JP2004030898A - 温度によるデータ記憶システム制御方法,温度によるデータ記憶システム制御装置,およびデータ記憶システムでのウォーミングライト電流決定方法 - Google Patents

温度によるデータ記憶システム制御方法,温度によるデータ記憶システム制御装置,およびデータ記憶システムでのウォーミングライト電流決定方法 Download PDF

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Abstract

【課題】データ記憶システム制御方法及び装置を提供する。
【解決手段】低温環境で記録初期に発生するエラー発生率を改善するために記録前に記録ヘッドに一定のウォーミング電流を供給して記録ヘッドポールチップを十分に熱膨脹させて記録初期の信号の記録特性低下を防止するための温度によるデータ記憶システム制御方法及び装置。これにより,データ記憶システムで記録モード実行前にデータが消去されない程の電流でウォーミングライトを実行することにより,記録前に記録ヘッドのポールチップを十分に飽和状態まで熱膨脹させて記録モード初期のセクタに記録される信号のレベルが低下してエラーが発生する品質問題を改善する。
【選択図】 図3

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はデータ記憶システム制御方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
ハードディスクドライブ(以下,HDD)はコンピュータの補助記憶装置のうち一つであって,磁気ヘッドによってディスクに記録されたデータを再生(読取り)するか,またはディスクにホストコンピュータから送信されたデータを記録する装置である。
【0003】
このようなHDDは順次高容量化,高密度化及び小型化されつつディスクの回転方向の密度であるBPI(Bit Per Inch)および厚さ密度であるTPI(Tracks Per Inch)が増大し,これによりさらに精密でかつ迅速なヘッドの位置制御方法及び精巧なメカニズムが要求されている。
【0004】
一般的に,低温でHDDはメディアのマグネチック物理的特性のために保磁力Hcが増加してメディアにデータを記録することが常温や高温より難しくなる特性がある。
【0005】
そして,ヘッドを構成するポールチップは温度によって熱膨脹する特性がある。これにより,記録初期にはポールチップが収縮していて,記録電流によってポールチップが熱膨脹しながら一定時間記録電流が印加された後で初めて飽和状態まで熱膨脹する。
【0006】
特に,低温ではポールチップが図1(a)のように収縮している。記録命令によって記録電流が流れれば,記録初期には図1(b)のようにポールチップの収縮した状態を維持する。それから,一定時間記録電流によって十分に温度が上昇すれば,図1(c)のようにポールチップが飽和状態まで熱膨脹する。
【0007】
このような現象によって,ヘッドのディスク表面からのフライング高さが変化する。したがって,記録初期のフライング高さが,ポールチップが熱膨脹するまで,一時的に高まって記録初期に記録された信号を再生(読取り)すれば,読取する信号のレベルが縮少する現象が発生する。
【0008】
これにより記録初期のセクタに記録されたデータの読取時にエラーが発生する問題点があった。特に周囲の温度が低温である場合には記録初期セクタでエラーが発生する確率がさらに高まる問題点があった。
【0009】
このような問題点を解決するために開発された技術がダミーライト技術である。
【0010】
すなわち,図2に示したように,目標セクタ(一例としてセクタ100)にヘッドが到達する前にセクタ間に存在するギャップにダミーライトを実行して記録ヘッドのポールチップを膨脹させた。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら,従来の技術によるダミーライトはヘッドの位置によりダミーライトされるバイト数が変わるが,平均的に約1.5トラック*データセクタ数*6バイトのダミーライトを実行する。これにより,ヘッドの位置によりダミーライトされるバイト数が少ない場合には記録初期に性能が落ちる問題点があった。
【0012】
もちろん,ダミーライトするバイト数を十分に増加させればこのような問題点を解決できるが,この場合には記録時間が延びる問題点が発生する。
【0013】
