JP2010069875A - Ltcc積層体 - Google Patents
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Abstract
【課題】磁気シートが、焼結中に従来よりも剥離し難くおよび/または焼結後の固有応力がわずかであるような磁気セラミックシートを備えたセラミックLTCC積層体を提供する。
【解決手段】上下に積層された複数枚のグリーンセラミックシート(2,3,4)を有し、そのうち少なくとも第1のグリーンセラミックシート(2,3)が主成分として酸化ジルコニウムと、少なくとも1種の焼結助剤の添加物を備える。
【選択図】図1
【解決手段】上下に積層された複数枚のグリーンセラミックシート(2,3,4)を有し、そのうち少なくとも第1のグリーンセラミックシート(2,3)が主成分として酸化ジルコニウムと、少なくとも1種の焼結助剤の添加物を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、未焼結LTCC積層体、それから焼結されたLTCC積層体、焼結LTCC積層体を備えたセラミック電子モジュール、LTCC積層体を備えたモノリシック変換器(Transformator)および焼結LTCC積層体の製造方法に関する。
磁気セラミック材料(フェライト)には、通常小量の焼結助剤がLTCC(低温同時焼成セラミックス)法への応用を可能にするため添加される。しかし、市販の基礎シート(ベーステープとも呼ばれる)はかなり多量の焼結助剤を有しており、そのためその焼結方法はLTCCフェライト材料の焼結方法とは異なっている。そのうえLTCCフェライト材料は、市販の基礎シートの熱膨張係数が普通5〜6(10-6K-1)であるのに対して11〜12(10-6K-1)という高い熱膨張係数を示す。焼結方法と熱膨張の相違は、焼結中に基礎シートと磁気層との間に層剥離を生じさせ、またはフェライト層に応力を形成するので、これによりフェライト層の透磁率が低下してしまうおそれがある。磁気セラミック材料をLTCC積層体に完全に組み込むためには、それゆえ新しい基礎シートが必要とされ、このシートは理想的には以下の限界条件(Randbedingungen)を少なくともほぼ満たすものでなければならい。
・焼結温度Ts≦1000℃、特にTs≦900℃
・フェライト材料との化学的両立性(Kompatibilitat)
・フェライト材料との焼結方法の両立性(層剥離を起こさず、フェライト層内の応力の発生がごくわずかであること)
・熱膨張係数11〜12(10-6K-1)
・誘電率ε≦20
・焼結温度Ts≦1000℃、特にTs≦900℃
・フェライト材料との化学的両立性(Kompatibilitat)
・フェライト材料との焼結方法の両立性(層剥離を起こさず、フェライト層内の応力の発生がごくわずかであること)
・熱膨張係数11〜12(10-6K-1)
・誘電率ε≦20
本発明の課題は、磁気シートが焼結中に従来よりも剥離し難くおよび/または焼結後の固有応力がわずかであるような磁気セラミックシートを備えたセラミックLTCC積層体の製造を可能にすることにある。
この課題は、請求項1記載の未焼結LTCC積層体、請求項9記載の未焼結LTCC積層体の焼結により製造されたLTCC積層体、請求項11記載の焼結LTCC積層体を備えたセラミック電子モジュール、請求項12記載のLTCC積層体を備えたモノリシック変換器、および請求項13記載の焼結LTCC積層体の製造方法により解決される。有利な実施態様は特に従属請求項に記載されている。
未焼結LTCC積層体は、上下に積層された多数のグリーン(すなわち予め成形され、たとえばプレスまたは鋳造はされているがまだ焼結されていない)セラミックシートを有し、そのうち少なくとも第1のセラミックシートが主成分として酸化ジルコニウム(ZrO2)と少なくとも1種の焼結助剤の添加物を有する。セラミックシートとしては、しばしばいわゆる"テープ(tapes)"が使用される。
酸化ジルコニウムは、たとえばそのテトラゴナル相において、11〜12(10-6K-1)の熱膨張係数と20〜25の誘電率εを示す。なかんずく、酸化ジルコニウムの焼結温度は1500〜1700℃である。焼結温度は、少なくとも1種の焼結助剤を添加することにより誘電率εの値を保持したまま900℃以下に著しく低下する。このような酸化ジルコニウムと焼結助剤との混合物は、さらに普通のセラミックフェライト材料とは化学的におよび焼結方法で両立性を示す。
未焼結LTCC積層体は、少なくとも第1のグリーンセラミックシートが焼結助剤として酸化ビスマスの添加物を有すると有利である。
これとは別にまたはこれに付加して、未焼結LTCC積層体は、少なくとも第1のグリーンセラミックシートが焼結助剤として酸化ケイ素(SiO2),特に石英状(quarzartig)酸化ケイ素の添加物を有すると有利である。
しかし焼結助剤は上記に限らず、たとえば他のセラミック酸化物またはガラスフリットを使用することもできる。
未焼結LTCC積層体は、少なくとも1枚の別のグリーンセラミックシートがグリーンフェライトセラミックシートを有すると有利である。有利なフェライト材料はMnZnを含むが、NiZnまたはNiZnCuを含むフェライトも使用可能である。一般的には磁性、特に軟磁性セラミック、特にスピネル状のフェライトが使用可能である。
焼結助剤、特に酸化ビスマスまたは酸化ビスマスと酸化ケイ素から成る焼結助剤の成分量のパーセンテージが20Vol%の値を上回らない、特に15Vol%を上回らないこと、特に10Vol%以下の範囲にあることが有利である。
