JP2010045227A - 導電性パタンの形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁性支持体の少なくとも一方の面に、写真製法により得られた銀薄膜層及び感光性レジスト層を少なくともこの順に有する導電性パタン前駆体を、パタン露光後に現像して銀薄膜層上に任意のパタンを有するレジスト画像を形成した後、電解めっき法により該レジスト画像で被覆されていない銀薄膜層上に金属を積層させ、その後レジスト画像を溶解除去し、更に金属が積層されていない部分の銀薄膜層を除去する導電性パタンの形成方法。
【選択図】なし
Description
1.絶縁性支持体の少なくとも一方の面に、写真製法により得られた銀薄膜層及び感光性レジスト層を少なくともこの順に有する導電性パタン前駆体を、パタン露光後に現像して銀薄膜層上に任意のパタンを有するレジスト画像を形成した後、電解めっき法により該レジスト画像で被覆されていない銀薄膜層上に金属を積層させ、その後レジスト画像を溶解除去し、更に金属が積層されていない部分の銀薄膜層を除去する導電性パタンの形成方法。
2.上記導電性パタン前駆体の感光性レジスト層が、塗布されたポジ型感光性レジスト層であることを特徴とする上記1に記載の導電性パタンの形成方法。
(a)絶縁性支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層を有する材料を、現像処理することにより、ハロゲン化銀を還元し銀薄膜層を析出させる写真製法。
(b)絶縁性支持体上に少なくとも物理現像核層とハロゲン化銀乳剤層をこの順に有する材料を、現像処理することにより、物理現像核上に銀薄膜層を析出させ、次いで不要となったハロゲン化銀乳剤層を水洗除去する写真製法(銀錯塩拡散転写法)。
絶縁性支持体として、厚み100μmのポリエチレンテレフタレートフィルムの片面上に下記の易接着層を設けた。
易接着層:塩化ビニリデンラテックス(旭化成工業製、L−536B、ビニリデン含有率90%以上)、100部、乾燥膜厚0.3μm。
この絶縁性支持体のシート抵抗値をダイアインスツルメント(株)ハイレスタUP MCP−HT450型を用いて測定したところ、1011Ω/□であった。
ベース層:石灰処理ゼラチン、80部、自己乳化性イソシアネート化合物(旭化成工業社製、デュラネートWB40−100)、20部、乾燥膜厚0.15μm。
<現像液>
水酸化ナトリウム 20g
ハイドロキノン 20g
1−フェニル−3−ピラゾリドン 2g
亜硫酸ナトリウム 30g
モノメチルエタノールアミン 10g
全量を水で1000mlに合わせた。
(pH=13.0)
導電性パタン前駆体A1と同様に作製した絶縁性支持体上のベース層上に、ハロゲン化銀乳剤層を塗布した。このハロゲン化銀乳剤は、塩化銀60モル%と臭化銀40モル%で、平均粒径が0.15μmの立方体になるようにコントロールドダブルジェット法により調製した。このようにして得られたハロゲン化銀乳剤を、定法に従いチオ硫酸ナトリウムと塩化金酸を用いて金イオウ増感を施した。こうして得られたハロゲン化銀乳剤は銀3.6gあたり0.6gのゼラチンを含む。
ゼラチン 0.6g
ハロゲン化銀乳剤 3.6g銀相当
1−フェニル−5−メルカプトテトラゾール 3.0mg
界面活性剤(S1) 20mg
グリオキサール(40%水溶液) 50mg
特開2007−287953号公報を参考にし、絶縁性支持体として、厚み100μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(シート抵抗値1011Ω/□)表面をプラズマ処理した後に、厚さ10nm以上、30nm以下のNi:Cr=80:20の合金膜をスパッタにて形成した後に100nmの厚さでCuスパッタ層を形成した下地金属層を有するシートを得た。また、Cuスパッタ膜層の表面抵抗値は0.2Ω/□であった。
特開2007−287994号公報の実施例1を参考に、絶縁性支持体として、厚み100μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(シート抵抗値1011Ω/□)を用いてグラフトポリマー層(厚み0.8μm)を作製し、得られたグラフトポリマー層を、硝酸銀(和光純薬製)1質量%の水溶液に10分間浸漬した後、蒸留水で洗浄した。その後、下記無電解めっき浴でめっき処理を行い、無電解めっき銅薄膜層を得た。この銅薄膜層は厚みが100nmであり、銅薄表面抵抗値は5Ω/□であった。
硫酸銅 0.3g
酒石酸NaK 1.7g
水酸化ナトリウム 0.7g
ホルムアルデヒド 0.2g
水 48g
絶縁性支持体として、厚み100μmのポリエチレンテレフタレートフィルム表面をプラズマ処理した後に、真空蒸着法により100nmの厚みに銀薄膜層を形成した。またこの銀薄膜層の表面抵抗値は0.4Ω/□であった。
上記のようにして得られた導電性パタン前駆体A1〜E1それぞれの感光性レジスト層表面に、線幅10μm(遮光部)、間隔10μm(透光部)のライン/スペース画像と、線幅100μm×長さ3cm(透光部)の孤立画像とを有するガラスマスクを真空密着させ、感光性レジスト層の感光域の波長を有する光(超高圧水銀灯)を集光させ、コリメーターレンズを通して平行光露光した。露光後の導電性パタン前駆体A1〜E1は、それぞれ30℃の1%の炭酸ナトリウム水溶液中で揺動させながら40秒間現像し、レジスト画像を得た。露光量はレジスト画像部の線幅を光学顕微鏡で観察し、10μmとなる様に設定した。
硫酸銅・5水和物 75g/L
硫酸 190g/L
光沢剤 適量
塩化物イオン 50mg/L
浴温 25℃
光沢剤として、ローム・アンド・ハース社製、カパーグリーム CLXを用いた。
硫酸ニッケル 240g/L
塩化ニッケル 45g/L
ホウ酸 30g/L
浴温 50℃
Claims (2)
- 絶縁性支持体の少なくとも一方の面に、写真製法により得られた銀薄膜層及び感光性レジスト層を少なくともこの順に有する導電性パタン前駆体を、パタン露光後に現像して銀薄膜層上に任意のパタンを有するレジスト画像を形成した後、電解めっき法により該レジスト画像で被覆されていない銀薄膜層上に金属を積層させ、その後レジスト画像を溶解除去し、更に金属が積層されていない部分の銀薄膜層を除去する導電性パタンの形成方法。
- 該導電性パタン前駆体の感光性レジスト層が、塗布されたポジ型感光性レジスト層であることを特徴とする請求項1に記載の導電性パタンの形成方法。
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