本発明は,上記問題点に鑑みてなされたものであり,本発明の目的は,記録開始前に記録ヘッドにデータが消去されない程のウォーミング電流を持続的に印加して,記録ヘッドのポールチップを飽和状態まで十分に熱膨脹させた後で記録モードを実行することが可能な,新規かつ改良された温度によるデータ記憶システム制御方法及び装置を提供することである。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため,本発明の第1の観点によれば,データ記憶システム制御方法が提供される。上記データ記憶システム制御方法は,(a)前記データ記憶システムの周囲温度を検出して,検出された温度が臨界温度未満であるかどうかを判断する段階と,(b)前記段階(a)の判断結果,検出された温度が前記臨界温度未満である場合に,リード/ライト(以下,R/W)電流がイネーブルされているかどうかを判断する段階と,(c)前記リード及びライト電流がイネーブルされていない間に所定のウォーミングライト電流をイネーブルさせて記録ヘッドに印加させる段階とを含むことを特徴とする。
【0015】
本発明によれば,記録モード実行前にデータが消去されない程の電流でウォーミングライトを実行する。かかる構成により,記録前に記録ヘッドのポールチップを十分に飽和状態まで熱膨脹させて記録モード初期のセクタに記録される信号のレベルが低下してエラーが発生する品質問題が,改善される。
【0016】
ウォーミングライト電流を設定するプロセスは,(a)所定のテスト領域でのビットエラー率BERを測定する段階と,(b)記録ヘッドに印加されるウォーミング電流値を可変させながら前記所定のテスト領域を所定回数反復回転させる段階と,(c)前記所定のテスト領域での前記ウォーミング電流値によるビットエラー率BERを測定する段階と,(d)前記段階(c)で測定された前記ウォーミング電流値によるビットエラー率BERと前記段階(a)で測定されたビットエラー率BERとの差Bを演算する段階と,(e)前記段階(d)で演算された差B値と所定の臨界値とを比較して,前記演算された差B値が所定の臨界値未満の値を有する条件でウォーミング電流値をウォーミングライト電流と決定する段階と,を含むことを特徴とする。
【0017】
上記課題を解決するため,本発明の第2の観点によれば,温度によるデータ記憶システム制御装置が提供される。上記温度によるデータ記憶システム制御装置は,データ記憶システムの温度を感知するための温度センサーと,温度センサーで感知された温度が所定の臨界温度未満である場合に,所定のウォーミングライト電流をイネーブルさせるためのコントローラと,前記所定のウォーミングライト電流を記録ヘッドに供給するためのライトドライバとを含むことを特徴とする。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下,本発明の好適な実施の形態について,添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお,以下の説明及び添付図面において,略同一の機能及び構成を有する構成要素については,同一符号を付することにより,重複説明を省略する。
【0019】
図3は,第1の実施の形態にかかるHDDの構成を示す。図3に示すように,HDD 10はスピンドルモータ14によって回転される少なくとも一つの磁気ディスク12を含んでいる。HDD 10はディスク表面18に隣接して位置した変換器(図示せず。)も含んでいる。
【0020】
変換器はそれぞれのディスク12の磁界を感知して磁化することによって回転するディスク12から情報を再生(読取り)または記録できる。典型的に変換器は各ディスク表面18に結合されている。たとえ単一の変換器と説明されているが,これはディスク12を磁化するための記録用変換器とディスク12の磁界を感知するための分離された読取用変換器とよりなっていると理解されねばならない。読取用変換器は磁気抵抗(MR:Magneto−Resistive)素子より構成される。
【0021】
変換器はヘッド20に統合されうる。ヘッド20は変換器とディスク表面18間に空気ベアリングを生成させる構造になっている。ヘッド20はヘッドスタックアセンブリ(以下,HSA)22に結合されている。HSA22はボイスコイル26を有するアクチュエータアーム24に付着されている。ボイスコイル26はボイスコイルモータ(VCM;VoiceCoil Motor)30を特定するマグネチックアセンブリ28に隣接して位置している。
【0022】
