JP2010098028A - ソーラーシミュレータ - Google Patents

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Abstract

【課題】太陽電池モジュールの性能評価用ソーラーシミュレータにおいて、測定に利用する範囲の発光量のみでフラッシュランプを点灯させ、且つ一定の放射照度を得るようにする。
【解決手段】電気発光連続制御手段104および電力吸収手段103を有する。電気発光連続制御手段104は、制御インピーダンスとして使用する1個または複数の大電力素子141を備え、フラッシュランプ12を所定の発光量に点灯するように、大電力素子141が連続的に制御される。電力吸収手段103は、1個または複数の電力吸収素子131を備え、切替手段134で電力吸収素子131の動作が選択されることにより、大電力素子141の消費電力が所定範囲内に制御される。
【選択図】図2

Description

本発明は、太陽電池の性能評価を行う際に疑似太陽光として用いられるソーラーシミュレータに関し、詳しくは、フラッシュランプの放射照度制御手段を有するソーラーシミュレータに関するものである。
従来、太陽電池モジュールの性能評価用ソーラーシミュレータとして、簡便な蓄電器(以下コンデンサと称す)方式のロングアークキセノンフラッシュランプが実用化されている。
コンデンサ方式フラッシュランプの動作原理は、低圧ロングアークキセノンランプに、蓄電したコンデンサを接続し、ロングアークキセノンランプの管外に高電圧を印加し、内部冷陰極電極からの電界放出電子により放電プラズマを生じさせ、コンデンサの電荷をプラズマで放電させ発光させる。
この方法は、コンデンサのエネルギーだけで総発光量を容易に制御でき、かつ簡単な回路であるため、写真照明や夜間信号等に広く普及している。ところが、放電に伴ってコンデンサの電荷が減少し、放射照度が時間とともに指数関数的に低下するため、一定の放射照度は得られない。しかし、減少関数の狭い範囲に限定すれば、変化を補正して太陽電池モジュールの性能評価用に利用することが可能である。このようなコンデンサ方式フラッシュランプは、例えば図8に示すように、電源と放電管との間に、放電コンデンサおよびトリガ回路を設けた回路により駆動される。また、例えば特許文献1に、キセノンフラッシュランプ用電源回路が開示されている。
このようなフラッシュランプにおいて、太陽電池モジュールの性能評価を行うためには、実用的には、1kW/m(±20%)の放射照度が数ミリ秒有れば十分であることが解っている。
図9に、コンデンサ方式フラッシュランプにおける光量と時間との関係の一例を示す。コンデンサが放電を始め、フラッシュランプが発光する。発光量は、時間とともに、指数関数的に低下する。太陽電池モジュールの性能評価では、発光量が0.8kW/mから1.2kW/mの範囲を使用するだけでよい。つまり、コンデンサの総放電に対して、測定に利用する範囲は一部分であり、残りの放電(図9の斜線部)は無駄になる。この余分な放電により、フラッシュランプおよびコンデンサが劣化し、これらの寿命が短くなる。
そこで、性能評価のための計測が終わると不要な放電を止める手法が各種考案され、実用化されている。しかし、放電開始から測定に適した放射強度に至るまでの初期の大放電による放射の制御は、実用化されていない。原理的には可能であるが大掛かりな構成になってしまい、コンデンサ方式フラッシュランプの簡便性を帳消しにしてしまうため、今日まで簡便性に見合う装置は実用化されていない。
太陽電池モジュールの性能評価用ソーラーシミュレータのフラッシュランプにおいては、電力300kW、電流2000A、電圧800Vの制御を数十μ秒の時間で行うことが求められる。このような電気(電力、電流、電圧を特に断らない限り包括して電気と略す)の制御は、現存の電子素子の定格電力では制御困難である。
特開2001−37095号公報
電気回路において、電気の制御は、回路を断続するか、回路に制御インピーダンスを設けて行うことが周知である。直流電気においては、制御インピーダンスとして電子素子を使用した連続制御回路が、高速応答かつ低ノイズの制御方式として古くから実用化され、広く普及している。しかし、この方式は、原理的に制御インピーダンスが負荷として作用し、電力を消費する特性を持っている。そのため、制御インピーダンスを構成する制御素子の許容消費電力以上の電気の制御はできない。
