JP2010086600A - 制御装置、制御方法、および情報記憶装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高い精度でＴＤヒータ値を決定する。
【解決手段】ヒータの複数の発熱量の下でヘッドが生成した読取信号を取得する取得部と、読取信号の特性を表す２種類以上の特性値を、少なくとも一種類のアルゴリズムにより各発熱量ごとに算出する算出部と、その２種類以上の特性値それぞれについて、ヒータの発熱量の増加に対する特性値の変化に基づきヘッドと記憶媒体との間の接触の有無を判定する接触判定部と、接触判定部でいずれかの特性値について接触有りと判定された時の発熱量を、上記ヘッドと上記記憶媒体とが接触して該ヘッドと該記憶媒体との間の距離がゼロとみなされるときの上記ヒータの発熱量として、上記ヘッドと上記記憶媒体との間の距離と、上記ヒータの発熱量との対応関係を決定する対応関係決定部とを備えた。
【選択図】図８

Description

本件は、情報を記憶する記憶媒体の表面に近接しその記憶媒体から情報を読み取って読取信号を生成するヘッドを前記記憶媒体の表面に向かって熱膨張させるヒータの制御を行う制御装置と、このようなヒータの制御を行うための制御方法と、このような制御装置を有する情報記憶装置とに関する。

近年、コンピュータ技術の発展とともに、コンピュータに接続されて情報を記憶する役割を果たす情報記憶装置に関する技術が急速に発展している。情報記憶装置の中には、磁気ディスクなどのディスク形状の記憶媒体を回転させ、その記憶媒体表面にヘッドを近接させて、記憶媒体への情報の記録や記憶媒体からの情報の再生（以下、これら記録および再生をまとめてアクセスと呼ぶ）を行う情報記憶装置が存在する。ハードディスク装置（ＨＤＤ）は、こうした情報記憶装置の代表例であり、他にも光磁気ディスク装置（ＭＯ）が知られている。

近年の情報記憶装置の分野では記憶媒体の高記録密度化が進んでおり、このような高記録密度の記憶媒体との間で高精度のアクセスを行うことが可能な情報記憶装置が強く求められている。ヘッドを記憶媒体表面に近接させてアクセスを行うタイプの情報記憶装置では、アクセス時におけるヘッドと記憶媒体との間の距離が短いほどアクセス精度が高くなるため、情報記憶装置の分野では、記憶媒体の高記録密度化に対応して、アクセス時におけるヘッドと記憶媒体との間の距離を縮小する試みが盛んに行われている。

ところで、ヘッドと記憶媒体との間の距離は、同一機種の情報記憶装置であっても個々のヘッドや記憶媒体に応じて異なることがある。このような相違は微小ではあるが、アクセス時におけるヘッドと記憶媒体との間の距離がきわめて短く高精度のアクセスが可能な情報記憶装置では、このような微小な相違が情報記憶装置の動作性能の差につながるため問題となる。こうした問題を解決するため、従来から、ヘッド内にヘッドを熱膨張させるヒータを設け、このヒータの発熱量を制御することで、ヘッドと記憶媒体との間の距離を、高精度のアクセスに適した一定の距離に維持する方式が採用されている。この方式では、工場出荷時など、情報記憶装置がユーザに使用される前の段階で、ヘッドと記憶媒体の間の距離と、ヒータの発熱量（以下、ヒータ値と略す）との対応関係が求められ、実際に情報記憶装置がユーザに使用されてアクセスが行われる段階では、この対応関係に基づき、ヘッドと記憶媒体との間の距離が適度な距離に維持されるようにヒータの発熱量が調整される。ここで、上記の対応関係の決定に際しては、まず、ヘッドが熱膨張して記憶媒体と接触（Ｔｏｕｃｈ Ｄｏｗｎ）することでヘッドと記憶媒体との間の距離がゼロとみなされるヒータ値（以下、ＴＤヒータ値と呼ぶ）が決定され、次に、このＴＤヒータ値を基準として、ＴＤヒータ値以下のヒータ値の領域について、ヘッドと記憶媒体との間の距離と、ヒータ値との対応関係が求められる。ＴＤヒータ値の決定方法としては従来からいくつかの方法（例えば、特許文献１〜特許文献４参照）が知られており、以下では、従来から行われているＴＤヒータ値の決定方法をいくつか紹介する。

図１は、ＡＧＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇａｉｎ Ｃｏｎｔｒｏｌ）利得値の変化を通じてＴＤヒータ値の決定する方法の一例を表したフローチャートである。

図１に示す、ＴＤヒータ値の決定方法では、まず最初に、ＴＤヒータ値の決定に関するヒータ制御の初期設定が行われる（ステップＳ１０１）。具体的には、この初期設定では、ヒータ値が、初期値であるゼロに設定されるとともに、後述するようにヒータ値を少しずつ増加させていくときのヒータ値の増加幅やヒータ値の上限値などが決定される。初期設定が行われた後には、現在のヒータ値が、上述のヒータ値の上限値未満であるか否かが判定される（ステップＳ１０２）。上述のヒータ値の上限値は十分に大きく、この段階では、現在のヒータ値はヒータ値の上限値未満であると判定される（ステップＳ１０２；Ｙｅｓ）。次に、ヘッドにより記憶媒体の所定のデータセクタからデータの読み取りが行われ（ステップＳ１０３）、このデータの読み取りにより、読取対象となったデータを表す再生信号が生成される。ここで、多くの情報記憶装置では、再生信号の信号レベルを自動的に所定の信号レベルまで増幅する機能が備えられており、このときの利得値はＡＧＣ利得値と呼ばれている。このＡＧＣ利得値が把握されることは、増幅前の元の再生信号の信号レベルが把握されることと等価であり、元の再生信号の信号レベルが大きいほどＡＧＣ利得値は小さくなる。このＴＤヒータ値の決定方法を採用した情報記憶装置では、ステップＳ１０３のデータの読み取りで再生信号が生成されるとともに、そのＡＧＣ利得値が取得されて（ステップＳ１０４）、その値が記憶される。ＡＧＣ利得値の記憶後、ヒータ値が所定量だけ増加される（ステップＳ１０５）。そして、先のステップＳ１０４で記憶されたＡＧＣ利得値について、ＡＧＣ利得値が飽和状態に達した（一定値に達した）か否かの判定が行われる（ステップＳ１０６）。ヒータ値が小さい状況では、後述するようにＡＧＣ利得値が飽和することはないため、最初にステップＳ１０６の判定が行われる際には、ステップＳ１０６でＮｏが選択される。そして、ヒータ値が、上述のヒータ値の上限値未満となっている限り（ステップＳ１０２；Ｙｅｓ）、以上説明した、ステップＳ１０２〜ステップＳ１０６までの過程が、ヒータ値を所定量ずつ増加させながら繰り返され、ヒータ値が徐々に大きくなっていく。

一般に、ヒータ値が増加してヘッドと記憶媒体との間の距離が短くなるほど読取精度が向上して記憶媒体からの読み取りで得られる再生信号の信号レベルは大きくなる。このため、ヒータ値が増加するほどその再生信号のＡＧＣ利得値は小さくなる。しかし、ヘッドが記憶媒体と接触するようになると、ヒータ値の増加に対して再生信号の信号レベルが変化しない状態、すなわちＡＧＣ利得値が変化しない状態（ＡＧＣ利得値の飽和状態）が見られるようになる。

図２は、図１のＴＤヒータ値の決定方法における、ヒータ値の増加に対するＡＧＣ利得値の変化を表した図である。

この図には、ヒータ値をゼロから、上述の所定量ずつ増加させたときの再生信号のＡＧＣ利得値が示されており、この図に示すように、ヒータ値が１００［ｍＷ］の手前までは、ヒータ値の増加に対し、ＡＧＣ利得値はほぼ単調に減少していく。そして、ヒータ値が１００［ｍＷ］の手前でＡＧＣ利得値がそれほど大きく変化しないようになり、ＡＧＣ利得値が飽和状態に達したことが示されている。

図１のＴＤヒータ値の決定方法では、このような性質を利用して、ヒータ値が所定量ずつ増加するごとに、ステップＳ１０６でＡＧＣ利得値が飽和状態に達したか否かが判定されることでヘッドが記憶媒体に接触したか否かの判定が行われる。具体的には、ヒータ値を所定量増加したときのＡＧＣ利得値の変化分の大きさが所定の閾値未満となった場合に、ＡＧＣ利得値が飽和状態に達していると判定される（図１のステップＳ１０６；Ｙｅｓ）。そして、このようにＡＧＣ利得値の変化分の大きさが所定の閾値未満となるＡＧＣ利得値の直前のヒータ値がＴＤヒータ値として決定される（図１のステップＳ１０７）。図２では、右端に並んだ、ヒータ値が１００［ｍＷ］付近の３つのＡＧＣ利得値のうち、ヒータ値が１００［ｍＷ］におけるＡＧＣ利得値であって右から１番目のＡＧＣ利得値と、このＡＧＣ利得値に隣接する右から２番目のＡＧＣ利得値との差の大きさは所定の閾値未満となっている。一方、右から２番目のＡＧＣ利得値と、右から３番目のＡＧＣ利得値との差の大きさは所定の閾値以上となっている。そこで、図１のＴＤヒータ値の決定方法では、これら３つのＡＧＣ利得値のうち、右から１番目のＡＧＣ利得値と右から２番目のＡＧＣ利得値とは、飽和状態に達しているＡＧＣ利得値であると判定され、右から３番目のＡＧＣ利得値がＴＤヒータ値として決定される。以上では、ＡＧＣ利得値が飽和状態に達する直前（１つ手前）のヒータ値がＴＤヒータ値として決定されたが、ＡＧＣ利得値が飽和状態に達する２つ手前のヒータ値をＴＤヒータ値としてもよく、どのような決定方式が採用されるかは、図１のステップＳ１０１の初期設定の段階であらかじめ設定される。

なお、以上では、所定のデータセクタからの読み取りで得られた再生信号のＡＧＣ利得値に基づきＴＤヒータ値が決定されたが、所定のサーボセクタからの読み取りで得られた再生信号のＡＧＣ利得値に基づいてＴＤヒータ値を決定することも可能であり、この場合も、図１のフロ−チャートの過程と同様の過程を踏んでＴＤヒータ値が決定される。

次に、図１のＴＤヒータ値の決定方法とは異なる別のＴＤヒータ値の決定方法について説明する。

図３は、ＶＴＭ（Ｖｉｔｅｒｂｉ Ｔｒｅｌｌｉｓ Ｍａｒｇｉｎ）値の変化を通じてＴＤヒータ値の決定する方法の一例を表したフローチャートである。

図３に示す、ＴＤヒータ値の決定方法でも、図１のＴＤヒータ値の決定方法と同様に、まず最初に、ＴＤヒータ値の決定に関するヒータ制御の初期設定が行われ（ステップＳ２０１）、ヒータ値が初期値ゼロに設定されるとともに、ヒータ値を少しずつ増加させていくときのヒータ値の増加幅やヒータ値の上限値などが決定される。初期設定が行われた後には、現在のヒータ値が、上述のヒータ値の上限値未満であるか否かが判定される（ステップＳ２０２）。上述のヒータ値の上限値は十分に大きく、この段階では、現在のヒータ値はヒータ値の上限値未満であると判定される（ステップＳ２０２；Ｙｅｓ）。次に、ヘッドにより記憶媒体の所定のデータセクタからデータの読み取りが行われ（ステップＳ２０３）、このデータの読み取りにより、読取対象となったデータを表す再生信号が生成される。

ここで、図３に示す、ＴＤヒータ値の決定方法を採用する情報処理装置には、再生信号のうちの一部分を解析し、ビタビアルゴリズムに基づきその再生信号の最尤の復調値を求める機能が備えられている。ＴＤヒータ値の決定方法を採用する情報処理装置では、この機能を利用して、求められた最尤の復調値と実際の復調値とのずれの程度を表す値であるＶＴＭ値を算出しその値を記憶する（ステップＳ２０４）。ここで、データセクタからデータを読み取る際の読取エラーが大きいほどＶＴＭ値は大きくなり、読取エラーがきわめて大きい場合には、ＶＴＭ値は発散状態を示すようになる。

ＶＴＭ値の記憶後にはヒータ値が所定量だけ増加される（ステップＳ２０５）。そして、先のステップＳ２０４で記憶されたＶＴＭ値について、ＶＴＭ値が発散しているか否かの判定が行われる（ステップＳ２０６）。ヒータ値が小さい状況では、後述するようにＶＴＭ値が発散することはないため、最初にステップＳ２０６の判定が行われる際には、ステップＳ２０６でＮｏが選択される。そして、ヒータ値が、上述のヒータ値の上限値未満となっている限り（ステップＳ２０２；Ｙｅｓ）、以上説明した、ステップＳ２０２〜ステップＳ２０６までの過程が、ヒータ値を所定量ずつ増加させながら繰り返され、ヒータ値が徐々に大きくなっていく。

一般に、ヒータ値が増加してヘッドと記憶媒体との間の距離が短くなっていくほど読取精度が向上し、読取エラーは少なくなる。しかし、ヘッドが記憶媒体と接触するようになると、ヘッドが記憶媒体表面の凹凸に衝突を不規則に繰り返すために読取エラーが急激に増加し、ＶＴＭ値の急激な増加（ＶＴＭ値の発散）が見られるようになる。

図４は、図３のＴＤヒータ値の決定方法における、ヒータ値の増加に対するＶＴＭ値の変化を表した図である。

この図には、ヒータ値をゼロから、上述の所定量ずつ増加させたときの再生信号のＶＴＭ値が示されている。この図に示すように、ヒータ値が１００［ｍＷ］の手前までは、ヒータ値の増加に対しＶＴＭ値は緩やかに減少していくが、ヒータ値が１００［ｍＷ］となったあたりでは、ＶＴＭ値が急激に増加しており、ＶＴＭ値が発散状態に達したことが示されている。

図３のＴＤヒータ値の決定方法では、このような性質を利用して、ヒータ値が所定量ずつ増加するごとに、ステップＳ２０６でＶＴＭ値が発散状態に達したか否かが判定されることでヘッドが記憶媒体に接触したか否かの判定が行われる。具体的には、ヒータ値を所定量増加したときのＶＴＭ値の変化分の大きさが所定の閾値より大きくなった場合に、ＶＴＭ値が発散状態に達していると判定される（図３のステップＳ２０６；Ｙｅｓ）。そして、このようにＶＴＭ値が急激に大きくなる直前でのヒータ値がＴＤヒータ値として決定される（図３のステップＳ２０７）。図４では、ヒータ値が１００［ｍＷ］のときの右から１番目のＶＴＭ値と、このＶＴＭ値に隣接する右から２番目のＶＴＭ値との間の変化分の大きさが所定の閾値より大きくなっており、この右から２番目のＶＴＭ値のヒータ値が、ＴＤヒータ値として決定される。以上では、ＶＴＭ値が急激に大きくなる直前（１つ手前）でのヒータ値がＴＤヒータ値として決定されたが、ＶＴＭ値が急激に大きくなるＶＴＭ値の２つ手前のヒータ値をＴＤヒータ値としてもよく、どのような決定方式が採用されるかは、図３のステップＳ２０１の初期設定の段階であらかじめ設定される。
特開２００６−１９０４５４号公報 特開２００７−３１０９７８号公報 特開２００８−４７２３３号公報 特開２００８−１１２５４４号公報

以上説明したように、ＴＤヒータ値の決定方法としては、従来からいくつかの方法が知られており、従来では、これらのうちの一つの決定方法のみに基づき、ヘッドと記憶媒体の接触の検出と、ＴＤヒータ値の決定とが行われる。ここで、一般に、記憶媒体表面の形状や温度や湿度等といった環境要因に応じて、ヘッドと記憶媒体との接触の仕方は異なることが多く、このため、採用されたＴＤヒータ値の決定方法では、非接触時と接触時の区別が明確につかない場合も少なくない。例えば、ヘッドが記憶媒体と接触しても、記憶媒体との間での低摩擦状態を保ちながらヒータ値の増加とともに記憶媒体に対してゆっくりと押し付けられていくソフトランディングの場合には、実際にヘッドが記憶媒体と接触していても、ヒータ値を所定量増加したときのＶＴＭ値の変化分はあまり大きくないことが多く、図３のＴＤヒータ値の決定方法では、決定したＴＤヒータ値が実際のＴＤヒータ値よりも大きめになってしまうことや、場合によってはヘッドは記憶媒体に接触していないと判定されてしまうことが起こり得る。

このようにＴＤヒータ値の精度が低いと、上述した、ヘッドと記憶媒体との間の距離と、ヒータ値との対応関係も不正確となり、アクセス時にヘッドと記憶媒体が頻繁に接触して記憶媒体の損傷を招くことがある。このため、ヘッドと記憶媒体との接触の仕方によらず、高い精度でＴＤヒータ値を決定することが望まれる。

上記事情に鑑み、本件開示の制御装置、制御方法、および情報記憶装置の課題は、高い精度でＴＤヒータ値を決定することにある。

上記目的を達成する制御装置の基本形態は、
情報を記憶する記憶媒体の表面に近接し該記憶媒体から情報を読み取って読取信号を生成するヘッドを上記記憶媒体の表面に向かって熱膨張させるヒータの制御を行う制御装置において、
上記ヒータの複数の発熱量の下で上記ヘッドから読取信号を取得する取得部と、
上記取得部により取得された読取信号から、該読取信号の特性を表す２種類以上の特性値を、少なくとも一種類のアルゴリズムにより各発熱量ごとに算出する算出部と、
上記算出部により算出された２種類以上の特性値それぞれについて、上記ヒータの発熱量に対する特性値の変化に基づき上記ヘッドと上記記憶媒体との間の接触の有無を判定する接触判定部と、
上記接触判定部でいずれかの特性値について接触有りと判定された時の発熱量を、上記ヘッドと上記記憶媒体とが接触して該ヘッドと該記憶媒体との間の距離がゼロとみなされるときの上記ヒータの発熱量として、上記ヘッドと上記記憶媒体との間の距離と、上記ヒータの発熱量との対応関係を決定する対応関係決定部とを備えている。

