JP2004304140A - 薄膜トランジスタとその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】微結晶膜を有するTFTで、チャネルは微結晶シリコン層とアモルファスシリコン層から構成される。微結晶シリコン層はゲート電極近くに設置されて第一チャネル層となり、水平な電流経路を提供する。アモルファスシリコン層はゲート電極から離れて形成されて第二チャネル層となり、垂直な電流経路を提供する。よって、トランジスタの駆動電流は、微結晶シリコン層の高導電のために増加する。さらに、アモルファス半導体層の高抵抗のため、トランジスタがオフの時に生じる不要な電流は減少する。
【選択図】 図4
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタ(thin film transistor、TFT)に関するもので、特に、微結晶層(microcrystalline layer)を有する薄膜トランジスタとその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
薄膜トランジスタTFTは、アクティブマトリクスディスプレイ装置、アクティブマトリクス有機発光ディスプレイ装置、イメージセンサ等の画素を駆動する(例えば、特許文献1参照)。一般に、これらの装置に用いられる薄膜トランジスタは、シリコン半導体薄膜からなる。このようなシリコン半導体薄膜は、アモルファスシリコン(amorphous silicon、α−Si)半導体膜、結晶シリコン(crystalline silicon)半導体膜、の二つのタイプに分けられる。
【0003】
これら二つのうち、低処理温度であることと、蒸着(vapor deposition)により容易に製造できることから、アモルファスシリコン半導体膜の使用が好まれ、量産されている。しかし、結晶シリコン半導体膜と比較すると、アモルファスシリコン半導体膜は、導電性などの特性が劣る。
【0004】
ポリシリコン(polycrystalline silicon)膜を備える薄膜トランジスタは、公知のアモルファスシリコン膜より高い電界効果移動度(field effect mobility)を有し、よって、薄膜トランジスタは、高速度下で操作される。これにより、画素制御の駆動回路を同一画素基板上に整合することが出来る。以下は、結晶シリコン半導体の製造方法三種を記述する。
【0005】
一つ目は、結晶シリコン半導体膜を、フィルム蒸着工程により、直接形成する方法で、二つ目は、アモルファスシリコン膜を形成し、レーザー照射により、レーザーの光エネルギーの作用で、アモルファスシリコン膜を結晶化する方法、三つ目は、アモルファスシリコン膜を形成し、熱エネルギーにより、アモルファスシリコン膜を結晶化する方法である。
【0006】
しかし、上述の方法は、以下のような欠点がある。一つ目の方法の欠点は、蒸着工程間で、結晶化が進行するため、充分な厚さのシリコン膜が蒸着されて、大粒の結晶シリコン膜を得なければならないことである。基板の全表面を均等に覆う好ましい半導体特性を有する膜を形成するのは技術的に困難である。さらに、結晶シリコン膜は、一般に、600℃以上で蒸着されることである。二つ目の方法は、溶解と固形化処理の結晶化を利用し、粒界が適切に処理されている小粒の高品質シリコン膜の製造を可能にする。しかし、通常使用されるレーザーは、効果的なレーザー光照射領域が小さいため、処理スループットが低い。他にも、大きい基板の表面全体を均等に処理するのに充分なレーザーが提供されないという欠点がある。
【0007】
三つ目の方法は、不安定なレーザー光に制限を受ける欠点がある。レーザー結晶化により形成されたポリシリコン薄膜トランジスタの均一性が低い。基板表面に平行に塗布された結晶粒と、数マイクロメーターの粒径の結晶が形成される。結晶成長の間、粒界は、成長する結晶粒が他の結晶粒と衝突して形成され、その結果、格子欠陥を有する粒界となる。よって、粒界はキャリアトラップとなり、リーク電流が生じる。
【0008】
【特許文献1】
米国特許第6424326号明細書
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、低温、かつ、均一なアモルファスシリコン工程の薄膜トランジスタを提供し、公知のアモルファスシリコン薄膜トランジスタに欠乏している高駆動電流を有する薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するため、本発明は、ゲート電極、ゲート絶縁層、微結晶半導体層、アモルファス半導体層、ソース/ドレイン、およびソース/ドレイン電極、からなる薄膜トランジスタを提供する。ゲート絶縁層は、ゲート電極上に形成される。微結晶半導体層はゲート絶縁層上に形成される。アモルファス半導体層は微結晶半導体層上に形成される。ソース/ドレイン領域はアモルファス半導体層と、ゲート電極の反対側に形成される。ソース/ドレイン電極はソース/ドレイン領域にそれぞれ、蒸着される。