電車の電動発動機のような大電力制御の場合には、制御インピーダンスとして、抵抗器を切り換えて制御している。一方、10kW程度(以下)までは、制御インピーダンスとして、電子素子が実用に供されている。
本発明は、現存する制御インピーダンス電子素子と抵抗器との切り換えを組み合わせることにより、大電力制御切り替えの欠点である非連続制御を無くし、連続制御回路の特徴である高速応答かつ低ノイズの制御を可能ならしめるものである。これにより、太陽電池モジュールの性能評価用ソーラーシミュレータにおいて測定に利用する範囲でのみ、フラッシュランプを点灯させ、一定の放射照度を得るようにすることを目的とする。
上記問題を解決するため、本発明は、フラッシュランプを用いた太陽電池モジュール性能評価用ソーラーシミュレータであって、電気発光連続制御手段および電力吸収手段を有し、前記電気発光連続制御手段は、制御インピーダンスとして使用する1個または複数の大電力素子を備え、フラッシュランプを所定の発光量に点灯するように、前記大電力素子が連続的に制御され、前記電力吸収手段は、1個または複数の電力吸収素子を備え、切替手段で前記電力吸収素子の動作が選択されることにより、前記大電力素子の消費電力が所定範囲内に制御されることを特徴とするソーラーシミュレータを提供する。
前記電気発光連続制御手段は、前記フラッシュランプの光量の検出手段を有し、前記光量が所定値になるように、前記大電力素子が制御されてもよい。
前記電気発光連続制御手段は、前記大電力素子による制御出力値を個別に検出する手段を有し、前記制御出力が所定値になるように制御入力値が補正されてもよい。
アナログコンピュータ、デジタルコンピュータ、またはその両者によって、前記大電力素子が動的に制御されてもよい。
前記切替手段は、大電力素子の制御により作動されてもよい。
前記電力吸収手段は、電気アイソレーターを介して前記電気発光連続制御手段と接続されていてもよい。
本発明によれば、制御インピーダンス電子素子と抵抗器との切り換えを組み合わせることにより、大電力の制御切り替えを連続且つ高速応答で行え、さらに、低ノイズの制御が行えるので、太陽電池モジュールの性能評価用ソーラーシミュレータにおいて、測定に利用する範囲のみについて、一定の電流でフラッシュランプを点灯させることができ、一定の放射照度を得ることができる。さらに、測定に利用する範囲のみに制御できるので、フラッシュランプおよびコンデンサの劣化を低減できる。
以下、本発明の実施の形態を、図を参照して説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
太陽電池モジュールの性能評価では、フラッシュランプの発光を一定の光量に制御できれば、原理的に光量補正が不要であることは明らかである。また、測定時間は、数ミリ秒程度あれば十分である。従って、定光量発光後はすぐに発光を停止しても良く、これによって各部品にかかる総電力を軽減できるので、部品寿命を大幅に伸ばせることが期待できる。これを実現するには、大電力素子、例えばIGBTなどを使用した電気制御回路を用いた制御方法が考えられる。
ところが、太陽電池モジュール性能評価用ソーラーシミュレータのフラッシュランプ点灯時には、太陽電池の性能測定を行うのに必要な光量1kW/mを得るために、300kWもの巨大電力を要する。このため、大電力用素子であっても、素子が一瞬で破壊する。例えば、700Vの高圧電圧をランプにかけて700Aの定電流を駆動した場合には、ランプで消費する電力は300kW、半導体で消費する電力は190kWになる。大電力用IGBTモジュールは数kWが限界であり、耐えることができない。
そこで、ランプと大電力素子の間に、抵抗などの電力吸収素子を入れ、不要電力を吸収する方法が考えられる。太陽電池のモジュール性能評価は、3パターンの光量(0.8kW/m、1.0kW/m、1.2kW/m)で測定することが規格化されている。そのため、光量に応じた3種類の電気制御に対応する必要がある。更に、長期にわたる使用によって、ランプ寿命により光量が低下することを考慮すると、電気制御は、広範囲に可変できることが求められる。