この制御装置の基本形態では、上記の２種類以上の特性値にそれぞれについて、ヒータの発熱量の増加に対する特性値の変化に基づいてヘッドと記憶媒体との間の接触の有無が判定されて、接触有りと判定された場合は、接触時の発熱量が求められる。このように、２種類以上の特性値それぞれについて接触の有無の判定が行われることにより、この制御装置の基本形態では、上記の対応関係の決定に用いられる接触時の発熱量が高い精度で決定されることとなる。この結果、上記の対応関係の精度も高くなり、アクセス時に不必要にヘッドと記憶媒体とが接触して記憶媒体が損傷することが回避される。

ここで、上述の、少なくとも一種類のアルゴリズムにより算出された２種類以上の特性値は、ヒータの発熱量が一定の状況下で生成された同一の読取信号に基づき算出されるものであるため、これら２種類以上の特性値の取得に要する時間は、これらの特性値のいずれか１つのみの算出が行われる場合とほとんど同じである。このため、上記の基本形態では、２種類以上の特性値それぞれについて接触の有無の判定が行われるといえども、特性値の取得に要する時間は、短く抑えられていることとなる。

また、上記目的を達成する制御方法の基本形態は、
情報を記憶する記憶媒体の表面に近接し該記憶媒体から情報を読み取って読取信号を生成するヘッドを上記記憶媒体の表面に向かって熱膨張させるヒータの制御を行うための制御方法において、
上記ヒータの複数の発熱量の下で上記ヘッドから読取信号を取得する取得過程と、
上記取得過程により取得された読取信号から、該読取信号の特性を表す２種類以上の特性値を、少なくとも一種類のアルゴリズムにより各発熱量ごとに算出する算出過程と、
上記算出過程により算出された２種類以上の特性値それぞれについて、上記ヒータの発熱量に対する特性値の変化に基づき上記ヘッドと上記記憶媒体との間の接触の有無を判定する接触判定過程と、
上記接触判定過程でいずれかの特性値について接触有りと判定された時の発熱量を、上記ヘッドと上記記憶媒体とが接触して該ヘッドと該記憶媒体との間の距離がゼロとみなされるときの上記ヒータの発熱量として、上記ヘッドと上記記憶媒体との間の距離と、上記ヒータの発熱量との対応関係を決定する対応関係決定過程とを備えている。

この制御方法の基本形態でも、２種類以上の特性値それぞれについて接触の有無の判定が行われることにより、上記の対応関係の決定に用いられる接触時の発熱量が高い精度で決定される。このため、上記の対応関係の精度も高くなり、アクセス時に不必要にヘッドと記憶媒体とが接触して記憶媒体が損傷することが回避される。

また、上記目的を達成する情報記憶装置の基本形態は、
情報を記憶する記憶媒体と、
上記記憶媒体の表面に近接する近接面を有し、該記憶媒体から情報を読み取って読取信号を生成する、上記記憶媒体の表面に向かって上記近接面を熱膨張させるヒータを内蔵したヘッドと、
上記ヒータの制御を行う制御装置とを備え、
上記制御装置が、
上記ヒータの複数の発熱量の下で上記ヘッドから読取信号を取得する取得部と、
上記取得部により取得された読取信号から、該読取信号の特性を表す２種類以上の特性値を、少なくとも一種類のアルゴリズムにより各発熱量ごとに算出する算出部と、
上記算出部により算出された２種類以上の特性値それぞれについて、上記ヒータの発熱量に対する特性値の変化に基づき上記ヘッドと上記記憶媒体との間の接触の有無を判定する接触判定部と、
上記接触判定部でいずれかの特性値について接触有りと判定された時の発熱量を、上記ヘッドと上記記憶媒体とが接触して該ヘッドと該記憶媒体との間の距離がゼロとみなされるときの上記ヒータの発熱量として、上記ヘッドと上記記憶媒体との間の距離と、上記ヒータの発熱量との対応関係を決定する対応関係決定部とを備えている。

この情報記憶装置の基本形態は、上述した制御装置の基本形態を備えており、このため、上記の対応関係の決定に用いられる接触時の発熱量が高い精度で決定されるとともに、上記の対応関係も高い精度で決定される。この結果、この情報記憶装置の基本形態では、アクセス時に不必要にヘッドと記憶媒体とが接触して記憶媒体が損傷することが回避される。

以上説明したように、制御装置、制御方法、および情報記憶装置の上記基本形態によれば、高い精度でＴＤヒータ値が決定される。

基本形態について上述した制御装置、制御方法、および情報記憶装置に対する具体的な実施形態を、以下図面を参照して説明する。

図５は、情報記憶装置の一実施形態であるハードディスク装置（ＨＤＤ）１０を表した図である。

図５に示すＨＤＤ１０には、可動式のコイルであるボイスコイル（不図示）と、ボイスコイルに一定の磁場を印加する永久磁石（不図示）とを内蔵したボイスコイルモータ４が設けられている。このボイスコイルモータ４では、ボイスコイルに電流が流されることでボイスコイルが移動することができ、このボイスコイルの移動により、軸４０を中心とする回転駆動力が発生する。このボイスコイルモータ４の回転駆動力を受けて、アーム３は、軸４０の周りを回動する。アーム３の先端には、ジンバルと呼ばれる支持具でスライダ２が取り付けられており、さらに、このスライダ２の先端部には、ヘッド１が取り付けられている。

ヘッド１は、磁気ディスク５からの情報の読み取りや磁気ディスク５への情報の書き込みを行う役割を担っており、磁気ディスク５側を向いた近接面を有している。情報の読み取りや書き込みの際には、アーム３がボイスコイルモータ４により軸４０を中心として回転駆動され、この回転駆動により、ヘッド１が、磁気ディスクの半径方向に移動し、磁気ディスクの半径方向について、情報の読み取りや書き込みを行うための目標のヘッド位置（所望のヘッド位置）に位置決めされる。ここで、所望の位置に位置決めされたヘッド１は、近接面を円盤状の磁気ディスク５の表面に向けて、磁気ディスク５の表面から微小な高さだけ浮上した位置に維持される。この図では、ヘッド１の位置を原点とし、磁気ディスク１０３の中心向き方向をｙ軸とし、図に垂直な法線方向をｚ軸として定義されたｘｙｚ直交座標系の中で、ヘッド１が表されている。

円盤状の磁気ディスク５の表面には、ディスク中心を周回する帯状のトラックが半径方向に複数並んだ構成が設けられており、図５ではこれら複数のトラックのうちの１つのトラック５０が図示されている。

円盤状の磁気ディスク５の表面には、この図に示すように、磁気ディスク５の回転中心側と磁気ディスク５の円周側との間に延びるサーボ領域５２が、複数本設けられている。このサーボ領域５２は、ヘッド１の位置決め用の情報を記憶する領域であり、半径方向の位置や円周方向の位置を表した位置情報が記録されている。例えば、図５でトラック５０とサーボ領域５２とが交差する交差部分であるサーボセクタ５２０には、トラック５０がディスク中心側から何番目のトラックであるかや、このサーボセクタ５２０が、このトラック５０における何番目のサーボセクタであるかといった情報を表すアドレス情報が記録されている。また、サーボセクタ５２０には、磁気ディスク５の半径方向について、このサーボセクタ５２０の中心位置を基準として測った距離の目盛りの情報に相当する情報（微小位置情報）も記録されており、ヘッド１がサーボセクタ５２０で情報の読み取りを行った際には、ヘッド１の読取位置が、磁気ディスク５の半径方向についてサーボセクタ５２０の中心位置からどれだけずれた位置にあるかの情報が把握されるようになっている。これらアドレス情報や微小位置情報は、上述した位置情報に含まれる情報である。ここで、複数本のサーボ領域５２の形状は、図５に示すように、いずれも、緩やかな弧を描いて湾曲した形状となっており、この湾曲した形状は、ボイスコイルモータ４の回転駆動によりヘッド１が磁気ディスク５上で移動する際のヘッド１の位置の軌跡に合わせたものである。

また、２つのサーボセクタ５２０の間の領域には、ユーザによって取り扱われる情報（以下、単に「データ」と呼ぶ）の書き込みおよび読み出しが行われるデータセクタ５１が設けられている。ここで、上記のサーボセクタ５２０やデータセクタ５１には、図５のｚ軸の正方向あるいは負方向を向いた磁化が並んでおり、このような２つの向きにより「０」および「１」の２値が表現されて１ビットの情報が表される。ここで、磁気ディスク５における、各データセクタ５１は、データセクタ５１に隣接するサーボセクタ５２０が有する位置情報によって互いに識別される。

ヘッド１は、磁気ディスク５への情報の書き込みを行う記録素子（図５では不図示）と、磁気ディスク５からの情報の読み取りを行う再生素子（図５では不図示）の２つの素子を有している。再生素子は、印加される磁界の向きに応じて電気抵抗の値が変化する磁気抵抗効果膜を備えており、データや位置情報の再生時には、再生素子は、この磁気抵抗効果膜を流れる電流の値が、磁化により発生する磁界の向きに応じて変化することを検出することで、磁化の向きで表された情報を取り出す。この電流の変化を表す信号が、取り出された情報を表す再生信号であり、その再生信号はヘッドアンプ８に出力される。また、記録素子は、電磁石として機能するコイルおよび磁極とを備えており、データの記録の際には、磁気ディスク５に近接したヘッド１中の記録素子に、データをビット値で表した電気的な記録信号がヘッドアンプ８を介して入力され、記録素子は、その記録信号のビット値に応じた向きの電流をコイルに流す。この電流によりコイル中に発生した磁界が磁極を通って、磁気ディスク５上の磁化に印加されてこの記録信号のビット値に応じた向きに磁化の方向が揃えられる。これにより、記録信号に担持されたデータが磁化方向の形式で記録されることとなる。

磁気ディスク５は、スピンドルモータ９の回転駆動力を受けて図５の面内で回転し、ヘッド１は、磁気ディスク５の回転により、円周方向に並んだサーボセクタ５２０に順次近接して、位置情報の読み取りを実行する。そして、この読取結果に基づいて、ヘッド１が、ボイスコイルモータ４の回転駆動により、磁気ディスク５の半径方向についての所望のデータセクタ５１の位置に位置決めされる。ヘッド１の位置決め後、磁気ディスク５の回転により所望のデータセクタ５１に近接したときにデータの再生／記録が実行される。

上述した、ボイスコイルモータ４、アーム３、スライダ２、ヘッド１、およびヘッドアンプ８など、情報の記憶再生に直接的に携わる各部は、磁気ディスク５とともに、ベース６に収容されており、図５では、ベース６の内側の様子が表されている。ベース６の裏側には、ボイスコイルモータ４の駆動やヘッド１によるアクセスを制御する制御回路を有する制御基板７が設けられており、図５では、制御基板７は点線で示されている。なお、ＨＤＤ１０では、ベース６の表側の各部と、ベース６の裏側の制御基板７との全体は、この図では不図示の筺体に収容されている。上記の各部は、不図示の機構でこの制御基板７と電気的に導通しており、ヘッド１に入力される上述の記録信号や、ヘッド１で生成された上述の再生信号は、この制御基板７において処理される。

次に、この制御基板７について説明する。

図６は、制御基板７の構成を表した図である。

制御基板７には、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）ドライバ４ａを介したボイスコイルモータ（ＶＣＭ）４の制御や、ヘッド１内に設けられヘッド１の近接面を磁気ディスク５に向かって熱膨脹させるヒータ１ｃについての制御を行うＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）７０が備えられている。このヒータ１ｃの制御については後で詳しく説明する。また、制御基板７には、図５の磁気ディスク５へのヘッド１によるデータの記録／再生（アクセス）を制御するディスクコントローラ７２や、情報を蓄えるメモリ７３も設けられている。また、この制御基板７には、ヘッドアンプ８を介して再生素子１ａから送られてくる再生信号や、ヘッドアンプ８を介して記録素子１ｂに送られる記録信号の信号処理を実行するＲ／Ｗチャネル７１も設けられている。

データの記録が行われる際には、このＨＤＤ１０に接続されたコンピュータなどの外部機器から、ディスクコントローラ７２を介してＲ／Ｗチャネル７１に記録信号が入力され、Ｒ／Ｗチャネル７１で、後述するようにアナログ／デジタル変換などの各種の信号処理が行われる。信号処理が行われた記録信号は、ヘッドアンプ８で増幅された後、ヘッド１内の記録素子１ｂに入力され、上述したように、磁気ディスク５へのデータの記録が実行される。

データの再生および位置情報の再生が行われる際には、上述したように、ヘッド１の再生素子１ａで再生信号が生成され、その再生信号は、ヘッドアンプ８で増幅された後、Ｒ／Ｗチャネル７１に入力されて各種の信号処理が施される。ここで、データの再生信号は、Ｒ／Ｗチャネル７１での信号処理後にディスクコントローラ７２に送られ、さらにディスクコントローラ７２から、このＨＤＤ１０に接続された外部機器（コンピュータなど）に送られる。一方、位置情報の再生信号は、Ｒ／Ｗチャネル７１での信号処理後にＭＰＵ７０に入力される。ＭＰＵ７０は、ディスクコントローラ７２からヘッド１の位置決め制御実行の指示を受けて、入力された位置情報の再生信号に基づきボイスコイルモータ（ＶＣＭ）ドライバ４ａを介したボイスコイルモータ（ＶＣＭ）４の制御を行うことで、ヘッド１の位置決め制御を実行する。

本実施形態のＨＤＤ１０では、ヘッド１を磁気ディスク５に向かって熱膨張させるヒータ１ｃの制御を通じて、ヘッド１と磁気ディスク５との間の距離が、高精度のアクセスが可能な一定の距離に維持されている。このＨＤＤ１０では、ヘッド１と磁気ディスク５との間の距離と、ヒータ１ｃの発熱量（以下、ヒータ値と略す）との対応関係を求める機能が備えられており、この対応関係は、ユーザによりアクセスが行われる前の段階で求められて、実際に情報記憶装置がユーザに使用されてアクセスが行われる段階では、この対応関係に基づき、ヒータ１ｃの制御が実行される。ここで、上記の対応関係が求められる際には、まず、ヘッド１が熱膨張して磁気ディスク５と接触（Ｔｏｕｃｈ Ｄｏｗｎ）することでヘッド１と磁気ディスク５との間の距離がゼロとみなされるヒータ値（以下、ＴＤヒータ値と呼ぶ）が決定され、次に、このＴＤヒータ値を基準として、ＴＤヒータ値以下のヒータ値の領域について、ヘッドと磁気ディスクとの間の距離と、ヒータ値との対応関係が求められる。

以下では、本実施形態のＨＤＤ１０におけるＴＤヒータ値の決定方法について説明する。このＴＤヒータ値の決定に際しては、図６のＲ／Ｗチャネル７１が重要な役割を果たし、Ｒ／Ｗチャネル７１の再生信号の処理機能が利用される。そこで、ＴＤヒータ値の決定方法について説明するにあたり、まず、Ｒ／Ｗチャネル７１の再生信号の処理機能について詳しく説明する。

図７は、再生信号の信号処理の際のＲ／Ｗチャネル５７１の機能を表した機能ブロック図である。

Ｒ／Ｗチャネル７１は、可変利得アンプ部７１１、可変イコライザ部７１２、レジスタ部７１３、ＡＤ変換部７１４、ＶＴＭ値算出部７１５、および復調部７１６を有している。

ヘッド１の読取素子１ａによりサーボセクタ５２０での読み取りで得られた位置情報の再生信号や、ヘッド１の読取素子１ａによりデータセクタ５１での読み取りで得られたデータの再生信号は、ヘッドアンプ８で増幅された後、読み取られた順に、可変利得アンプ部７１１に次々と入力され、可変利得アンプ部７１１で設定されている利得値の下での増幅処理が施される。ここで、後述するようにこの利得値の設定値は可変であり、増幅後の再生信号の信号レベルが所定の信号レベルになるように、入力される再生信号の信号レベルに応じて逐次変更される。可変イコライザ部７１２は、可変利得アンプ部７１１による増幅後の再生信号について、高周波のノイズ成分を除去する等の周波数特性の調整を行う。ＡＤ変換部７１４は、可変イコライザ部７１２で周波数特性の調整が行われた再生信号を、アナログ信号からデジタル信号に変換する。また、ＡＤ変換部７１４は、可変イコライザ部７１２で周波数特性の調整が行われた再生信号の信号レベルに基づき、可変利得アンプ部７１１における利得値を、上記の所定の信号レベルまでの増幅処理を行うのに適当な利得値となるようにするための利得値を求める。その利得値はレジスタ部７１３に渡されて記録される。可変利得アンプ部７１１は、レジスタ部７１３に記録されている利得値を読み出して、現在設定されている利得値を、その読み出した利得値に変更する。まとめると、このＲ／Ｗチャネル７１では、可変利得アンプ部７１１、可変イコライザ部７１２、ＡＤ変換部７１４、およびレジスタ部７１３により、利得値の制御を行うＡＧＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇａｉｎ Ｃｏｎｔｒｏｌ：自動利得制御）ループが形成されており、このＡＧＣループにより、利得値は、再生信号の信号レベルが所定の信号レベルになるのに適当な利得値に適宜変更される。以下では、ＡＤ変換部７１４で求められた利得値をＡＧＣ利得値と呼ぶ。また、ＡＤ変換部７１４は、再生信号が位置情報についての再生信号である場合には、この再生信号から、ヘッド１の読取位置が磁気ディスク５の半径方向についてサーボセクタ５２０の中心位置からどれだけずれた位置にあるかを表す位置精度の値を取り出してレジスタ部７１３に渡し、この位置精度の値もレジスタ部７１３に記録される。ここで、この位置精度は、ヘッド１が図５のサーボセクタ５２０における上述の微小位置情報を読み取ることで得られるものであり、位置精度の値が大きいほど、ヘッド１の読取位置が、磁気ディスク５の半径方向についてサーボセクタ５２０の中心位置から大きくずれていることとなる。