【0011】
好ましくは、微結晶半導体層は微結晶シリコン層で、アモルファス半導体層はアモルファスシリコン層である。ソース/ドレイン領域は、ドープ半導体層である。微結晶半導体層とアモルファス半導体層のパターンは同じである。
【0012】
微結晶半導体層の高導電性のため、トランジスタの駆動電流は増加する。さらに、アモルファス半導体層の高抵抗のため、トランジスタがオフの時に生じる不要な電流は減少する。
【0013】
本発明により、ゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル層、高抵抗層、ソース/ドレイン、およびソース/ドレイン電極、からなるもう一つの薄膜トランジスタが提供される。ゲート絶縁層はゲート電極上に形成される。チャネル層はゲート絶縁層上に形成される。高抵抗層はチャネル層上に形成される。ソース/ドレイン領域は高抵抗層と、ゲート電極の反対側に、それぞれ形成される。ソース/ドレイン電極はソースとドレイン領域にそれぞれ、形成される。
【0014】
好ましくは、チャネル層は微結晶シリコン層で、高抵抗層はアモルファスシリコン層である。ソース/ドレイン領域は、ドープ半導体層である。チャネル層と高抵抗層のパターンは同じである。
【0015】
微結晶半導体層の高導電性のため、トランジスタの駆動電流は増加する。さらに、高抵抗層の高抵抗のため、トランジスタがオフの時に生じる不要な電流は減少する。
【0016】
本発明により、ゲート電極、ゲート絶縁層、第一チャネル層、第二チャネル層、ソース/ドレイン、およびソース/ドレイン電極、からなる、さらにもう一つの薄膜トランジスタが提供される。ゲート絶縁層はゲート電極上に形成される。ソース/ドレイン領域は第二チャネル層と、ゲート電極の反対側に、それぞれ形成される。ソース/ドレイン電極はソースとドレイン領域にそれぞれ、蒸着される。第一チャネル層はゲート絶縁層上に形成されて、ゲート電極の表面に平行な電流経路を提供する。第二チャネル層は第一チャネル層上に形成されて、ゲート電極の表面に垂直な電流経路を提供する。
【0017】
好ましくは、第一チャネル層は微結晶シリコン層で、第二チャネル層はアモルファスシリコン層である。ソース/ドレイン領域は、ドープ半導体層である。第一チャネル層と第二チャネル層のパターンは同じである。
【0018】
上述の三種の薄膜トランジスタは、有機発光ディスプレイ装置、あるいは、薄膜トランジスタを組み込んだディスプレイ装置である。微結晶半導体層の高導電性のため、トランジスタの駆動電流は増加する。さらに、高抵抗層の高抵抗のため、トランジスタがオフの時に生じる不要な電流は減少し、特に、電流駆動ディスプレイ装置に適合する。
【0019】
本発明はさらに、薄膜トランジスタの製造方法を提供する。本工程は以下のようである。ゲート電極を基板に形成する。ゲート絶縁層をゲート電極と基板に連続して形成する。微結晶半導体層、アモルファス半導体層、ドープ半導体層をゲート絶縁層上に順に形成する。ドープ半導体層、アモルファス半導体層、微結晶半導体層が画定されて、アクティブ領域を形成する。金属層をドープ半導体層上に形成する。金属層とドープ半導体層が画定されて、ドープ半導体層上にソース/ドレイン領域、金属層上にソース/ドレイン電極を形成する。
【0020】
【発明の実施の形態】
上述した本発明の目的、特徴、および長所をいっそう明瞭にするため、以下に本発明の好ましい実施の形態をあげ、図を参照にしながらさらに詳しく説明する。
【0021】
薄膜トランジスタの構造:
図4は、本発明による薄膜トランジスタの断面を示す図である。ゲート電極14が基板12上に設置され、その材質は、アルミニウムAl、アルミニウム合金、あるいは、モリブデン(molybdenum、Mo)である。
【0022】
ゲート絶縁層16aは、ゲート電極14と基板12に設置される。絶縁材は、好ましくは、酸化ケイ素、窒化ケイ素、あるいは、シリコンオキシナイトライド(oxynitride、SiON)である。
【0023】
微結晶半導体層がゲート絶縁層16a上に形成されて、第一チャネル層18aとなる。アモルファス半導体層が微結晶半導体層18a上に形成されて、第二チャネル層20aとなる。薄膜トランジスタにおいて、第一チャネル層18aの抵抗は、第二チャネル層20aより低く、第二チャネル層20aを高い抵抗層にする。好ましくは、微結晶半導体層18aは微結晶シリコン層で、アモルファス半導体層20aはアモルファスシリコン層である。
【0024】
好ましい具体例において、微結晶半導体層18aのパターンは、アモルファス半導体層20aのパターンと同じである。パターンが同じでも、電流は抵抗の差による影響を受けない。さらに、アモルファス半導体層20aの電流が流れない部分は、第一チャネル層18aのパッシベーション層になる。もう一つの具体例において、アモルファス半導体層20aの一部のパターンは、微結晶半導体層18aの一部のパターンと同じである。
【0025】
