JP2010095594A5 - - Google Patents

Description

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の接合方法は、第１の基材および第２の基材の少なくとも一方に、シリコーン材料を含有する液状材料を供給することにより液状被膜を形成する工程と、
前記液状被膜を乾燥して、前記第１の基材および前記第２の基材の少なくとも一方に、接合膜を得る工程と、
前記接合膜にプラズマを接触させることにより、前記接合膜の表面に接着性を発現させる工程と、
当該接着性が発現した接合膜を介して前記第１の基材と前記第２の基材とを接触させ、前記第１の基材と前記第２の基材とが前記接合膜を介して接合された接合体を得る工程とを有することを特徴とする。
これにより、２つの基材同士を、短時間かつ低コストで接合することができる。

Claims (15)

1. 第１の基材および第２の基材の少なくとも一方に、シリコーン材料を含有する液状材料を供給することにより液状被膜を形成する工程と、
   前記液状被膜を乾燥して、前記第１の基材および前記第２の基材の少なくとも一方に、接合膜を得る工程と、
   前記接合膜にプラズマを接触させることにより、前記接合膜の表面に接着性を発現させる工程と、
   当該接着性が発現した接合膜を介して前記第１の基材と前記第２の基材とを接触させ、前記第１の基材と前記第２の基材とが前記接合膜を介して接合された接合体を得る工程とを有することを特徴とする接合方法。
2. 前記プラズマは、ヘリウムガスを主成分とするガスをプラズマ化したものである請求項１に記載の接合方法。
3. 前記ガス中の前記ヘリウムガスの含有量は、８５ｖｏｌ％以上である請求項２に記載の接合方法。
4. 前記プラズマの接触を、大気圧下で行う請求項１ないし３のいずれかに記載の接合方法。
5. 前記プラズマの接触は、互いに対向する電極間に電圧を印加した状態で、これらの間にガスを導入することにより、プラズマ化された前記ガスを前記接合膜に供給することによりなされる請求項１ないし４のいずれかに記載の接合方法。
6. 前記電極間の距離は、０．５〜１０ｍｍである請求項５に記載の接合方法。
7. 前記電極間に印加する電圧は、１．０〜３．０ｋＶｐ−ｐである請求項５または６に記載の接合方法。
8. 前記プラズマは、ヘリウムガスを主成分とするガスをプラズマ化したものであり、当該ガスの前記電極間への供給速度は、１〜２０ＳＬＭである請求項５ないし７のいずれかに記載の接合方法。
9. 前記シリコーン材料は、その主骨格がポリジメチルシロキサンで構成される請求項１ないし８のいずれかに記載の接合方法。
10. 前記シリコーン材料は、シラノール基を有する請求項１ないし９のいずれかに記載の接合方法。
11. 前記接合膜の平均厚さは、１０〜１００００ｎｍである請求項１ないし１０のいずれかに記載の接合方法。
12. 前記第１の基材および前記第２の基材の少なくとも前記接合膜と接触する部分は、シリコン材料、金属材料またはガラス材料を主材料として構成されている請求項１ないし１１のいずれかに記載の接合方法。
13. 前記第１の基材および前記第２の基材の前記接合膜と接触する面には、あらかじめ、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項１ないし１２のいずれかに記載の接合方法。
14. 前記表面処理は、プラズマ処理または紫外線照射処理である請求項１３に記載の接合方法。
15. 請求項１ないし１４のいずれかに記載の接合方法により、前記第１の基材と前記第２の基材とを、前記接合膜を介して接合してなることを特徴とする接合体。