ＡＤ変換部７１４でデジタル信号となった後の位置情報やデータの再生信号は、復調部７１６に渡されて位置情報やデータの復調が行われ、位置やデータの復調値が生成される。この復調値は、復調部７１６から、ＶＴＭ算出部７１５を介してレジスタ部７１３に渡され、レジスタ部７１３に記録される。ここで、ＶＴＭ算出部７１５は、再生信号のうちの一部分を解析し、ビタビアルゴリズムに基づきその再生信号の最尤の復調値を求める機能を備えており、求められた最尤の復調値と実際の復調値とのずれの程度を表す値であるＶＴＭ（Ｖｉｔｅｒｂｉ Ｔｒｅｌｌｉｓ Ｍａｒｇｉｎ）値を算出することができる。このＶＴＭ値の算出は、Ｒ／Ｗチャネル７１がＶＴＭ値算出モードに設定されているときにデータについての再生信号に対して行われるものであり、Ｒ／Ｗチャネル７１の動作モードがＶＴＭ値算出モードに設定されているときには、復調部７１６で得られた復調値と、ＶＴＭ算出部７１５で算出されたＶＴＭ値との両方がレジスタ部７１３に渡され、レジスタ部７１３に記録される。一方、Ｒ／Ｗチャネル７１の動作モードがＶＴＭ値算出モードに設定されていないときには、復調部７１６で得られた復調値は、ＶＴＭ算出部７１５を素通りしてレジスタ部７１３に渡されてレジスタ部７１３に記録される。

後述するように、本実施形態のＨＤＤ１０では、レジスタ部７１３に記録される、位置情報およびデータについてのＡＧＣ利得値と、位置精度と、ＶＴＭ値とに基づき、ＴＤヒータ値が決定される。

ここで、図７には、ＴＤヒータ値を決定する際のＭＰＵ７０の機能を表した機能ブロックも示されており、この図に示すように、ＭＰＵ７０には、ヒータ制御部７０１、レジスタ値取得部７０３、および制御／算出部７０２が備えられている。

ヒータ制御部７０１は、ヘッドアンプ８を介して、ヘッド１内のヒータ１ｃに供給される電力の制御を行う。ここで、この電力の値が、上述したヒータ値であり、従ってヒータ制御部７０１はヒータ値の制御を担当している。レジスタ値取得部７０３は、Ｒ／Ｗチャネル７１のレジスタ部７１３に記録されている、データおよび位置情報の再生信号のＡＧＣ利得値、位置精度、およびＶＴＭ値をレジスタ部７１３から取得してメモリ７３に記録する。また、制御／算出部７０２は、ヒータ制御部７０１の制御を行う役割や、メモリ７３に記録されているＡＧＣ利得値、位置精度、およびＶＴＭ値について、サーボセクタ５２０やデータセクタ５１についての平均値や標準偏差値を算出してメモリ７３に記録する役割を担っている。なお、この図７には不図示であるが、ＭＰＵ７０には、Ｒ／Ｗチャネル７１における、データの再生信号の処理タイミングを決めるリードゲート信号や、Ｒ／Ｗチャネル７１における、位置情報の再生信号の処理タイミングを決めるサーボゲート信号を生成する機能も備えられている。

ここで、Ｒ／Ｗチャネル７１やＭＰＵ７０を備えている図６の制御基板７が、基本形態について上述した制御装置の一実施形態である。また、図７のヒータ制御部７０１、レジスタ値取得部７０３、可変利得アンプ部７１１、可変利得イコライザ部７１２を合わせたものが、上述した基本形態における取得部の一例に相当し、ＡＤ変換部７１４、復調部７１６、レジスタ部７１３、および、ＶＴＭ算出部７１５を合わせたものが、上述した基本形態における算出部の一例に相当する。また、メモリ７３と制御／算出部７０２をあわせたものが、上述した基本形態における接触判定部の一例に相当し、制御／算出部７０２が、上述した基本形態における対応関係決定部の一例に相当する。

次に、本実施形態のＨＤＤ１０で実行されるＴＤヒータ値の決定方法の流れについて詳しく説明する。本実施形態のＨＤＤ１０では、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の検出が、４種類の検出方法によって実行される。この４種類の検出方法とは、データについてのＡＧＣ利得値、位置情報についてのＡＧＣ利得値、位置精度、およびＶＴＭ値の４種類の値それぞれについて、ヒータ値の増加に対する変化を調べることでヘッド１と磁気ディスク５との接触を検出する方法である。

図８は、本実施形態のＴＤヒータ値が決定方法の流れを表したフローチャートである。

本実施形態のＨＤＤ１０では、まず最初に、ＴＤヒータ値の決定に関するヒータ制御の初期設定が行われる（ステップＳ３０１）。具体的には、この初期設定では、ヒータ値が、初期値であるゼロに設定されるとともに、後述するようにヒータ値を少しずつ増加させていくときのヒータ値の増加幅やヒータ値の上限値などが決定される。初期設定が行われた後には、磁気ディスク５の所定のトラック５０における全データセクタ５２０それぞれに同一のデータが書き込まれる（ステップＳ３０２）。次に、現在のヒータ値が、上述のヒータ値の上限値未満であるか否かが判定される（ステップＳ３０３）。上述のヒータ値の上限値は十分に大きく、この段階では、現在のヒータ値はヒータ値の上限値未満であると判定される（ステップＳ３０３；Ｙｅｓ）。次に、ＭＰＵ７０によりＲ／Ｗチャネル７１がＶＴＭ値算出モードに設定される（ステップＳ３０４）。そして、ヘッド１により、上記の所定のトラック５０におけるデータセクタ５２０やサーボセクタ５１からのデータや位置情報の読み取りが開始され、各サーボセクタ５２０ごとのＡＧＣ利得値と位置精度、および、各データセクタ５１ごとのＡＧＣ利得値とＶＴＭ値とが取得される（ステップＳ３０５）。ここで、これらの各値が取得される様子について詳しく説明する。

図９は、各サーボセクタ５２０ごとのＡＧＣ利得値と位置精度、および、各データセクタ５１ごとのＡＧＣ利得値とＶＴＭ値とが取得される際の、取得の流れを表すタイミングチャートである。

この図では、ＭＰＵ７０が生成するサーボゲート信号とリードゲート信号とが時間軸を合わせて示されている。このＨＤＤ１０では、サーボゲート信号のゲートが立ち上がっている期間にサーボセクタ５２０から得られる位置情報の再生信号の処理が行われ、リードゲート信号のゲートが立ち上がっている期間にデータセクタ５１から得られるデータの再生信号の処理が行われる。ここで、図９では、各ゲート信号でゲートが立ち上がっている期間に行われるＲ／Ｗチャネル７１の具体的な処理内容や、各ゲート信号でゲートが立ち立ち上がる前後で行われるＲ／Ｗチャネル７１の具体的な動作内容についても示されている。準備期間Ｉでは、上述したようにＲ／Ｗチャネル７１の動作モードがＶＴＭ値算出モードに設定される。

ここで、上記の所定のトラック５０の全サーボセクタ５２０のうち、所定のサーボセクタ５２０には、この所定のサーボセクタ５２０を他のサーボセクタ５２０と区別するための目印（Ｉｎｄｅｘ）となる識別データが記録されており、この所定のサーボセクタは、この識別データにより、この所定のトラック５０のサーボセクタ５２０のうちの先頭（０番目）のサーボセクタ５２０であるとして図７のＭＰＵ７０に認識される。

図９では、サーボゲート信号における０番目のゲートの立ち上がりの期間である第０サーボゲート立ち上がり部ＳＧ０で、０番目のサーボセクタ５２０についての位置情報の再生信号の処理が行われる。この第０サーボゲート立ち上がり部ＳＧ０では、０番目のサーボセクタ５２０に記録されている位置情報の再生信号について、ＡＧＣ利得値や位置精度がＡＤ変換部７１４により取得されて図７のレジスタ部７１３に記録される。第０サーボゲート立ち上がり部ＳＧ０の期間の終了直後には、今度は、リードゲート信号において０番目のゲートが立ち上がる。リードゲート信号における０番目のゲートの立ち上がりの期間である第０リードゲート立ち上がり部ＲＧ０で、０番目のデータセクタ５１についてのデータの再生信号の処理が行われる。この０番目のデータセクタ５１は、上述した０番目のサーボセクタ５２０に隣接したデータセクタであって、０番目のサーボセクタ５２０の次にヘッド１が隣接するデータセクタである。この第０リードゲート立ち上がり部ＲＧ０では、０番目のデータセクタ５１に記録されているデータの再生信号について、ＡＧＣ利得値やＶＴＭ値が図７のＡＤ変換部７１４により取得されてレジスタ部７１３に記録される。第０リードゲート立ち上がり部ＲＧ０の期間の終了後には、第０中間期間Ｍ０において、この時点でレジスタ部７１３に記録されている、位置情報やデータの再生信号についてのＡＧＣ利得値、位置精度、およびＶＴＭ値が、図７のＭＰＵ７０内のレジスタ値取得部７０３によりメモリ７３に記録される。そして、このメモリ７３への記録後には、レジスタ部７１３は初期化されてレジスタ部７１３に記録されていた各値は消去される。

第０中間期間Ｍ０の終了後には、サーボゲート信号における１番目のゲートの立ち上がりの期間である第１サーボゲート立ち上がり部ＳＧ１で、１番目のサーボセクタ５２０についての位置情報の再生信号の処理が行われ、ＡＧＣ利得値や位置精度が図７のＡＤ変換部７１４により取得されてレジスタ部７１３に記録される。第１サーボゲート立ち上がり部ＳＧ１の期間の終了直後には、リードゲート信号における１番目のゲートの立ち上がりの期間である第１リードゲート立ち上がり部ＲＧ１で、１番目のデータセクタ５１についてのデータの再生信号の処理が行われる。この第１リードゲート立ち上がり部ＲＧ１では、１番目のデータセクタ５１に記録されているデータの再生信号について、ＡＧＣ利得値やＶＴＭ値が図７のＡＤ変換部７１４により取得されてレジスタ部７１３に記録される。第１リードゲート立ち上がり部ＲＧ１の期間の終了後には、第１中間期間Ｍ１において、この時点でレジスタ部７１３に記録されている、位置情報およびデータの再生信号それぞれのＡＧＣ利得値、位置精度、およびＶＴＭ値が、図７のＭＰＵ７０内のレジスタ値取得部７０３によりメモリ７３に記録される。そして、このメモリ７３への記録後には、レジスタ部７１３は初期化されてレジスタ部７１３に記録されていた各値は消去される。

このようにして、サーボゲート信号やリードゲート信号においてゲートが立ち上がるごとに、メモリ７３に位置情報やデータの再生信号についてのＡＧＣ利得値、位置精度、およびＶＴＭ値の取得とメモリ７３への記録とが繰り返される。磁気ディスク５では、１つのトラック５０には、サーボセクタ５２０とデータセクタ５１とが、それぞれ、０番目からｎ番目までの（ｎ＋１）個設けられており、最終的に、サーボゲート信号におけるｎ番目のゲートの立ち上がりの期間である第ｎサーボゲート立ち上がり部ＳＧｎで、ｎ番目のサーボセクタ５２０について位置情報の再生信号のＡＧＣ利得値や位置精度がレジスタ部７１３に記録され、さらに、リードゲート信号におけるｎ番目のゲートの立ち上がりの期間である第ｎリードゲート立ち上がり部ＲＧｎで、上記の所定のトラック５０における最後のデータセクタ５１であるｎ番目のデータセクタ５１についてデータの再生信号のＡＧＣ利得値やＶＴＭ値がレジスタ部７１３に記録されて、第ｎ中間期間Ｍｎにおいて、この時点でレジスタ部７１３に記録されている各値がメモリ７３に記録される。

そして、識別データが記録されている上述の所定のサーボセクタが再びヘッド１に近接してその識別データが読み取られることで、１周分の読み取りが終了したことがＭＰＵ７０に認識されると、ＭＰＵ７０は、図９の終了期間Ｆにおいて、Ｒ／Ｗチャネル７１の動作モードとして設定されていたＶＴＭ値算出モードを解除する。

図１０は、メモリ７３に記録されている、位置情報およびデータの再生信号それぞれのＡＧＣ利得値、位置精度、およびＶＴＭ値についての格納アドレスの構成例を表した図である。

この図では、０番目からｎ番目までの全部で（ｎ＋１）個のサーボセクタ５２０それぞれについての再生信号のＡＧＣ利得値の格納アドレスが「ＶＧＡＳ」の欄に記載され、（ｎ＋１）個のサーボセクタ５２０それぞれについての位置精度の格納アドレスが「Ｐｏｓｉｔｉｏｎ」の欄に記載されている。また、この図では、０番目からｎ番目までの全部で（ｎ＋１）個のデータセクタ５１それぞれについての再生信号のＡＧＣ利得値の格納アドレスが「ＶＧＡＲ」の欄に記載され、（ｎ＋１）個のデータセクタ５１それぞれについてのＶＴＭ値が「ＶＴＭ」の欄に記載されている。各欄の数値は、１６進法で４桁の数値であって、それぞれメモリ７３における格納アドレス（格納場所）を表している。なお、各欄の数値の最後に付された「ｈ」は、数値が１６進法で表された数値であることを示す記号であり、「Ｒｅｓｅｒｖｅ」の欄は、ＡＧＣ利得値、位置精度、およびＶＴＭ値の他に取得すべき値があるときのための予備の欄である。

図８に戻って説明を続ける。

トラック５０における１周分（全部で（ｎ＋１）個）のサーボセクタ５２０やデータセクタ５１について、ＡＧＣ利得値、位置精度、およびＶＴＭ値が取得されると、図７のＭＰＵ７０内の制御／算出部７０２は、（ｎ＋１）個のサーボセクタ５２０それぞれについてのＡＧＣ利得値や位置精度に基づき、（ｎ＋１）個のサーボセクタ５２０についての平均値と標準偏差値を算出し、メモリ７３に記録する。また、制御／算出部７０２は、（ｎ＋１）個のデータセクタ５１それぞれについてのＡＧＣ利得値やＶＴＭ値に基づき、（ｎ＋１）個のデータセクタ５２０についての平均値と標準偏差値を算出し、メモリ７３に記録する（図８のＳ３０６）。

メモリ７３への記録後、これらの平均値と標準偏差値に基づき、後で詳述する４種類の検出方法それぞれについて、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の検出が行われる（ステップＳ３０７）。そして、いずれかの検出方法でヘッド１と磁気ディスク５との接触が検出されたか否かが判定される（ステップＳ３０８）。ヒータ値が小さい状況では、ヘッド１は磁気ディスク５表面から十分に離れており、いずれの検出方法でもヘッド１と磁気ディスク５との接触の検出されることはなく、最初にステップＳ３０７の判定が行われる際には、ステップＳ３０８でＮｏが選択される。

次に、図７の制御／算出部７０２は、ヒータ制御部７０１に指示を出してヒータ値を所定量だけ増加させ（ステップＳ３０９）、その新たなヒータ値の下で、以上説明した、ステップＳ３０３〜ステップＳ３０９までの過程が再び行われ、ＡＧＣ利得値、位置精度、ＶＴＭ値の平均値と標準偏差値がメモリ７３に記録される。ヒータ値が、上述のヒータ値の上限値未満であって（ステップＳ３０３；Ｙｅｓ）、かつ、ヘッド１が磁気ディスク５からある程度離れている限り（ステップＳ３０８；Ｎｏ）、このように、ステップＳ３０３〜ステップＳ３０９までの過程が、ヒータ値を所定量ずつ増加させながら繰り返され、それとともにヘッド１の熱膨張でヘッド１と磁気ディスク５との間の距離は次第に短くなっていく。このとき、各ヒータ値ごとに、ＡＧＣ利得値、位置精度、ＶＴＭ値の平均値と標準偏差値がメモリ７３に記録されていくこととなる。

図１１は、メモリ７３に記録されている、位置情報およびデータの再生信号それぞれのＡＧＣ利得値、位置精度、およびＶＴＭ値についての平均値と標準偏差値の格納アドレスの構成例を表した図である。

この図では、ヒータ値をゼロから所定量ずつ増加していったときの、その増加の回数ごとに、位置情報およびデータの再生信号それぞれのＡＧＣ利得値、位置精度、およびＶＴＭ値のぞれぞれについての平均値および標準偏差値の格納アドレスが示されている。この図では、サーボセクタ５２０からの位置情報の再生信号のＡＧＣ利得値についての平均値および標準偏差値の各格納アドレスが、それぞれ「ＶＧＡＳ平均」および「ＶＧＡＳ偏差」の欄に記載され、位置精度についての平均値および標準偏差値の各格納アドレスが、それぞれ「Ｐｏｓ平均」および「Ｐｏｓ偏差」の欄に記載されている。また、この図では、データセクタ５１からのデータの再生信号のＡＧＣ利得値についての平均値および標準偏差値の各格納アドレスが、それぞれ「ＶＧＡＲ平均」および「ＶＧＡＲ偏差」の欄に記載され、ＶＴＭ値についての平均値および標準偏差値の各格納アドレスが、それぞれ「ＶＴＭ平均」および「ＶＴＭ偏差」の欄に記載されている。各欄の数値は、１６進法で４桁の数値であって、それぞれメモリ７３における格納アドレス（格納場所）を表している。なお、各欄の数値の最後に付された「ｈ」は、数値が１６進法で表された数値であることを示す記号であり、「Ｒｅｓｅｒｖｅ」の欄は、ＡＧＣ利得値、位置精度、およびＶＴＭ値の平均値および標準偏差値の他に算出すべき値があるときのための予備の欄である。