ボイスコイル26に供給される電流はベアリングアセンブリ32に対してアクチュエータアーム24を回転させるトルクを発生させる。アクチュエータアーム24の回転はディスク表面18を横切って変換器を移動させる。
【0023】
情報は,典型的にディスク12の環状トラック内に記憶される。図2に示したように各トラック34は一般的に複数のセクタ(97,98,99,100,101,…)を含んでいる。各セクタはデータフィールドおよび識別フィールドを含むデータセクタおよびサーボセクタから構成されており,各データセクタ間にはインターセクタギャップ(ISG;Inter
Sector Gap)領域が存在する。
【0024】
上記識別フィールドはセクタ及びトラック(シリンダ)を識別するグレーコードを含んでいる。変換器は他のトラックにある情報を読取/記録するためにディスク表面18を横切って移動する。
【0025】
図4は,第1の実施の形態にかかるHDD 10を制御するための電気システム40を示す。図4に示すように,第1の実施の形態にかかる電気システム40は,R/Wチャンネル回路44及びリードプリアンプ&ライトドライバ回路46によってヘッド20に結合されたコントローラ42を含んでいる。
【0026】
上記コントローラ42は,デジタル信号プロセッサ(DSP:DigitalSignal Processor),マイクロプロセッサ,マイクロコントローラなどがある。
【0027】
コントローラ42は,ディスク12における情報を再生する(読取る),またはディスク12に情報を記録するためにR/Wチャンネル44に制御信号を供給し,特に低温でウォーミングライト電流(warming write current)をイネーブルさせる(enabled)ように制御する。
【0028】
情報は,典型的にR/Wチャンネル44からホストインターフェース回路47に伝送される。ホストインターフェース回路47はパソコンのようなシステムに対し,インターフェースを有するためにディスクドライブを許容するバッファメモリ及び制御回路を含んでいる。
【0029】
R/Wチャンネル回路44は,読取モードではヘッド20により読取されてリードプリアンプ回路46で増幅されたアナログ信号をホストコンピュータ(図示せず。)が判読できるデジタル信号に変調してホストインターフェース回路47に出力する。また,ホストコンピュータからホストインターフェース回路47を通じて使用者データを受信してディスクに記録できるように記録電流に変換してライトドライバ回路46に出力するように信号処理を実行する。
【0030】
コントローラ42はボイスコイル26に駆動電流を供給するVCM駆動回路48にも結合されている。コントローラ42はVCMの励起及び変換器の動きを制御するために駆動回路48に制御信号を供給する。
【0031】
コントローラ42は読取専用メモリ(ROM:Read Only Memory)またはフラッシュメモリ素子50のような非揮発性メモリ及びランダムアクセスメモリ(RAM:RandomAccess Memory)素子52に結合されている。
【0032】
上記フラッシュメモリ素子50,ランダムアクセスメモリ素子52はソフトウェアルーチンを実行するためにコントローラ42により使用される命令語及びデータを含んでいる。
【0033】
ソフトウェアルーチンの一つとして,一トラックから他のトラックに変換器を移動させるシークルーチン及びトラック内で目標セクタを捜し出す追従ルーチンがある。シークルーチンは変換器を正確なトラックに移動させることを保証するためのサーボ制御ルーチンを含んでいる。
【0034】
また,フラッシュメモリメモリ素子50,ランダムアクセスメモリ素子52には,図7に示したような本実施の形態にかかるウォーミングライト電流をイネーブルさせるためのプログラム及びウォーミングライト電流値が記憶されている。それだけでなく,場合によってはウォーミングライト電流値を決定するための図5及び図6に示したフローチャートによったプログラムが記憶される。
【0035】
これにより,コントローラ42は電源が供給された状態で温度センサー54で感知された温度が臨界温度未満であると判読される場合に,リードモード及びライトモードによるR/W電流がイネーブルされない間にウォーミングライト電流をイネーブルさせるように制御する。ここで,臨界温度はヘッドポールチップの収縮率及び記録媒体の保磁力などの値を考慮して記録初期性能が低下し始める温度と決定する。
【0036】
次に,本実施の形態にかかるウォーミングライト電流を設定する第1実施形態による方法について図5のフローチャートを中心に説明する。