以下、電力吸収素子として抵抗を用いる場合についての例を示す。広範囲に可変するためには、単一抵抗では対応できない。半導体の特性を発揮するには、半導体を能動領域で使用する必要がある。例えばIGBTの場合には、コレクタエミッタ間電圧が十数V以上必要である。ところが、可変範囲が数百Aとあまりに広いため、電流下限値に合わせて抵抗値を決めると、電流上限値では、抵抗での電圧降下が大きすぎてIGBTのコレクタエミッタ間電圧が小さくなり、IGBTの能動領域からはずれてしまう。すなわち、電流値に応じてダイナミックに抵抗値を可変する必要がある。
そこで、以下に、図1を参照して、本発明の動作原理を説明する。本発明は、図1に示すように、電源11、フラッシュランプ12、電力吸収ブロック3、および電気発光連続制御ブロック4により構成される。電力吸収ブロック3は、1個以上の電力吸収素子31(R1、R2)、1個以上の電力吸収素子切替スイッチ32(SW)、切替回路34で構成される。電気発光連続制御ブロック4は、1個以上の大電力素子41(IGBT)、電流均等化抵抗42(R3)、大電力素子ドライブ回路43、およびタイミング制御回路44で構成される。
大電力素子41(IGBT)は連続制御インピーダンスとして使用され、所定の発光量でフラッシュランプが点灯するように、大電力素子41を連続的に制御する。また、電力吸収ブロック3は、切替回路34によって電気発光連続制御ブロック5の大電力素子41が正常に動作できる消費電力になるように、電力吸収素子切替スイッチ32をOFF/ONさせて、電力吸収素子31を動的に切替える。
つまり、大電力素子41の消費電力I・VCEが定格を越えないよう、電力吸収素子31のR1で電力を吸収させる。Iが大きい場合、即ち、VCE=V−(V+I・R1)<10Vの場合、VCEが制御範囲外になる。その場合、電力吸収素子切替スイッチ32をONにして、I・R1をI・(R1//R2)と小さくし、VCEを上げると、制御範囲に入る。
本発明の太陽電池モジュール性能評価用ソーラーシミュレータにおける第一の実施の形態を図2に示す。
本実施形態は、図2に示すように、電源11、フラッシュランプ12、電力吸収ブロック103、電気発光連続制御ブロック104により構成される。電源11およびフラッシュランプ12は、従来用いられているコンデンサ方式フラッシュランプと同様である。電力吸収ブロック103は、3つの素子(R1、R2、R3)からなる電力吸収素子131と、2つのスイッチ(SW1、SW2)からなる電力吸収素子切替スイッチ132、スイッチドライブ回路133、および切替判定回路134を有する。この電力吸収ブロック103は、電圧Vを監視し、その電圧によって電力吸収素子131(R1、R2、R3)の動作を選択し、それによって、後述する電気発光連続制御ブロック104の大電力素子141(IGBT1〜IGBT4)の電圧VCEに、許容範囲内の電圧を供給できるようにする。
電気発光連続制御ブロック104は、4つの素子(IGBT1、IGBT2、IGBT3、IGBT4)からなる大電力素子141、大電力素子141の各素子に対応する4つの抵抗(R4、R5、R6、R7)からなる電流均等化抵抗142、大電力素子ドライブ回路143、タイミング制御回路144、ランプ点灯検出回路145、および電気アイソレーター146を有する。
大電力素子ドライブ回路143には、発光を行う前に、フラッシュランプ12に流す電流値(光量)の設定値が記憶される。大電力素子ドライブ回路143は、この設定値に従い、フラッシュランプ12に流れる電流がその電流値になるよう、大電力素子141(IGBT1〜IGBT4)の制御電圧Vを決める。
ランプ点灯検出回路145は、フラッシュランプ12が点灯し、太陽電池モジュール性能評価が行える光量になったことを、大電力素子141(IGBT1〜IGBT4)の電圧Vによって検出し、タイミング制御回路144に制御開始を伝える。