ソース領域22Sとドレイン領域22Dは、アモルファス半導体層20aとゲート電極14の反対側に、それぞれ、形成される。ソース電極24Sとドレイン電極24Dは、ソース領域22Sとドレイン領域22D上に、それぞれ蒸着される。ソース領域22Sとソース電極24Sは、ドレイン領域22Dとドレイン電極24Dと同じように、同じパターンである。
【0026】
アモルファス半導体層20aの抵抗は、ソース/ドレイン22S/22D、およびその下方の微結晶半導体層18aの抵抗より高いので、操作電圧が薄膜トランジスタに印加される時、アモルファス半導体層20aの電流は、ソース領域22Sと微結晶半導体層18a間の最短路と、ドレイン領域22Dと微結晶半導体層18a間の最短路を得る。したがって、微結晶半導体層18aは、ゲート電極14の表面に平行な電流経路を提供し、アモルファス半導体層20aは、ゲート電極14の表面に垂直な電流経路を提供する(電流経路は、図中のIで示される)。
【0027】
微結晶半導体層18aの高導電性のため、駆動電流は増加する。さらに、アモルファス半導体層20aの高抵抗のため、トランジスタがオフの時に生じる不要な電流は減少する。
【0028】
薄膜トランジスタの製造方法:
図1〜図4は、本発明による薄膜トランジスタの製造工程を示す断面図である。
【0029】
図1において、第一導電層が基板12上に形成されて、ゲート電極14を画定する。好ましくは、基板12は、ガラス基板、あるいは、プラスチック基板などの可撓性基板である。
【0030】
図2において、絶縁層16、微結晶半導体層18、アモルファス半導体層20、およびドープ半導体層22が、ゲート電極14上に順に形成される。好ましくは、絶縁層16は、蒸着により、厚さ3000Åに形成された、酸化ケイ素層、窒化ケイ素層、あるいは、シリコンオキシナイトライド層である。微結晶半導体層18は、好ましくは、250℃で、化学気相蒸着により形成された、厚さ100〜300Åの微結晶シリコン層である。アモルファス半導体層20は、好ましくは、250℃で、化学気相蒸着により形成された、厚さ1100Åのアモルファスシリコン層である。ドープ半導体層22は、アモルファスシリコン層か、あるいは、微結晶シリコン層で、厚さが約500Å、ドーパントがN型かP型であり、トランジスタの電性により異なる。
【0031】
ドープ半導体層22、アモルファス半導体層20、微結晶半導体層18、および絶縁層16が画定されて、図3で示されるように、22a、20a、18a、および16aから構成されるアクティブ領域を形成する。
【0032】
図4において、第二導電層がドープ半導体層22a上に形成される。第二導電層とドープ半導体層22aが画定されて、第二導電層のソース電極24Sとドレイン電極24D、およびドープ半導体層22aのソース領域22Sとドレイン領域22Dを形成する。
【0033】
好ましくは、ソースとドレイン22S、22Dの画定中に、露出したアモルファス半導体層20aが異方性エッチングされる。
【0034】
本発明で形成される薄膜トランジスタは、垂直型の低濃度ドープドレイン構造を備え、よって、トランジスタの信頼性を向上する。
【0035】
トランジスタの応用:
さらに、有機発光ディスプレイ装置上で上述の薄膜トランジスタを応用する方法を記述する。本発明は、OLEDに限定せず、薄膜トランジスタを組み込む他のディスプレイ装置に適用することができる。
【0036】
有機発光ダイオードディスプレイOLED装置は、バックライトを必要としない自発光のディスプレイ装置で、高反応速度、高輝度、広視野角の特性を有する。OLED装置は、アクティブと、受動OLEDの二種に分けられる。アクティブOLEDは電流により駆動し、各画素は少なくとも一つのスイッチ薄膜トランジスタを必要として、イメージデータのアクセスとアドレスを制御する。もう一つの駆動薄膜トランジスタはアクティブOLEDを必要とし、コンデンサに記憶された電圧に基づいて電流を調整して、輝度とグレイスケールが調整される。アクティブOLEDは二つの薄膜トランジスタ、あるいは四つの薄膜トランジスタにより駆動する。
【0037】
図5は、本発明による二つの薄膜トランジスタにより駆動される有機発光ディスプレイ装置の等価回路を示す図である。
【0038】
有機発光ディスプレイの画素Aは、スイッチ薄膜トランジスタT1、ストレージコンデンサCs、駆動薄膜トランジスタT2、および有機発光ダイオード、からなる。スイッチ薄膜トランジスタT1のゲートはスキャン信号ラインSCANに結合され、スイッチ薄膜トランジスタT1のソースはデータラインDATAに結合される。ストレージコンデンサCsの一端は、スイッチ薄膜トランジスタT1のドレイン領域に結合される。もう一端は、参考電圧値VLに結合される。駆動薄膜トランジスタT2のゲートは、スイッチ薄膜トランジスタT1のドレイン領域に結合され、駆動薄膜トランジスタT2のソースは電源VDDに結合される。さらに、有機発光ダイオードOLEDのアノードは、駆動薄膜トランジスタT2のドレイン領域に結合され、カソードは、接地GDNに結合される。