図１２は、データの再生信号のＡＧＣ利得値の平均値および標準偏差値がヒータ値の増加とともに変化する様子の一例を表した図、図１３は、位置情報の再生信号のＡＧＣ利得値の平均値および標準偏差値がヒータ値の増加とともに変化する様子の一例を表した図、図１４は、ＶＴＭ値の平均値および標準偏差値がヒータ値の増加とともに変化する様子の一例を表した図、図１５は、ＶＴＭ値の平均値および標準偏差値がヒータ値の増加とともに変化する様子の一例を表した図である。

図１２のパート（ａ）および図１３のパート（ａ）には、データおよび位置情報の再生信号のＡＧＣ利得値の平均値の変化の様子がそれぞれ表されている。ヘッド１が磁気ディスク５表面から離れている限り、ヒータ値が増加してヘッド１と磁気ディスク５との間の距離が短くなるほど読取精度が向上して磁気ディスク５からの読み取りで得られる再生信号の信号レベルは大きくなる。このため、ヒータ値が小さくてヘッド１が磁気ディスク５表面から離れている間は、図１２のパート（ａ）や図１３のパート（ａ）に示すように、ヒータ値がゼロから増加していくにつれてＡＧＣ利得値の平均値は小さくなっていく。

図１２のパート（ｂ）および図１３のパート（ｂ）には、データおよび位置情報の再生信号のＡＧＣ利得値の標準偏差値の変化の様子がそれぞれ表されている。ヘッド１が磁気ディスク５表面から一定の距離離れている状況では、サーボセクタ５２０やデータセクタ５１での読み取りで得られる個々の再生信号の信号レベルは、これらセクタ間ではそれほど差がなく、従ってＡＧＣ利得値の標準偏差値は小さい値となる。このため、ヒータ値が小さくてヘッド１が磁気ディスク５表面から離れている間は、図１２のパート（ｂ）や図１３のパート（ｂ）に示すように、ヒータ値がゼロから増加していってもＡＧＣ利得値の標準偏差値は、ほぼ一定の小さい値に維持される。

図１４のパート（ａ）には、ＶＴＭ値の平均値が、ヒータ値の増加とともに変化する様子が表されている。ヘッド１が磁気ディスク５表面から離れている限り、ヒータ値が増加してヘッド１から磁気ディスク５までの距離が短くなっていくほど読取精度が向上して読取エラーは少なくなるため、ＶＴＭ値は減少する。このため、ヒータ値が小さくてヘッド１が磁気ディスク５表面から離れている間は、図１４のパート（ａ）に示すように、ヒータ値がゼロから増加していくと、ＶＴＭ値が少しずつ減少していく。

図１４のパート（ｂ）には、ヒータ値の増加に対するＶＴＭ値の標準偏差値の変化の様子が表されている。ヘッド１が磁気ディスク５表面から一定の距離離れている状況では、データセクタ５１での読み取りで得られるＶＴＭ値は、これらデータセクタ間ではそれほど差がなく、従ってＶＴＭ値の標準偏差値は小さい値となる。このため、ヒータ値が小さくてヘッド１が磁気ディスク５表面から離れている間は、図１４のパート（ｂ）に示すように、ヒータ値がゼロから増加していってもＶＴＭ値の標準偏差値は、それほど大きくは変動せずに小さい値に維持される。

図１５のパート（ａ）には、ヒータ値の増加に対する位置精度の平均値の変化の様子が表されている。本実施形態のＨＤＤ１０では、ヘッド１が磁気ディスク５表面から離れている限り、ヘッド１は磁気ディスク５の半径方向についての所望の位置にかなり高い精度で位置決めされる。このため、ヒータ値が小さくてヘッド１が磁気ディスク５表面から離れている間は、図１４のパート（ａ）に示すように、ヒータ値がゼロから増加していっても位置精度の平均値は、それほど大きくは変動せずに小さい値に維持される。

図１５のパート（ｂ）には、ヒータ値の増加に対する位置精度の標準偏差値の変化の様子が表されている。ヘッド１が磁気ディスク５表面から一定の距離離れている状況では、サーボセクタ５２０での読み取りで得られる位置精度は、これらサーボセクタ間ではそれほど差がなく、従って位置精度の標準偏差値は小さい値となる。このため、ヒータ値が小さくてヘッド１が磁気ディスク５表面から離れている間は、図１５のパート（ｂ）に示すように、ヒータ値がゼロから増加していっても位置精度の標準偏差値は、それほど大きくは変動せずに小さい値に維持される。

以上、ヒータ値が小さくてヘッド１が磁気ディスク５表面から離れているときの、位置情報およびデータそれぞれの再生信号のＡＧＣ利得値、位置精度、およびＶＴＭ値の４種類の値についての平均値および標準偏差値の振る舞いについて詳しく説明したが、図８のステップＳ３０３〜ステップＳ３０９までの過程が、ヒータ値を所定量ずつ増加させながら何度も繰り返されるにつれ、やがて、ヘッド１が磁気ディスク５表面に接触し始めるようになる。ヘッド１が磁気ディスク５表面に接触するようになると、上記の４種類についての平均値および標準偏差値は、ヒータ値が小さくてヘッド１が磁気ディスク５表面から離れているときとは異なる振る舞いを示すようになる。

例えば、データや位置情報の再生信号におけるＡＧＣ利得値の平均値については、ヘッドが磁気ディスクと接触するようになると、ヒータ値の増加に対して再生信号の信号レベルが変化しない状態、すなわちＡＧＣ利得値の平均値が変化しない状態（ＡＧＣ利得値の平均値の飽和状態）が見られるようになる。また、場合によっては、ヘッドが磁気ディスク表面の凹凸と衝突を繰り返すことで、ＡＧＣ利得値の平均値の変動が見られることもある。例えば、図１３のパート（ａ）では、ヒータ値が８０［ｍＷ］付近でＡＧＣ利得値の平均値があまり変化しなくなっており、図１２のパート（ａ）では、ヒータ値が８０［ｍＷ］付近でＡＧＣ利得値の平均値が少し増加している。

また、ヘッド１が磁気ディスク５表面の凹凸と衝突するようになることでセクタ間でＡＧＣ利得値に差が出やすくなり、ＡＧＣ利得値の標準偏差値が大きくなることがある。例えば、図１２のパート（ｂ）では、７５［ｍＷ］以上のヒータ値でＡＧＣ利得値の標準偏差値が急激に大きくなっており、図１３のパート（ｂ）では、８０［ｍＷ］付近のヒータ値でＡＧＣ利得値の標準偏差値が少し大きくなっている。

また、ＶＴＭ値の平均値については、ヘッド１が磁気ディスク５と接触し始めると、読取エラーが多くなってＶＴＭ値の平均値が急増しやすくなる。ＶＴＭ値の標準偏差値については、ヘッド１が磁気ディスク５表面の凹凸と衝突するようになることでデータセクタ間でＶＴＭ値に差が出やすくなり、ＶＴＭ値の標準偏差値が急激に大きくなることがある。

また、位置精度の平均値については、ヘッド１が磁気ディスク５と接触し始めると、ヘッド１が磁気ディスク５表面の凹凸と衝突するようになることで、ヘッド１の読取位置が、磁気ディスク５の半径方向についてサーボセクタ５２０の中心位置から大きくずれやすくなり、位置精度の値（すなわち、読取位置と中心位置との距離を表す値）は、大きくなる現象が見られることがある。また、位置精度の標準偏差値については、ヘッド１が磁気ディスク５表面の凹凸と衝突するようになることでサーボセクタ５２０間で位置精度に差が出やすくなり、位置精度の標準偏差値が急激に大きくなることがある。

ここで、以上説明した特徴的な変化の起こりやすさは、ヘッドと磁気ディスクとの接触の仕方に大きく依存しており、磁気ディスク表面の形状や温度や湿度等といった環境要因に依存して異なるものとなりやすい。このため、変化の検出対象となるのが上記の４種類のいずれであるかによってＴＤヒータ値が異なることになりやすく、以上説明した特徴的な変化のいずれか１つだけに基づいてＴＤヒータ値が決定された場合、ＴＤヒータ値が、接触が起きる実際のヒータ値より大きめとなったり、場合によっては、ヘッドは磁気ディスクに接触していないと判定されてしまうことが起こり得る。

例えば、図１３のパート（ｂ）や図１５のパート（ｂ）では、８０［ｍＷ］以上のヒータ値で標準偏差値が少し大きくなっているものの、７５［ｍＷ］以上８０［ｍＷ］以下のヒータ値では変化が見られず、７５［ｍＷ］以上のヒータ値で変化が見られる図１２のパート（ｂ）と比べると、図１３のパート（ｂ）のみに基づくＴＤヒータ値や、図１５のパート（ｂ）のみに基づくＴＤヒータ値は、実施よりもＴＤヒータ値が大き目に評価されてしまう可能性がある。また、図１４のパート（ａ）、図１４のパート（ｂ）、および図１５のパート（ａ）では、ヒータ値の目立った変化が見られず、図１４のパート（ａ）のみに基づく接触の判定、図１４のパート（ｂ）のみに基づく接触の判定、および、図１５のパート（ａ）のみに基づく接触の判定では、ヘッドは磁気ディスクに接触していないと判定されてしまうことが起こり得る。

このように、４種類の値のいずれか一つだけに基づいてヘッドと磁気ディスクとの接触を検出してＴＤヒータ値を決定する方法では、ヘッドと磁気ディスクとの接触の仕方に応じてＴＤヒータ値の精度が低く、ヘッドと磁気ディスクとの間の距離と、ヒータ値との対応関係も不正確となる。このため、この方法が採用された場合、アクセス時にヘッドと磁気ディスクが頻繁に接触して磁気ディスクの損傷を招くおそれがある。

本実施形態のＨＤＤ１０では、ヘッド１と磁気ディスク５の接触の判定方法の内容が、判定対象が上記の４種類の値のいずれであるかの情報や、その判定対象の平均値および標準偏差値のうちのいずれについて接触の判定が行われるかの情報とともに記載されている複数のテーブルが図７のメモリ７３に記録されており、そのテーブルの判定方法により、各テーブルに記載された判定対象の平均値あるいは標準偏差値についてヘッド１と磁気ディスク５との接触の際の上述した特徴的な変化の検出が行われる。ここで、上記の４種類の値は、上記の複数のテーブルの少なくとも１つのテーブルで判定対象となっており、従って、上記の４種類の値については全て接触の判定が行われるようになっている。

また、複数のテーブルの中には、同一の判定対象について、平均値についての判定方法を規定したテーブルと、標準偏差値についての判定方法を規定したテーブルとが存在しており、上記の４種類の値のうちの少なくとも１つの判定対象については、平均値に基づく判定と、標準偏差値に基づく判定との両方が行われるようになっている。

また、複数のテーブルの中には、同一の判定対象の平均値について、互いに異なる判定の内容を規定した２つ以上のテーブルも存在しており、上記の４種類の値のうちの少なくとも１つの判定対象については、平均値についての異なる判定方法が適用されるようになっている。

本実施形態のＨＤＤ１０では、これら複数のテーブルそれぞれに従って、ヒータ値を所定量増加するごとに図７の制御／実行部７０２により接触の判定が実行され（図８のステップＳ３０８）、接触有りの判定が存在する場合は（図８のステップＳ３０８；Ｙｅｓ）、その接触有りの判定ごとにＴＤヒータ値が決定される。なお、後で詳述するようにＴＤヒータ値の決定の仕方は一般にはテーブルごとに異なっており、このため、接触有りと判定された時点でのヒータ値が同じであっても、ＴＤヒータ値はテーブルごとに異なり得る。

さらに、図７の制御／実行部７０２は、決定されたＴＤヒータ値のうち最も低いＴＤヒータ値を求め、そのＴＤヒータ値を、ヘッド１と磁気ディスク５との間の距離と、ヒータ値との対応関係を求める際の、ヘッド１と磁気ディスク５との間の距離がゼロとみなされる基準のヒータ値（以下、最終ＴＤヒータ値と呼ぶ）として用いて（図８のステップＳ３１０）、その最終ＴＤヒータ値に基づき、上記の対応関係を決定する。

このように、本実施形態では、上記の４種類の値それぞれについてその平均値あるいは標準偏差値に基づいてＴＤヒータ値が求められ、求められたＴＤヒータ値のうち最も低いＴＤヒータ値が最終ＴＤヒータ値として採用されることとなる。このため、本実施形態では、上記の対応関係を求めるための基準のＴＤヒータ値の精度が、上記の４種類の値のいずれか１つだけに基づいてそのＴＤヒータ値を決める方法と比べてきわめて高くなっている。この結果、ヘッド１と磁気ディスク５との間の距離と、ヒータ値との対応関係の精度も高く、アクセス時に不必要にヘッド１と磁気ディスク５とが接触して磁気ディスク５が損傷することが回避される。

ここで、本実施形態では、図９の説明で上述したように、上記の４種類の値を取得するのにあたり、ヘッド１が磁気ディスク５に対して相対的にトラック５０を１周するだけで、全サーボセクタおよび全データセクタから必要な情報を得ることができるため、４種類のＴＤヒータ値の決定方法を全部実行するといえども、実行にかかる時間は短く抑えられている。

また、本実施形態のＨＤＤ１０では、上述したように、上記の４種類の値のうちの少なくとも１つの判定対象については、平均値に基づく判定と、標準偏差値に基づく判定との両方が行われるようになっており、これにより、最終ＴＤヒータ値の精度がさらに向上している。

また、本実施形態のＨＤＤ１０では、上記の４種類の値のうちの少なくとも１つの判定対象については、平均値についての異なる判定方法が適用されるようになっており、これによっても最終ＴＤヒータ値の精度のさらなる向上が図られている。

また、本実施形態のＨＤＤ１０では、上記の４種類の値の平均値や標準偏差値の変化を通じてＴＤヒータ値が少なくとも１つ決定された場合には、図８のステップＳ３０８でＹｅｓが選択されて、それ以上ヒータ値が所定量増加されることがない。このため、ヘッド１と磁気ディスク５との接触が進むことは、最小限に抑えられることとなる。

以下では、本実施形態のＨＤＤ１０における、上述したテーブルに基づいて行われる判定方法について詳しく説明する。以下では、例として、判定対象がデータの再生信号のＡＧＣ利得値となっている５つのテーブルに基づく、ヘッド１と磁気ディスク５との接触についての５つの判定方法について具体的に説明する。これら５つの判定方法のうち、４つはＡＧＣ利得値の平均値の変化に基づくものであり、１つはＡＧＣ利得値の標準偏差値の変化に基づくものである。

まず、平均値の変化に基づく４つの判定方法のうちの第１の判定方法について説明する。

図１６は、データの再生信号のＡＧＣ利得値の平均値の変化に基づく第１の判定方法の説明図である。

図１６のパート（ａ）には、ヒータ値の増加に対するデータの再生信号のＡＧＣ利得値の平均値の変化の一例が表されている。なお、この図１６のパート（ａ）には、ヒータ値が０から１００までの範囲内で、ＡＧＣ利得値の平均値が示されているが、これは説明の都合上であり、後述するように、実際にはヘッド１と磁気ディスク５との接触が判定された段階でヒータ値の増加が停止されるため、接触有りと判定された時点のヒータ値よりも大きいヒータ値についてはＡＧＣ利得値自体が取得されない。

第１の判定方法では、まず、ＡＧＣ利得値の平均値それぞれについて、１段階上のヒータ値におけるＡＧＣ利得値の平均値との間で差分値が求められる。すなわち、ヒータ値の差が、ヒータ値の増加幅である上述の所定量に１倍になっている２つの平均値の間で差分値が求められる。

図１６のパート（ｂ）には、ヒータ値の増加に対するＡＧＣ利得値の平均値の差分値の変化の様子が表されている。この図に示すように、差分値は、ヒータ値が小さい時にはそれほど大きくは変動せず、この例では２前後の値となっている。ここで、ヒータ値の増加幅は、図８のステップＳ３０９における所定量であり一定の量である。このため、各ヒータ値における差分値は、実質的には、各ヒータ値におけるＡＧＣ利得値の傾きと同一である。

次に、あらかじめユーザにより指定されているヒータ値の範囲について、その範囲内のヒータ値における差分値の平均値が求められる。

図１６のパート（ｃ）には、あらかじめユーザにより指定されているヒータ値の範囲である指定範囲と、その範囲内のヒータ値における差分値の平均値とが示されている。この図１６のパート（ｃ）では、図中の２つの点線丸印のヒータ値の間の領域として指定範囲が図示されており、この図に示すように、指定範囲は、ヒータ値が比較的小さい領域内で指定されている範囲である。このため、この指定範囲内のヒータ値では、ヘッド１が磁気ディスク５から十分に離れた所に位置していると考えられ、この指定範囲内における差分値の平均値は、ヘッド１と磁気ディスク５との接触が起きていない状態でのＡＧＣ利得値の平均値の傾きに相当している。

この第１の判定方法では、この差分値の平均値に、この第１の判定方法に対応してあらかじめ決められている所定の基準値をかけたものが、以下に説明するように、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の判定の閾値として用いられる。この所定の基準値は、接触が起きていない状態でのＡＧＣ利得値の傾きに対する閾値の比率を決める値である。このように、閾値が直接決められている代わりに、閾値の比率が決められているのは、一般に、同じ機種のＨＤＤであっても、ヘッドや磁気ディスクの特性により、ヒータ値の増加に対するＡＧＣ利得値の傾きが異なることがあるためである。

図１６のパート（ｄ）には、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の判定に用いられる閾値が示されている。この第１の判定方法では、閾値の比率は１より小さい値に決められており、閾値は、ほとんどの差分値よりも下側に存在する。