タイミング制御回路144は、ランプ点灯検出回路145からの点灯検出信号151を受け取り、大電力素子ドライブ回路143へ、制御許可信号153をONにし、発光開始を知らせる。また、同様に、制御許可信号152をONにし、電気アイソレーター146を介して、制御開始信号154により、スイッチドライブ回路133へ、発光開始を知らせる。また、タイミング制御回路144は、制御許可信号152、153をONにした後、時間を監視し、所定の時間(発光を開始してから終了するまでの時間)が経過すると、制御許可信号152、153をOFFにする。さらに大電力素子ドライブ回路143に対しては、所定の時間(電源11がOFFとなり、電源11内にあるコンデンサが充電されるまでの時間)を経過した後、制御許可信号153をONにする。
電気アイソレーター146は、電気発光連続制御ブロック104と電力吸収ブロック103を電気的に絶縁し、制御情報(信号)を伝達する電子回路である。
切替判定回路134、タイミング制御回路144、ランプ点灯検出回路145は、アナログコンピュータあるいはデジタルコンピュータ、またはその組み合わせで実現される。
このような構成の本実施の形態は、太陽電池モジュール性能評価において、以下のように動作する。
大電力素子ドライブ回路143に、フラッシュランプ12に流す電流(光量)が設定される。ここで設定される電流値は、太陽電池モジュールの性能測定を行うための3パターンの光量(0.8kW/m、1kW/m、1.2kW/m)に対応して設定される。
大電力素子ドライブ回路143に設定された電流値に従い、大電力素子ドライブ回路143では、フラッシュランプ12に流れる電流がその電流値になるように、電気発光連続制御ブロック104の大電力素子141のゲート電圧Vの電圧値を決定する。電圧値が決まると、タイミング制御回路144の制御許可信号152と論理積をとり、大電力素子141のゲート電圧Vを出力する。なお、タイミング制御回路144の制御許可信号152は、太陽電池モジュール性能評価用ソーラーシミュレータ本体の電源が投入された時点でONとなっている。ただし、このとき、電源11からのランプ点灯電流Iは、電源11放電開始トリガーがないため、流れていない。
ソーラーシミュレータが放電を開始するために、電源11のランプトリガー電圧を印加する。これにより、ランプ点灯電流Iが流れる。電源11が放電を開始するのは、例えば放電開始(トリガー)スイッチ(図示省略)を押すことなどによる。
ランプ点灯電流Iが流れ始めると、ランプ点灯検出回路145は、大電力素子141(IGBT1〜IGBT4)の電圧Vを監視し、Vによってフラッシュランプ12が点灯し、太陽電池モジュールの測定が行える光量になったことを検出する。それを検出すると、タイミング制御回路144へ、点灯検出信号151によって開始を伝える。
タイミング制御回路144は、ランプ点灯検出回路145からの点灯検出信号151により、電気アイソレーター146を介して切替判定回路134の制御許可信号154、大電力素子ドライブ回路143の制御許可信号153をONにし、制御開始を知らせる。
制御開始により、電力吸収ブロック103では、電気発光連続制御ブロック104が能動範囲で動作できるように、電力吸収ブロック103の抵抗値を決定する。具体的には、図3に示すように、太陽電池モジュールの性能測定を行うための3パターンの光量の1つが決まると、先ず図3(c)によりランプ点灯電流Iが決まる。このランプ点灯電流Iを得るためのゲート電圧Vが図3(b)により決まり、大電力素子ドライブ回路143に設定値として記憶される。その設定値に従い、ランプ点灯電流Iが流れるように、大電力素子ドライブ回路143がゲート電圧Vを制御し、VCEを決定する。電気発光連続制御ブロック104の大電力素子141は、電圧VCEが小さ過ぎる場合には定電流動作として動作できず、また大き過ぎる場合には壊れる可能性がある。能動範囲で動作させるためには、図3(a)に示す設定領域内になるようにVCEを制御する。
CEを設定領域内に保つために、電力吸収ブロック103では、タイミング制御回路144からの制御許可信号152がOFFの間は、電力吸収素子131のR1のみが選択される。これにより、電力吸収素子切替スイッチ132(SW1、SW2)はOFFとなり、電力吸収素子131のR2、R3は選択されない。こうして、最初の電圧Vが決まる。