【0039】
図6は、本発明による、有機発光ダイオードOLEDを備える有機発光ディスプレイ装置と、駆動薄膜トランジスタT2の一部を示す図である。
【0040】
図6を参照すると、基板12上に、TFT26を形成した後、絶縁層32がTFT26上に設置され、その材質は、好ましくは、ポリアミド(polyamide)、あるいは、アクリル樹脂(acrylic resin)である。具体例において、JSR日本合成樹脂番号PC403の透明耐熱絶縁材が用いられる。その後、コンタクトホール34が、ドレイン電極24Dを露出する絶縁層32上に形成される。
【0041】
導電層は、絶縁層32上に蒸着され、コンタクトホール34を充填し、ドレイン電極24Dと接続する。導電層は、スパッタリング、電子ビーム蒸着(electron beam evaporation)、熱コーティング、あるいは化学気相蒸着により形成される、インジウムスズ酸化物(indium tin oxide、ITO)、酸化インジウム亜鉛(indium zinc oxide、IZO)、アルミ・亜鉛酸化物(aluminum zinc oxide、AZO)、酸化亜鉛(zinc oxide)である。導電層はさらに画定されて、ドレイン電極24Dと接続される画素電極36を形成してアノードとなる。導電層はリソグラフィと異方性エッチングにより画定される。
【0042】
発光層38が、絶縁層32とアノード36上に形成される。発光層38は、小さい分子の有機発光材、あるいは、有機発光ポリマーである。小さい分子の有機発光材は、真空蒸着により形成される。有機発光ポリマー層は、スピンコーティング、インクジェットプリント、あるいはスクリーンプリントにより形成される。
【0043】
カソード層40はアノード36上に形成され、銅Cu、銀Ag、マグネシウムMg、アルミニウムAl、低仕事函数の金属、あるいは、真空蒸着、または、スパッタリングにより形成されるそれらの合金などである。
【0044】
これにより、有機発光ダイオードが形成される。
【0045】
本発明は、公知のアモルファスシリコン工程を採用すると共に、微結晶工程を合わせることにより、OLEDディスプレイ装置の駆動電流を増加し、OLEDがスイッチオフの時に生じる不要な電流を減少する。
【0046】
本発明により形成される薄膜トランジスタは、垂直型低濃度ドープドレイン構造を有する。チャネルは、アモルファス、および微結晶半導体層から構成される。アモルファス半導体層は垂直方向の電流経路を提供し、微結晶半導体層は水平方向の電流経路を提供する。
【0047】
本発明によるTFTの駆動能力は、アモルファスTFTより優れている。公知のアモルファスTFTの駆動電圧は、約4.5Vで、0.75cm2/Vsecの移動度を有する。本発明によるTFTの駆動電圧は、約2.5Vで、4.3cm2/Vsecの移動度を有する。
【0048】
オン/オフ比(on/off ratio)については、本発明によるTFTでは107.5で、公知のアモルファスTFT106よりも高い。
【0049】
さらに、本発明によるTFTの微結晶半導体層は、低温蒸着工程により形成され、ほかのサブ工程と結合された後、プラスチック基板などの非耐熱の可撓性基板上にTFTを形成することができる。
【0050】
さらに、本発明によるTFTのコストは、公知の低温ポリシリコンTFT工程より安い。
【0051】
本発明では好ましい実施例を前述の通り開示したが、これらは決して本発明に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変動や変更を加えることができ、したがって本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【0052】
【発明の効果】
公知技術の欠点を改善した薄膜トランジスタの方法が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による薄膜トランジスタの製造工程を示す断面図である。
【図2】本発明による薄膜トランジスタの製造工程を示す断面図である。
【図3】本発明による薄膜トランジスタの製造工程を示す断面図である。
【図4】本発明による薄膜トランジスタの製造工程を示す断面図である。
【図5】本発明の薄膜トランジスタにより駆動される有機発光ディスプレイ装置の等価回路を示す図である。
【図6】本発明による有機発光ダイオードを備える有機発光ディスプレイ装置と駆動トランジスタT2の部分断面図である。
【符号の説明】
12 基板
14 ゲート電極
16、16a ゲート絶縁層
18 微結晶半導体層
18a 第一チャネル層(微結晶半導体層)
20 アモルファス半導体層
20a 第二チャネル層(アモルファス半導体層)
22S ソース
22D ドレイン
24S ソース電極
24D ドレイン電極
I 電流経路
A 画素
T1 スイッチ薄膜トランジスタ
Cs ストレージコンデンサ
T2 駆動薄膜トランジスタ