この第１の判定方法では、ＡＧＣ利得値の平均値が求められるごとに、差分値が閾値を２連続で下回っているか否かの判定が行われ、２連続で閾値を下回っている差分値が現れた場合にヘッド１と磁気ディスク５とが接触したと判定される。そして、それ以上のヒータ値の増加が停止される。

図１６のパート（ｅ）では、２連続で閾値を下回っている２つの差分値が現れてヒータ値の増加が停止された様子が示されている。図１６のパート（ｄ）では、図中の連続した２つの点線丸印の差分値が閾値を下回っており、この段階でヘッド１と磁気ディスク５とが接触したと判定され、それ以上のヒータ値の増加が停止される。図１６のパート（ｅ）では、ヒータ値の増加が停止されたことを示すために、２つの点線丸印のうちの右側の点線丸印のヒータ値よりも大きいヒータ値における差分値については図示が省かれている。

ここで、この第１の判定方法では、閾値を下回らなかった最後の差分値のヒータ値がＴＤヒータ値として決定される。

図１６のパート（ｆ）には、閾値を下回らなかった最後の差分値が示されている。この図１６のパート（ｆ）では、２連続で閾値を下回っている２つの差分値の左側にある、点線丸印で示す差分値が、閾値を下回らなかった最後の差分値であり、この差分値におけるヒータ値がＴＤヒータ値として決定される。

ここで、以上説明した第１の判定方法に対応するテーブルには、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の判定対象がデータの再生信号のＡＧＣ利得値であってその平均値について判定が行われるという情報とともに、差分値を求める際の差分の相手が１段階上のヒータ値におけるＡＧＣ利得値の平均値であるという情報と、上記の所定の基準値についての情報と、連続する２つの差分値が閾値を下回ったときにヘッド１と磁気ディスク５との接触有りと判定されるという情報とが記載されている。

次に、平均値の変化に基づく４つの判定方法のうちの第２の判定方法について説明する。

図１７は、データの再生信号のＡＧＣ利得値の平均値の変化に基づく第２の判定方法の説明図である。

図１７のパート（ａ）には、ヒータ値の増加に対するデータの再生信号のＡＧＣ利得値の平均値の変化の一例が表されている。なお、この図１７のパート（ａ）でも、ヒータ値が０から１００までの範囲内で、ＡＧＣ利得値の平均値が示されているが、これは説明の都合上であり、後述するように、実際にはヘッド１と磁気ディスク５との接触が判定された段階でヒータ値の増加が停止されるため、接触有りと判定された時点のヒータ値よりも大きいヒータ値についてはＡＧＣ利得値自体が取得されない。

第２の判定方法でも、まず、ＡＧＣ利得値の平均値それぞれについて、１段階上のヒータ値におけるＡＧＣ利得値の平均値との間で差分値が求められる。すなわち、ヒータ値の差が、ヒータ値の増加幅である上述の所定量に１倍になっている２つの平均値の間で差分値が求められる。

図１７のパート（ｂ）には、ヒータ値の増加に対するＡＧＣ利得値の平均値の差分値の変化の様子が表されている。この図に示すように、差分値は、ヒータ値が小さい時にはそれほど大きくは変動せず、この例では２前後の値となっている。

次に、あらかじめユーザにより指定されているヒータ値の範囲について、その範囲内のヒータ値における差分値の平均値が求められる。

図１７のパート（ｃ）には、あらかじめユーザにより指定されているヒータ値の範囲である指定範囲と、その範囲内のヒータ値における差分値の平均値とが示されている。この図１７のパート（ｃ）では、図中の２つの点線丸印のヒータ値の間の領域として指定範囲が図示されており、この図に示すように、指定範囲は、ヒータ値が比較的小さい領域内で指定されている範囲である。このため、この指定範囲内のヒータ値では、ヘッド１が磁気ディスク５から十分に離れた所に位置している。

この第２の判定方法では、この差分値の平均値に、この第２の判定方法に対応してあらかじめ決められている所定の基準値をかけたものが、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の判定の閾値として用いられる。ここで、この第２の判定方法では、所定の基準値は負の値である。

図１７のパート（ｄ）には、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の判定に用いられる閾値が示されている。この第２の判定方法では、閾値の比率は１より小さい値に決められており、閾値は、ほとんどの差分値よりも下側に存在する。

この第２の判定方法では、ＡＧＣ利得値の平均値が求められるごとに、差分値が閾値を下回っているか否かの判定が行われ、閾値を下回っている差分値が１つ現れた場合にヘッド１と磁気ディスク５とが接触したと判定される。そして、それ以上のヒータ値の増加が停止される。

図１７のパート（ｅ）では、閾値を下回っている差分値が１つ現れてヒータ値の増加が停止された様子が示されている。図１７のパート（ｄ）では、図中の点線丸印の差分値が閾値を下回っており、この段階でヘッド１と磁気ディスク５とが接触したと判定され、それ以上のヒータ値の増加が停止される。図１７のパート（ｅ）では、ヒータ値の増加が停止されたことを示すために、点線丸印のヒータ値よりも大きいヒータ値における差分値については図示が省かれている。

ここで、この第２の判定方法では、閾値を下回らなかった最後の差分値のヒータ値がＴＤヒータ値として決定される。

図１７のパート（ｆ）には、閾値を下回らなかった最後の差分値が示されている。この図１７のパート（ｆ）では、閾値を下回っている差分値の左側にある、点線丸印で示す差分値が、閾値を下回らなかった最後の差分値であり、この差分値におけるヒータ値がＴＤヒータ値として決定される。

ここで、以上説明した第２の判定方法に対応するテーブルには、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の判定対象がデータの再生信号のＡＧＣ利得値であってその平均値について判定が行われるという情報とともに、差分値を求める際の差分の相手が１段階上のヒータ値におけるＡＧＣ利得値の平均値であるという情報と、上記の所定の基準値についての情報と、１つの差分値が閾値を下回ったときにヘッド１と磁気ディスク５との接触有りと判定されるという情報とが記載されている。

次に、平均値の変化に基づく４つの判定方法のうちの第３の判定方法について説明する。

図１８は、データの再生信号のＡＧＣ利得値の平均値の変化に基づく第３の判定方法の説明図である。

図１８のパート（ａ）には、ヒータ値の増加に対するデータの再生信号のＡＧＣ利得値の平均値の変化の一例が表されている。なお、この図１８のパート（ａ）でも、ヒータ値が０から１００までの範囲内で、ＡＧＣ利得値の平均値が示されているが、これは説明の都合上であり、後述するように、実際にはヘッド１と磁気ディスク５との接触が判定された段階でヒータ値の増加が停止されるため、接触有りと判定された時点のヒータ値よりも大きいヒータ値についてはＡＧＣ利得値自体が取得されない。

第３の判定方法でも、まず、ＡＧＣ利得値の平均値それぞれについて、１段階上のヒータ値におけるＡＧＣ利得値の平均値との間で差分値が求められる。すなわち、ヒータ値の差が、ヒータ値の増加幅である上述の所定量に１倍になっている２つの平均値の間で差分値が求められる。

図１８のパート（ｂ）には、ヒータ値の増加に対するＡＧＣ利得値の平均値の差分値の変化の様子が表されている。この図に示すように、差分値は、ヒータ値が小さい時にはそれほど大きくは変動せず、この例では２前後の値となっている。

次に、あらかじめユーザにより指定されているヒータ値の範囲について、その範囲内のヒータ値における差分値の平均値が求められる。

図１８のパート（ｃ）には、あらかじめユーザにより指定されているヒータ値の範囲である指定範囲と、その範囲内のヒータ値における差分値の平均値とが示されている。この図１８のパート（ｃ）では、図中の２つの点線丸印のヒータ値の間の領域として指定範囲が図示されており、この図に示すように、指定範囲は、ヒータ値が比較的小さい領域内で指定されている範囲である。このため、この指定範囲内のヒータ値では、ヘッド１が磁気ディスク５から十分に離れた所に位置している。

この第３の判定方法では、この差分値の平均値に、この第３の判定方法に対応してあらかじめ決められている所定の基準値をかけたものが、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の判定の閾値として用いられる。

図１８のパート（ｄ）には、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の判定に用いられる閾値が示されている。この第３の判定方法では、閾値の比率は１より大きい値に決められており、閾値は、ほとんどの差分値よりも上側に存在する。

この第３の判定方法では、ＡＧＣ利得値の平均値が求められるごとに、差分値が閾値を上回っているか否かの判定が行われ、閾値を上回っている差分値が１つ現れた場合にヘッド１と磁気ディスク５とが接触したと判定される。そして、それ以上のヒータ値の増加が停止される。

図１８のパート（ｅ）では、閾値を上回っている差分値が１つ現れてヒータ値の増加が停止された様子が示されている。図１８のパート（ｄ）では、図中の点線丸印の差分値が閾値を上回っており、この段階でヘッド１と磁気ディスク５とが接触したと判定され、それ以上のヒータ値の増加が停止される。図１８のパート（ｅ）では、ヒータ値の増加が停止されたことを示すために、点線丸印のヒータ値よりも大きいヒータ値における差分値については図示が省かれている。

ここで、この第３の判定方法では、閾値を上回らなかった最後の差分値のヒータ値がＴＤヒータ値として決定される。

図１８のパート（ｆ）には、閾値を上回らなかった最後の差分値が示されている。この図１８のパート（ｆ）では、閾値を上回っている差分値の左側にある、点線丸印で示す差分値が、閾値を上回らなかった最後の差分値であり、この差分値におけるヒータ値がＴＤヒータ値として決定される。

ここで、以上説明した第３の判定方法に対応するテーブルには、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の判定対象がデータの再生信号のＡＧＣ利得値であってその平均値について判定が行われるという情報とともに、差分値を求める際の差分の相手が１段階上のヒータ値におけるＡＧＣ利得値の平均値という情報と、上記の所定の基準値についての情報と、１つの差分値が閾値を上回ったときにヘッド１と磁気ディスク５との接触有りと判定されるという情報とが記載されている。

次に、平均値の変化に基づく４つの判定方法のうちの第４の判定方法について説明する。

図１９は、データの再生信号のＡＧＣ利得値の平均値の変化に基づく第４の判定方法の説明図である。

図１９のパート（ａ）には、ヒータ値の増加に対するデータの再生信号のＡＧＣ利得値の平均値の変化の一例が表されている。なお、この図１９のパート（ａ）でも、ヒータ値が０から１００までの範囲内で、ＡＧＣ利得値の平均値が示されているが、これは説明の都合上であり、後述するように、実際にはヘッド１と磁気ディスク５との接触が判定された段階でヒータ値の増加が停止されるため、接触有りと判定された時点のヒータ値よりも大きいヒータ値についてはＡＧＣ利得値自体が取得されない。

第４の判定方法では、まず、ＡＧＣ利得値の平均値それぞれについて、２段階上のヒータ値におけるＡＧＣ利得値の平均値との間で差分値が求められる。すなわち、ヒータ値の差が、ヒータ値の増加幅である上述の所定量に２倍になっている２つの平均値の間で差分値が求められる。

図１９のパート（ｂ）には、ヒータ値の増加に対するＡＧＣ利得値の平均値の差分値の変化の様子が表されている。この図に示すように、差分値は、ヒータ値が小さい時にはそれほど大きくは変動せず、この例では４前後の値となっている。

次に、あらかじめユーザにより指定されているヒータ値の範囲について、その範囲内のヒータ値における差分値の平均値が求められる。

図１９のパート（ｃ）には、あらかじめユーザにより指定されているヒータ値の範囲である指定範囲と、その範囲内のヒータ値における差分値の平均値とが示されている。この図１９のパート（ｃ）では、図中の２つの点線丸印のヒータ値の間の領域として指定範囲が図示されており、この図に示すように、指定範囲は、ヒータ値が比較的小さい領域内で指定されている範囲である。このため、この指定範囲内のヒータ値では、ヘッド１が磁気ディスク５から十分に離れた所に位置している。

この第４の判定方法では、この差分値の平均値に、この第４の判定方法に対応してあらかじめ決められている所定の基準値をかけたものが、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の判定の閾値として用いられる。

図１９のパート（ｄ）には、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の判定に用いられる閾値が示されている。この第４の判定方法では、閾値の比率は１より小さい値に決められており、閾値は、ほとんどの差分値よりも下側に存在する。

この第４の判定方法では、ＡＧＣ利得値の平均値が求められるごとに、差分値が閾値を下回っているか否かの判定が行われ、閾値を下回っている差分値が２連続で現れた場合にヘッド１と磁気ディスク５とが接触したと判定される。そして、それ以上のヒータ値の増加が停止される。

図１９のパート（ｅ）では、閾値を下回っている差分値が２連続で現れてヒータ値の増加が停止された様子が示されている。図１９のパート（ｄ）では、図中の連続した２つの点線丸印の差分値が閾値を下回っており、この段階でヘッド１と磁気ディスク５とが接触したと判定され、それ以上のヒータ値の増加が停止される。図１９のパート（ｅ）では、ヒータ値の増加が停止されたことを示すために、２つの点線丸印のうち右側の点線丸印のヒータ値よりも大きいヒータ値における差分値については図示が省かれている。

ここで、この第４の判定方法では、閾値を下回らなかった最後の差分値のヒータ値がＴＤヒータ値として決定される。

図１９のパート（ｆ）には、閾値を下回らなかった最後の差分値が示されている。この図１９のパート（ｆ）では、閾値を下回っている２つの差分値の左側にある、点線丸印で示す差分値が、閾値を下回らなかった最後の差分値であり、この差分値におけるヒータ値がＴＤヒータ値として決定される。

ここで、以上説明した第４の判定方法に対応するテーブルには、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の判定対象がデータの再生信号のＡＧＣ利得値であってその平均値について判定が行われるという情報とともに、差分値を求める際の差分の相手が２段階上のヒータ値におけるＡＧＣ利得値の平均値であるという情報と、上記の所定の基準値についての情報と、連続する２つの差分値が閾値を下回ったときにヘッド１と磁気ディスク５との接触有りと判定されるという情報とが記載されている。

次に、ＡＧＣ利得値の標準偏差値の変化に基づく判定方法について説明する。

図２０は、データの再生信号のＡＧＣ利得値の標準偏差値の変化に基づく判定方法の説明図である。

図２０のパート（ａ）には、ヒータ値の増加に対するデータの再生信号のＡＧＣ利得値の標準偏差値の変化の一例が表されている。なお、この図２０のパート（ａ）でも、ヒータ値が０から１００までの範囲内で、ＡＧＣ利得値の標準偏差値が示されているが、これは説明の都合上であり、後述するように、実際にはヘッド１と磁気ディスク５との接触が判定された段階でヒータ値の増加が停止されるため、接触有りと判定された時点のヒータ値よりも大きいヒータ値についてはＡＧＣ利得値自体が取得されない。

標準偏差値の変化に基づく判定方法では、まず、あらかじめユーザにより指定されているヒータ値の範囲について、その範囲内のヒータ値におけるＡＧＣ利得値の標準偏差値について、平均値と標準偏差値が求められる。

図２０のパート（ｂ）には、あらかじめユーザにより指定されているヒータ値の範囲である指定範囲と、その範囲内のヒータ値における標準偏差値の平均値とが示されている。この図２０のパート（ｂ）では、図中の２つの点線丸印のヒータ値の間の領域として指定範囲が図示されており、この図に示すように、指定範囲は、ヒータ値が比較的小さい領域内で指定されている範囲である。このため、この指定範囲内のヒータ値では、ヘッド１が磁気ディスク５から十分に離れた所に位置している。

この標準偏差値の変化に基づく判定方法では、先に求められた、指定範囲におけるＡＧＣ利得値の標準偏差値についての標準偏差値に、この判定方法に対応してあらかじめ決められている所定の基準値をかけ、さらに、先に求められた、指定範囲における平均値を加えたものが、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の判定の閾値として用いられる。

図２０のパート（ｃ）には、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の判定に用いられる閾値が示されている。

この標準偏差値の変化に基づく判定方法では、ＡＧＣ利得値の標準偏差値が求められるごとに、ＡＧＣ利得値の標準偏差値が閾値を上回っているか否かの判定が行われ、閾値を上回っているＡＧＣ利得値の標準偏差値が１つ現れた場合にヘッド１と磁気ディスク５とが接触したと判定される。そして、それ以上のヒータ値の増加が停止される。

図２０のパート（ｄ）では、閾値を上回っているＡＧＣ利得値の標準偏差値が１つ現れてヒータ値の増加が停止された様子が示されている。図２０のパート（ｄ）では、図中の点線丸印のＡＧＣ利得値の標準偏差値が閾値を上回っており、この段階でヘッド１と磁気ディスク５とが接触したと判定され、それ以上のヒータ値の増加が停止される。図２０のパート（ｄ）では、ヒータ値の増加が停止されたことを示すために、点線丸印のヒータ値よりも大きいヒータ値におけるＡＧＣ利得値の標準偏差値については図示が省かれている。

ここで、この標準偏差値の変化に基づく判定方法では、閾値を上回らなかった最後のＡＧＣ利得値の標準偏差値のヒータ値がＴＤヒータ値として決定される。

図２０のパート（ｅ）には、閾値を上回らなかった最後のＡＧＣ利得値の標準偏差値が示されている。この図２０のパート（ｅ）では、閾値を上回っているＡＧＣ利得値の標準偏差値の左側にある、点線丸印で示すＡＧＣ利得値の標準偏差値が、閾値を上回らなかった最後のＡＧＣ利得値の標準偏差値であり、このＡＧＣ利得値の標準偏差値におけるヒータ値がＴＤヒータ値として決定される。

ここで、以上説明した標準偏差値の変化に基づく判定方法に対応するテーブルには、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の判定対象がデータの再生信号のＡＧＣ利得値であってその標準偏差値について判定が行われるという情報ととともに、差分はとらずにＡＧＣ利得値の標準偏差値そのもの値（すなわち生の値）を判定に用いるという情報と、上記の所定の基準値についての情報と、１つのＡＧＣ利得値の標準偏差値が閾値を上回ったときにヘッド１と磁気ディスク５との接触有りと判定されるという情報とが記載されている。

