JP2010099769A - 表面被覆工具 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基体2の表面に、Ti1−aMa(C1−xNx)(MはNb、Mo、Ta、Hf、Al、SiおよびYの群から選ばれる少なくとも1種、0.35≦a≦0.55、0≦x≦1)からなる第1薄層7と、Ti1−bMb(C1−yNy)(0.40≦b≦0.60、ただしb>a、0≦y≦1)からなる第2薄層8とが交互に一定の周期で積層された下層9と、Ti1−cMc(C1−xNx)からなる第3薄層11と、Ti1−dMd(C1−yNy)(0.45≦d≦0.65、ただしd>c、0≦y≦1)からなる第4薄層12とが交互に一定の周期で積層された上層13とを被覆し、第1薄層7の平均層厚t1と第2薄層8の平均層厚t2との比が1.2≦t2/t1≦2.5で、第3薄層11の平均層厚t3と第4薄層12の平均層厚t4との比が2.5≦t4/t3≦18(ただし、(t2/t1)<(t4/t3))の表面被覆工具1である。
【選択図】 図1
Description
Ti1−cMc(C1−xNx)(ただし、MはNb、Mo、Ta、Hf、Al、SiおよびYの群から選ばれる少なくとも1種、0.40≦c≦0.60、0≦x≦1)からなる第3薄層と、Ti1−dMd(C1−yNy)(ただし、MはNb、Mo、Ta、Hf、Al、SiおよびYの群から選ばれる少なくとも1種、0.45≦d≦0.65、ただしd>c、0≦y≦1)からなる第4薄層とが交互に一定の周期で積層された上層と、を具備するとともに、前記第1薄層の平均層厚t1と前記第2薄層の平均層厚t2との比が1.2≦t2/t1≦2.5であるとともに、前記第3薄層の平均層厚t3と前記第4薄層の平均層厚t4との比が2.5≦t4/t3≦18(ただし、(t2/t1)<(t4/t3))の構成からなる。
Ti1−bMb(C1−yNy)(ただし、MはNb、Mo、Ta、Hf、Al、SiおよびYの群から選ばれる少なくとも1種、0.40≦b≦0.60、ただしb>a、0≦y≦1)からなる第2薄層8とが交互に一定の周期で積層された下層9と、
Ti1−cMc(C1−xNx)(ただし、MはNb、Mo、Ta、Hf、Al、SiおよびYの群から選ばれる少なくとも1種、0.40≦c≦0.60、0≦x≦1)からなる第3薄層11と、
Ti1−dMd(C1−yNy)(ただし、MはNb、Mo、Ta、Hf、Al、SiおよびYの群から選ばれる少なくとも1種、0.45≦d≦0.65、ただしd>c、0≦y≦1)からなる第4薄層12とが交互に一定の周期で積層された上層13と、
からなる。なお、第1薄層7(暗色部)、第2薄層8(明色部)、第3薄層11(暗色部)、第4薄層12(明色部)は、個々の平均層厚が1〜200nmである。
(製造方法)
次に、本発明の表面被覆工具の製造方法について説明する。
切削方法:エンドミル加工
被削材 :SKD11
切削速度:69.7m/分
送り :0.04mm/rev
切り込み:深さ×横切り込み=5mm×0.15mm
切削状態:乾式
評価方法:90分切削後の横逃げ面摩耗と先端摩耗、チッピングの有無を顕微鏡にて
測定した。
2 基体
3 すくい面
4 逃げ面
5 切刃
6 被覆層
7 第1薄層
8 第2薄層
9 下層
11 第3薄層
12 第4薄層
13 上層
20 AIP装置
21 真空チャンバ
22 ガス導入口
23 カソード電極
24 アノード電極
25 ターゲット
25a 下層形成用ターゲット
25b 上層形成用ターゲット
26 試料支持台
27 タワー
28 テーブル
29 ヒータ
30 ガス排出口
31 バイアス電源
Claims (3)
- 基体と、該基体の表面を被覆する被覆層とからなる切削工具であって、前記被覆層が、
Ti1−aMa(C1−xNx)(ただし、MはNb、Mo、Ta、Hf、Al、SiおよびYの群から選ばれる少なくとも1種、0.35≦a≦0.55、0≦x≦1)からなる第1薄層と、
Ti1−bMb(C1−yNy)(ただし、MはNb、Mo、Ta、Hf、Al、SiおよびYの群から選ばれる少なくとも1種、0.40≦b≦0.60、ただしb>a、0≦y≦1)からなる第2薄層とが交互に一定の周期で積層された下層と、
Ti1−cMc(C1−xNx)(ただし、MはNb、Mo、Ta、Hf、Al、SiおよびYの群から選ばれる少なくとも1種、0.40≦c≦0.60、0≦x≦1)からなる第3薄層と、
Ti1−dMd(C1−yNy)(ただし、MはNb、Mo、Ta、Hf、Al、SiおよびYの群から選ばれる少なくとも1種、0.45≦d≦0.65、ただしd>c、0≦y≦1)からなる第4薄層とが交互に一定の周期で積層された上層と、
を具備するとともに、前記第1薄層の平均層厚t1と前記第2薄層の平均層厚t2との比が1.2≦t2/t1≦2.5であるとともに、前記第3薄層の平均層厚t3と前記第4薄層の平均層厚t4との比が2.5≦t4/t3≦18(ただし、(t2/t1)<(t4/t3))であることを特徴とする表面被覆工具。 - 前記下層の第1薄層と第2薄層との積層の周期TAと、上層の第3薄層と第4薄層との積層の周期TBとが0.8≦TB/TA≦1.2であることを特徴とする請求項1記載の表面被覆工具。
- 前記第1薄層の平均層厚t1が10〜20nm、前記第2薄層の平均層厚t2が12〜45nmであるとともに、前記第3薄層の平均層厚t3が2〜15nm、前記第4薄層の平均層厚t4が10〜40nmであることを特徴とする請求項2記載の表面被覆工具。
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