实施例3.1至3.4的用自上而下SEM分析的干燥硅晶片和塌陷统计数据。
将表3.1的组合物用于实施例中。
表3.1
添加剂1、2和3具有以下结构：
用自上而下的SEM分析干燥的硅晶片。
由SEM图像确定图案塌陷簇尺寸分布。
表3.2
表3.2表明，与没有任何添加剂的溶液相比，添加剂对图案塌陷程度具有有益的影响。
对比例4
使用具有圆形纳米柱图案的图案化硅晶片来测定干燥期间配制剂的图案塌陷性能。用于测试的AR 20柱(纵横比)的高度为600nm，直径为30nm。间距尺寸为90nm。1×1cm晶片碎片，其中以以下顺序处理而在其间不进行干燥：
■50s稀氢氟酸(DHF)0.9％浸泡，
■60s超纯水(UPW)浸泡，
■60s异丙醇(IPA)浸泡，
■60相应氨活化的添加剂在溶剂中的溶液在室温下浸泡，该溶剂为质子有机溶剂或质子和非极性有机溶剂的混合物，
■60s IPA浸泡，
■N2吹干。
通过将各添加剂加入到1重量％氨在溶剂中的溶液中而原位活化添加剂。溶剂的水含量低于0.01重量％。
将表4.1的组合物用于实施例中。
表4.1
用自上而下的SEM分析干燥的硅晶片。
由SEM图像确定图案塌陷簇尺寸分布。簇的尺寸对应于各个簇所包括的未塌陷柱的数量。例如，如果处理前的晶片包含4×4个柱且8个保持未塌陷，4个塌陷为包含2个柱的两个簇且4个柱塌陷为包含4个柱的一个簇，则比例将为8/11单簇、2/11双簇和1/11具有四个柱的簇。
实施例4.1至4.3的塌陷统计数据示于表4.2中。
表4.2
表4.2表明，与不含H硅氧烷的溶液相比，非H硅氧烷如TEOS对图案塌陷程度没有或具有较少的有益影响。
重要的是注意到，由于所用的各晶片的不同预处理和历史，仅可以比较一个实施例中的结果，然而不可能比较不同实施例的结果。
Claims (15)
1.一种非水性组合物，其包含：
(a)有机质子溶剂，
(b)氨，和
(c)至少一种式I或II的添加剂：
其中：
R1为H；
R2选自H、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、C6-C10芳基和C6-C10芳氧基；
R3选自R2；
R4选自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、C6-C10芳基和C6-C10芳氧基；
R10、R12独立地选自C1-C10烷基和C1-C10烷氧基；
m为1、2或3；
n为0或1-100的整数。
2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述有机质子溶剂为直链或支化C1-C10烷醇，优选异丙醇。
3.根据权利要求2所述的组合物，其中氨的浓度为0.1-约8重量％，优选为0.5-2重量％。
4.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，进一步包含第二溶剂，所述第二溶剂选自直链、支化或环状C5-C12烷烃，优选选自己烷、庚烷和辛烷。
5.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中所述非水性组合物中的水含量低于0.1重量％。
6.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中所述非水性组合物基本上由所述有机质子溶剂、任选的C5-C12烷烃、所述至少一种式I或II的添加剂、氨，及其反应产物组成。
7.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中所述至少一种式I或II的添加剂以0.005-12重量％，优选0.05-10重量％的浓度存在。
8.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中所述至少一种添加剂为式I的化合物，其中n为0、1或2，优选为0或1。
9.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中R2、R4、R10和R12独立地选自甲基、甲氧基、乙基、乙氧基、丙基和丙氧基。
10.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中所述添加剂选自三甲氧基硅烷、三乙氧基硅烷、三甲基硅烷和三乙基硅烷。
11.一种成套包装，其包含：
(a)溶解在有机质子溶剂中的氨，和
(b)至少一种式I或II的添加剂：
其中：
R1为H；
R2选自H、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、C6-C10芳基和C6-C10芳氧基；
R3选自R2；
R4选自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、C6-C10芳基和C6-C10芳氧基；
R10、R12独立地选自C1-C10烷基和C1-C10烷氧基；
m为1、2或3；
n为0或1-100的整数。
12.根据权利要求1-10中任一项所述的组合物用于处理具有图案化材料层的衬底的用途，所述图案化材料层具有50nm或更小的线距尺寸、大于或等于4的纵横比，或其组合。
13.一种制造集成电路器件、光学器件、微机械和机械精密器件的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)提供具有图案化材料层的衬底，所述图案化材料层具有50nm或更小的线距尺寸、大于或等于4的纵横比，或其组合，
(2)使所述衬底与根据权利要求1-10中任一项所述的组合物接触至少一次，和
(3)从与所述衬底的接触中移除所述非水性组合物。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述图案化材料层具有32nm或更小的线距尺寸和10或更大的纵横比。
15.根据权利要求13或14所述的方法，其中所述图案化材料层选自图案化显影光致抗蚀剂层、图案化阻挡材料层、图案化多堆叠材料层和图案化介电材料层。
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