以上が、判定対象がデータの再生信号のＡＧＣ利得値となっている５つのテーブルに基づく、ヘッド１と磁気ディスク５との接触についての５つの判定方法についての説明である。

以上の第１の判定方法〜第４の判定方法の各判定方法の説明では、説明の都合上、ヘッド１と磁気ディスク５との接触が判定されるデータとして、各判定方法で接触が検出されるような、互いに異なる、ＡＧＣ利得値の平均値のデータがそれぞれ用いられたが、第１の判定方法〜第４の判定方法にそれぞれ対応する４つテーブルすべてがＨＤＤ１０に備えられている場合には、同一のデータに対し、第１の判定方法〜第４の判定方法のすべてが適用されて接触の判定が実行される。

なお、以上説明した５つの判定方法では、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の判定の基準となる、閾値を連続して超えたデータ点（ＡＧＣ利得値の平均値の差分値やＡＧＣ利得値の標準偏差値）の数は、１つあるいは２つとなっており、判定方法の間では、接触の判定の基準となる、閾値を連続して超えた値の数が一般に異なっている。また、差分間隔についても、差分の相手のヒータ値が１段階上のヒータ値である場合と、差分の相手のヒータ値が２段階上のヒータ値である場合と、差分をとらずに生のデータ値（平均値あるいは標準偏差値）がそのまま使われる場合とが存在しており、５つの判定方法の間では一般に異なっている。このような、閾値を連続して超えた値の数や差分間隔の相違のため、接触有りと判定された時点でのヒータ値が同じであっても、ＴＤヒータ値は、一般には判定方法ごとに異なり得る。

以上では、判定対象がデータの再生信号のＡＧＣ利得値となっている場合を例にとって説明したが、判定対象が、位置情報の再生信号のＡＧＣ利得値や、ＶＴＭ値や、位置精度を判定対象である場合も同様にして、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の判定が行われる。すなわち、本実施形態のＨＤＤ１０では、位置情報の再生信号のＡＧＣ利得値や、ＶＴＭ値や、位置精度に対しても、これらをそれぞれ判定対象とするテーブルがそれぞれ用意されており、各テーブルには、以上説明した判定方法のテーブルと同様に、差分の間隔の情報と、閾値を決定する基準値の情報と、接触有りと判定するための判定基準となる閾値を連続して越えるデータ点の数の情報と、それらのデータ点が閾値を上側に越えるか、それとも下側に越えるかについての情報とが記載されている。そして、これらのテーブルに基づき、以上説明した判定方法のいずれかと同様にしてヘッド１と磁気ディスク５との接触の判定やＴＤヒータ値の決定が行われる。

例えば、位置情報の再生信号のＡＧＣ利得値の平均値や標準偏差値については、判定対象が異なることを除き、上述した、判定対象がデータの再生信号のＡＧＣ利得値となっている５つのテーブルを用いて、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の判定やＴＤヒータ値の決定が行われる。

また、ＶＴＭ値については、例えば、ＶＴＭ値の平均値に対し上述の第３の判定方法と同様の判定方法を用いて、図４の説明で上述した発散状態を検出することで、へッド１と磁気ディスク５との接触の判定やＴＤヒータ値の決定が行われる。

また、位置精度については、例えば、位置精度の平均値に対し図１８の第３の判定方法と同様の判定方法を用いて、へッド１と磁気ディスク５との接触時における位置精度の悪化（位置精度の値の増加）を検出することで、へッド１と磁気ディスク５との接触の判定やＴＤヒータ値の決定することが可能である。また、位置精度の標準偏差値に対し図２０の標準偏差値の変化に基づく判定方法と同様の判定方法を用いてへッド１と磁気ディスク５との接触時における位置精度の大きな変動を検出することで、へッド１と磁気ディスク５との接触の判定やＴＤヒータ値の決定することも可能である。

図２１は、位置精度の標準偏差値に対し標準偏差値の変化に基づく判定方法を用いてＴＤヒータ値が決定される一例を表した図である。

この例では、図２０の標準偏差値の変化に基づく判定方法と同様にして閾値が決定され、図２０ではその閾値が示されている。標準偏差値の値が０．０４のラインで示されている。この例では、ヒータ値が４８［ｍＷ］のときに位置精度の標準偏差値が越えており、その１つ手前のヒータ値である４５［ｍＷ］がＴＤヒータ値として決定される。

次に、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の判定に用いられる上述の複数のテーブルについて詳しく説明する。

図２２は、複数のテーブルの一例を表した図である。

図２２には、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の判定の実行の上で必要な情報が、「指定領域」、「基準値０」〜「基準値１１」、および「テーブル０」〜「テーブル１１」、の各項目ごとに記載されている。ここで、図２２では、「テーブル０」〜「テーブル１１」の１２個の欄が存在しており、複数のテーブルとして１２個のテーブルが存在していることを表している。以下、各項目について説明する。

「指定領域」の「Ｄａｔａ」の欄には、上述の５つの判定方法で説明した指定範囲が１６進法の２桁の数値を用いて示されており、「指定領域」の「Ａｄｄｒｅｓｓ」の欄には、その指定範囲の情報（Ｄａｔａ）の、図７のメモリ７３における格納アドレス（格納場所）が１６進法の２桁の数値を用いて示されている。ここで、この例では、指定範囲の始点が、図２２の「指定領域」における「Ｓｔａｒｔ」についての「Ｄａｔａ」の欄の値「０１」で表されており、指定範囲の終点が、図２２の「指定領域」における「Ｓｔｏｐ」についての「Ｄａｔａ」の欄の値「０Ａ」で表されている。

「基準値０」〜「基準値１１」の各「Ｄａｔａ」の欄には、上述の５つの判定方法で説明した基準値の内容が１６進法の２桁の数値を用いて示されており、「基準値０」〜「基準値１１」の各「Ａｄｄｒｅｓｓ」の欄には、その基準値の情報（Ｄａｔａ）の、図７のメモリ７３における格納アドレス（格納場所）が１６進法の２桁の数値を用いて示されている。ここで、この例では、「基準値０」〜「基準値１１」は、全部で１２種類の基準値が存在することを表しており、以下で説明するように、複数のテーブルでは、この１２種類の基準値のうちのいずれか１つを採用できる。ここで、「基準値０」〜「基準値１１」の各欄は「Ｌｏｗ」と「Ｈｉｇｈ」の２つの欄に区分されており、それぞれ「Ｄａｔａ」の欄に数値が記載されている。この「Ｌｏｗ」の数値は、基準値の小数点以下の数値を表しており、「Ｈｉｇｈ」の数値は、基準値の小数点より大きい数値を表している。例えば、「基準値０」における「Ｌｏｗ」についての「Ｄａｔａ」の欄には、値「８０」が示されており、この数値は、１０進法における「０．５」を表している。一方、「基準値０」における「Ｈｉｇｈ」についての「Ｄａｔａ」の欄には、値「００」が示されており、基準値の小数点より大きい数値が１０進法における「０」であることを表している。まとめると、「基準値０」は１０進法における「０．５」を表していることとなる。また、「基準値１」における「Ｌｏｗ」についての「Ｄａｔａ」の欄には、値「００」が示されており、この数値は、１０進法における小数点以下の数値が存在せず、基準値が整数であることを表している。一方、「基準値１」における「Ｈｉｇｈ」についての「Ｄａｔａ」の欄には、値「ＦＥ」が示されており、この数値は１０進法に数値が「−２」であることを示している。なお、ここでは、１６進法で負の符号の数値については、１６進法で「１００」の数値を、その負の符号の数値を加えて得られる数値で表現する表記法が採用されている。まとめると、「基準値１」は１０進法における「−２」を表していることとなる。

「テーブル０」〜「テーブル１１」の各「Ｄａｔａ」の欄には、１２個のテーブルの情報（Ｄａｔａ）の内容が１６進法の２桁の数値を用いて示されており、「テーブル０」〜「テーブル１１」の各「Ａｄｄｒｅｓｓ」の欄には、その基準値の情報（Ｄａｔａ）の、図７のメモリ７３における格納アドレス（格納場所）が１６進法の２桁の数値を用いて示されている。「テーブル０」〜「テーブル１１」の各欄は、「Ｐｒｍ０」〜「Ｐｒｍ３」の４つの欄に区分されており、それぞれ「Ｄａｔａ」の欄に１６進法で２桁の数値が記載されている。

図２３は、テーブルの構成を表した図である。

各テーブルは、「Ｐｒｍ０」〜「Ｐｒｍ３」についての「Ｄａｔａ」の欄の１６進法で２桁の数値を、２進法で８桁の数値で表現したときの数値によって特徴付けられる。図２３では、「Ｄａｔａ」の欄が２進法の８桁にそれぞれ対応した「Ｂｉｔ０」〜「Ｂｉｔ８」の８つの欄に区分されており、この図には、２進法の数値によって表される内容も示されている。以下、２進法の数値によって表される内容について説明する。

まず、「Ｐｒｍ０」の欄について説明する。

図２３の「Ｐｒｍ０」の欄における２進法の８桁の数値のうち、「Ｂｉｔ４」〜「Ｂｉｔ７」の上位４桁の数値は、判定対象が、データのＡＧＣ利得値、位置情報のＡＧＣ利得値、ＶＴＭ値、および位置精度の４種類のうちのいずれかであるかを表すとともに、平均値に基づく判定であるか、それとも標準偏差値に基づく判定であるかも表している。具体的には２進法の４桁の数値との対応関係は下記の通りである。
「００００」 データのＡＧＣ利得値の平均値
「０００１」 データのＡＧＣ利得値の標準偏差値
「００１０」 位置情報のＡＧＣ利得値の平均値
「００１１」 位置情報のＡＧＣ利得値の標準偏差値
「０１００」 ＶＴＭ値の平均値
「０１０１」 ＶＴＭ値の標準偏差値
「０１１０」 位置精度の平均値
「０１１１」 位置精度の標準偏差値
図２３の「Ｐｒｍ０」の欄における２進法の８桁の数値のうち「Ｂｉｔ２」および「Ｂｉｔ３」の２桁の数値は、接触の判定の際の差分についての差分間隔を表している。具体的には、「０１」が、上述した判定方法１、判定方法２、および判定方法３のように差分の相手のヒータ値が１段階上のヒータ値であり差分間隔が１（すなわち、ヒータ値の差が、ヒータ値の増加幅である上述の所定量の１倍）であることを表しており、「１０」が、上述した判定方法４のように差分の相手のヒータ値が２段階上のヒータ値であり差分間隔が２（すなわち、ヒータ値の差が、ヒータ値の増加幅である上述の所定量の２倍）であることを表している。また、「００」が、図２０の標準偏差値の変化に基づく判定方法のように差分をとらずに生のデータ値（平均値あるいは標準偏差値）がそのまま使われることを表している。

図２３の「Ｐｒｍ０」の欄における２進法の８桁の数値のうち「Ｂｉｔ１」および「Ｂｉｔ０」の下位２桁の数値は、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の判定の基準となる、閾値を連続して超えるデータ点の数（判定対象の平均値の差分値や判定対象の標準偏差値）の数を表している。具体的には、「０１」が、上述した判定方法２、判定方法３、および図２０の標準偏差値の変化に基づく判定方法のように、閾値を連続して超えるデータ点の数が１個であることを表しており、「１０」が、上述した判定方法１および判定方法４のように、閾値を連続して超えるデータ点の数が２個であることを表している。

以上説明した「Ｐｒｍ０」の欄の数値について、図２２の「テーブル０」〜「テーブル４」の具体例に則して説明する。これら「テーブル０」〜「テーブル４」は、上述した、第１の判定方法〜第４の判定方法、および図２０の標準偏差値の変化に基づく判定方法にそれぞれ対応するテーブルであり、以下では各テーブルの「Ｐｒｍ０」の欄の数値でこの対応が実現されていることを確認する。

「テーブル０」〜「テーブル４」の「Ｐｒｍ０」の欄における１６進法の数値は、それぞれ、「０６」、「０５」、「０５」、「０Ａ」、「１１」であり、２進法の数値で表現するとこれらの数値は、それぞれ、「０００００１１０」、「０００００１０１」、「０００００１０１」、「００００１０１０」、「０００１０００１」である。

「Ｐｒｍ０」の欄における２進法の８桁の数値のうち、「Ｂｉｔ４」〜「Ｂｉｔ７」の上位４桁の数値については、「テーブル０」〜「テーブル３」では、「Ｂｉｔ４」〜「Ｂｉｔ７」の上位４桁の数値はいずれも「００００」であり、判定対象はデータのＡＧＣ利得値であって平均値に基づいて判定が行われることとなる。一方、「テーブル４」では、「Ｂｉｔ４」〜「Ｂｉｔ７」の上位４桁の数値は「０００１」であり、判定対象はデータのＡＧＣ利得値であって標準偏差値に基づいて判定が行われることとなる。

「Ｐｒｍ０」の欄における２進法の８桁の数値のうち、「Ｂｉｔ２」および「Ｂｉｔ３」の２桁の数値については、「テーブル０」〜「テーブル２」では、「Ｂｉｔ２」および「Ｂｉｔ３」の２桁の数値は「０１」であり、差分間隔が１であることを示している。また、「テーブル３」では、「Ｂｉｔ２」および「Ｂｉｔ３」の２桁の数値は「１０」であり、差分間隔が２であることを示している。また、「テーブル３」では、「Ｂｉｔ２」および「Ｂｉｔ３」の２桁の数値は「００」であり、差分はとらずに生データが判定に用いられることを示している。

「Ｐｒｍ０」の欄における２進法の８桁の数値のうち、「Ｂｉｔ０」および「Ｂｉｔ１」の２桁の数値については、「テーブル０」および「テーブル３」では、「Ｂｉｔ０」および「Ｂｉｔ１」の２桁の数値は「１０」であり、閾値を連続して超えるデータ点の数が２個であることを示している。一方、「テーブル１」、「テーブル２」、および「テーブル４」では、「Ｂｉｔ０」および「Ｂｉｔ１」の２桁の数値は「０１」であり、閾値を連続して超えるデータ点の数が１個であることを示している。

以上により、「テーブル０」〜「テーブル４」の「Ｐｒｍ０」の欄の数値が、上述した、第１の判定方法〜第４の判定方法、および図２０の標準偏差値の変化に基づく判定方法にそれぞれ対応していることが確認された。

なお、「テーブル５」〜「テーブル８」については、「Ｐｒｍ０」の欄における２進法の８桁の数値のうち「Ｂｉｔ４」〜「Ｂｉｔ７」の上位４桁の数値は、「テーブル５」〜「テーブル８」では「００１０」であり、「テーブル９」では「００１１」である。そこで、図２２では、「テーブル５」〜「テーブル８」は、位置情報のＡＧＣ利得値の平均値に基づく判定のためのテーブルであり、「テーブル９」は位置情報のＡＧＣ利得値の標準偏差値に基づく判定のためのテーブルであることが示されていることとなる。

また、「テーブル１０」については、「Ｐｒｍ０」の欄における２進法の８桁の数値のうち「Ｂｉｔ４」〜「Ｂｉｔ７」の上位４桁の数値は「０１００」であり、「テーブル１０」は、ＶＴＭ値の平均値に基づく判定のためのテーブルであることが示されている。

また、「テーブル１１」については、「Ｐｒｍ０」の欄における２進法の８桁の数値のうち「Ｂｉｔ４」〜「Ｂｉｔ７」の上位４桁の数値は「０１１０」であり、「テーブル１０」は、位置精度の平均値に基づく判定のためのテーブルであることが示されている。

以上より、図２２の例では、データのＡＧＣ利得値、位置情報のＡＧＣ利得値、ＶＴＭ値、および位置精度の４種類のすべてについて判定が行われることとなる。

次に、図２３に戻って「Ｐｒｍ１」の欄について説明する。

図２３の「Ｐｒｍ１」の欄における２進法の８桁の数値のうち、「Ｂｉｔ４」〜「Ｂｉｔ７」の上位４桁の数値は、平均値に基づく判定の際の平均値用基準値（上述の第１の判定方法〜第４の判定方法参照）を表しており、「Ｂｉｔ０」〜「Ｂｉｔ３」の下位４桁の数値は、標準偏差値に基づく判定の際の標準偏差値用基準値（図２０の標準偏差値の変化に基づく判定方法参照）を表している。これら２進法の４桁の数値と基準値との対応関係は以下の通りである。

「００００」〜「０１１１」の１２個の数値（１０進法では値「０」から値「１１」に対応する１２個の数値）は、それぞれ、図２２の「基本値０」〜「基本値１１」の１２個の基本値の「０」〜「１１」の番号をそれぞれ指定する数であり、この番号の指定で、「基本値０」〜「基本値１１」の「Ｄａｔａ」の欄に記載された数値が基本値として指定されることとなる。また、「１０００」は、基本値が１０進法の値「０」であることを表しており、「１００１」〜「１１１１」の数値はいずれも、基本値が１０進法の値「１」であることを表している。

図２２および図２３のテーブルでは、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の判定の際の閾値（例えば、図１６〜図２０参照）は、上述の、平均値用基準値と標準偏差値用基準値とを用いて下記の式で決まる。
閾値＝（指定範囲での平均値）×（平均値用基準値）
＋（指定範囲での標準偏差値）×（標準偏差値用基準値）・・・（１）
ここで、上記の式（１）における「指定範囲での平均値」は、判定対象の平均値あるいは標準偏差値についての指定範囲での平均値を指しており、例えば、図１６〜図１９では、指定範囲に属する差分値（ＡＧＣ利得値の平均値の差分値）についての平均値である。また、上記の式（１）における「指定範囲での標準偏差値」は、判定対象の平均値あるいは標準偏差値についての指定範囲での標準偏差値を指しており、例えば、図２０では、指定範囲に属する標準偏差値（ＡＧＣ利得値の標準偏差値）についての標準偏差値である。