切替判定回路134では、ランプ点灯電流Iに比例した電力吸収素子131の両端電圧Vと、電圧VCEとの軌跡において、Vが予め決められたしきい値1としきい値2を越えたか否かで判定する。それらは、VCEに加わる電圧値が大電力素子141(IGBT1〜IGBT4)の設定領域内にあるかどうかで決められたものである。そのしきい値を越えた場合には、VCEの電圧不足で設定領域外になることを示し、その場合には抵抗値を変え、設定領域内に保つようにする。
具体的には、点灯開始後、ランプ点灯電流Iは時間が経過するとともに増え、Vが増加する。しきい値1を越えた場合には、切替判定回路134は、R1に加えて、電力吸収素子131のR2を選択するために、電力吸収素子切替スイッチ132のSW1をONにする。あるいは、あらかじめ知れているときはしきい値に関わらず、所定の電力吸収素子131を選択するように、設定する。さらにランプ点灯電流Iが増え続け、しきい値2を越えた場合には、切替判定回路134は、さらに電力吸収素子切替スイッチ132のSW2をONにし、R1、R2に加えて、電力吸収素子131のR3を選択する。例えば電力吸収素子131のそれぞれの抵抗値R1、R2、R3が同じ抵抗値1Ωであった場合、レンジの切替により、電力吸収ブロック103の抵抗値としては、1Ω、1/2Ω、1/3Ωに切り替えられる。その結果、ランプ点灯電流Iは時間の経過とともに増えるが、抵抗値は逆に減り、つまりVもそれに合わせて変わるので、VCEを設定領域内にできる。
スイッチドライブ回路133は、切替判定回路134の出力信号に従い、対応する電力吸収素子切替スイッチ132(SW1、SW2)をON/OFFする。
一方、電気発光連続制御ブロック104では、ランプ点灯電流Iが時間経過とともに増えても動作は変わらず、大電力素子141の電圧Vを出力し続ける。
タイミング制御回路144は、制御許可信号152、153をONにした後、時間を監視し、所定の時間、即ち、発光が行われてそれが終わるまでの時間が経過すると、スイッチドライブ回路133と大電力素子ドライブ回路143の制御許可信号154、153をOFFにする。
スイッチドライブ回路133では、制御許可信号154のOFFにより、電力吸収素子切替スイッチ132(SW1、SW2)の電圧VをOFFにする。
大電力素子ドライブ回路143では、制御許可信号153のOFFにより、大電力素子141(IGBT1〜IGBT4)の電圧VをOFFにする。これにより、大電力素子141(IGBT1〜IGBT4)はOFFになり、ランプ点灯電流Iが流れなくなる。
ランプ点灯電流Iが流れなくなることにより、電源11では、電源11内のスイッチがOFFとなり、電源11からランプ点灯電流Iが流れなくなる。そして、電源11内のコンデンサの充電を始める。この電源11の動作は、従来の電源と同様である。ただし、本実施形態では、従来技術と比べて、コンデンサに充電されたエネルギーの消費量が少ないため、次の点灯に備えた充電時間が短時間で済む。
さらに、タイミング制御回路144は、電源11がOFFとなり、電源11内にあるコンデンサが充電されるまでの時間を経過した後、大電力素子ドライブ回路143の制御許可信号153をONにする。電気アイソレーター146を介したスイッチドライブ回路133の制御許可信号154はOFFのままである。これにより、次の発光を行う準備を整えたことになる。
このような動作により、太陽電池モジュール性能評価で使用する範囲だけ、フラッシュランプを発光することができ、かつフラッシュランプへの光量を所定光量に制御できる。このため、フラッシュランプおよびコンデンサの負荷を減らすことができるので、フラッシュランプとコンデンサの劣化を低減できる。
図2で示した実施形態では、電力吸収ブロック103の電力吸収素子131(R1〜R3)は3つであり、電力吸収ブロック103の抵抗値として、3種類の抵抗値が選択できる。原理的に、この3種類の抵抗値の選択により、フラッシュランプの放射照度の電気制御を実現できる。しかしながら、電力吸収ブロック103の抵抗値にバラツキがあると、図4に示すように、VCEに加わる電圧値が、大電力素子141(IGBT1〜IGBT4)の設定領域の境界付近を選択する場合があり、電圧不足のため、適正動作に入らない場合がある。