さらに、酸化ビスマスが酸化ケイ素よりもモル成分の高いパーセンテージを示すと有利である。
酸化ジルコニウムが、正方晶テトラゴナル酸化ジルコニウム(t‐ZrO2)である未焼結LTCC積層体が有利である。
しかしまた、酸化ジルコニウムが、立方晶酸化ジルコニウム(c‐ZrO2)である未焼結LTCC積層体も有利である。
酸化ジルコニウムが、0〜15Mol%の酸化イットリウム(Y2O3)、特に1〜10Mol%、好適には3〜8Mol%の酸化イットリウムの成分で安定化ないしはドープされた未焼結LTCC積層体が有利である。特に、3Mol%の酸化イットリウムで安定化された正方晶テトラゴナル酸化ジルコニウム(3YTZ)、低比表面積(たとえば16±3m2/gの代わりに7±2m2/g)の正方晶酸化ジルコニウム(3YTZ−S)または8Mol%の酸化イットリウムで安定化された立方晶酸化ジルコニウム(8YTZ)が有利であり、これらはすべて日本の東ソー社から市販されている。特に有利なのは、6〜10Mol%の酸化イットリウムで完全安定化された立方晶酸化ジルコニウム(c−ZrO2)である。しかし、安定化酸化ジルコニウムはイットリウムによる安定化に限定されず、むしろ付加的にまたはその代わりにたとえばCe3+、Ca2+、Mg2+、Sm3+を有する酸化物およびZrO2、特にc−ZrO2の安定化用にその他多数の酸化物を使用すると有利である。
第1のセラミックシートが基礎シート(ベースシート)であり、その上に少なくとも1枚のグリーン磁気セラミックシートが重ねられる未焼結LTCC積層体が有利である。しかし、LTCC積層体はこれに限定されない。たとえば、これに付加してまたはその代わりに1枚または複数枚の酸化ジルコニウムをベースとしたシートをフェライトシートの間に挿入することもできる。少なくとも1枚の第1のセラミックシートは従って中間シートとして、グリーン磁気セラミックシートの間に挿入することができる。これにより、フェライトシート間に誘電体空隙が作られる。
フェライトシートの層厚は、0.1〜3mmであると有利であり、その間に酸化ジルコニウムベースシートが挿入される場合にはフェライトシートあたり1〜2mmであると良い。酸化ジルコニウムベースシートの厚みは、同様に0.1〜3mmが有利であり、フェライトシート間に酸化ジルコニウムベースシートが挿入される場合には、0.4〜1.0mmであると良い。
焼結LTCC積層体は、上記の未焼結LTCC積層体の焼結により作られる。この場合、焼結助剤(Bi2O3、SiO2等)は焼結中に(完全または部分的に)安定化されたまたは安定化されていない酸化ジルコニウムにより混合結晶に変換され得る。
焼結が、1000℃以下の焼結温度、特に900℃以下の焼結温度で実施された焼結LTCC積層体が有利である。
LTCC積層体の製造方法は少なくとも以下の工程、すなわち(a)上述の未焼結LTCC積層体の製造、(b)特に900℃以下の焼結温度での未焼結LTCC積層体の焼結、の工程を有する。
以下に図面に示す実施例に基づき本発明をより詳しく説明する
図1はLTCC積層体1を示し、その下側の被覆シート(基礎シートまたはベーステープ)2および上側の被覆シート3は同じ厚さで、主成分として酸化ジルコニウム、焼結助剤の添加物として酸化ビスマスと酸化ケイ素の混合物を有し、両被覆シート2、3の間に9枚のセラミックフェライト層4が配置されている。
図2は、酸化ジルコニウムベースシートに種々の材料を用いた場合の複合透磁率の実部μ’(縦軸)と測定周波数Hzの関係を示す。測定は米国ヒューレット・パッカード社のインピーダンス測定器HP4194Aを用いて実施された。LTCC積層体はそれぞれ1枚の下側の被覆シート(基礎シートまたはベーステープ)と上側の被覆シートを有し、それらは主成分として酸化ジルコニウムで焼結され、両被覆シートの間に9枚のセラミックフェライトシートが配置された。詳細には以下の材料成分を持つ被覆シートが使用された。
a)焼結助剤としてモル比Bi2O3:SiO2=6:1の酸化ビスマスと酸化ケイ素の添加物10Vol%の3YZT−S。その焼結製品[3YS6BS]は最大375の実部μ'の値を示す。
b)焼結助剤としてモル比Bi2O3:SiO2=6:1の酸化ビスマスと酸化シリコンの添加物10Vol%の8YZT。その焼結製品[8Y6BS]は最大341の実部μ'の値を示す。
c)焼結助剤としてモル比Bi2O3:SiO2=3:1の酸化ビスマスと酸化シリコンの添加物10Vol%の8YZT。その焼結製品[8Y3BS]は最大266の実部μ'の値を示す。
d)焼結助剤としてモル比Bi2O3:SiO2=6:1の酸化ビスマスと酸化シリコンの添加物10Vol%の3YZT。その焼結製品[3Y6BS]は最大262の実部μ'の値を示す。
e)焼結助剤としてモル比Bi2O3:SiO2=1:1の酸化ビスマスと酸化シリコンの添加物10Vol%の8YZT。その焼結製品[8Y1BS]は最大177の実部μ'の値を示す。
すべての積層体は500kHz〜約3MHzの周波数範囲ではほぼ一定の実部μ’値を示し、この値はこれより高い周波数になると減衰している。8Y1BSの積層体だけが減衰が遅く始まり、しかも他の積層体に比べて減衰度は弱い。
被覆シート3YS6BSを持つ積層体はすべての実験材料組成のうち最も強い透磁率実部μ’値を示し、しかもこれは全周波数範囲にわたり、これに8Y6BSと8Y3BSが続く。3Y6BSの積層体は500kHz〜約5MHzの周波数範囲では8Y6BSの積層体とほぼ同じ実部μ’値を示し、これより高い周波数では8Y6BSよりも著しく減衰している(訳注:図2では減衰度は逆になっている)。少なくとも10MHzまでは8Y1BSの積層体は被覆シートのなかで最も低い実部μ’値を示す。特に当初300以上の実部μ’値を有する積層体、すなわち3YS6BSまたは8Y6BSはセラミック電子モジュールに用いるのに極めて適している。