【0037】
図5に示すように,まず,特定のテストゾーン区間でウォーミングライト電流を印加しない状態でビットエラー率BERを測定する(段階501)。
【0038】
そして,テストゾーンで記録ヘッドに印加されるウォーミングライト電流WCを最小ウォーミング電流Iminと決定してウォーミングライトをイネーブルさせる(段階502)。
【0039】
次に,ウォーミングライトがイネーブルされた状態でテストゾーンでN回回転させる(段階503)。例えば,一実施形態として,Nを1000などに設定できる。
【0040】
テストゾーンでウォーミングライトイネーブルされた状態でN回回転させた後,ビットエラー率BERを測定する(段階504)。
【0041】
次に,ウォーミングライト電流を印加した後で測定されたビットエラー率BERとウォーミングライト電流を印加しない状態測定されたビットエラー率BERとの差Bを演算する(段階505)。
【0042】
段階505で演算されたウォーミングライト電流供給前後の上記ビットエラー率差Bと第1臨界値Bth1とを比較する(段階506)。
【0043】
段階506の比較結果,ビットエラー率差Bが第1臨界値Bth1より小さいか,あるいは同じ場合にはウォーミングライト電流によってビットエラー率が許容値以上増加しないケースに該当するので,ウォーミングライト電流WCをΔIだけ増加させた後で段階503にフィードバックさせる(段階507)。ここで,ΔIはウォーミングライト電流の変化に対するビットエラー率変化の推移を判断するのに容易な程度の大きさに決定する。
【0044】
もし,段階506の比較結果,ビットエラー率差Bが第1臨界値Bth1より大きい場合にはエラー率差Bと第2臨界値Bth2とを比較する(段階508)。ここで,第2臨界値Bth2は第1臨界値Bth1より大きい値に設定され,ビットエラー率が変化し始めるウォーミングライト電流値近くでのビットエラー率の変化度を把握するために第1,2臨界値Sを分けて設定した。
【0045】
段階508の比較結果,ビットエラー率差Bが第2臨界値Bth2より小さいか,あるいは同じ場合にはウォーミングライト電流WCを現在設定されている電流値からαΔIを引いた値としてウォーミングライト電流を決定する(段階510)。この場合にはウォーミングライト電流によってビットエラー率が一定値以上増加し始める付近でウォーミングライト電流の増加によってビットエラー率が急激に変化しないケースに該当するので,ウォーミングライト電流のマージンを比較的少なく設定できる。ここで,αはマージンの程度を意味し,一例としてαを“1”に設定した場合にはビットエラー率が第1臨界値Bth1以上増加するウォーミング電流よりΔIだけ小さな値にウォーミングライト電流は決定される。
【0046】
段階508の比較結果,ビットエラー率差Bが第2臨界値Bth2より大きい場合にはウォーミングライト電流WCを現在設定されている電流値からβΔIを引いた値としてウォーミングライト電流を決定する(段階509)。この場合にはウォーミングライト電流によってビットエラー率が増加し始める付近でウォーミングライト電流の増加によってビットエラー率が急激に変化するケースに該当するのでウォーミングライト電流のマージンを比較的大きく設定せねばならない。ここで,βはマージンの程度を意味し,αより大きい値に決定する。例えば,一例として,βを“2”に設定した場合にはビットエラー率が第2臨界値Bth1以上急激に増加するウォーミング電流より2×ΔIだけ小さな値などにウォーミングライト電流は決定される。
【0047】
このような段階を経つつ,ビットエラー率が設計許容値を超過するウォーミング電流でビットエラー率の変化度を勘案して一定のマージン値を引いた値にウォーミングライト電流値を決定することができる。
【0048】
図8(b)はウォーミングライト電流の値による記録信号のレベル減衰量を測定した図面であり,図8(a)は図8(b)を拡大して示す図面である。
【0049】
図8(a)及び(b)に示すように,ウォーミングライト電流値が0〜9mAまでは記録信号にほとんど影響を与えず,10mAを超過しながら記録信号を急激に減衰させることが分かる。したがって,ウォーミングライト電流は9mA以下で決定されることが効果的であることが分かる。
【0050】
次に,本実施の形態にかかるウォーミングライト電流を設定するための第2実施形態にかかるデータ記憶システム制御方法について,図6に示すフローチャートを中心に説明する。
