JP2010098149A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表示装置は、ガラス基板101を覆うSiN膜102上に形成されたゲート電極103およびゲート絶縁膜104と、ゲート絶縁膜104上のゲート電極103に対応する領域に形成された、能動層となるpoly−Si層107と、a−Si:H層108と、コンタクト層となるn+Si層109と、がこの順で積層された島状の半導体積層構造と、n+Si層109上に互いに離間して配置されたドレイン電極115aおよびソース電極115bと、少なくとも半導体積層構造110の側面を被覆するSiN膜118と、を有するLTPS−TFT100を含む。n+Si層109は、a−Si:H層108まで達する分離溝によって、ドレイン電極115aに導通するn+Si層109aとソース電極115bに導通するn+Si層109bとに分離されている。
【選択図】図13
Description
Claims (7)
- 絶縁基板上に形成された、ゲート電極および少なくとも前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極に対応する領域に形成された、能動層となる結晶半導体層と、少なくとも1つの中間半導体層と、コンタクト層となる半導体拡散層と、がこの順で積層された島状の半導体積層構造と、
前記半導体積層構造の半導体拡散層上に互いに離間して配置されたドレイン電極およびソース電極と、
少なくとも前記半導体積層構造の側面を被覆する絶縁膜と、
を有する薄膜トランジスタを含み、
前記半導体拡散層は、前記半導体積層構造に形成された前記半導体拡散層から前記少なくとも1つの中間半導体層まで達する分離溝によって、前記ドレイン電極に導通する領域と前記ソース電極に導通する領域とに分離されている、
ことを特徴とする表示装置。 - 薄膜トランジスタを含む表示装置の製造方法であって、
絶縁基板上に、前記薄膜トランジスタのゲート電極と、少なくとも前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極に対応する領域に、前記薄膜トランジスタの能動層となる結晶半導体層と、少なくとも1つの中間半導体層と、コンタクト層となる半導体拡散層と、がこの順で積層された島状の半導体積層構造を形成する工程と、
前記半導体積層構造の半導体拡散層上に、互いに離間して配置される前記薄膜トランジスタのドレイン電極およびソース電極を形成する工程と、
前記半導体拡散層が前記ドレイン電極に導通する領域と前記ソース電極に導通する領域とに分離されるよう、前記半導体積層構造に前記半導体拡散層から前記少なくとも1つの中間半導体層まで達する分離溝を形成する工程と、
少なくとも前記半導体積層構造の側面を被覆する絶縁膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項2に記載の表示装置の製造方法において、
前記半導体積層構造を形成する工程は、前記結晶半導体層上に、前記少なくとも1つの中間半導体層と前記半導体拡散層とを連続成膜する工程、を含む、
ことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項3に記載の表示装置の製造方法において、
前記半導体積層構造を形成する工程は、前記少なくとも1つの中間半導体層および前記半導体拡散層のうち前記ゲート電極に対応する領域以外の領域に形成された部分を除去する工程、をさらに含む、
ことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項2に記載の表示装置の製造方法において、
前記結晶半導体層は、ポリシリコン層または微結晶シリコン層である、
ことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項2に記載の表示装置の製造方法において、
前記半導体拡散層は、ドープドシリコン層である、
ことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項2に記載の表示装置の製造方法において、
前記少なくとも1つの中間半導体層は、アモルファスシリコン層を含む、
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
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