ここには示していないが焼結LTCC積層体の走査電子顕微鏡検査およびエネルギー分散X線分光検査では、被覆シートと隣接フェライト層との境界面が良好な接着性(層剥離がない)を示し、シート間の拡散がなく、シートの材料間の化学的反応も生じないことが判明している。
本発明の有利な応用例は照明分野である。
もちろん本発明は上述の実施例に限定されるものではない。
1 LTCC積層体
2 下側の被覆シート
3 上側の被覆シート
4 セラミックフェライト層
2 下側の被覆シート
3 上側の被覆シート
4 セラミックフェライト層
Claims (13)
- 上下に積層された複数枚のグリーンセラミックシート(2,3,4)を有し、そのうち少なくとも第1のグリーンセラミックシート(2,3)が主成分として酸化ジルコニウムと、少なくとも1種の焼結助剤の添加物を備える未焼結LTCC積層体。
- 少なくとも第1のグリーンセラミックシート(2,3)が、焼結助剤として酸化ビスマスの添加物を備える請求項1記載の未焼結LTCC積層体。
- 少なくとも第1のグリーンセラミックシート(2,3)が、焼結助剤として酸化ケイ素の添加物を備える請求項1又は2記載の未焼結LTCC積層体。
- 酸化ジルコニウムが、正方晶酸化ジルコニウムである請求項1乃至3の1つに記載の未焼結LTCC積層体。
- 酸化ジルコニウムが、立方晶酸化ジルコニウムである請求項1乃至4の1つに記載の未焼結LTCC積層体。
- 酸化ジルコニウムが、0〜15Mol%の酸化イットリウムで安定化された酸化ジルコニウムで安定化された立方晶酸化ジルコニウムである請求項1乃至5の1つに記載の未焼結LTCC積層体。
- 第1のセラミックシート(2)が基礎シートであり、その上に少なくとも1枚のグリーン磁気セラミックシート(4)が積層される請求項1乃至6の1つに記載の未焼結LTCC積層体。
- 少なくとも1枚の第1のセラミックシートが、グリーン磁気セラミックシートの間に挿入される中間シートである請求項1乃至7の1つに記載の未焼結LTCC積層体。
- 請求項1乃至8の1つに記載の未焼結LTCC積層体(1)の焼結により製造された焼結LTCC積層体。
- 焼結が、1000℃以下の焼結温度で実施された請求項9記載の焼結LTCC積層体。
- 請求項9または10記載の焼結LTCC積層体を備えたセラミック電子モジュール。
- 請求項9または10記載の焼結LTCC積層体を備えたセラミック電子モジュールに使用するためのモノシリック変換器。
- 少なくとも以下の工程
・請求項1乃至8の1つに記載の未焼結LTCC積層体の製造
・900℃以下の焼結温度での未焼結LTCC積層体(1)の焼結
を有するLTCC積層体の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012086740A1 (ja) * | 2010-12-22 | 2012-06-28 | 京セラ株式会社 | 誘電体セラミックスおよびこれを備える誘電体フィルタ |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012111203A1 (ja) * | 2011-02-15 | 2012-08-23 | 株式会社村田製作所 | 積層型インダクタ素子 |
CN102674847B (zh) * | 2012-04-28 | 2014-12-10 | 深圳光启创新技术有限公司 | 一种超材料谐振子及其制备方法 |
DE102013103028A1 (de) * | 2013-03-25 | 2014-09-25 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Sinterkörper mit mehreren Werkstoffen und Druckmessgerät mit einem solchen Sinterkörper |
KR101975478B1 (ko) * | 2013-10-04 | 2019-05-07 | 삼성전기주식회사 | 자성 기판 및 그 제조 방법, 상기 자성 기판과 절연재의 접합 구조물, 그리고 상기 접합 구조물을 갖는 칩 부품 |
CN103626515A (zh) * | 2013-12-02 | 2014-03-12 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 叠层元器件及其制造方法 |
US9570671B2 (en) * | 2014-03-12 | 2017-02-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic memory device |
US10756575B2 (en) * | 2015-08-03 | 2020-08-25 | University Of Houston System | Wireless power transfer systems and methods along a pipe using ferrite materials |
CN115340376B (zh) * | 2022-06-28 | 2023-08-08 | 清华大学深圳国际研究生院 | 一种ltcc用陶瓷基板及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5169513A (en) * | 1984-06-06 | 1992-12-08 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrochemical element and method of making |