OLED 有機発光ダイオード
SCAN スキャン信号ライン
DATA データライン
VL 参考電圧値
VDD 電源
GND 接地
26 薄膜トランジスタ
32 絶縁層
34 コンタクト
36 画素電極(アノード)
38 発光層
40 カソード層
Claims (38)
- 薄膜トランジスタであって、
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の微結晶半導体層と、
前記微結晶半導体層上のアモルファス半導体層と、
前記アモルファス半導体層上と前記ゲート電極の反対側にそれぞれ形成されたソース領域とドレイン領域と、
前記ソース、ドレイン領域上に蒸着されたソース電極とドレイン電極と、
からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記微結晶半導体層と前記アモルファス半導体層のパターンは同じであることを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタ。
- 前記アモルファス半導体層と前記ソース、ドレイン領域のパターンは同じであることを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタ。
- 前記アモルファス半導体層の一部分と前記ソース、ドレイン領域のパターンは同じで、前記アモルファス半導体層のほかの部分と前記微結晶半導体層のパターンは同じであることを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタ。
- 前記微結晶半導体層は微結晶シリコンからなり、アモルファス半導体層はアモルファスシリコンからなることを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ソース、ドレイン領域は、ドープ半導体層からなることを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ソース、ドレイン領域は、ドープアモルファスシリコン層、あるいは、ドープ微結晶シリコン層からなることを特徴とする請求項6記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ドレイン電極は、有機発光ダイオードに結合されることを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタ。
- 薄膜トランジスタであって、
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のチャネル層と、
前記チャネル層上の高抵抗層と、
前記高抵抗層と前記ゲート電極の反対側にそれぞれ形成されたソース領域とドレイン領域と、
前記ソース、ドレイン領域上にそれぞれ、蒸着されたソース電極とドレイン電極と、
からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記チャネル層と前記高抵抗層のパターンは同じであることを特徴とする請求項9記載の薄膜トランジスタ。
- 前記高抵抗層と前記ソース、ドレイン領域のパターンは同じであることを特徴とする請求項9記載の薄膜トランジスタ。
- 前記高抵抗層の一部と前記ソース、ドレイン領域のパターンは同じで、前記高抵抗層のほかの部分と前記チャネル層のパターンは同じであることを特徴とする請求項9記載の薄膜トランジスタ。
- 前記チャネル層は微結晶シリコンからなり、前記高抵抗層はアモルファスシリコンからなることを特徴とする請求項9記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ソース、ドレイン領域は、ドープ半導体層からなることを特徴とする請求項9記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ソース、ドレイン領域は、ドープアモルファスシリコン層、あるいは、ドープ微結晶シリコン層であることを特徴とする請求項14記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ドレイン電極は、有機発光ダイオードに結合されることを特徴とする請求項9記載の薄膜トランジスタ。
- 薄膜トランジスタであって、
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層に形成され、前記ゲート電極の表面に平行な電流経路を提供する第一チャネル層と、
前記第一チャネル層に形成され、前記ゲート電極の表面に垂直な電流経路を提供する第二チャネル層と、
前記第二チャネル層上の、前記ゲート電極の反対側にそれぞれ形成されたソース領域とドレイン領域と、
前記ソース、ドレイン領域上にそれぞれ、蒸着されたソース電極とドレイン電極と、
からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記第一チャネル層と前記第二チャネル層のパターンは同じであることを特徴とする請求項17記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第二チャネル層と前記ソース、ドレイン領域のパターンは同じであることを特徴とする請求項17記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第二チャネル層の一部と前記ソース、ドレイン領域のパターンは同じで、前記第二チャネル層のほかの部分と前記第一チャネル層のパターンは同じであることを特徴とする請求項17記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第一チャネル層は微結晶シリコン、前記第二チャネル層はアモルファスシリコンからなることを特徴とする請求項17記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ソース、ドレイン領域は、ドープ半導体層からなることを特徴とする請求項17記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ソース、ドレイン領域は、ドープアモルファスシリコン層、あるいは、ドープ微結晶シリコン層からなることを特徴とする請求項22記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ドレイン電極は、有機発光ダイオードに結合されることを特徴とする請求項17記載の薄膜トランジスタ。
- 薄膜トランジスタの製造方法であって、
基板を提供する工程と、
前記基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極と前記基板上にゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上に微結晶半導体層を形成する工程と、
前記微結晶半導体層上にアモルファス半導体層を形成する工程と、
前記アモルファス半導体層上にドープ半導体層を形成する工程と、
前記ドープ半導体層、前記アモルファス半導体層、および前記微結晶半導体層を画定して、アクティブ領域を形成する工程と、
前記ドープ半導体層上に金属層を形成する工程と、
前記金属層と前記ドープ半導体層とを画定して、ソース領域とドレイン領域を、
前記ドープ半導体層上に形成し、前記金属層上にソース電極とドレイン電極を形成する工程と、
からなることを特徴とする方法。 - 前記基板は、ガラス基板、あるいは、可撓性基板であることを特徴とする請求項25記載の方法。
- 前記基板は、ガラス基板、あるいは、可撓性基板であることを特徴とする請求項26記載の方法。
- 前記ドープ半導体層は、ドープアモルファスシリコン層、あるいは、ドープ微結晶シリコン層であることを特徴とする請求項25記載の方法。
- 前記アモルファス半導体層はアモルファスシリコンからなり、前記微結晶半導体層は、微結晶シリコンからなることを特徴とする請求項25記載の方法。
- 前記アモルファス半導体層は、250℃で化学気相蒸着により形成されることを特徴とする請求項29記載の方法。
- 前記微結晶半導体層は、250℃で化学気相蒸着により形成されることを特徴とする請求項29記載の方法。
- 前記アモルファス半導体層は、前記金属層と前記ドープ半導体層とを画定するのと同時に画定されることを特徴とする請求項25記載の方法。
- 前記アモルファス半導体層の上部は、前記金属層と前記ドープ半導体層を画定するのと同時に画定されることを特徴とする請求項25記載の方法。
- 前記ドレイン電極は、有機発光ダイオードに結合されることを特徴とする請求項25記載の方法。
- 前記有機発光ダイオードは、以下の工程により製造され、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁層、前記微結晶半導体層、前記アモルファス半導体層、前記ソース領域、前記ドレイン領域、前記ソース電極、および前記ドレイン電極により構成される前記薄膜トランジスタ上に絶縁層を形成する工程と、
前記ドレイン電極を露出する前記絶縁層上にコンタクトを形成する工程と、
前記絶縁層上に画素電極を形成して、前記コンタクトにより、前記ドレイン電極と接続する工程と、
前記画素電極と前記絶縁層上に発光層を形成する工程と、
前記発光層上にカソード層を形成する工程と、
からなることを特徴とする請求項34記載の方法。 - 前記画素電極は、ITO、IZO、AZO、あるいは、ZnOからなることを特徴とする請求項35記載の方法。
- 前記発光層は、小さい分子の有機発光材、あるいは、ダイオードの有機発光ポリマーからなることを特徴とする請求項35記載の方法。
- 前記カソード層は、銅Cu、銀Ag、マグネシウムMg、アルミニウムAl、低仕事函数の金属、あるいは、その合金であることを特徴とする請求項35記載の方法。
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