【0051】
なお,第2の実施の形態にかかるデータ記憶システム制御方法は,図3,図4,および図5についても,ほぼ同様の構成であるため詳細な説明は省略する。
【0052】
図6に示すフローチャートの段階501〜段階510は,図5に示すように,段階501〜段階510とほぼ同一の構成のため,詳細な説明は省略する。
【0053】
ビットエラー率の変化率によって各々段階509及び段階510で1次的にウォーミングライト電流W値を決定した後,エラー訂正ブロック(以下,ECC)をオンさせて所定回数(X)のリトライを設定した後,テストゾーンで所定回数(M)反復してリードプロセスを実行する(段階511)。例えば,一例として,Xは2回,Mは100回等に設定できる。
【0054】
次に,リードプロセスを実行しながらエラーが発生するかどうかを判断して(段階512),エラーが発生した場合には段階502にフィードバックして前記の段階502〜段階511を反復する。なお,上記の場合にマージン率αおよびβ値をフィードバックされる回数によって段階的に増加させることが効果的である。
【0055】
もし,段階512の判断結果,エラーが発生しない場合には段階509及び段階510で決定されたウォーミングライト電流値を最終的に確定する(段階513)。
【0056】
これにより,図6のフローチャートによれば,図5のフローチャートによってビットエラー率を考慮してウォーミングライト電流値を1次的に決定し,ECCをオンさせた後でリードプロセスを実行してエラーが発生しないことを確認した後で最終的にウォーミングライト電流を確定できる。
【0057】
次に,図5に示す第1の実施の形態にかかる決定されたウォーミングライト電流値,または図6に示す第2の実施の形態にかかる決定されたウォーミングライト電流値を利用して記録ヘッドにウォーミングライト電流を印加するプロセスについて図7に示すフローチャートを参照しながら,説明する。
【0058】
まず,コントローラ42は温度センサー54から検出されたHDDの温度Tが臨界温度Tthより低いかどうかを判断する(段階701)。ここで,臨界温度Tthはヘッドポールチップ(head pole tip)の収縮率及び記録媒体の保磁力などの値が低下して記録初期に品質に影響を与え始める温度に決定する。
【0059】
段階701の判断結果,温度センサー54から検出された温度Tが臨界温度Tthより低い場合には,リードモードまたはライトモードの実行によってR/W電流がイネーブルされているかどうかを判断する(段階702)。
【0060】
段階702の判断結果,R/W電流がイネーブルされていない場合には図5または図6に示すフローチャートによって決定されたウォーミングライト電流をイネーブルさせてライトヘッドに印加するように制御する(段階703)。
【0061】
このようなプロセスによって記録モード実行前に既に記録されたデータが消去されない程の電流でウォーミングライトを実行して記録ヘッドポールチップを十分に飽和状態まで熱膨脹させうる。これによって記録モード初期のセクタに記録される信号のレベルが低下して品質が落ちる問題点を解決できる。
【0062】
ここで,本実施の形態にかかる温度によるデータ記憶システム制御方法の効果を示すために従来の技術によるダミーライト方式によってヘッドで発生する熱量と,本実施の形態にかかるウォーミングライト方式によってヘッドで発生する熱量を[表1]に示した。
【0063】
【表1】
Figure 2004030898
【0064】
上記[表1]に示すように,記録電流を35mA,ウォーミングライト電流を9mAに設定した場合,正常記録モードでの熱量を100%と仮定すれば,従来の技術によるダミーライト方式での発生熱量は1.45%であり,本実施の形態にかかるウォーミングライト方式による発生熱量は7.18%であることが分かる。
【0065】
したがって,本実施の形態にかかるウォーミングライト方式が従来の技術のダミーライト方式に比べて発生熱量が増加することによって,記録初期にヘッドチップが十分に熱膨脹して低温での記録初期の品質問題を改善させることができる。
【0066】
以上,添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが,本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例を想定し得ることは明らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【0067】