以上説明した「Ｐｒｍ１」の欄の数値について、図２２のテーブルに則して説明する。

「テーブル０」については、「Ｐｒｍ１」の欄における１６進法の数値は「０Ｃ」であり、２進法では、上位４桁の数値が「００００」であり、下位４桁の数値が「１０００」である。そこで、「テーブル０」では、平均値用基準値は、「基準値０」の値として上述した値「０．５」（１０進法で表現した数値）であり、標準偏差値用基準値は、値「０」（１０進法で表現した数値）である。以上より「テーブル０」では、式（１）の右辺の第２項はゼロとなり、第１項の「指定範囲での平均値」に値「０．５」をかけることで閾値が決定される。

また、「テーブル１」については、「Ｐｒｍ１」の欄における１６進法の数値は「１Ｃ」であり、２進法では、上位４桁の数値が「０００１」であり、下位４桁の数値が「１０００」である。そこで、「テーブル１」では、平均値用基準値は、「基準値１」の値として上述した値「−２」（１０進法で表現した数値）であり、標準偏差値用基準値は、値「０」（１０進法で表現した数値）である。以上より「テーブル１」では、式（１）の右辺の第２項はゼロとなり、第１項の「指定範囲での平均値」に値「−２」をかけることでが決定される。

また、「テーブル４」については、「Ｐｒｍ１」の欄における１６進法の数値は「Ｄ４」であり、２進法では、上位４桁の数値が「１１０１」であり、下位４桁の数値が「０１００」である。そこで、「テーブル１」では、平均値用基準値は、値「１」（１０進法で表現した数値）であり、標準偏差値用基準値は、「基準値４」の値である値「６」である。以上より「テーブル４」では、式（１）より、閾値は、「指定範囲での標準偏差値」に値「６」をかけて、「指定範囲での平均値」を足すことで決定される。

以上の３つの例のように、図２２では、平均値の基づく判定のためのテーブルでは、平均値用基準値が１０進法で値「０」〜値「１１」の数値であって標準偏差値用基準値が１０進法で値「０」となるように各基準値が設定され、標準偏差値の基づく判定のためのテーブルでは、平均値用基準値が１０進法で値「１」であって標準偏差値用基準値が１０進法で値「０」〜値「１１」の数値となるように各基準値が設定されている。

従って、図２２では、平均値の基づく判定のためのテーブルでは、閾値は、「指定範囲での平均値」に「平均値用基準値」をかけることで決定されることとなる。実際、上述の、第１の判定方法〜第４の判定方法では、このようにして、閾値が決定されている。また、標準偏差値の基づく判定のためのテーブルでは、閾値は、「指定範囲での標準偏差値」に「標準偏差値用基準値」をかけて「指定範囲での平均値」を足すことで決定されることとなる。実際、上述の図２０の標準偏差値の変化に基づく判定方法では、このようにして、閾値が決定されている。

次に、図２３に戻って「Ｐｒｍ２」の欄について説明する。

図２３の「Ｐｒｍ２」の欄における２進法の８桁の数値のうち、最高位の「Ｂｉｔ７」の数値は、データ点が閾値を上側に越える場合と下側に越える場合とのいずれを、ヘッド１と磁気ディスク５との接触有りという判定に用いるのかを指定する値である。具体的には、２進法の値「０」が、データ点（例えば、図１６〜図１９の各ヒータ値における差分値や、図２０の各ヒータ値における標準偏差値）が閾値を上側に越える場合を接触有りという判定に用いることを示しており、２進法の値「１」が、データ点が閾値を下側に越える場合を接触有りという判定に用いることを示している。

例えば、図２２の「テーブル０」、「テーブル１」、および「テーブル３」については、「Ｐｒｍ２」の欄における１６進法の数値は「８０」であり、２進法で最高位の「Ｂｉｔ７」の数値は、２進法の値「１」である。そこで、「テーブル０」、「テーブル１」、および「テーブル３」に基づく判定では、データ点が閾値を下側に越える場合を接触有りという判定に用いられることとなり、これらは、第１の判定方法、第２の判定方法、および、第４の判定方法で行われた判定の方式に一致している。

また、図２２の「テーブル２」および「テーブル４」については、「Ｐｒｍ２」の欄における１６進法の数値は「００」であり、２進法で最高位の「Ｂｉｔ７」の数値は、２進法の値「０」である。そこで、「テーブル２」および「テーブル４」に基づく判定では、データ点が閾値を上側に越える場合を接触有りという判定に用いられることとなり、これらは、第３の判定方法、および図２０の標準偏差値の変化に基づく判定方法で行われた判定の方式に一致している。

図２３の「Ｐｒｍ２」の欄の「Ｂｉｔ０」〜「Ｂｉｔ６」の欄や「Ｐｒｍ３」の欄は、以上説明してきた情報の他に、判定を特徴づける情報があるときにその情報が記載される予備の欄であり、図２３では、「Ｐｒｍ２」の欄の「Ｂｉｔ０」〜「Ｂｉｔ６」の欄や「Ｐｒｍ３」の欄には、予備の欄であることを表す「Ｒｅｓｅｒｖｅ」が示されている。すなわち、図２２の例では、これらの欄に記載される数値は、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の判定には用いられない。

以上が、ヘッド１と磁気ディスク５との接触の判定に用いられる複数のテーブルの具体例についての説明である。

次に、ＡＧＣ利得値、位置精度、およびＶＴＭ値といった複数種類の値の変化に基づき最終的なＴＤヒータ値（上述の最終ＴＤヒータ値）を決定することの効果について、実験１および実験２の２つの実験結果を用いて説明する。

まず、実験１について説明する。

この実験１では、実施例のＨＤＤとして、データの再生信号のＡＧＣ利得値の平均値および標準偏差値、ＶＴＭ値の平均値、および位置精度の平均値に基づき、図８と同様にして最終ヒータ値を決定するＨＤＤを用意した。すなわち、このＨＤＤには、データの再生信号のＡＧＣ利得値の平均値および標準偏差値、ＶＴＭ値の平均値、および位置精度の標準偏差値に、それぞれ対応した、ヘッドと磁気ディスクの接触を判定するための４つのテーブルが備えられている。このＨＤＤは、第１面および第２面の両面にデータセクタやサーボセクタ（図５の説明参照）が設けられている磁気ディスクを２枚備えており、これら２枚の磁気ディスクの全部で４つの面でそれぞれアクセスを行うために、ＨＤ１〜ＨＤ４の４つのヘッドを備えており、ヘッドそれぞれについて最終ＴＤヒータ値が決定される。ここで、これら４つのヘッドは、同じ材料でできた同じ構成のヘッドであり、上記の２枚の磁気ディスクは、同じ材料でできた同じ構成の磁気ディスクである。

これら４つのヘッドについて、ＴＤヒータ値を決定する際にデータや位置情報を読み取るトラックの位置を変えながら、各トラックごとに、図８と同様にして最終ＴＤヒータ値を求めた。

また、この実験１では、比較のために、データの再生信号のＡＧＣ利得値の平均値に対応するテーブルのみを有する点を除けば実施例のＨＤＤと同じ構成を有するＨＤＤを、比較例１のＨＤＤとして、４つのヘッドそれぞれについて、ＴＤヒータ値を決定する際にデータや位置情報を読み取るトラックの位置を変えながら、各トラックごとにＴＤヒータ値を求めた。

また、この実験１では、データの再生信号のＡＧＣ利得値の標準偏差値に対応するテーブルのみを有する点を除けば実施例のＨＤＤと同じ構成を有するＨＤＤを、比較例２のＨＤＤとして、４つのヘッドそれぞれについて、ＴＤヒータ値を決定する際にデータや位置情報を読み取るトラックの位置を変えながら、各トラックごとにＴＤヒータ値を求めた。

また、この実験１では、ＶＴＭ値の標準偏差値に対応するテーブルのみを有する点を除けば実施例のＨＤＤと同じ構成を有するＨＤＤを、比較例３のＨＤＤとして、４つのヘッドそれぞれについて、ＴＤヒータ値を決定する際にデータや位置情報を読み取るトラックの位置を変えながら、各トラックごとにＴＤヒータ値を求めた。

また、この実験１では、位置精度の平均値に対応するテーブルのみを有する点を除けば実施例のＨＤＤと同じ構成を有するＨＤＤを、比較例４のＨＤＤとして、４つのヘッドそれぞれについて、ＴＤヒータ値を決定する際にデータや位置情報を読み取るトラックの位置を変えながら、各トラックごとにＴＤヒータ値を求めた。

図２４は、比較例１の実験結果を表す図、図２５は、比較例２の実験結果を表す図、図２６は、比較例３の実験結果を表す図、図２７は、比較例４の実験結果を表す図、図２８は、実施例の実験結果を表す図である。

図２４〜図２８では、磁気ディスクの半径方向の距離に対応したゾーン番号によってトラックの位置が表現されており、ゾーン番号を横軸にとったときの、４つのヘッドそれぞれについてのＴＤヒータ値（図２９の実施例では最終ヒータ値）のグラフが示されている。

図２４の比較例１や図２５の比較例２では、全体的には、ゾーン番号が０〜８程度のゾーン番号が小さい箇所や、ゾーン番号が２０以上のゾーン番号が大きい箇所ではＴＤヒータ値が大きくなっており、特に、比較例１のＨＤ０や比較例２のＨＤ３では、ゾーン番号が小さい箇所でＴＤヒータ値が大きくなる傾向が強く現れている。

また、図２６の比較例３では、ゾーン番号が０〜４程度のゾーン番号が小さい箇所では、極端にＴＤヒータ値が増加する傾向が見られ、特に、ＨＤ０はゾーン番号２の所でＴＤヒータ値が１００［ｍＷ］にまで達している。

また、図２７の比較例４では、全体的にはＴＤヒータ値が高くなっており、特に、ＨＤ１やＨＤ２では、ＴＤヒータ値が１００［ｍＷ］にまで達する点が多く現れている。また、ＨＤ３ではゾーン番号に応じて大きく変動する傾向が強く現れている。

図２８の実施例では、ゾーン番号が０〜８程度のゾーン番号が小さい箇所や、ゾーン番号が２０以上のゾーン番号が大きい箇所ではＴＤヒータ値が大きくなる傾向が多少見られるものの、これらの箇所での最終ヒータ値は、ＨＤ０、ＨＤ１、ＨＤ２、およびＨＤ３のいずれについても、比較例１や比較例２のＴＤヒータ値より小さいか、同程度の大きさとなっている。また、図２８の実施例では、全体的に最終ヒータ値が小さくてゾーン番号に応じた最終ヒータ値の変動が少なく、比較例３や比較例４のＴＤヒータ値のように１００［ｍＷ］に達する最終ヒータ値は存在していない。

以上の結果から、実施例のように、ＡＧＣ利得値、位置精度、およびＶＴＭ値といった複数種類の値の変化に基づき最終的なＴＤヒータ値（上述の最終ＴＤヒータ値）を決定することで、ヘッドや磁気ディスクによらず最終的なＴＤヒータ値が小さい値に抑えられることがわかる。

次に、実験２について説明する。

この実験２では、図５のＨＤＤ１０と同じ構成をするが、ヘッドや磁気ディスクの材質が互いに異なる、機種１〜機種５までの５機種のＨＤＤを、それぞれの機種について複数台ずつ用意し、これらすべてのＨＤＤについて最終ＴＤヒータ値を求めた。これらのＨＤＤは、いずれも、図２２の１２個のテーブルを備えたＨＤＤであり、これらのテーブルに従って、図８と同様にして最終ＴＤヒータ値が求められる。

さらにこの実験２では、最終ＴＤヒータ値を求めたＨＤＤそれぞれについて、ヒータ値を所定量ずつ増加させながら、ヘッドと磁気ディスクとの接触を、ＡＥ（Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）法により検出し、接触検出時のヒータ値を求めた。ここで、ＡＥ法とは、固体材料中における超音波領域（２０ｋＨｚ〜１０００ｋＨｚ）の弾性波をＡＥセンサで検出すること通じて、固体材料中における歪みや亀裂などの存在を検出する方法のことである。実験２では、ヘッドが磁気ディスクとの接触したときにヘッドに与えられる衝撃で発生する弾性波をＡＥ法により検出することで、ヘッドと磁気ディスクとの接触が検出される。一般に、ＡＥ法による接触検出は、かなり大掛かりであるため、工業的に大量生産される個々のＨＤＤでＴＤヒータ値を求めるための方法として利用するのは現実的ではないが、ＡＥ法による接触検出はきわめて精度が高いことが知られており、ＡＥ法で求められた接触検出時のヒータ値は、実際にヘッドが磁気ディスクとの接触したときのヒータ値と考えることができる。そこで、このＡＥ法で求められた接触検出時のヒータ値を、この実験２で求められた上述の最終ＴＤヒータ値と比較することで、最終ＴＤヒータ値の精度を評価することが可能となる。

図２９は、実験２の結果を表した図である。

図２９では、横軸にＡＥ法で求められた接触（ＴＤ）検出時のヒータ値をとり、縦軸に最終ＴＤヒータ値をとったときの、上述した、機種１〜機種５の５機種それぞれの複数台のＨＤＤについての結果が示されている。ここで、同一機種のＨＤＤであっても、一般に、ＨＤＤそれぞれのヘッドや磁気ディスクの特性は多少異なることが多く、このため、この実験２では、同一種類の複数台のＨＤＤの間でも、最終ＴＤヒータ値や、ＡＥ法で求められた接触検出時のヒータ値は、一般に異なるものとなっている。

この図では、図の斜め上方向に延びる傾きが１の直線が示されており、この直線上の点が、ＡＥ法で求められた接触（ＴＤ）検出時のヒータ値と、最終ＴＤヒータ値とが一致する点である。この図に示すように、この図中の各点では、最終ＴＤヒータ値は、ＡＥ法で求められた接触（ＴＤ）検出時のヒータ値よりもやや小さめとなっているが、上記の傾きが１の直線と並んで各点が配置されている。このことから、最終ＴＤヒータ値と、ＡＥ法で求められた接触（ＴＤ）検出時のヒータ値との間に強い相関があることがわかる。

以上が本実施形態の説明である。

以上の説明では、図８で上述したように、ヘッド１が磁気ディスク５のトラック５０を相対的に１周する度にヒータ値が所定量増加されてヘッド１と磁気ディスク５との接触の有無が判定されたが、上述した、制御装置、制御方法、および情報記憶装置の各基本形態では、ヘッド１が磁気ディスク５のトラック５０を相対的に複数回周る度にヒータ値が所定量増加されてヘッド１と磁気ディスク５との接触の有無が判定されるものであってもよい。

以下、本件の種々の形態について付記する。

（付記１）
情報を記憶する記憶媒体の表面に近接し該記憶媒体から情報を読み取って読取信号を生成するヘッドを前記記憶媒体の表面に向かって熱膨張させるヒータの制御を行う制御装置において、
前記ヒータの複数の発熱量の下で前記ヘッドから読取信号を取得する取得部と、
前記取得部により取得された読取信号から、該読取信号の特性を表す２種類以上の特性値を、少なくとも一種類のアルゴリズムにより各発熱量ごとに算出する算出部と、
前記算出部により算出された２種類以上の特性値それぞれについて、前記ヒータの発熱量に対する特性値の変化に基づき前記ヘッドと前記記憶媒体との間の接触の有無を判定する接触判定部と、
前記接触判定部でいずれかの特性値について接触有りと判定された時の発熱量を、前記ヘッドと前記記憶媒体とが接触して該ヘッドと該記憶媒体との間の距離がゼロとみなされるときの前記ヒータの発熱量として、前記ヘッドと前記記憶媒体との間の距離と、前記ヒータの発熱量との対応関係を決定する対応関係決定部とを備えたことを特徴とする制御装置。

（付記２）
前記算出部は、前記２種類以上の特性値として、前記記録媒体上のトラックの複数のデータセクタに対応する複数のユーザ信号についての信号レベルの代表値、前記トラックの複数のサーボセクタに対応する複数の位置信号についての信号レベルの代表値、１つのユーザ信号に関する復調値の、ビタビアルゴリズムに基づいて推定される最尤の復調値からのずれ量を、前記複数のユーザ信号について求めたときの複数のずれ量についての代表値、および、１つの位置信号で表される、前記半径方向についての所定位置からのヘッド位置のずれ量を、前記複数の位置信号について求めたときの複数のヘッド位置のずれ量についての代表値、からなる４つの代表値のうちの少なくとも２つ以上の代表値を算出するものであることを特徴とする付記１記載の制御装置。

（付記３）
前記取得部は、前記ヘッドが前記トラック上を前記記憶媒体に対して相対的に１周するごとに前記ヒータの発熱量を増加させるものであることを特徴とする付記２記載の制御装置。

（付記４）
前記算出部は、前記２つ以上の代表値のうちの少なくとも１つの代表値については、前記複数のユーザ信号についての信号レベル、前記複数の位置信号についての信号レベル、前記複数のユーザ信号についての復調値のずれ量、および、前記複数の位置信号についてのヘッド位置のずれ量、のいずれかについての、各発熱量ごとの平均値または各発熱量ごとの標準偏差値を算出するものであることを特徴とする付記２又は３記載の制御装置。

（付記５）
前記算出部は、前記２つ以上の代表値のうちの少なくとも１つの代表値については、前記複数のユーザ信号についての信号レベル、前記複数の位置信号についての信号レベル、前記複数のユーザ信号についての復調値のずれ量、および、前記複数の位置信号についてのヘッド位置のずれ量、のいずれかについての、各発熱量ごとの平均値および各発熱量ごとの平均値標準偏差値の両方を算出するものであり、
前記接触判定部は、前記算出部により算出された平均値および標準偏差値それぞれについて、前記取得部により前記ヒータの発熱量が増加していったときの変化に基づき前記ヘッドと前記記憶媒体との間の接触の有無を判定し、これら平均値および標準偏差値のうち接触有りと判定された値についてその値の変化に基づき前記ヘッドと前記記憶媒体の接触時の発熱量を求めるものであることを特徴とする付記２から４のうちのいずれか１項記載の制御装置。

