JP2010087064A - 表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の発光素子が配列形成されたウェハWを、発光素子が所定状態で複数配列されたブロックb毎に分割する。分割された各ブロックbを、第1中継基板S1上に所定状態に再配列した状態で移載する。第1中継基板S1上に移載された各ブロックbを発光素子毎に分割し、分割された各発光素子を所定状態で次の基板上に移載する。第1中継基板S1上に各ブロックbを移載する際には、各ブロックbに配列された複数の発光素子の特性平均を測定し、第1中継基板S1の面内において特性平均の分布が均一化するように、第1中継基板上に各ブロックbを再配列して移載する。
【選択図】図5
Description
1.第1実施形態(発光素子の特性バラツキを分散させる例)
2.第2実施形態(所定範囲の特性を有する発光素子のみを用いる例)
図1は、本第1実施形態の表示装置の製造方法を示すフローチャートである。以下、図1のフローチャートに従って、他の図を参照しつつ第1実施形態の製造方法を説明する。
図13は、本第2実施形態の表示装置の製造方法を示すフローチャートである。以下、図13のフローチャートに従って、他の図を参照しつつ第2実施形態の製造方法を説明する。尚、図1のフローチャートに従って説明した第1実施形態と同一の手順には、同一のステップを付して説明を行なう。
Claims (9)
- 複数の発光素子が配列形成されたウェハを、当該発光素子が所定状態で複数配列されたブロック毎に分割する第1工程と、
分割された前記各ブロックを、中継基板上に所定状態に再配列した状態で移載する第2工程と、
前記中継基板上に移載された前記各ブロックを前記発光素子毎に分割する第3工程と、
前記分割された各発光素子を所定状態で基板上に移載する第4工程とを行なう
表示装置の製造方法。 - 前記第2工程の前に、前記各ブロックに配列された複数の発光素子の特性平均を測定し、
前記第2工程では、前記中継基板の面内において前記特性平均の分布が均一化するように、当該中継基板上に各ブロックを再配列して移載する
請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 前記第2工程の前に、前記各ブロックに配列された複数の発光素子の特性平均を測定し、当該特性平均が所定範囲となるように当該ブロックのうちの複数を組み合わせる工程を行ない、
前記第2工程では、前記組み合わせた複数のブロックを近接させる状態で前記中継基板上に各ブロックを再配列して移載する
請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 前記ブロックのうちの複数を組み合わせる工程では、組み合わせた複数のブロックに形成された発光素子の特性平均が、全てのブロックに形成された発光素子の特性平均と略等しい前記所定範囲となるように複数のブロックを組み合わせる
請求項3記載の表示装置の製造方法。 - 前記第2工程の前に、前記各ブロックに配列された複数の発光素子の特性平均を測定し、
前記第2工程では、前記特性平均が所定の範囲である複数のブロックを選択して前記中継基板上に移載する
請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 前記第2工程では、前記中継基板上に移載する前記ブロックは、複数の前記ウェハから選択される
請求項5に記載の表示装置の製造方法。 - 前記特性平均として、前記発光素子の発光波長を測定する
請求項2〜6の何れか1項に記載の表示装置の製造方法。 - 前記第4工程では、前記中継基板と前記基板とを対向配置させ、当該中継基板上の発光素子のうちから選択された発光素子を当該基板上に転写する
請求項1〜7の何れか1項に記載の表示装置の製造方法。 - 前記第4工程では、前記中継基板に対する前記基板の対向位置を移動させ、移動させた各位置において当該中継基板上の発光素子のうちから選択された発光素子を当該基板上に転写する
請求項1〜8の何れか1項に記載の表示装置の製造方法。
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