US5045402A (en) * | 1986-08-01 | 1991-09-03 | International Business Machines Corporation | Zirconia toughening of glass-ceramic materials |
JP2617204B2 (ja) * | 1988-04-27 | 1997-06-04 | 日本特殊陶業株式会社 | 固体電解質の製造方法 |
JPH02121309A (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Fe−Si−Al磁芯の製造法及びそれを用いた磁気ヘッド |
JP2816439B2 (ja) * | 1989-02-20 | 1998-10-27 | スズキ株式会社 | 傾斜機能材料の製造方法 |
JP2723324B2 (ja) * | 1990-01-25 | 1998-03-09 | 日本特殊陶業株式会社 | アルミナ焼結基板 |
US5171645A (en) * | 1991-01-08 | 1992-12-15 | Gas Research Institute, Inc. | Zirconia-bismuth oxide graded electrolyte |
US6004644A (en) * | 1994-07-26 | 1999-12-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Zirconia diaphragm structure and piezoelectric/electrostrictive film element having the zirconia diaphragm structure |
JP3280799B2 (ja) * | 1993-10-14 | 2002-05-13 | 日本碍子株式会社 | 薄肉ジルコニアダイヤフラム構造体及びその製造法並びにそれを用いた圧電/電歪膜型素子 |
US5545461A (en) * | 1994-02-14 | 1996-08-13 | Ngk Insulators, Ltd. | Ceramic diaphragm structure having convex diaphragm portion and method of producing the same |
US5634999A (en) * | 1994-09-06 | 1997-06-03 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of producing ceramic diaphragm structure having convex diaphragm portion |
EP0857702B1 (en) * | 1994-11-09 | 2000-08-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for producing ceramic substrate |
JP3301380B2 (ja) * | 1997-06-27 | 2002-07-15 | 株式会社村田製作所 | 圧電セラミック焼結体、圧電セラミック素子、および積層圧電セラミック素子、ならびに圧電セラミック焼結体の製造方法 |
WO1999013300A1 (en) * | 1997-09-08 | 1999-03-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Mass sensor and mass detection method |
JPH11171645A (ja) * | 1997-12-09 | 1999-06-29 | Hitachi Metals Ltd | 電子部品 |
US6145380A (en) * | 1997-12-18 | 2000-11-14 | Alliedsignal | Silicon micro-machined accelerometer using integrated electrical and mechanical packaging |
JP3648086B2 (ja) * | 1998-03-27 | 2005-05-18 | 日本碍子株式会社 | ZrO2磁器 |
US6335586B1 (en) * | 1998-12-28 | 2002-01-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive device and production method thereof |
JP3797060B2 (ja) * | 1999-05-17 | 2006-07-12 | 株式会社デンソー | セラミック積層体及びその製造方法 |
US6323582B1 (en) * | 1999-10-01 | 2001-11-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/Electrostrictive device |
JP4453166B2 (ja) * | 2000-06-19 | 2010-04-21 | 株式会社デンソー | 積層型ガスセンサ素子及びその製造方法 |