上記実施形態においては,データ記憶システム制御方法,装置,及びシステムの場合を例に挙げて説明したが,かかる例に限定されず,例えば,データ記憶システムを制御するソフトウェアなどの場合であっても実施可能である。上記の場合,本実施の形態にかかる構成手段は必ず必要な作業を実行するコードセグメントから構成される。なお,プログラムまたはコードセグメントはプロセッサ判読可能媒体に記憶されるか,あるいは伝送媒体または通信網で搬送波と結合されたコンピュータデータ信号によって伝送されうる。
【0068】
本実施の形態にかかるプロセッサ判読可能媒体は,情報を記憶または伝送できるいかなる媒体の場合であってもよい。例えば,プロセッサ判読可能媒体の例には電子回路,半導体メモリ素子,ROM,フラッシュメモリ,消去可能なROM(EROM:ErasableROM),フロッピー(登録商標)ディスク,光ディスク,ハードディスク,光繊維媒体,無線周波数(RF)網などを例示することができる。
【0069】
本実施の形態にかかるコンピュータデータ信号は,電子網チャンネル,光繊維,空気,電界,RF網のような伝送媒体上に伝播できるいかなる信号も含む場合でもよい。
【0070】
【発明の効果】
以上説明したように,本発明によれば,データ記憶システムで記録モード実行前にデータが消去されない程の電流でウォーミングライトを実行することによって,記録前に記録ヘッドのポールチップを十分に飽和状態まで熱膨脹させて記録モード初期のセクタに記録される信号のレベルが低下してエラーが発生する品質問題を改善する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来における記録電流によるヘッドポールチップの熱膨脹状態を示す図面である。
【図2】従来の技術によるダミーライト方式を説明するための図面である。
【図3】第1の実施の形態に適用されるHDDの構成の平面図である。
【図4】第1の実施の形態に適用されるHDDを制御する電気システムの回路図である。
【図5】第1の実施の形態によるデータ記憶システムでの記録ヘッドに印加されるウォーミングライト電流決定方法のフローチャートである。
【図6】第2の実施の形態によるデータ記憶システムでの記録ヘッドに印加されるウォーミングライト電流決定方法のフローチャートである。
【図7】第1の実施の形態にかかる温度によるデータ記憶システム制御方法のフローチャートである。
【図8】ウォーミングライト電流の大きさによる記録された信号の減衰特性を示す説明図である。
【符号の説明】
10: ハードディスクドライブ(HDD)
12: 磁気ディスク
14: スピンドルモータ
18: ディスク表面
20: ヘッド
22: ヘッドスタックアセンブリ(HSA)
24: アクチュエータアーム
26: ボイスコイル
28: マグネチックアセンブリ
30: ボイスコイルモータ(VCM)
32: ベアリングアセンブリ
34: トラック

Claims (11)

  1. データ記憶システム制御方法において:
    (a)前記データ記憶システムの周囲温度を検出して,検出された温度が臨界温度未満であるかどうかを判断する段階と,
    (b)前記段階(a)の判断結果,検出された温度が前記臨界温度未満である場合に,リード/ライト電流がイネーブルされているかどうかを判断する段階と,
    (c)前記リード及びライト電流がイネーブルされていない間に所定のウォーミングライト電流をイネーブルさせて記録ヘッドに印加させる段階とを含むことを特徴とする,温度によるデータ記憶システム制御方法。
  2. 前記所定のウォーミングライト電流の値は記録媒体に記録されているデータが消去されない値に設定することを特徴とする,請求項1に記載の温度によるデータ記憶システム制御方法。
  3. 前記所定のウォーミングライト電流を設定するプロセスは,
    (a)所定のテスト領域でのビットエラー率BERを測定する段階と,
    (b)記録ヘッドに印加されるウォーミング電流値を可変させながら前記所定のテスト領域を所定回数反復回転させる段階と,
    (c)前記所定のテスト領域での前記ウォーミング電流値によるビットエラー率BERを測定する段階と,
    (d)前記段階(c)で測定された前記ウォーミング電流値によるビットエラー率BERと前記段階(a)で測定されたビットエラー率BERとの差Bを演算する段階と,