これを回避する実施形態を図5に示す。図5において図2と異なるのは、電力吸収ブロック303の構成であり、電気発光連続制御ブロック104は図2と同様である。電力吸収ブロック303は、4つの素子(R1、R2、R3、R4)からなる電力吸収素子331、電力吸収素子331のそれぞれに対応する4つのスイッチ(SW1、SW2、SW3、SW4)からなる電力吸収素子切替スイッチ332、スイッチドライブ回路333、および切替判定回路334を有する。この電力吸収ブロック303は、Vの電圧を監視し、その電圧によって電力吸収素子331(R1〜R4)を重み付けによって選択するようにし、それによって、電気発光連続制御ブロック104の大電力素子141(IGBT1〜IGBT4)の電圧VCEに最適な電圧を供給できるようにする。
例えば表1に示すように、電力吸収素子331(R1〜R4)の抵抗値を、それぞれ0.4Ω、0.6Ω、0.8Ω、1.0Ωとし、切替判定回路334からの重み付けを行い、電力吸収ブロック303の抵抗値を選択する。重み付けによって、電力吸収素子331(R1〜R4)の抵抗値を細密に選択できるので、VCEに加わる電圧値を、大電力素子141(IGBT1〜IGBT4)の設定領域の中心付近に設定できる。これにより、電力吸収ブロック303の抵抗値にバラツキがあっても、所定電流が得られる。
Figure 2010098028
図5においては、大電力素子ドライブ回路143では、設定された光量に従い、ランプ点灯電流Iが流れるように、電圧Vを制御し、VCEを決定する。しかしながら、電気発光連続制御ブロック104の大電力素子141(IGBT1〜IGBT4)の静特性にはバラツキがある。そのため、大電力素子141各々の電流バランスが悪く、特定の半導体に電流集中が起こる場合がある。
これを回避する実施形態を図6に示す。図6において図5と異なるのは、電気発光連続制御ブロック404の構成である。電気発光連続制御ブロック404は、大電力素子141(IGBT1〜IGBT4)、電流均等化抵抗142(R5〜R8)、大電力素子ドライブ回路443、タイミング制御回路144、ランプ点灯検出回路145、および電気アイソレーター146を有する。
電気発光連続制御ブロック404では、大電力素子ドライブ回路443が、大電力素子141(IGBT1〜IGBT4)の各電圧Vを個別に監視する。
このような電気発光連続制御ブロック404において、まず、適当なランプ点灯電流Iにより、フラッシュランプ12を点灯させる。このとき、電気発光連続制御ブロック404の大電力素子ドライブ回路443では、大電力素子141(IGBT1〜IGBT4)の各電圧VE4、VE5、VE6、VE7を監視し、電圧Vを記憶する。記憶した電圧Vに従って、大電力素子141(IGBT1〜IGBT4)のバラツキを求め、IGBT1〜IGBT4の電流バランスがそろうように、大電力素子141(IGBT1〜IGBT4)の電圧Vを補正する。
それ以降に発光を行う場合は、大電力素子ドライブ回路443がそれぞれに補正した電圧Vを使って、大電力素子141(IGBT1〜IGBT4)をドライブする。これにより、大電力素子141(IGBT1〜IGBT4)にバラツキがあっても、大電力素子141(IGBT1−IGBT4)に流れる電流を均等にできる。
一方、フラッシュランプ12の特性により、光量の低下が見られる場合がある。光量の低下があると、正しい太陽電池モジュール性能評価結果が得られない。
これを回避する実施形態を図7に示す。図7において図6と異なるのは、電気発光連続制御ブロック504の構成である。電気発光連続制御ブロック504は、大電力素子141(IGBT1〜IGBT4)、電流均等化抵抗142(R5〜R8)、大電力素子ドライブ回路543、タイミング制御回路144、ランプ点灯検出回路145、電気アイソレーター146、および光量モニタ547を有する。
このような電気発光連続制御ブロック504において、まず、適当なランプ点灯電流Iによりフラッシュランプ12を点灯させる。このとき、光量モニタ547は、ランプ点灯検出回路145からの点灯検出信号151により、フラッシュランプ12の光量を監視し、そのときの光量を記憶する。