（付記６）
前記算出部は、前記２つ以上の代表値のうちの少なくとも１つの代表値については、前記複数のユーザ信号についての信号レベル、前記複数の位置信号についての信号レベル、前記複数のユーザ信号についての復調値のずれ量、および、前記複数の位置信号についてのヘッド位置のずれ量、のいずれかについての、各発熱量ごとの平均値を算出するものであり、
前記接触判定部は、１つの発熱量と、該１つの発熱量よりも前記所定量の所定整数倍増加した発熱量における２つの平均値の間の差分値を各発熱量ごとに求め、一連の差分値を発熱量が増加する方向に見たときに、前記ヒータの発熱当初の平均的な差分値の値に所定係数を乗じて得られる閾値を、一方の側から他方の側に跨ぎ、連続する所定個数の差分値が該他方の側にとどまった場合に、前記ヘッドと前記記憶媒体との間に接触が有ると判定し、その閾値を越える直前の差分値における前記ヒータの発熱量を、前記接触時の発熱量として求めるものであることを特徴とする付記２から５のうちのいずれか１項記載の制御装置。

（付記７）
前記接触判定部は、前記所定整数、前記所定係数、前記所定個数、および、前記所定個数の差分値が連続して前記閾値を跨ぐ方向、からなり、これら前記所定整数、前記所定係数、前記所定個数、および、前記所定個数の差分値が連続して前記閾値を跨ぐ方向、のうちの少なくともいずれかが異なる複数組それぞれに基づき、前記ヘッドと前記記憶媒体との間の接触の有無の判定をそれぞれ行うものであることを特徴とする付記６記載の制御装置。

（付記８）
前記算出部は、前記２つ以上の代表値のうちの少なくとも１つの代表値については、前記複数のユーザ信号についての信号レベル、前記複数の位置信号についての信号レベル、前記複数のユーザ信号についての復調値のずれ量、および、前記複数の位置信号についてのヘッド位置のずれ量、のいずれかについての、各発熱量ごとの標準偏差値を算出するものであり、
前記接触判定部は、一連の標準偏差値を発熱量が増加する方向に見たときに、前記ヒータの発熱当初の複数の標準偏差値についての標準偏差値に所定係数を乗じさらに前記複数の標準偏差値についての平均値を加えることで得られる閾値を、一方の側から他方の側に跨ぎ、連続する所定個数の標準偏差値が該他方の側にとどまった場合に、前記ヘッドと前記記憶媒体との間に接触が有ると判定し、その閾値を越える直前の標準偏差値における前記ヒータの発熱量を、前記接触時の発熱量として求めるものであることを特徴とする付記２から７のうちのいずれか１項記載の制御装置。

（付記９）
前記接触判定部は、前記取得部により前記ヒータの発熱量が増加していくのと並行して前記ヘッドと前記記憶媒体との間の接触の有無の判定を行うものであって、
前記取得部は、前記接触判定部による判定で接触有りと判定された場合には、前記ヒータの発熱量の増加を停止することを特徴とする付記１から８のうちのいずれか１項記載の制御装置。

（付記１０）
情報を記憶する記憶媒体の表面に近接し該記憶媒体から情報を読み取って読取信号を生成するヘッドを前記記憶媒体の表面に向かって熱膨張させるヒータの制御を行うための制御方法において、
前記ヒータの複数の発熱量の下で前記ヘッドから読取信号を取得する取得過程と、
前記取得過程により取得された読取信号から、該読取信号の特性を表す２種類以上の特性値を、少なくとも一種類のアルゴリズムにより各発熱量ごとに算出する算出過程と、
前記算出過程により算出された２種類以上の特性値それぞれについて、前記ヒータの発熱量に対する特性値の変化に基づき前記ヘッドと前記記憶媒体との間の接触の有無を判定する接触判定過程と、
前記接触判定過程でいずれかの特性値について接触有りと判定された時の発熱量を、前記ヘッドと前記記憶媒体とが接触して該ヘッドと該記憶媒体との間の距離がゼロとみなされるときの前記ヒータの発熱量として、前記ヘッドと前記記憶媒体との間の距離と、前記ヒータの発熱量との対応関係を決定する対応関係決定過程とを備えたことを特徴とする制御方法。

（付記１１）
情報を記憶する記憶媒体と、
前記記憶媒体の表面に近接する近接面を有し、該記憶媒体から情報を読み取って読取信号を生成する、前記記憶媒体の表面に向かって前記近接面を熱膨張させるヒータを内蔵したヘッドと、
前記ヒータの制御を行う制御装置とを備え、
前記制御装置が、
前記ヒータの複数の発熱量の下で前記ヘッドから読取信号を取得する取得部と、
前記取得部により取得された読取信号から、該読取信号の特性を表す２種類以上の特性値を、少なくとも一種類のアルゴリズムにより所定の発熱量ごとに算出する算出部と、
前記算出部により算出された２種類以上の特性値それぞれについて、前記ヒータの発熱量に対する特性値の変化に基づき前記ヘッドと前記記憶媒体との間の接触の有無を判定する接触判定部と、
前記接触判定部でいずれかの特性値について接触有りと判定された時の発熱量を、前記ヘッドと前記記憶媒体とが接触して該ヘッドと該記憶媒体との間の距離がゼロとみなされるときの前記ヒータの発熱量として、前記ヘッドと前記記憶媒体との間の距離と、前記ヒータの発熱量との対応関係を決定する対応関係決定部とを備えたことを特徴とする情報記憶装置。

ＡＧＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇａｉｎ Ｃｏｎｔｒｏｌ）利得値の変化を通じてＴＤヒータ値の決定する方法の一例を表したフローチャートである。 図１のＴＤヒータ値の決定方法における、ヒータ値の増加に対するＡＧＣ利得値の変化を表した図である。 ＶＴＭ（Ｖｉｔｅｒｂｉ Ｔｒｅｌｌｉｓ Ｍａｒｇｉｎ）値の変化を通じてＴＤヒータ値の決定する方法の一例を表したフローチャートである。 図３のＴＤヒータ値の決定方法における、ヒータ値の増加に対するＶＴＭ値の変化を表した図である。 情報記憶装置の一実施形態であるハードディスク装置（ＨＤＤ）を表した図である。 制御基板の構成を表した図である。 再生信号の信号処理の際のＲ／Ｗチャネルの機能を表した機能ブロック図である。 本実施形態のＴＤヒータ値が決定方法の流れを表したフローチャートである。 各サーボセクタごとのＡＧＣ利得値と位置精度、および、各データセクタごとのＡＧＣ利得値とＶＴＭ値とが取得される際の、取得の流れを表すタイミングチャートである。 メモリに記録されている、位置情報およびデータの再生信号それぞれのＡＧＣ利得値、位置精度、およびＶＴＭ値についての格納アドレスの構成例を表した図である。 メモリ７３に記録されている、位置情報およびデータの再生信号それぞれのＡＧＣ利得値、位置精度、およびＶＴＭ値についての平均値と標準偏差値の格納アドレスの構成例を表した図である。 データの再生信号のＡＧＣ利得値の平均値および標準偏差値がヒータ値の増加とともに変化する様子の一例を表した図である。 位置情報の再生信号のＡＧＣ利得値の平均値および標準偏差値がヒータ値の増加とともに変化する様子の一例を表した図である。 ＶＴＭ値の平均値および標準偏差値がヒータ値の増加とともに変化する様子の一例を表した図である。 ＶＴＭ値の平均値および標準偏差値がヒータ値の増加とともに変化する様子の一例を表した図である。 データの再生信号のＡＧＣ利得値の平均値の変化に基づく第１の判定方法の説明図である。 データの再生信号のＡＧＣ利得値の平均値の変化に基づく第２の判定方法の説明図である。 データの再生信号のＡＧＣ利得値の平均値の変化に基づく第３の判定方法の説明図である。 データの再生信号のＡＧＣ利得値の平均値の変化に基づく第４の判定方法の説明図である。 データの再生信号のＡＧＣ利得値の標準偏差値の変化に基づく判定方法の説明図である。 位置精度の標準偏差値に対し標準偏差値の変化に基づく判定方法を用いてＴＤヒータ値が決定される一例を表した図である。 複数のテーブルの一例を表した図である。 テーブルの構成を表した図である。 比較例１の実験結果を表す図である。 比較例２の実験結果を表す図である。 比較例３の実験結果を表す図である。 比較例４の実験結果を表す図である。 実施例の実験結果を表す図である。 実験２の結果を表した図である。

符号の説明

１ ヘッド
１ａ 再生素子
１ｂ 記録素子
１ｃ ヒータ
２ スライダ
３ アーム
４ ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）
４ａ ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）ドライバ
４０ 軸
５ 磁気ディスク
５０ トラック
５１ データセクタ
５２ サーボ領域
５２０ サーボセクタ
６ ベース
７ 制御基板
７０ ＭＰＵ
７０１ ヒータ制御部
７０２ 制御／算出部
７０３ レジスタ値取得部
７１ Ｒ／Ｗチャネル
７１１ 可変利得アンプ部
７１２ 可変利得イコライザ部
７１３ レジスタ部
７１４ ＡＤ変換部
７１５ ＶＴＭ値算出部
７１６ 復調部
７２ ディスクコントローラ
７３ メモリ
８ ヘッドアンプ
９ スピンドルモータ（ＳＰＭ）
１０ ＨＤＤ
ＳＧ０ 第０サーボゲート立ち上がり部
ＳＧ１ 第１サーボゲート立ち上がり部
ＳＧｎ 第ｎサーボゲート立ち上がり部
ＲＧ０ 第０リードゲート立ち上がり部
ＲＧ１ 第１リードゲート立ち上がり部
ＲＧｎ 第ｎリードゲート立ち上がり部
Ｉ 準備期間
Ｍ０ 第０中間期間
Ｍ１ 第１中間期間
Ｍｎ 第ｎ中間期間
Ｆ 終了期間

Claims (10)

1. 情報を記憶する記憶媒体の表面に近接し該記憶媒体から情報を読み取って読取信号を生成するヘッドを前記記憶媒体の表面に向かって熱膨張させるヒータの制御を行う制御装置において、
   前記ヒータの複数の発熱量の下で前記ヘッドから読取信号を取得する取得部と、
   前記取得部により取得された読取信号から、該読取信号の特性を表す２種類以上の特性値を、少なくとも一種類のアルゴリズムにより各発熱量ごとに算出する算出部と、
   前記算出部により算出された２種類以上の特性値それぞれについて、前記ヒータの発熱量に対する特性値の変化に基づき前記ヘッドと前記記憶媒体との間の接触の有無を判定する接触判定部と、
   前記接触判定部でいずれかの特性値について接触有りと判定された時の発熱量を、前記ヘッドと前記記憶媒体とが接触して該ヘッドと該記憶媒体との間の距離がゼロとみなされるときの前記ヒータの発熱量として、前記ヘッドと前記記憶媒体との間の距離と、前記ヒータの発熱量との対応関係を決定する対応関係決定部とを備えたことを特徴とする制御装置。
2. 前記算出部は、前記２種類以上の特性値として、前記記録媒体上のトラックの複数のデータセクタに対応する複数のユーザ信号についての信号レベルの代表値、前記トラックの複数のサーボセクタに対応する複数の位置信号についての信号レベルの代表値、１つのユーザ信号に関する復調値の、ビタビアルゴリズムに基づいて推定される最尤の復調値からのずれ量を、前記複数のユーザ信号について求めたときの複数のずれ量についての代表値、および、１つの位置信号で表される、前記半径方向についての所定位置からのヘッド位置のずれ量を、前記複数の位置信号について求めたときの複数のヘッド位置のずれ量についての代表値、からなる４つの代表値のうちの少なくとも２つ以上の代表値を算出するものであることを特徴とする請求項１記載の制御装置。
3. 前記取得部は、前記ヘッドが前記トラック上を前記記憶媒体に対して相対的に１周するごとに前記ヒータの発熱量を増加させるものであることを特徴とする請求項２記載の制御装置。
4. 前記算出部は、前記２つ以上の代表値のうちの少なくとも１つの代表値については、前記複数のユーザ信号についての信号レベル、前記複数の位置信号についての信号レベル、前記複数のユーザ信号についての復調値のずれ量、および、前記複数の位置信号についてのヘッド位置のずれ量、のいずれかについての、各発熱量ごとの平均値または各発熱量ごとの標準偏差値を算出するものであることを特徴とする請求項２又は３記載の制御装置。
5. 前記算出部は、前記２つ以上の代表値のうちの少なくとも１つの代表値については、前記複数のユーザ信号についての信号レベル、前記複数の位置信号についての信号レベル、前記複数のユーザ信号についての復調値のずれ量、および、前記複数の位置信号についてのヘッド位置のずれ量、のいずれかについての、各発熱量ごとの平均値および各発熱量ごとの平均値標準偏差値の両方を算出するものであり、
   前記接触判定部は、前記算出部により算出された平均値および標準偏差値それぞれについて、前記取得部により前記ヒータの発熱量が増加していったときの変化に基づき前記ヘッドと前記記憶媒体との間の接触の有無を判定し、これら平均値および標準偏差値のうち接触有りと判定された値についてその値の変化に基づき前記ヘッドと前記記憶媒体の接触時の発熱量を求めるものであることを特徴とする請求項２から４のうちのいずれか１項記載の制御装置。
6. 前記算出部は、前記２つ以上の代表値のうちの少なくとも１つの代表値については、前記複数のユーザ信号についての信号レベル、前記複数の位置信号についての信号レベル、前記複数のユーザ信号についての復調値のずれ量、および、前記複数の位置信号についてのヘッド位置のずれ量、のいずれかについての、各発熱量ごとの平均値を算出するものであり、
   前記接触判定部は、１つの発熱量と、該１つの発熱量よりも前記所定量の所定整数倍増加した発熱量における２つの平均値の間の差分値を各発熱量ごとに求め、一連の差分値を発熱量が増加する方向に見たときに、前記ヒータの発熱当初の平均的な差分値の値に所定係数を乗じて得られる閾値を、一方の側から他方の側に跨ぎ、連続する所定個数の差分値が該他方の側にとどまった場合に、前記ヘッドと前記記憶媒体との間に接触が有ると判定し、その閾値を越える直前の差分値における前記ヒータの発熱量を、前記接触時の発熱量として求めるものであることを特徴とする請求項２から５のうちのいずれか１項記載の制御装置。
7. 前記接触判定部は、前記所定整数、前記所定係数、前記所定個数、および、前記所定個数の差分値が連続して前記閾値を跨ぐ方向、からなり、これら前記所定整数、前記所定係数、前記所定個数、および、前記所定個数の差分値が連続して前記閾値を跨ぐ方向、のうちの少なくともいずれかが異なる複数組それぞれに基づき、前記ヘッドと前記記憶媒体との間の接触の有無の判定をそれぞれ行うものであることを特徴とする請求項６記載の制御装置。
8. 前記接触判定部は、前記取得部により前記ヒータの発熱量が増加していくのと並行して前記ヘッドと前記記憶媒体との間の接触の有無の判定を行うものであって、
   前記取得部は、前記接触判定部による判定で接触有りと判定された場合には、前記ヒータの発熱量の増加を停止することを特徴とする請求項１から７のうちのいずれか１項記載の制御装置。
9. 情報を記憶する記憶媒体の表面に近接し該記憶媒体から情報を読み取って読取信号を生成するヘッドを前記記憶媒体の表面に向かって熱膨張させるヒータの制御を行うための制御方法において、
   前記ヒータの複数の発熱量の下で前記ヘッドから読取信号を取得する取得過程と、
   前記取得過程により取得された読取信号から、該読取信号の特性を表す２種類以上の特性値を、少なくとも一種類のアルゴリズムにより各発熱量ごとに算出する算出過程と、
   前記算出過程により算出された２種類以上の特性値それぞれについて、前記ヒータの発熱量に対する特性値の変化に基づき前記ヘッドと前記記憶媒体との間の接触の有無を判定する接触判定過程と、
   前記接触判定過程でいずれかの特性値について接触有りと判定された時の発熱量を、前記ヘッドと前記記憶媒体とが接触して該ヘッドと該記憶媒体との間の距離がゼロとみなされるときの前記ヒータの発熱量として、前記ヘッドと前記記憶媒体との間の距離と、前記ヒータの発熱量との対応関係を決定する対応関係決定過程とを備えたことを特徴とする制御方法。
10. 情報を記憶する記憶媒体と、
    前記記憶媒体の表面に近接する近接面を有し、該記憶媒体から情報を読み取って読取信号を生成する、前記記憶媒体の表面に向かって前記近接面を熱膨張させるヒータを内蔵したヘッドと、
    前記ヒータの制御を行う制御装置とを備え、
    前記制御装置が、
    前記ヒータの複数の発熱量の下で前記ヘッドから読取信号を取得する取得部と、
    前記取得部により取得された読取信号から、該読取信号の特性を表す２種類以上の特性値を、少なくとも一種類のアルゴリズムにより各発熱量ごとに算出する算出部と、
    前記算出部により算出された２種類以上の特性値それぞれについて、前記ヒータの発熱量に対する特性値の変化に基づき前記ヘッドと前記記憶媒体との間の接触の有無を判定する接触判定部と、
    前記接触判定部でいずれかの特性値について接触有りと判定された時の発熱量を、前記ヘッドと前記記憶媒体とが接触して該ヘッドと該記憶媒体との間の距離がゼロとみなされるときの前記ヒータの発熱量として、前記ヘッドと前記記憶媒体との間の距離と、前記ヒータの発熱量との対応関係を決定する対応関係決定部とを備えたことを特徴とする情報記憶装置。

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