US6985349B2 (en) * | 2001-12-13 | 2006-01-10 | Harris Corporation | Electronic module including a low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate with a capacitive structure embedded therein and related methods |
US6827800B2 (en) * | 2003-01-30 | 2004-12-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for the constrained sintering of asymmetrically configured dielectric layers |
JP4050593B2 (ja) * | 2002-11-01 | 2008-02-20 | 日本特殊陶業株式会社 | ガスセンサ素子及びこれを用いたガスセンサ |
WO2006046494A1 (ja) * | 2004-10-25 | 2006-05-04 | Ngk Insulators, Ltd. | 圧電/電歪デバイス |
US7068492B2 (en) * | 2004-11-22 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for the constrained sintering of a pseudo-symmetrically configured low temperature cofired ceramic structure |
US7833469B2 (en) * | 2004-12-15 | 2010-11-16 | Coorstek, Inc. | Preparation of yttria-stabilized zirconia reaction sintered products |
US7095602B1 (en) * | 2005-06-29 | 2006-08-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic structure and nonreciprocal circuit device |
US7550319B2 (en) * | 2005-09-01 | 2009-06-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Low temperature co-fired ceramic (LTCC) tape compositions, light emitting diode (LED) modules, lighting devices and method of forming thereof |
US7666328B2 (en) * | 2005-11-22 | 2010-02-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film conductor composition(s) and processing technology thereof for use in multilayer electronic circuits and devices |
KR100989342B1 (ko) * | 2006-05-29 | 2010-10-25 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 세라믹 다층기판의 제조 방법 |
KR100849790B1 (ko) * | 2007-03-22 | 2008-07-31 | 삼성전기주식회사 | Ltcc 기판 제조방법 |
-
2008
- 2008-09-09 DE DE102008046336A patent/DE102008046336A1/de not_active Withdrawn
-
2009
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- 2009-09-09 KR KR1020090084929A patent/KR20100030599A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-09-09 CN CN200910169140A patent/CN101671163A/zh active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012086740A1 (ja) * | 2010-12-22 | 2012-06-28 | 京セラ株式会社 | 誘電体セラミックスおよびこれを備える誘電体フィルタ |
US9006122B2 (en) | 2010-12-22 | 2015-04-14 | Kyocera Corporation | Dielectric ceramic and dielectric filter having the same |
JP5726209B2 (ja) * | 2010-12-22 | 2015-05-27 | 京セラ株式会社 | 誘電体セラミックスおよびこれを備える誘電体フィルタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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