    (e)前記段階(d)で演算された差B値と所定の臨界値とを比較して,前記演算された差B値が所定の臨界値未満の値を有する条件でウォーミング電流値をウォーミングライト電流と決定する段階と,
    を含むことを特徴とする,請求項1又は2に記載の温度によるデータ記憶システム制御方法。
  4. エラー訂正ブロックをオンさせて所定の回数リトライを設定した後,前記所定のテスト領域でリードプロセスを所定回数反復して実行しながらエラー発生有無を判断して,エラーが発生しない場合,前記段階(e)のウォーミング電流値をウォーミングライト電流と決定する段階をさらに含むことを特徴とする,請求項3に記載の温度によるデータ記憶システム制御方法。
  5. データ記憶システム制御装置において:
    前記データ記憶システムの温度を感知するための温度センサーと,
    前記温度センサーで感知された温度が所定の臨界温度未満である場合に,所定のウォーミングライト電流をイネーブルさせるためのコントローラと,
    前記所定のウォーミングライト電流を記録ヘッドに供給するためのライトドライバと,
    を含むことを特徴とする,温度によるデータ記憶システム制御装置。
  6. 前記コントローラはリード及びライト電流がイネーブルされていない間にのみ前記所定のウォーミングライト電流をイネーブルさせるように制御することを特徴とする,請求項5に記載の温度によるデータ記憶システム制御装置。
  7. 前記所定のウォーミングライト電流の値は,記録媒体に記録されているデータが消去されない値に設定することを特徴とする,請求項5又は6に記載の温度によるデータ記憶システム制御装置。
  8. 前記所定のウォーミングライト電流を設定するプロセスは,
    (a)所定のテスト領域でのビットエラー率BERを測定する段階と,
    (b)記録ヘッドに印加されるウォーミング電流値を可変させながら前記所定のテスト領域を所定回数反復して回転させる段階と,
    (c)前記所定のテスト領域での前記ウォーミング電流値によるビットエラー率BERを測定する段階と,
    (d)前記段階(c)で測定された前記ウォーミング電流値によるビットエラー率BERと前記段階(a)で測定されたビットエラー率BERとの差Bを演算する段階と,
    (e)前記段階(d)で演算された差B値と所定の臨界値とを比較して,前記演算された差B値が所定の臨界値未満の値を有する条件でウォーミング電流値をウォーミングライト電流と決定する段階と,
    を含むことを特徴とする,請求項5,6,または7項のうちいずれか1項に記載の温度によるデータ記憶システム制御装置。
  9. エラー訂正ブロックをオンさせて所定回数のリトライを設定した後,前記所定のテスト領域で所定回数反復してリードプロセスを実行しながらエラー発生有無を判断して,エラーが発生しない場合,前記段階(e)のウォーミング電流値をウォーミングライト電流と決定する段階をさらに含むことを特徴とする,請求項5,6,7,または8項のうちいずれか1項に記載の温度によるデータ記憶システム制御装置。
  10. データ記憶システムのウォーミングライト電流設定方法において:
    (a)所定のテスト領域でのビットエラー率BERを測定する段階と,
    (b)記録ヘッドに印加されるウォーミング電流値を可変させながら前記所定のテスト領域を所定回数反復して回転させる段階と,
    (c)前記所定のテスト領域での前記ウォーミング電流値によるビットエラー率BERを測定する段階と,
    (d)前記段階(c)で測定された前記ウォーミング電流値によるビットエラー率BERと前記段階(a)で測定されたビットエラー率BERとの差Bを演算する段階と,
    (e)前記段階(d)で演算された差B値と所定の臨界値とを比較して,前記演算された差B値が所定の臨界値未満の値を有する条件でウォーミング電流値をウォーミングライト電流と決定する段階と,
    を含むことを特徴とする,データ記憶システムでのウォーミングライト電流決定方法。
  11. エラー訂正ブロックをオンさせて所定回数のリトライを設定した後,前記所定のテスト領域でリードプロセスを所定回数反復して実行しながらエラー発生有無を判断して,エラーが発生しない場合,前記段階(e)のウォーミング電流値をウォーミングライト電流と決定する段階をさらに含むことを特徴とする,請求項10に記載のデータ記憶システムでのウォーミングライト電流決定方法。
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