電気発光連続制御ブロック504の大電力素子ドライブ回路543では、光量モニタ547で記憶した光量に従って、光量の低下量を求める。大電力素子ドライブ回路543では、その求めた光量の低下に従って、大電力素子141(IGBT1〜IGBT4)の電圧Vを補正する。なお、この補正では、大電力素子141(IGBT1〜IGBT4)のバラツキについても、図6の実施形態と同様にして、大電力素子141(IGBT1〜IGBT4)の電圧Vを補正する。
それ以降に発光を行う場合は、大電力素子ドライブ回路543がそれぞれに補正した電圧Vを使って、大電力素子141(IGBT1〜IGBT4)をドライブする。これにより、光量の低下が見られる場合であっても、光量を補正できるので、正しい太陽電池モジュール性能評価結果を得ることができる。
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明は、大電力を要するランプの放射照度制御を行う装置として適用できる。
本発明の原理を示すブロック図。 本発明の実施の形態を示すブロック図。 図2における電圧の設定領域を説明するグラフ。 電力吸収ブロックの抵抗値にバラツキがあった場合の電圧を示すグラフ。 本発明の異なる実施の形態を示すブロック図。 本発明のさらに異なる実施の形態を示すブロック図。 本発明のさらに異なる実施の形態を示すブロック図。 従来のコンデンサ方式フラッシュランプを示す回路図。 コンデンサ方式フラッシュランプの光量と時間の関係の例を示すグラフ。
符号の説明
3、103、303 電力吸収ブロック
4、104、404、504 電気発光連続制御ブロック
11 電源
12 フラッシュランプ
31、131、331 電力吸収素子
32、132、332 電力吸収素子切替スイッチ
34 切替回路
41、141 大電力素子
42、142 電流均等化抵抗
43、143、443、543 大電力素子ドライブ回路
44、144 タイミング制御回路
133、333 スイッチドライブ回路
134、334 切替判定回路
145 ランプ点灯検出回路
146 電気アイソレーター
151 点灯検出信号
152、153、154 制御許可信号

Claims (6)

  1. フラッシュランプを用いた太陽電池モジュール性能評価用ソーラーシミュレータであって、
    電気発光連続制御手段および電力吸収手段を有し、
    前記電気発光連続制御手段は、制御インピーダンスとして使用する1個または複数の大電力素子を備え、フラッシュランプを所定の発光量に点灯するように、前記大電力素子が連続的に制御され、
    前記電力吸収手段は、1個または複数の電力吸収素子を備え、切替手段で前記電力吸収素子の動作が選択されることにより、前記大電力素子の消費電力が所定範囲内に制御されることを特徴とする、ソーラーシミュレータ。
  2. 前記電気発光連続制御手段は、前記フラッシュランプの光量の検出手段を有し、前記光量が所定値になるように、前記大電力素子が制御されることを特徴とする、請求項1に記載のソーラーシミュレータ。
  3. 前記電気発光連続制御手段は、前記大電力素子による制御出力値を個別に検出する手段を有し、前記制御出力が所定値になるように制御入力値が補正されることを特徴とする、請求項1または2に記載のソーラーシミュレータ。
  4. アナログコンピュータ、デジタルコンピュータ、またはその両者によって、前記大電力素子が動的に制御されることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載のソーラーシミュレータ。
  5. 前記切替手段は、大電力素子の制御により作動されることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載のソーラーシミュレータ。
  6. 前記電力吸収手段は、電気アイソレーターを介して前記電気発光連続制御手段と接続されていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載のソーラーシミュレータ。
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